检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

189 篇 专利

馆藏范围

189 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

23 篇 中芯国际集成电路...
20 篇 上海华力微电子有...
11 篇 安集微电子有限公...
10 篇 上海华虹宏力半导...
5 篇 安集微电子科技有...
4 篇 中科见微智能装备...
4 篇 长鑫存储技术有限...
4 篇 上海华力集成电路...
3 篇 苏州能讯高能半导...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 安集微电子科技股...
3 篇 长江存储科技有限...
3 篇 三洋电机株式会社
2 篇 和舰科技有限公司
2 篇 华进半导体封装先...
2 篇 杰华特微电子股份...
2 篇 深圳市日欣工业设...
2 篇 株洲南车时代电气...
2 篇 无锡中微晶园电子...

作者

17 篇 荆建芬
16 篇 蔡鑫元
13 篇 姚颖
11 篇 徐强
8 篇 潘依君
7 篇 宋凯
6 篇 邱腾飞
6 篇 张建
5 篇 李恒
4 篇 葛薇薇
4 篇 刘智勇
4 篇 高嫄
3 篇 卞鹏程
3 篇 冈田喜久雄
3 篇 刘焕新
3 篇 袁俊
3 篇 青野勉
3 篇 杨俊雅
2 篇 佟大明
2 篇 俞柳江

语言

189 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件表面"

共 189 条记录，以下是31-40 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

半导体器件的制造方法

半导体器件的制造方法

引用

作者：史航谢岩 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一表面开设有第一沟槽的基底，第一沟槽中填充的第一金属层的表面低于基底的表面；形成第一介质层覆盖于基底表面和第一金属层表面，第一金属层上第一介质层中形成第二沟槽；形成第二... 详细信息

标准号: CN114284208A

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一表面开设有第一沟槽的基底，第一沟槽中填充的第一金属层的表面低于基底的表面；形成第一介质层覆盖于基底表面和第一金属层表面，第一金属层上第一介质层中形成第二沟槽；形成第二介质层，至少填满第二沟槽；去除第二介质层和第一介质层，去除过程中第一介质层的第二表面位于一临时界面，临时界面远离第一介质层的第一表面一侧保留部分厚度第二介质层，去除保留的部分厚度第二介质层后去除第一金属层上的介质层，以形成暴露出第一金属层和第一沟槽外围基底的第三沟槽。本发明的技术方案能够避免产生带电的金属球附着在半导体器件表面，从而提升半导体器件的良率。

关键词：介质层第一金属层去除基底半导体器件半导体器件表面表面开设第二表面第一表面基底表面金属球保留带电附着良率填满填充外围暴露覆盖制造

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件

半导体器件

引用

作者：葛薇薇 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

公开了一种半导体器件，包括横向分布在所述半导体器件表面的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别设置有源端掺杂区和漏端掺杂区，分别形成源端和漏端，栅极结构覆盖在阱区和漂移区之间，场板结构覆盖在漂移区上表面，用于辅助耗尽漂移... 详细信息

标准号: CN112909094B

公开了一种半导体器件，包括横向分布在所述半导体器件表面的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别设置有源端掺杂区和漏端掺杂区，分别形成源端和漏端，栅极结构覆盖在阱区和漂移区之间，场板结构覆盖在漂移区上表面，用于辅助耗尽漂移区，其中，在漂移区上表面的位于场板结构与栅极结构之间的区域中设置有掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反的表面掺杂区，该表面掺杂区电引出与场板结构电连接。本发明的半导体器件可使场板结构上表面的电位略低于场板结构下表面的电位，提升了场板结构对漂移区的辅助耗尽效果，提升半导体器件的击穿电压。

关键词：漂移区场板结构半导体器件上表面阱区电位表面掺杂掺杂类型栅极结构掺杂区漏端源端耗尽半导体器件表面横向分布击穿电压板结构电连接下表面覆盖

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种半导体器件的检查装置及检测方法

一种半导体器件的检查装置及检测方法

引用

作者：张陈军 221700 江苏省徐州市丰县经济开发区智能终端产业园二期B1

本发明公开了一种半导体器件的检查装置及检测方法，该装置公开了包括检测基台，所述检测基台用于承载半导体器件，所述检测基台内滑动安装有两个顶升组件，所述顶升组件用于顶升定位机构，所述定位机构用于对半导体器件进行定位，还包... 详细信息

标准号: CN114669502A

本发明公开了一种半导体器件的检查装置及检测方法，该装置公开了包括检测基台，所述检测基台用于承载半导体器件，所述检测基台内滑动安装有两个顶升组件，所述顶升组件用于顶升定位机构，所述定位机构用于对半导体器件进行定位，还包括检测架，所述检测架上滑动安装有升降组件，所述升降组件用于驱动升降架升降，所述升降架上滑动安装有表面检测机构，通过对半导体器件表面缺陷位置、半导体器件表面缺陷厚度、半导体器件表面缺陷面积、半导体器件原件缺失数量的计算的统计与计算，合理对半导体器件进行检测分析，对尚能维修的半导体器件与无法维修的半导体器件进行分类标记，方便后续对检测后的半导体器件的分类。

