检索结果-内蒙古大学图书馆

具有学习效应的半导体晶圆制造绿色车间调度问题研究

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运筹与管理 2021年第4期30卷 217-223页

作者：董君叶春明上海理工大学管理学院上海200093 河南工学院河南新乡453000

针对最小化最大完工时间、总碳排放以及总拖期时间的具有学习效应的半导体晶圆制造绿色车间调度问题,构建了双影响因素的新型学习效应模型,提出了改进的多元宇宙优化算法,并对其收敛性进行证明。通过对初始种群进行反向学习、宇宙个体... 详细信息

针对最小化最大完工时间、总碳排放以及总拖期时间的具有学习效应的半导体晶圆制造绿色车间调度问题,构建了双影响因素的新型学习效应模型,提出了改进的多元宇宙优化算法,并对其收敛性进行证明。通过对初始种群进行反向学习、宇宙个体进行莱维飞行扰动和对外部档案中的个体进行邻域搜索变异更新,产生新的父代个体,扩大了种群的多样性,避免算法陷入局部最优。通过对小规模和大规模测试算例的仿真实验,以及利用改进算法求解具有异质性机器的学习型半导体晶圆制造绿色车间调度问题,验证了本文所提出的算法对于求解具有学习效应的半导体晶圆制造绿色车间调度问题的有效性和可行性。

关键词：学习效应异质性机器半导体晶圆制造绿色调度

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半导体晶圆制造多厂区订单分配问题研究

上海电机学院学报 2009年第1期12卷 53-56,60页

作者：许圣良马慧民钱省三上海电机学院经济管理学院上海200245 上海理工大学管理学院上海200093

研究了半导体晶圆制造企业多厂区协同生产的订单分配计划问题,以产品的生产成本和运输成本之和最小为目标,构建了生产能力有限情况下的数学模型,提出了用于求解该问题的二进制粒子群算法方案,阐明了该算法方案的具体实现过程。对典型算... 详细信息

研究了半导体晶圆制造企业多厂区协同生产的订单分配计划问题,以产品的生产成本和运输成本之和最小为目标,构建了生产能力有限情况下的数学模型,提出了用于求解该问题的二进制粒子群算法方案,阐明了该算法方案的具体实现过程。对典型算例进行了仿真,结果表明,粒子群算法方案的有效性和可行性。

关键词：半导体晶圆制造多厂区订单分配粒子群算法

运用资料挖矿技术辅助可相互支援机台组间的机台配置决策─以某半导体晶圆制造厂为例

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运用资料挖矿技术辅助可相互支援机台组间的机台配置决策─以某半...

作者：刘德盛国立清华大学

学位级别：硕士

半导体晶圆制造是电子产品供应链中的关键产业，对于全球经济有显着的贡献。长鞭效应显示在供应链中越上游的产业，其市场需求变化也越大；由于半导体晶圆制造接近电子产品供应链的最上游，故半导体晶圆制造承受较大的需求波动。若晶圆... 详细信息

半导体晶圆制造是电子产品供应链中的关键产业，对于全球经济有显着的贡献。长鞭效应显示在供应链中越上游的产业，其市场需求变化也越大；由于半导体晶圆制造接近电子产品供应链的最上游，故半导体晶圆制造承受较大的需求波动。若晶圆制造的周期时间越长，整个电子产品供应链的长鞭效应就会益形严重。电子产品具有产品生命周期短，且产品多样化的特性，这些特性会使需求的波动更大。由于长鞭效应加上产品生命周期愈来愈短，半导体晶圆制造必须持续降低制造周期时间，以缩短整个电子产品供应链对于需求波动的反应时间。本研究提出一个资料挖矿方法，运用该方法能相当准确地预测个别机台组的在制品到达速率。其次，根据此预测的在制品到达速率，对可相互支援机台组之间的机台进行适当配置，以辅助可相互支援机台组之机台配置的决策，并显着地降低制造周期时间。本研究结合决策树 (decision tree) 与倒传递类神经网路 (BPNN: backpropagation neural networks) 的应用来预测个别机台组的在制品到达速率。此外，本研究依据预测的在制品到达速率以及其它历史输入变数来建立BPNN模型，可预测个别机台组的在制品存货水准。资料挖矿的结果显示，在相同的产量水准下，最佳的机台配置能使可相互支援机台组的总在制品存货达到最小，也就是使制造周期时间达到最短。本研究并以台湾新竹科学工业园区某晶圆制造厂进行实证研究，以验证本研究所提方法的效度与效果。

