检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：藤本稔泰佐佐木隆寺田忍美国爱达荷州

本申请案涉及半导体存储器装置和其形成方法。一种半导体存储器装置包含存储器单元区；存储器片块末端区；存储器片块，其包含所述存储器单元区和所述存储器片块区；多个第一硅区，其布置于所述存储器单元区中；第二硅区，其布置于所述... 详细信息

标准号: CN113497040B

本申请案涉及半导体存储器装置和其形成方法。一种半导体存储器装置包含存储器单元区；存储器片块末端区；存储器片块，其包含所述存储器单元区和所述存储器片块区；多个第一硅区，其布置于所述存储器单元区中；第二硅区，其布置于所述存储器片块末端区中；第一导电层，其设置在所述存储器单元区和所述存储器片块末端区中；且其中所述存储器片块末端区中的所述第二硅区的上表面位置高于所述存储器单元区中的所述第一硅区的所述上表面位置；且其中所述存储器片块末端区中的所述第一导电层的所述上表面位置高于所述存储器单元区中的所述第一导电层的所述上表面位置。

关键词：存储器片存储器单元区末端区上表面位置硅区第一导电层半导体存储器装置申请案

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作者：安庆勋韩国京畿道

一种半导体存储器装置包括：逻辑电路，其设置在具有单元区域和单元区域外部的外围区域的基板上；源极板，其被限定在逻辑电路上方；狭缝，其将源极板分成在单元区域中的单元源极板和在外围区域中的虚设源极板；以及存储器单元阵列，其... 详细信息

标准号: CN112992867A

一种半导体存储器装置包括：逻辑电路，其设置在具有单元区域和单元区域外部的外围区域的基板上；源极板，其被限定在逻辑电路上方；狭缝，其将源极板分成在单元区域中的单元源极板和在外围区域中的虚设源极板；以及存储器单元阵列，其被限定在单元源极板上。虚设源极板保持在恒定电压，而与存储器单元阵列和逻辑电路的操作无关。

关键词：源极板单元区域存储器单元阵列外围区域虚设半导体存储器装置恒定电压基板狭缝外部

半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法

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半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法

作者：李相范韩国京畿道

一种半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法，该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个正常存储器块和至少一个系统块；以及外围电路，其被配置为对多个正常存储器块或至少一个系统块执行编程操作、读取操作或擦... 详细信息

标准号: CN113160867B

一种半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法，该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个正常存储器块和至少一个系统块；以及外围电路，其被配置为对多个正常存储器块或至少一个系统块执行编程操作、读取操作或擦除操作，其中，至少一个系统块的数据存储容量小于多个正常存储器块中的每一个的数据存储容量。

关键词：半导体存储器装置存储器块数据存储容量存储器单元阵列编程操作擦除操作读取操作外围电路配置

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作者：卢仁浩郭东华文炅燉李元锡韩国京畿道水原市

提供半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括有源区域，有源区域具有第一杂质区域和第二杂质区域；字线，在基底的第一表面上，字线在第一方向上延伸；第一位线，在字线上，第一位线在与第一方向交叉的第二方向上延伸... 详细信息

标准号: CN116264767A

提供半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括有源区域，有源区域具有第一杂质区域和第二杂质区域；字线，在基底的第一表面上，字线在第一方向上延伸；第一位线，在字线上，第一位线在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且第一位线连接到第一杂质区域；第一接触塞，在第一位线之间，第一接触塞分别连接到第二杂质区域；第二位线，在基底的第二表面上，第二位线电连接到第一杂质区域；以及第一电容器，在第一接触塞上。

关键词：位线杂质区域基底字线半导体存储器装置接触塞源区域第一电容器第二表面第一表面方向交叉电连接延伸

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作者：金南局韩国京畿道

一种半导体存储器装置包括：层叠结构，其包括在垂直方向上交替地设置的绝缘层和导电层；第一结构，其包括穿过层叠结构的沟道层以及位于沟道层和层叠结构之间的存储器图案；以及第二结构，其包括沿着层叠结构的侧壁形成的绝缘图案以及... 详细信息

标准号: CN117082867A

一种半导体存储器装置包括：层叠结构，其包括在垂直方向上交替地设置的绝缘层和导电层；第一结构，其包括穿过层叠结构的沟道层以及位于沟道层和层叠结构之间的存储器图案；以及第二结构，其包括沿着层叠结构的侧壁形成的绝缘图案以及形成在绝缘图案的侧壁上的栅极图案。

关键词：层叠结构绝缘图案沟道层侧壁绝缘层半导体存储器装置存储器栅极图案导电层穿过图案

半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法

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半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法

作者：赵胜晛金荣柱金荣华宋侑贞吴凛韩国京畿道水原市

提供半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列、行解码器和时序/电压控制电路。存储器单元阵列通过一个或多个行块标识位被划分为多个行块，并且所述多个行块中的每个包括在第一方向... 详细信息

