检索结果-内蒙古大学图书馆

金属学报 2001年第1期37卷 67-71页

作者：曾一民乔利杰郭献忠李金许褚武扬北京科技大学材料物理与化学系北京100083

采用交流阻抗和光电化学方法研究了氢对３１０不锈钢钝化膜半导体性质的影响.结果表明，氢对３１０不锈钢钝化膜的半导体类型没有影响，均是ｎ型.对未充氢的试样，随钝化电位的升高，钝化膜的施主浓度降低而平带电位则升高.氢能升高３... 详细信息

采用交流阻抗和光电化学方法研究了氢对３１０不锈钢钝化膜半导体性质的影响.结果表明，氢对３１０不锈钢钝化膜的半导体类型没有影响，均是ｎ型.对未充氢的试样，随钝化电位的升高，钝化膜的施主浓度降低而平带电位则升高.氢能升高３１０不锈钢钝化膜的电容、施主浓度和平带电位、氢使３１０不锈钢钝化膜的光电流峰值升高、峰位后移，即氢降低钝化膜的光学禁带宽度，这和氢使钝化膜中Ｃｒ的化合物含量下降有关．

关键词：钝化膜钝化电位氢不锈钢半导体性质

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光电化学响应分析Ni201在中性溶液中形成表面钝化膜的半导体性质

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金属学报 2012年第8期48卷 971-976页

作者：檀玉梁可心张胜寒华北电力大学环境科学与工程学院保定071003

应用光电化学响应法和:Mott-Schottky曲线法,研究了Ni201在500℃空气中生成的氧化膜和在pH值为8.4的中性缓冲溶液中阳极氧化生成钝化膜的半导体性质,分析了Ni201表面钝化膜的结构和组成.Mott-Schottky曲线表明,Ni20l在该中性溶液中生成... 详细信息

应用光电化学响应法和:Mott-Schottky曲线法,研究了Ni201在500℃空气中生成的氧化膜和在pH值为8.4的中性缓冲溶液中阳极氧化生成钝化膜的半导体性质,分析了Ni201表面钝化膜的结构和组成.Mott-Schottky曲线表明,Ni20l在该中性溶液中生成钝化膜的平带电位约为0.40 V,其在500℃空气中生成的氧化膜的平带电位约为0.15 V,前者的载流子浓度约是后者的34倍.在中性缓冲溶液中生成钝化膜的光电流谱表明,Ni201的结构由内层NiO和外层Ni(OH)_2构成,其带隙宽度分别为2.8和1.6 eV.其中,具有晶体结构的内层NiO的带隙宽度与Ni201在500℃空气中生成的氧化膜的带隙宽度2.4 eV相似.通过光电化学法和Mott-Schottky曲线建立Ni201表面钝化膜的电子能带结构模型,解释了其内层NiO和外层Ni(OH)_2同是p型半导体组成的钝化膜的半导体性质.

关键词： Ni201 钝化膜 Mott—Schottky曲线光电化学响应半导体性质

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碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs)的晶体结构及其半导体性质的研究

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化学学报 2000年第3期58卷 326-331页

作者：陈震王如骥福建师范大学实验中心福州350007 清华大学分析中心北京100084

用有机溶剂热生长技术(Solvthermal Technique)制备碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs),用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析.热分析结果表明,在常温(<200℃)下均为稳定的化合物.光学性质测试表明它们是半导体材料,KHgSbSe_3,RbH... 详细信息

用有机溶剂热生长技术(Solvthermal Technique)制备碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs),用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析.热分析结果表明,在常温(<200℃)下均为稳定的化合物.光学性质测试表明它们是半导体材料,KHgSbSe_3,RbHgSbSe_3,CsHgSbSe_3的禁带宽度依次为1.85eV,1.75eV,1.65eV.

关键词：碱金属硒化物晶体结构无机多聚物半导体性质

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不锈钢载波钝化膜的半导体性质

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化学学报 2002年第1期60卷 30-36页

作者：张俊喜周国定乔亦男曹楚南张鉴清上海电力学院电化学研究室浙江大学化学系杭州310027 中国科学院金属研究所

运用交流阻抗法和光电化学法研究了不锈钢载波钝化膜层的半导体性质.讨论了交流阻抗测试中扰动频率的变化对Mott-Schottky曲线的影响,讨论了不锈钢载波钝化膜的n/p型、杂质施主密度和平带电位等半导体性质,同时结合光电化学法对交流阻... 详细信息

运用交流阻抗法和光电化学法研究了不锈钢载波钝化膜层的半导体性质.讨论了交流阻抗测试中扰动频率的变化对Mott-Schottky曲线的影响,讨论了不锈钢载波钝化膜的n/p型、杂质施主密度和平带电位等半导体性质,同时结合光电化学法对交流阻抗测试结果进行了验证分析,实验结果认为不锈钢载波钝化膜层具有与直流钝化膜层相似的半导体性质,并通过膜层的组成结构对其半导体性质作了分析.

