检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

189 篇 专利

馆藏范围

189 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

23 篇 中芯国际集成电路...
20 篇 上海华力微电子有...
11 篇 安集微电子有限公...
10 篇 上海华虹宏力半导...
5 篇 安集微电子科技有...
4 篇 中科见微智能装备...
4 篇 长鑫存储技术有限...
4 篇 上海华力集成电路...
3 篇 苏州能讯高能半导...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 安集微电子科技股...
3 篇 长江存储科技有限...
3 篇 三洋电机株式会社
2 篇 和舰科技有限公司
2 篇 华进半导体封装先...
2 篇 杰华特微电子股份...
2 篇 深圳市日欣工业设...
2 篇 株洲南车时代电气...
2 篇 无锡中微晶园电子...

作者

17 篇 荆建芬
16 篇 蔡鑫元
13 篇 姚颖
11 篇 徐强
8 篇 潘依君
7 篇 宋凯
6 篇 邱腾飞
6 篇 张建
5 篇 李恒
4 篇 葛薇薇
4 篇 刘智勇
4 篇 高嫄
3 篇 卞鹏程
3 篇 冈田喜久雄
3 篇 刘焕新
3 篇 袁俊
3 篇 青野勉
3 篇 杨俊雅
2 篇 佟大明
2 篇 俞柳江

语言

189 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件表面"

共 189 条记录，以下是41-50 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

一种半导体器件及其制备方法

一种半导体器件及其制备方法

引用

作者：李元 215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于所述衬底一侧的至少一层材料层，所述至少一层材料层包括N层材料层，N≥1且N为整数；至少第N材料层中设置有图案化结构。通过至少在第N材料层中设置有图案化结构，增... 详细信息

标准号: CN114695278A

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于所述衬底一侧的至少一层材料层，所述至少一层材料层包括N层材料层，N≥1且N为整数；至少第N材料层中设置有图案化结构。通过至少在第N材料层中设置有图案化结构，增加封装层与材料层之间的粘附性，在半导体器件表面提供足够数量的应力锁定台阶来消除热机械应力对芯片表面的损坏，提高半导体器件的可靠性。

关键词：材料层半导体器件图案化结构一层材料衬底半导体器件表面热机械应力芯片表面应力锁定封装层粘附性制备

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件

半导体器件

引用

作者：葛薇薇 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

公开了一种半导体器件，包括横向分布在所述半导体器件表面的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别设置有源端掺杂区和漏端掺杂区，分别形成源端和漏端，栅极结构覆盖在阱区和漂移区之间，场板结构覆盖在漂移区上表面，用于在漂移区上表... 详细信息

标准号: CN112909093B

公开了一种半导体器件，包括横向分布在所述半导体器件表面的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别设置有源端掺杂区和漏端掺杂区，分别形成源端和漏端，栅极结构覆盖在阱区和漂移区之间，场板结构覆盖在漂移区上表面，用于在漂移区上表面形成积累层，其中，在漂移区上表面的位于场板结构与漏端掺杂区之间的区域中设置有掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反的表面掺杂区，该表面掺杂区电引出与场板结构电连接。本发明的半导体可使场板结构上表面的电位略高于场板结构下表面的电位，在半导体器件导通状态下，有效地在场板结构下方形成电子积累层，从而降低半导体器件的导通电阻，提升半导体器件性能。

关键词：漂移区场板结构上表面半导体器件掺杂区漏端阱区电位表面掺杂掺杂类型源端半导体器件表面半导体器件性能导通电阻导通状态电子积累横向分布栅极结构板结构电连接积累层下表面有效地覆盖半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件

抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件

引用

作者：张洁林武庆陈文鹏叶智荃 362200 福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦

本发明提供了一种抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件，涉及半导体技术领域，抛光器件包括：抛光头；抛光垫，所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；其中，所述抛光垫呈环形，所述抛光垫的环宽为10‑80mm，所述抛光垫的厚度为... 详细信息

标准号: CN110653720B

本发明提供了一种抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件，涉及半导体技术领域，抛光器件包括：抛光头；抛光垫，所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；其中，所述抛光垫呈环形，所述抛光垫的环宽为10‑80mm，所述抛光垫的厚度为0.5‑6mm。利用该抛光器件抛光获得的半导体器件表面粗糙度低、平坦度高、TTV值较低以及TTV值较为集中。