关键词：半导体器件半导体器件表面滑动安装检测基台顶升组件定位机构升降组件检测架驱动升降架分类标记检测分析检查装置缺陷位置升降架维修顶升升降承载分类统计

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

CMOS集成器件的制作方法

CMOS集成器件的制作方法

引用

作者：钱文生 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本申请涉及集成电路制作方法技术领域，具体涉及一种CMOS集成器件的制作方法。包括：制作集成有N型器件和P型器件的半导体器件；在所述半导体器件表面涂覆光刻胶；打开所述核心PMOS管所在区域和所述第一电压输入输出NMOS管所在区域上的... 详细信息

标准号: CN111370372B

本申请涉及集成电路制作方法技术领域，具体涉及一种CMOS集成器件的制作方法。包括：制作集成有N型器件和P型器件的半导体器件；在所述半导体器件表面涂覆光刻胶；打开所述核心PMOS管所在区域和所述第一电压输入输出NMOS管所在区域上的光刻胶，分别形成第一注入窗口和第二注入窗口；向所述第一注入窗口和所述第二注入窗口中进行第一LDD离子注入和第一袋状离子注入；在所述核心PMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第一超浅结和第一袋状结构，在所述第一电压输入输出NMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第二超浅结后，去除所述半导体器件表面的光刻胶。本申请能够使得在制作集成I/O MOS器件和核心MOS器件的CMOS时，即不增加光刻过程，又能保证各器件的性能。

关键词：注入窗口光刻胶半导体器件表面电压输入所在区域制作集成超浅结衬底离子集成电路制作半导体器件袋状结构光刻过程栅极结构输出袋状涂覆去除申请制作保证

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种pH值自适应的化学机械抛光垫、制备方法及其应用

一种pH值自适应的化学机械抛光垫、制备方法及其应用

引用

作者：张焱坤王凯谢毓田骐源 264006 山东省烟台市经济技术开发区北京中路50号

本发明公开了一种pH值自适应的化学机械抛光垫、制备方法及其应用，所述化学机械抛光垫至少包括抛光层、粘结层、缓冲层及离型层，所述抛光层硬度及压缩率会随着抛光液的pH值发生改变，所述抛光层的硬度及压缩率表现出差异性分布，具体... 详细信息

标准号: CN118024153A

本发明公开了一种pH值自适应的化学机械抛光垫、制备方法及其应用，所述化学机械抛光垫至少包括抛光层、粘结层、缓冲层及离型层，所述抛光层硬度及压缩率会随着抛光液的pH值发生改变，所述抛光层的硬度及压缩率表现出差异性分布，具体地，在碱性抛光液中，随着抛光液pH值的增大，所述抛光层硬度相差0.1~10D，压缩率相差0.1~10%。采用本发明的化学机械抛光垫进行抛光可以改善半导体器件表面上的划痕及表面缺陷的特性，进一步提高抛光速率。

关键词：抛光层化学机械抛光垫压缩率抛光抛光液半导体器件表面碱性抛光液表面缺陷缓冲层离型层粘结层自适应划痕异性制备出差应用表现

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜

一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜

引用

作者：代丽 434400 湖北省荆州市石首市高陵镇移民二区77号

本发明公开一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜，应用于半导体领域；解决的技术问题是半导体器件表面发生静电击穿，采用的技术方案是抗静电PVC保护膜，制备流程包括(S1)PVC在25℃下的四氢呋喃中溶解48小时，得到浓度为6％的PVC... 详细信息

标准号: CN117818179A

本发明公开一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜，应用于半导体领域；解决的技术问题是半导体器件表面发生静电击穿，采用的技术方案是抗静电PVC保护膜，制备流程包括(S1)PVC在25℃下的四氢呋喃中溶解48小时，得到浓度为6％的PVC溶液；(S2)超声破碎仪通过频率为20kHz、振幅为40％的超声波在20℃下将石墨烯分散在10cm³的四氢呋喃中30分钟，得到均匀的石墨烯分散体；(S3)均化器以8000rpm的转速混合期间，将30cm³的PVC溶液添加到制备的石墨烯分散体中得到PVC/GN混合体，并进一步超声处理60分钟；(S4)将PVC/GN混合体浇铸到直径为10cm的培养皿上，进行24小时60℃的蒸发，最终得到抗静电PVC复合材料保护膜；本发明大大提高了半导体器件的使用寿命。

关键词：抗静电石墨烯四氢呋喃分散体混合体制备培养皿半导体器件表面半导体领域半导体器件半导体制程超声处理超声破碎混合期间静电击穿使用寿命保护膜超声波均化器浇铸蒸发溶解应用