关键词：制造周期时间在制品存货半导体晶圆制造资料挖矿决策树倒传递类神经网路

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作者：赵宏宇裴立坤 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层

本实用新型涉及半导体晶圆制造技术领域，公开了一种半导体晶圆制造装置，该半导体晶圆制造装置包括多个模块化工艺腔室组件和模块化传片组件，其中，每个所述模块化工艺腔室组件实现一种晶圆工艺；所述模块化传片组件与所述模块化工艺... 详细信息

标准号: CN202796880U

本实用新型涉及半导体晶圆制造技术领域，公开了一种半导体晶圆制造装置，该半导体晶圆制造装置包括多个模块化工艺腔室组件和模块化传片组件，其中，每个所述模块化工艺腔室组件实现一种晶圆工艺；所述模块化传片组件与所述模块化工艺腔室组件之间为可拆装连接。本实用新型所提供的半导体晶圆制造装置通过对设备组件的模块化设计方便了设备的装配和维护，缩短装配和维护时间，同时还可以对不同组件分别独立进行测试，有利于设备的测试；当需要更换晶圆工艺时，只需更换实现该晶圆工艺对应的模块化工艺腔室组件，实现了晶圆工艺的多样性，提高了设备的通用性。

关键词：模块化半导体晶圆制造晶圆工艺工艺腔模块化设计维护时间对设备多样性连接

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作者：赵宏宇张晓红裴立坤张豹王锐廷 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2号楼2层

本实用新型公开了一种半导体晶圆制造装置，涉及半导体晶圆制造技术领域，包括：至少两个机械手(1)、至少一套化学与气源分配系统(2)和多个风循环过滤系统(3)，所述风循环过滤系统(3)分为前部区域、中部区域和侧部区域，所述前部区域、... 详细信息

标准号: CN202423239U

本实用新型公开了一种半导体晶圆制造装置，涉及半导体晶圆制造技术领域，包括：至少两个机械手(1)、至少一套化学与气源分配系统(2)和多个风循环过滤系统(3)，所述风循环过滤系统(3)分为前部区域、中部区域和侧部区域，所述前部区域、中部区域和侧部区域分别由使各区域达到均一风量和压力的同一电机控制。本实用新型通过对风循环过滤系统进行分区域控制，能够提高晶圆制造装置内部的洁净等级；其次，本实用新型使用多自由度双臂机械手，具有更高的传片效率；另外，本实用新型采用稳定均一的化学气体、液体分配系统，从而可在每单位面积中有更高的产品良率产出。

关键词：循环过滤系统半导体晶圆制造侧部前部液体分配系统双臂机械手机械手产品良率电机控制多自由度分配系统化学气体洁净等级区域控制中部各区域风量晶圆气源产出内部

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半导体晶圆制造显影预对准装置

半导体晶圆制造显影预对准装置

作者：施建根 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号

一种半导体晶圆制造显影预对准装置，包括轴线竖直设置的真空旋转吸盘，真空旋转吸盘的顶部具有真空吸附平面，真空旋转吸盘的上方沿水平方向滑动设置有边缘曝光装置，边缘曝光装置包括具有通孔的可调节挡板和紫外线发光装置，紫外线发... 详细信息