关键词：抛光垫抛光器件抛光抛光头半导体技术领域半导体器件表面半导体器件粗糙度平坦度环宽制备

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

CMOS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法

CMOS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法

引用

作者：邹永金安建国 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供了一种CMOS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，包括：制作集成有N型器件和P型器件的半导体器件；在所述半导体器件表面涂覆一层氧化层；利用第一光罩刻蚀掉核心NMOS管和核心PMOS管所在区域的氧化层；利用第二光罩向核心NMOS... 详细信息

标准号: CN112928068B

本发明提供了一种CMOS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，包括：制作集成有N型器件和P型器件的半导体器件；在所述半导体器件表面涂覆一层氧化层；利用第一光罩刻蚀掉核心NMOS管和核心PMOS管所在区域的氧化层；利用第二光罩向核心NMOS管及输入输出PMOS管进行第一N型LDD离子注入及第一P型袋状离子注入；利用第三光罩向核心PMOS管及输入输出NMOS管进行第二N型LDD离子注入及第二P型袋状离子注入。利用核心N/PMOS LDD轻掺杂与输入输出N/PMOS LDD轻掺杂离子注入深度的不同，通过第一层光罩使得核心N/PMOS区域和输入输出N/PMOS区域表层氧化厚度不一样，从而使得在使用第二光罩和第三光罩进行离子注入的时候得到能够同时满足核心MOS和输入输出MOS需求的轻掺杂。

关键词：光罩离子轻掺杂输出氧化层袋状半导体器件表面半导体器件区域表层所在区域制作集成第一层刻蚀涂覆生产工艺

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质

α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质

引用

作者：张战刚雷志锋黄云彭超何玉娟肖庆中路国光恩云飞 511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

本发明涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，分析方法包括：根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并... 详细信息

标准号: CN111709120B

本发明涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，分析方法包括：根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子；根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由于所获得的α粒子有效通量是根据有效因子确定，而该有效因子考虑了放射源与半导体之间的空间几何效应和气体层的屏蔽效应，因而可以保证所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差。

关键词：粒子放射源有效通量有效因子半导体器件半导体器件表面分析仿真计算机存储介质放射源辐照仿真试验屏蔽效应软错误率试验平台数量获取准确度发射率气体层发射构建减小半导体分析记录试验保证

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

浸润式半导体显影装置及显影方法

浸润式半导体显影装置及显影方法

引用

作者：周训丙赵天翔顾雪平 215000 江苏省苏州市昆山市玉山镇玉杨路299号3号房

本发明提供了一种浸润式半导体显影装置及显影方法，该显影装置包括：升降机构，沿升降机构移动的翻转机构，受控于翻转机构并夹持晶圆的抓取机构，以及形成至少部分容置抓取机构的显影槽；抓取机构载入晶圆后翻转至面向显影槽的状态，... 详细信息

标准号: CN114721236B

本发明提供了一种浸润式半导体显影装置及显影方法，该显影装置包括：升降机构，沿升降机构移动的翻转机构，受控于翻转机构并夹持晶圆的抓取机构，以及形成至少部分容置抓取机构的显影槽；抓取机构载入晶圆后翻转至面向显影槽的状态，并在升降机构的引导下向下移动，以将晶圆整体地移动至显影槽执行显影制程的显影腔中，并在执行显影制程中保持晶圆与显影槽的底部相互分离。通过本申请，不仅实现了对晶圆进行快速取放，还显著地提高了晶圆显影效率并实现晶圆显影的均匀性，确保了显影制程的良率，有效地避免了半导体器件表面出现显影不足、不完全显影或者过显影等显影制程缺陷。

关键词：显影晶圆显影槽制程升降机构抓取机构翻转机构显影装置半导体器件表面显影效率向下移动翻转浸润式均匀性显影腔有效地移动夹持良率取放容置受控半导体载入申请

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法

一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法

引用

作者：袁俊徐东郭飞彭若诗王宽魏强民黄俊杨冰吴畅 430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层