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件

半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件

引用

作者：刘中华杨国文李颖赵卫东 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室

本发明提供了一种半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件，涉及半导体器件技术领域，包括如下步骤：利用划线角度30～40°、划线速度(20A+20)～(20A+40)mm/s在半导体器件表面的无图案区构建沿第一方向的、长度为(0.05A‑0.1)～(0.0... 详细信息

标准号: CN113067246A

本发明提供了一种半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件，涉及半导体器件技术领域，包括如下步骤：利用划线角度30～40°、划线速度(20A+20)～(20A+40)mm/s在半导体器件表面的无图案区构建沿第一方向的、长度为(0.05A‑0.1)～(0.05A‑0.05)mm的划线，并在第一平面内形成预制裂纹；在形成该预制裂纹后，在第一方向上，利用预制裂纹形成半导体器件的腔面；其中A为半导体器件在第一方向上的长度。与现有技术相比，获得较深的预制裂纹，减少预制裂纹的数量，降低对半导体器件的芯片区的影响，制备的半导体器件腔面平整光滑，提高性能、良品率和生产效率。

关键词：半导体器件预制裂纹腔面划线制备半导体器件表面半导体器件技术平整光滑生产效率无图案区良品率芯片区构建

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件的制作方法

半导体器件的制作方法

引用

作者：向磊金佩于涛易 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本申请公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件，半导体器件之间形成有沟槽；在半导体器件表面覆盖填充物，填充物填充沟槽，填充物具有流动性，覆盖的填充物的上表面为平面；在半导体器件和填充物... 详细信息

标准号: CN113782418A

本申请公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件，半导体器件之间形成有沟槽；在半导体器件表面覆盖填充物，填充物填充沟槽，填充物具有流动性，覆盖的填充物的上表面为平面；在半导体器件和填充物上覆盖光阻，对光阻的目标区域进行曝光，显影去除目标区域的光阻，使目标区域的填充物暴露；进行刻蚀，去除目标区域的目标结构；去除光阻和填充物。本申请通过在半导体器件的制作过程中，在对存在沟槽的图形进行光刻前，在半导体器件表面覆盖填充物，从而使得器件上方为平坦的平面，从而避免了由于沟槽存在梯度使得光刻后的光阻容易脱胶，提高了器件的良率。

关键词：填充物半导体器件目标区域光阻去除半导体器件表面覆盖衬底光刻目标结构制作过程上表面刻蚀良率填充脱胶显影申请平坦暴露曝光制作

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种改善半导体器件激光退火效果的方法及系统

一种改善半导体器件激光退火效果的方法及系统

引用

作者：王晓峰潘岭峰黄永忠 610000 四川省成都市高新区安泰七路66号

本发明公开了一种改善半导体器件激光退火效果的方法及系统，涉及激光退火技术领域，用于解决现有技术中因同一个激光光斑直接照射半导体器件表面出现的问题。根据半导体器件不同区域对激光退火的不同要求，具体说来，有的区域希望增强... 详细信息

标准号: CN114724939A

本发明公开了一种改善半导体器件激光退火效果的方法及系统，涉及激光退火技术领域，用于解决现有技术中因同一个激光光斑直接照射半导体器件表面出现的问题。根据半导体器件不同区域对激光退火的不同要求，具体说来，有的区域希望增强反射避免激光损伤，有的区域希望增加吸收。首先大面积淀积一层低折射率材料，而后图形化制备一层高折射率材料，二者光学厚度均为激光波长的四分之一，组合实现增强反射效果，其它区域为增强吸收效果。通过所述激光退火系统对采用本发明的半导体器件表面进行激光退火处理。

关键词：激光退火半导体器件表面半导体器件低折射率材料激光退火系统折射率材料反射效果激光波长激光光斑激光损伤直接照射图形化淀积反射吸收制备

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置

一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置

引用

作者：林超峰 518000 广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社区高新北六道36号彩虹科技大楼4层408

本发明公开了一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置，其结构包括底座、旋转腔、涂覆装置、半导体器件，本发明进行使用时，将半导体器件通过吸盘稳定固定在旋转杆上，通过套接件带动卡杆在滑动调杆上进行上下调整位置... 详细信息

标准号: CN113380666B

本发明公开了一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置，其结构包括底座、旋转腔、涂覆装置、半导体器件，本发明进行使用时，将半导体器件通过吸盘稳定固定在旋转杆上，通过套接件带动卡杆在滑动调杆上进行上下调整位置，使得涂覆组件可以直接与半导体器件相接触，通过卡扣对涂覆组件的位置进行定位限制，防止涂覆组件在工作中出现位移，通过输入口将玻璃胶灌输到涂覆组件内部，通过涂覆组件将玻璃胶均匀稳定的涂覆在半导体器件表面，保证半导体器件后续可以有效进行加工，提高半导体器件的使用特性和使用质量。

关键词：半导体器件涂覆组件玻璃胶大功率半导体器件半导体器件表面吸盘多层复合膜钝化结构上下调整涂覆装置输入口套接件旋转杆旋转腔滑动台面调杆卡杆卡扣涂覆底座灌输加工保证

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共19页 << < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：