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作者：金熙中赵珉熙金奉秀金俊秀山田悟李元锡黄有商韩国京畿道

提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括在第一沟槽中的隔离层和在隔离层上的第一栅电极部分。该半导体存储器件包括在第二沟槽中的第二栅电极部分。在一些实施方式中，第二栅电极部分在一方向上比第一栅电极部分宽。而且，在一... 详细信息

标准号: CN109390340A

提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括在第一沟槽中的隔离层和在隔离层上的第一栅电极部分。该半导体存储器件包括在第二沟槽中的第二栅电极部分。在一些实施方式中，第二栅电极部分在一方向上比第一栅电极部分宽。而且，在一些实施方式中，第二沟槽的上部区域比第二沟槽的下部区域在所述方向上与第一沟槽间隔开更大的距离。还提供了形成半导体存储器件的相关方法。

关键词：半导体存储器件栅电极隔离层沟槽间隔上部区域下部区域

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半导体存储器件及其制备方法

半导体存储器件及其制备方法

作者：权俊模 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成叠层结构；于叠层结构内形成若干个间隔排布电容孔；于电容孔内形成下电极层；去除顶层介质层；于暴露出的牺牲层的表面及下电极层的上部表面形成第一... 详细信息

标准号: CN113496953B

本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成叠层结构；于叠层结构内形成若干个间隔排布电容孔；于电容孔内形成下电极层；去除顶层介质层；于暴露出的牺牲层的表面及下电极层的上部表面形成第一电容介质层；于第一电容介质层的表面形成第一上电极层；于第一上电极层及第一电容介质层内形成多个开口；基于开口去除牺牲层；至少于下电极层的表面及暴露出的底层介质层的表面形成第二电容介质层；于第二电容介质层的表面形成第二上电极层。本发明的第一电容介质层及第一上电极层既可以起到支撑层的作用，又可以与下电极层形成电容，从而可以增大柱状电容的电容容量。

关键词：电容介质层下电极层电容电极层表面形成叠层结构牺牲层衬底去除开口半导体存储器件底层介质层顶层介质层电容容量间隔排布上部表面支撑层暴露柱状制备

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半导体存储器件及其制作方法

半导体存储器件及其制作方法

作者：陈龙阳 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

本发明涉及一种半导体存储器件及其制作方法。该方法包括：提供半导体基板；在半导体基板上形成电容接触孔，电容接触孔包括上部和下部，且上部的孔径大于下部的孔径；在电容接触孔内形成第一导电结构，第一导电结构填充电容接触孔，且... 详细信息

标准号: CN112652625A

本发明涉及一种半导体存储器件及其制作方法。该方法包括：提供半导体基板；在半导体基板上形成电容接触孔，电容接触孔包括上部和下部，且上部的孔径大于下部的孔径；在电容接触孔内形成第一导电结构，第一导电结构填充电容接触孔，且与下部的高度相同；在上部的侧壁上形成间隙壁和间隔结构，其中间隔结构设置在上部的侧壁与间隙壁之间；在电容接触孔内形成金属导线，金属导线与电容接触孔一一对应且与填充下部的第一导电结构电连接，并各覆盖上部的一侧的间隙壁和间隔结构的顶部；移除间隙壁，形成多个空气间隙，以降低相邻的电容接触孔金属导线之间、以及电容接触孔金属导线与位线金属之间的耦合效应，同时简化电容接触孔金属导线的制作工艺。

关键词：电容接触孔金属导线间隙壁导电结构间隔结构半导体基板侧壁填充半导体存储器件空气间隙位线金属制作工艺耦合效应电连接移除覆盖制作

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作者：李珉浚金容锡金炫哲柳民泰李溶珍韩国京畿道

一种半导体存储器件包括在衬底上排列的多个存储单元。所述多个存储单元中的每个可以包括在衬底上的第一晶体管和在第一晶体管上的第二晶体管。第一晶体管可以包括在第一源极区和第一漏极区之间的第一沟道区、第一栅电极、以及第一栅极... 详细信息

标准号: CN116896878A

一种半导体存储器件包括在衬底上排列的多个存储单元。所述多个存储单元中的每个可以包括在衬底上的第一晶体管和在第一晶体管上的第二晶体管。第一晶体管可以包括在第一源极区和第一漏极区之间的第一沟道区、第一栅电极、以及第一栅极绝缘层。第二晶体管可以包括：柱结构，具有依次堆叠在第一栅电极上的第二漏极区、第二沟道区和第二源极区；第二栅电极，在第二沟道区的一侧；以及第二栅极绝缘层，在第二沟道区和第二栅电极之间。第二漏极区和第二源极区可以分别具有第一导电类型杂质区和第二导电类型杂质区。

关键词：晶体管沟道区栅电极漏极区源极区栅极绝缘层存储单元衬底半导体存储器件导电类型杂质第一导电类型杂质区柱结构堆叠

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作者：申东石金志永安皓均李灿旻赵银珠金熙中慎重赞安泰炫崔贤根黄有商李基硕韩国京畿道