关键词：载波钝化钝化膜半导体性质不锈钢交流阻抗法光电化学法组成结构

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光电化学法研究镍基合金在288℃高温水中生成氧化膜的半导体性质

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金属学报 2011年第9期47卷 1147-1152页

作者：张胜寒檀玉梁可心华北电力大学环境科学与工程学院保定071003

采用光电化学法研究了Incoloy800HT和Inconel600镍基合金在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质.组成镍合金氧化膜的物相为Ni的氢氧化物或镍铁氧化物、Cr_2O_3和Fe_xNi_(1-x)Cr_2O_4,它们的特征带隙宽度分别为2.3,2.9/3.5和4.1 4.3 ... 详细信息

采用光电化学法研究了Incoloy800HT和Inconel600镍基合金在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质.组成镍合金氧化膜的物相为Ni的氢氧化物或镍铁氧化物、Cr_2O_3和Fe_xNi_(1-x)Cr_2O_4,它们的特征带隙宽度分别为2.3,2.9/3.5和4.1 4.3 eV.在400 mV至+400 mV范围内,Incoloy800HT合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n型半导体性质,Inconel600合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n/p型半导体性质,同时,在半导体性质从n型转变为P型的临界电压下,光电化学响应相角发生180°转变.

关键词：光电化学响应镍基合金氧化膜半导体性质高温水

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聚硫堇半导体性质的电化学证据

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物理化学学报 2001年第9期17卷 806-810页

作者：孔泳穆绍林扬州大学理学院化学系扬州225002

聚硫堇的电导率为9.6×10－6 S·cm－1,属有机半导体.在10 ℃至60 ℃温度范围内，测定了聚硫堇的循环伏安图、恒电位下的放电曲线和交流阻抗图,并测定了电解质溶液的电导率随温度的变化.在聚硫堇的循环伏安图上有一阳极峰和一... 详细信息

聚硫堇的电导率为9.6×10－6 S·cm－1,属有机半导体.在10 ℃至60 ℃温度范围内，测定了聚硫堇的循环伏安图、恒电位下的放电曲线和交流阻抗图,并测定了电解质溶液的电导率随温度的变化.在聚硫堇的循环伏安图上有一阳极峰和一阴极峰,它们的峰电流均随温度的升高而增加；恒电位下的放电电流也随温度升高而增加；而交流阻抗的结果表明,聚硫堇的电荷传递电阻Rct随温度升高而下降,即它的交换电流i0随温度升高而增加;而溶液电阻和膜电阻也随温度的升高而下降，这同样会引起电流随温度升高而增加.所以温度对固体半导体聚硫堇的电极反应速率的影响包含了电极反应的本身和电极的电导率等因素的影响.聚硫堇的扫描电镜图证实了它的表面是一种纤维状结构.

关键词：聚硫堇半导体性质温度反应速率交流阻抗表面形貌有机高分子半导体

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高温水中添加微量Zn^(2+)对Inconel600合金氧化膜半导体性质的影响

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化学学报 2011年第23期69卷 2801-2806页

作者：张胜寒檀玉梁可心华北电力大学环境科学与工程学院保定071003

核电站采用Zn2+注入技术减少一回路镍基材料的应力腐蚀和辐射污染.向高温水中添加微量Zn2+制备Inconel600合金表面氧化膜,用光电化学响应技术和容抗测量技术研究Zn2+对氧化膜半导体性质的影响.光电化学响应结果表明,氧化膜中不同氧化相... 详细信息