标准号: CN116741226A

提供半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列、行解码器和时序/电压控制电路。存储器单元阵列通过一个或多个行块标识位被划分为多个行块，并且所述多个行块中的每个包括在第一方向上布置的子阵列块。行地址包括所述一个或多个行块标识位。行解码器响应于行地址来激活结合到第一存储器单元的第一字线，激活结合到第二存储器单元的第二字线，并且输出行块信息信号。时序/电压控制电路基于行块信息信号根据在与第一方向交叉的第二方向上距参考位置的距离来调整对第一存储器单元和第二存储器单元进行的存储器操作的操作区间和操作电压中的至少一个。

关键词：行块半导体存储器装置存储器单元阵列电压控制电路存储器单元第二存储器时序行解码器标识位行地址字线激活存储器操作参考位置操作电压操作区间方向交叉信息信号块信息输出行子阵列响应

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半导体存储器装置的制造方法

半导体存储器装置的制造方法

作者：李南宰韩国京畿道

本申请提供了半导体存储器装置的制造方法。半导体存储器装置的制造方法包括：形成包括栅极层叠结构和沟道结构的初步存储器单元阵列，其中栅极层叠结构包括交替地层叠在第一基板上的层间绝缘层和导电图案，并且其中沟道结构具有贯穿栅... 详细信息

标准号: CN118019342A

本申请提供了半导体存储器装置的制造方法。半导体存储器装置的制造方法包括：形成包括栅极层叠结构和沟道结构的初步存储器单元阵列，其中栅极层叠结构包括交替地层叠在第一基板上的层间绝缘层和导电图案，并且其中沟道结构具有贯穿栅极层叠结构并延伸到第一基板中的第一端部；形成公共源极线以与沟道结构的第二端部接触，公共源极线形成在栅极层叠结构的第一表面上；去除第一基板；以及在栅极层叠结构的与栅极层叠结构的第一表面相对的第二表面上形成连接至沟道结构的第一端部的位线。

关键词：层叠结构沟道结构第一基板半导体存储器装置公共源极线第一表面第一端部存储器单元阵列层间绝缘层导电图案第二表面第二端部交替地层位线去除制造贯穿延伸申请

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半导体存储器装置及其操作方法、存储器系统

半导体存储器装置及其操作方法、存储器系统

作者：孙钟弼孙教民韩国京畿道

本申请提供了半导体存储器装置及其操作方法、存储器系统。半导体存储器装置包括存储器单元阵列、错误注入寄存器集、数据输入缓冲器、写数据产生器和控制逻辑。错误注入寄存器集基于第一命令存储包括至少一个错误比特的错误比特集。错... 详细信息

标准号: CN109754828B

本申请提供了半导体存储器装置及其操作方法、存储器系统。半导体存储器装置包括存储器单元阵列、错误注入寄存器集、数据输入缓冲器、写数据产生器和控制逻辑。错误注入寄存器集基于第一命令存储包括至少一个错误比特的错误比特集。错误比特集与待写入存储器单元阵列中的数据集关联。数据输入缓冲器基于第二命令存储待写入存储器单元阵列中的数据集。写数据产生器基于数据集和错误比特集产生待写入存储器单元阵列中的写数据集。控制逻辑控制错误注入寄存器集和数据输入缓冲器。

关键词：存储器单元阵列数据输入缓冲器寄存器数据集写数据半导体存储器装置写入控制逻辑命令存储产生器存储器系统关联申请

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作者：金范书具宝蓝具滋玟金成吉金宗赫韩国京畿道水原市

提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件分离层限定的有源区域，有源区域包括第一部分和限定在第一部分的两侧上的第二部分；位线，与有源区域交叉并在基底上沿第一方向延伸；以及位线接触件，设置在... 详细信息

标准号: CN116249345A

提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件分离层限定的有源区域，有源区域包括第一部分和限定在第一部分的两侧上的第二部分；位线，与有源区域交叉并在基底上沿第一方向延伸；以及位线接触件，设置在基底与位线之间并直接连接到有源区域的第一部分。位线接触件包括凹入到基底中的凹进区域和在凹进区域上的上部区域，凹进区域的宽度随着距位线的距离增大而减小，凹进区域包括与基底形成边界并具有直线形状的斜面，并且凹进区域的斜面的起点低于器件分离层的上表面。

关键词：凹进区域基底源区域位线半导体存储器装置位线接触件分离层方向延伸距离增大上部区域直线形状上表面凹入减小

半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法

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半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法

作者：崔康植韩国京畿道

本文可以提供一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置可以包括：子块绝缘层，其插置在第一选择栅极结构和第二选择栅极结构之间；多个导电图案，其层叠在第一选择栅极结构和第二选择栅极结构上以彼此... 详细信息

标准号: CN116963500A

本文可以提供一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置可以包括：子块绝缘层，其插置在第一选择栅极结构和第二选择栅极结构之间；多个导电图案，其层叠在第一选择栅极结构和第二选择栅极结构上以彼此间隔开；以及沟道结构，其穿透第一选择栅极结构和第二选择栅极结构中的一个以及多个导电图案，该沟道结构包括位于在子块绝缘层和多个导电图案之间的高度处的拐点。

关键词：选择栅极结构半导体存储器装置导电图案绝缘层沟道结构子块插置拐点穿透制造