一种半导体存储器件包括：具有单元区域和接触区域的衬底，接触区域具有外围电路区域；在单元区域上的第一堆叠和第二堆叠；以及在外围电路区域上的第一外围晶体管。第一堆叠和第二堆叠中的每个包括：半导体图案，在垂直方向上堆叠在单... 详细信息

标准号: CN112397517A

一种半导体存储器件包括：具有单元区域和接触区域的衬底，接触区域具有外围电路区域；在单元区域上的第一堆叠和第二堆叠；以及在外围电路区域上的第一外围晶体管。第一堆叠和第二堆叠中的每个包括：半导体图案，在垂直方向上堆叠在单元区域上；位线，在垂直方向上堆叠在单元区域上并分别连接到半导体图案的第一端，每条位线在相对于衬底的上表面的水平方向上从单元区域延伸到接触区域；以及字线，与半导体图案相邻地设置并在垂直方向上从衬底的单元区域延伸。第一外围晶体管设置在第一堆叠的位线和第二堆叠的位线之间。

关键词：堆叠单元区域位线半导体图案接触区域衬底外围电路区域外围晶体管半导体存储器件第一端上表面延伸字线

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作者：金亮阧朴相郁徐旻揆李建烨李到瑾洪定杓韩国京畿道

一种半导体存储器件，包括具有存储单元区域的衬底、以及在衬底的存储单元区域中的多个电容器结构，多个电容器结构中的每一个包括下电极、电容器介电层和上电极，其中，下电极包括第一下电极、在第一下电极上方的第二下电极、以及将第... 详细信息

标准号: CN118265443A

一种半导体存储器件，包括具有存储单元区域的衬底、以及在衬底的存储单元区域中的多个电容器结构，多个电容器结构中的每一个包括下电极、电容器介电层和上电极，其中，下电极包括第一下电极、在第一下电极上方的第二下电极、以及将第一下电极的顶端连接到第二下电极的底端的连接下电极，其中，上电极包括在水平方向上与连接下电极重叠的弯曲上电极，并且该弯曲上电极包括弯曲部分。

关键词：下电极电极存储单元区域电容器结构衬底半导体存储器件电容器介电层顶端连接

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作者：赵成根朴禧影朴晋亨李根泽张正赫郑天炯韩国京畿道

提供了一种能够提高器件的性能和/或可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：衬底，具有单元区和沿着单元区的外围限定的外围区，其中单元区包括由单元元件分离膜限定的有源区；单元区分离膜，在衬底中并限定单元区；以及多个... 详细信息

标准号: CN116033745A

提供了一种能够提高器件的性能和/或可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：衬底，具有单元区和沿着单元区的外围限定的外围区，其中单元区包括由单元元件分离膜限定的有源区；单元区分离膜，在衬底中并限定单元区；以及多个存储接触，连接到有源区并沿第一方向布置。多个存储接触包括第一存储接触、第二存储接触和第三存储接触，其中第二存储接触在第一存储接触和第三存储接触之间，第一存储接触和第三存储接触中的每个包含或围绕或限定气隙，第二存储接触没有气隙。

关键词：存储单元区半导体存储器件分离膜衬底气隙源区单元元件限定单元外围区外围

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作者：黄汎傭赵珉熙金会承米尔科·坎托罗朴玄睦宋宇彬李相遇韩国京畿道

一种半导体存储器件包括：衬底；衬底上的第一有源图案；与第一有源图案的沟道区相交的栅电极；覆盖第一有源图案和栅电极的第一绝缘层；穿透第一绝缘层以便电连接到第一有源图案的第一源/漏区的接触部；以及第一绝缘层上的第二有源图... 详细信息

标准号: CN111146200A

一种半导体存储器件包括：衬底；衬底上的第一有源图案；与第一有源图案的沟道区相交的栅电极；覆盖第一有源图案和栅电极的第一绝缘层；穿透第一绝缘层以便电连接到第一有源图案的第一源/漏区的接触部；以及第一绝缘层上的第二有源图案。第二有源图案的沟道区与接触部在竖直方向上重叠。

关键词：源图案绝缘层沟道区栅电极衬底半导体存储器件源/漏区电连接竖直穿透相交覆盖

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半导体存储器件及其制造方法

半导体存储器件及其制造方法

作者：孙龙勋金亨俊李炫姃韩国京畿道

公开了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括：第一半导体图案，在衬底上并包括彼此背对的第一端和第二端；第一导电线，在该第一端和该第二端之间、与该第一半导体图案的侧表面相邻并垂直于衬底的顶表面；第二导电线，与... 详细信息

标准号: CN111863825A

公开了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括：第一半导体图案，在衬底上并包括彼此背对的第一端和第二端；第一导电线，在该第一端和该第二端之间、与该第一半导体图案的侧表面相邻并垂直于衬底的顶表面；第二导电线，与第一半导体图案的第一端接触，与第一导电线间隔开，并平行于衬底的顶表面；以及数据存储图案，与第一半导体图案的第二端接触。第一导电线具有与第一半导体图案的侧表面相邻地突出的突起。

关键词：半导体图案导电线第一端衬底半导体存储器件侧表面顶表面数据存储图案突起背对平行垂直制造