检索结果-内蒙古大学图书馆

本申请适用于半导体微波器件技术领域，提供了一种宽带电调衰减器及自动增益控制电路，该宽带电调衰减器包括：衰减网络和加电扼流网络；衰减网络包括四个二极管，四个二极管芯片组成一种π型衰减网络，加电扼流网络包括5个电阻、电感和电容，5个电阻与电源端口、控制电压端口、地共同形成加电回路，为四个二极管芯片提供偏置电压，电感具有扼流作用，抑制射频信号从控制电压端口泄露，第一电容设计在控制电压端口，并连接到地，为控制电压端口提供滤波作用，以减少供电电源上的纹波、噪声及杂波对供电电源的干扰，从而，使得电调衰减器在工作，尤其是在V/UHF频段时，可同时兼顾低插入损耗和大衰减范围的特点。

关键词：控制电压电调衰减器衰减网络扼流加电电感二极管芯片供电电源电阻宽带自动增益控制电路半导体微波器件二极管插入损耗电容设计电源端口滤波作用偏置电压射频信号网络包括电容大衰减频段纹波杂波噪声泄露申请网络

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半导体微波二极管国内外动态

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电讯技术 1988年第1期 20-34页

作者：盛柏桢电子部第五十五研究所工程师

本文主要介绍微波二极管的低噪声接收器件、微波发射器件和微波控制器件等研究状况以及它们的应用现状,另外,对这些器件的发展前景也作一概略展望.

关键词：半导体微波器件综述

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集成放大器

集成放大器

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作者：严评厉志强 050051 河北省石家庄市合作路113号

本发明涉及半导体微波器件技术领域，提供了一种集成放大器。该装置包括电路基板、与所述电路基板固定连接的金属外壳及设于所述电路基板上的场效应管和电路匹配网络；所述场效应管包括第一场效应管和第二场效应管；所述电路匹配网络包... 详细信息

标准号: CN107359863B

本发明涉及半导体微波器件技术领域，提供了一种集成放大器。该装置包括电路基板、与所述电路基板固定连接的金属外壳及设于所述电路基板上的场效应管和电路匹配网络；所述场效应管包括第一场效应管和第二场效应管；所述电路匹配网络包括输入匹配网络、第一反馈偏置网络、级间匹配网络、第二反馈偏置网络和输出匹配网络。本发明提供的集成放大器，通过电路基板和金属外壳将集成放大器的设计电路封装起来，形成一体化封装的混合集成低噪声放大器，使电路中的大值电容、电感元件和裸芯片等置于封装内部的气密空间中，减少受外界的干扰，实现高集中度、小型化、轻量化的目的。

关键词：场效应管集成放大器电路基板电路匹配金属外壳偏置网络半导体微波器件低噪声放大器电路基板固定输出匹配网络输入匹配网络一体化封装反馈电感元件电路封装混合集成匹配网络气密空间网络包括电容集中度裸芯片轻量化封装电路网络

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集成放大器

集成放大器

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作者：严评厉志强 050051 河北省石家庄市合作路113号

标准号: CN107359863A

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异质结双极型晶体管的制作方法

异质结双极型晶体管的制作方法

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作者：蔡道民方家兴默立冬王绍东汪江涛 050051 河北省石家庄市合作路113号

本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整多层低-高-低非均匀掺杂浓度和厚度的复合集电区，调节基极-集电区电场分布；优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度，利用... 详细信息

标准号: CN104392923A

本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整多层低-高-低非均匀掺杂浓度和厚度的复合集电区，调节基极-集电区电场分布；优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度，利用寄生电阻形成一定程度上的负反馈；实施干法和湿法相结合腐蚀工艺、发射区侧棱工艺、发射区侧墙保护工艺和集电区横向钻蚀工艺等一整套针对性工艺技术，提高了发生Kirk效应的最大电流密度，降低了基极-集电区电容随偏压变化率，降低器件表面漏电和改善电流增益等，从而达到了提高双极型晶体管的功率、效率以及线性的目的。

关键词：电区发射区双极型晶体管半导体微波器件复合集电区漏电电场分布电流密度电流增益腐蚀工艺工艺技术横向钻蚀寄生电阻均匀掺杂器件表面优化匹配电容发射极负反馈相结合异质结干法湿法针对性

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异质结双极型晶体管的制作方法

异质结双极型晶体管的制作方法

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作者：蔡道民方家兴默立冬王绍东汪江涛 050051 河北省石家庄市合作路113号

本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整多层低‑高‑低非均匀掺杂浓度和厚度的复合集电区，调节基极‑集电区电场分布；优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度，利用... 详细信息

标准号: CN104392923B

本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整多层低‑高‑低非均匀掺杂浓度和厚度的复合集电区，调节基极‑集电区电场分布；优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度，利用寄生电阻形成一定程度上的负反馈；实施干法和湿法相结合腐蚀工艺、发射区侧棱工艺、发射区侧墙保护工艺和集电区横向钻蚀工艺等一整套针对性工艺技术，提高了发生Kirk效应的最大电流密度，降低了基极‑集电区电容随偏压变化率，降低器件表面漏电和改善电流增益等，从而达到了提高双极型晶体管的功率、效率以及线性的目的。

关键词：集电区发射区异质结双极型晶体管半导体微波器件双极型晶体管复合集电区漏电侧墙保护电场分布电流增益工艺技术寄生电阻降低器件偏压变化优化匹配电容发射极非均匀负反馈干法侧棱多层湿法钻蚀制作掺杂腐蚀

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