核电站采用Zn2+注入技术减少一回路镍基材料的应力腐蚀和辐射污染.向高温水中添加微量Zn2+制备Inconel600合金表面氧化膜,用光电化学响应技术和容抗测量技术研究Zn2+对氧化膜半导体性质的影响.光电化学响应结果表明,氧化膜中不同氧化相的特征带隙宽度分别为Fe2O3 2.2 eV,Cr2O3 3.5 eV,FexNi1-xCr2O4 4.1 eV和ZnO 3.2eV;在开路电压下,无Zn2+参与生成的氧化膜表现阴极光电流响应,有Zn2+参与生成的氧化膜表现阳极光电流响应.Mott-Schottky结果表明,有Zn2+参与生成的氧化膜平带电位较负,相同极化电压下CS-C2(CSC空间电荷电容)值较大.高温水中添加微量Zn2+离子,能够改变Inconel600合金表面氧化膜的半导体性质.光电化学响应法是检测氧化膜中微量氧化相的一种灵敏且有效的方法.

关键词： Inconel600合金氧化膜半导体性质 Zn注入高温水光电化学响应

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天然杂质对闪锌矿电子结构和半导体性质的影响

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物理化学学报 2010年第10期26卷 2851-2856页

作者：陈晔陈建华郭进广西大学资源与冶金学院南宁530004 广西大学物理科学与工程技术学院南宁530004

采用密度泛函理论系统研究了分别含有十四种天然杂质的闪锌矿的电子结构,并讨论了这十四种杂质对闪锌矿半导体性质的影响.研究结果表明,锰、铁、钴、镍、铜、镉、汞、银、铅、锑杂质的存在使闪锌矿的带隙变窄,导致吸收带边增大.除了镉... 详细信息

采用密度泛函理论系统研究了分别含有十四种天然杂质的闪锌矿的电子结构,并讨论了这十四种杂质对闪锌矿半导体性质的影响.研究结果表明,锰、铁、钴、镍、铜、镉、汞、银、铅、锑杂质的存在使闪锌矿的带隙变窄,导致吸收带边增大.除了镉和汞杂质外,其余杂质的存在均导致费米能级向高能级方向移动,并且在闪锌矿禁带中产生了杂质能级.铁、镓、锗、铟、锡、锑杂质使闪锌矿的半导体类型由p型变为n型;而锰、钴、镍、铜、镉、汞、银、铅杂质对闪锌矿的半导体类型没有影响.铜杂质使闪锌矿由直接带隙变为间接带隙半导体.

关键词：密度泛函理论闪锌矿天然杂质电子结构半导体性质

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化学二氧化锰的半导体性质与电池活性关系的研究

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高等学校化学学报 1995年第6期16卷 961-963页

作者：张碧泉卢兆忠福建师范大学化学系

化学二氧化锰的半导体性质与电池活性关系的研究张碧泉，卢兆忠（福建师范大学化学系，福州，３５０００７）关键词二氧化锰，化学二氧化锰，电池阴极，碱性电池二氧化锰是干电池的阴极活性材料，是半导体［１］，它的电化学行为受其物... 详细信息

化学二氧化锰的半导体性质与电池活性关系的研究张碧泉，卢兆忠（福建师范大学化学系，福州，３５０００７）关键词二氧化锰，化学二氧化锰，电池阴极，碱性电池二氧化锰是干电池的阴极活性材料，是半导体［１］，它的电化学行为受其物理化学性质如晶体结构、电导、表面Ｏ...

关键词：二氧化锰碱性电池电池活性半导体性质

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光电化学法研究316L不锈钢在高温水中生成氧化膜的半导体性质

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中国腐蚀与防护学报 2013年第6期33卷 491-495页

作者：檀玉梁可心张胜寒华北电力大学环境科学与工程学院保定071003

采用光电化学响应法研究了316LSS在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质，获得3个主要响应：带隙宽度2．3eV认为是Fe氧化物Fe2O3和／或Ni的氢氧化物Ni（OH）2的特征带隙宽度；2．9和3．5eV认为是Cr氧化物Cr2O3的特征带隙宽度；4．1～... 详细信息

采用光电化学响应法研究了316LSS在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质，获得3个主要响应：带隙宽度2．3eV认为是Fe氧化物Fe2O3和／或Ni的氢氧化物Ni（OH）2的特征带隙宽度；2．9和3．5eV认为是Cr氧化物Cr2O3的特征带隙宽度；4．1～4．4eV认为是FexNi1-xCr2O4的特征带隙宽度。通过光电流响应与施加偏压的实验可知，316LSS在此高温水中生成的氧化膜表现为n型半导体性质。

关键词：光电化学响应 316L不锈钢氧化膜半导体性质高温水

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