本发明提供一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该氧化镓场效应晶体管包括依次设置的漏极、氧化镓衬底、耐压层、p基极层、导电层。该氧化镓场效应晶体管的有源区设有多个第一凹槽，至少一个第一凹槽的底部... 详细信息

标准号: CN116417520A

本发明提供一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该氧化镓场效应晶体管包括依次设置的漏极、氧化镓衬底、耐压层、p基极层、导电层。该氧化镓场效应晶体管的有源区设有多个第一凹槽，至少一个第一凹槽的底部设有高阻层且内部设有栅介质层和栅电极，栅电极表面设有第一层间介质；未设置高阻层的第一凹槽内设有第一p型材料层。过渡区设有一个内部沉积有第二p型材料层的第二凹槽。终端区设有多个内部沉积有第三p型材料层的第三凹槽。有源区的导电层和第一层间介质表面设有源极。该氧化镓场效应晶体管能降低半导体器件表面的电场，减少对栅介质材料厚度的依赖性，并具有耐压效率高、占用面积小的特点。

关键词：氧化镓场效应晶体管导电层第一层高阻层栅电极源区沉积半导体器件表面半导体器件技术电场介质表面介质材料依次设置栅介质层过渡区基极层耐压层终端区衬底对栅漏极耐压源极制备占用

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种CD量测方法

一种CD量测方法

引用

作者：彭娅陈江先顾晓芳魏芳 201314 上海市浦东新区良腾路6号

本发明公开了一种CD量测方法，属于半导体器件CD量测技术领域。该CD量测方法，包括获取待量测半导体器件的版图文件，所述版图文件中存储有热点图形和主图形的信息；预处理所述版图文件中的热点图形，按照预设规则将所述热点图形分类；... 详细信息

标准号: CN117128860A

本发明公开了一种CD量测方法，属于半导体器件CD量测技术领域。该CD量测方法，包括获取待量测半导体器件的版图文件，所述版图文件中存储有热点图形和主图形的信息；预处理所述版图文件中的热点图形，按照预设规则将所述热点图形分类；基于不同类所述热点图形的位置，对所述半导体器件表面对应位置的不同类热点图形分别进行不同方向光源的扫描量测，获取所述半导体器件表面热点图形的CD值。通过不同的方向光源对不同热点图形进行量测，满足单方向光源的扫描量测要求，提升CD量测精准度，CD量测的准确率高达99％。

关键词：量测版图文件方向光源半导体器件表面半导体器件扫描量预处理图形分类预设规则精准度主图形准确率存储

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体老化冷热测试装置

半导体老化冷热测试装置

引用

作者：罗亚非 261021 山东省潍坊市潍城区经济开发区工业一街东首195号

半导体老化冷热测试装置，涉及测试装置技术领域，包括工作台，工作台上固定有测试座，测试座上开设有若干个与半导体器件相匹配的针脚孔，每个针脚孔内固接有连接端子，连接端子的下端部通过导线连接有半导体测试仪主体，测试座的上方... 详细信息

标准号: CN220491840U

半导体老化冷热测试装置，涉及测试装置技术领域，包括工作台，工作台上固定有测试座，测试座上开设有若干个与半导体器件相匹配的针脚孔，每个针脚孔内固接有连接端子，连接端子的下端部通过导线连接有半导体测试仪主体，测试座的上方沿水平方向滑动设有安装座，安装座还沿竖向升降设置，安装座上并列设有制冷机主体、常温风扇以及加热主体。本实用新型解决了传统技术中的装置受限于冷热测试结构的影响，使得无法快速的对半导体器件的表面进行升温及降温；以及还需等待半导体器件表面温度恢复至常温状态下，使得影响了半导体器件老化测试效率的问题。

关键词：半导体器件安装座测试座测试装置连接端子针脚孔冷热半导体器件表面半导体测试仪本实用新型制冷机主体测试结构常温状态导线连接加热主体老化测试竖向升降温度恢复滑动下端部风扇工作台固接受限半导体匹配并列老化

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法

一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法

引用

作者：袁俊徐东郭飞彭若诗王宽魏强民黄俊杨冰吴畅 430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层

标准号: CN116417520B

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共19页 << < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：