标准号: CN204391074U

一种半导体晶圆制造显影预对准装置，包括轴线竖直设置的真空旋转吸盘，真空旋转吸盘的顶部具有真空吸附平面，真空旋转吸盘的上方沿水平方向滑动设置有边缘曝光装置，边缘曝光装置包括具有通孔的可调节挡板和紫外线发光装置，紫外线发光装置位于可调节挡板的正上方，紫外线发光装置用于发出紫外线并通过所述通孔向真空旋转吸盘一侧照射。用本实用新型装置对半导体晶圆边缘曝光，待显影后形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围为1.2mm到1.6mm之间，不会造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况。而且所形成的光滑垂直截面边缘光刻胶不会脏污电镀治具的接触电极，大大减少了电镀治具的预防性维护频次。

关键词：吸盘紫外线发光装置旋转电镀挡板曝光装置光刻胶可调节通孔显影治具半导体晶圆制造半导体晶圆报废情况垂直截面电镀高度电镀阴极对准装置接触区域宽度范围设备报警新型装置真空吸附金属环正上方电极紫外线竖直脏污光滑顶部照射曝光接触预防

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作者：赵宏宇裴立坤 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层

本发明涉及半导体晶圆制造技术领域，公开了一种半导体晶圆制造装置，该半导体晶圆制造装置包括多个模块化工艺腔室组件和模块化传片组件，其中，每个所述模块化工艺腔室组件实现一种晶圆工艺；所述模块化传片组件与所述模块化工艺腔室... 详细信息

标准号: CN102820243B

本发明涉及半导体晶圆制造技术领域，公开了一种半导体晶圆制造装置，该半导体晶圆制造装置包括多个模块化工艺腔室组件和模块化传片组件，其中，每个所述模块化工艺腔室组件实现一种晶圆工艺；所述模块化传片组件与所述模块化工艺腔室组件之间为可拆装连接。本发明所提供的半导体晶圆制造装置通过对设备组件的模块化设计方便了设备的装配和维护，缩短装配和维护时间，同时还可以对不同组件分别独立进行测试，有利于设备的测试；当需要更换晶圆工艺时，只需更换实现该晶圆工艺对应的模块化工艺腔室组件，实现了晶圆工艺的多样性，提高了设备的通用性。

关键词：模块化半导体晶圆制造晶圆工艺工艺腔模块化设计维护时间对设备多样性连接

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半导体晶圆制造中金属间介质填充方法

半导体晶圆制造中金属间介质填充方法

作者：甄永泰张慧君陈建维 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

本发明公开了一种半导体晶圆制造中金属间介质填充方法，通过在O3TEOS SACVD二氧化硅主沉积层的上下两处，分别使用SACVD方法在同一反应腔内沉积一层张应力和厚度均小于所述主沉积层的过渡层二氧化硅(buffer layer)，从而得到从压应力... 详细信息

标准号: CN100590811C

本发明公开了一种半导体晶圆制造中金属间介质填充方法，通过在O3TEOS SACVD二氧化硅主沉积层的上下两处，分别使用SACVD方法在同一反应腔内沉积一层张应力和厚度均小于所述主沉积层的过渡层二氧化硅(buffer layer)，从而得到从压应力到张应力的柔性过渡，使得不同层的应力在多个交界面之间缓慢释放，从而达到在不同应力类型的交界面处的作用力累计成倍减少，最终保证整个二氧化硅薄膜的连续性。因此，本发明所述方法不仅满足了对IMD填充能力的要求，而且有效消除了交界面处的孔洞，而且该方法也不会额外增加制造成本。

关键词：交界面二氧化硅沉积层半导体晶圆制造孔洞二氧化硅薄膜缓慢释放介质填充填充能力应力类型反应腔过渡层压应力沉积小于金属过渡

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作者：赵宏宇裴立坤 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层

标准号: CN102820243A

关键词：模块化半导体晶圆制造晶圆工艺工艺腔模块化设计维护时间对设备多样性连接