检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：刘诗伟华南师范大学

学位级别：硕士

本文介绍了我国目前常用的中小功率半导体激光器的稳定度控制系统的研究，及其在原子能级探测中的应用。　　半导体激光器是一种高功率密度并具有极高量子效率的器件，对于电冲击和工作温度的变化的承受能力都很差，静电、高压、浪涌冲... 详细信息

本文介绍了我国目前常用的中小功率半导体激光器的稳定度控制系统的研究，及其在原子能级探测中的应用。　　半导体激光器是一种高功率密度并具有极高量子效率的器件，对于电冲击和工作温度的变化的承受能力都很差，静电、高压、浪涌冲击等都会对半导体激光器造成永久的损坏。同时半导体激光器对温度的变化很敏感，环境温度不稳定不仅引起输入半导体激光器电流的波动，还会使半导体激光器的阈值电流、输出波长和输出功率发生很大的变化，影响激光管的工作性能，甚至缩短半导体激光管的使用寿命。因此半导体激光器的稳恒控制显得极为重要。　　在激光抽运铷原子频标的实验中经常遇见的问题半导体激光二极管由于对自身工作温度和注入电流的变化非常敏感，导致半导体激光二极管输出波长不稳定，从而造成系统输出的原子光谱普线的不稳定。　　本文针对这一问题分别设计了激光二极管的恒流电路和恒温电路。恒流电路部分通过设计电源滤波、稳压、慢启动与保护电路来消除浪涌电流冲击，确保半导体激光二极管安全工作。同时采用可调高精度基准电压设置激光管的注入电流工作点，与激光管的注入电流回路上的取样反馈电压比较后，控制门电路的开关，从而实现电流的恒定。恒温电路通过设计内外两层的物理隔热系统，结合两级温度控制电路，保证半导体激光二极管不会因外界环境温度的变化而出现较大的温度波动。而且可以有效地降低半导体激光二极管自身产生的热量。温度控制电路能够在一定范围内任意设定半导体激光二极管的工作温度点。采用半导体制冷器TEC以及PID补偿网络、灵敏热敏电阻，研制了一种适用于在实验室条件下进行实验研究与再开发的恒温控制系统，分析了控制电路的设计，包括电路参数的计算、电路结构设计和温控系统实际制作等。研制的温控系统的温度稳定度达到0.03℃。

关键词：半导体激光二极管恒流电路恒温电路线性吸收谱线 TEC控制原子能级探测

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半导体激光二极管注入电流和工作温度的稳定控制及其应用研究

半导体激光二极管注入电流和工作温度的稳定控制及其应用研究

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作者：廖民华华南师范大学

学位级别：硕士

半导体激光二极管(L D)的输出波长主要由其掺杂浓度、注入电流和工作温度决定，在其应用中，通常遇到的问题是半导体激光二极管的输出波长对其自身的工作温度和注入电流的变化极为敏感，因此需要通过外设恒温、稳流电路加以控制，以达... 详细信息

半导体激光二极管(L D)的输出波长主要由其掺杂浓度、注入电流和工作温度决定，在其应用中，通常遇到的问题是半导体激光二极管的输出波长对其自身的工作温度和注入电流的变化极为敏感，因此需要通过外设恒温、稳流电路加以控制，以达到激光输出波长稳定和在小范围内连续可调的目的。\n 本文中的精密注入电流控制电路具有较高的电流稳定度，能提供一定范围内连续可调的工作电流和接近从零开始起调的精密可调性。它采用高精度可调节基准电压设置注入电流工作点，并与半导体激光二极管的注入电流回路上的取样反馈电压相比较，来实现注入电流的稳定(10-2mA)。此外，两级工作温度控制电路从外部控制半导体激光二极管温度，保证半导体激光二极管不因自身发热和环境温度的变化而出现较大的温度波动。该控温电路能够在一定范围内任意设置半导体激光二极管的工作温度点，并随时检测半导体激光二极管工作温度的微小波动，再通过PID控制电路加以校正，从而达到对激光二极管温度的精密控制(10mK)。\n 文章最后介绍了高稳定半导体二极管激光在铷原子精细跃迁线性吸收谱观测中的一种应用。

关键词：半导体激光二极管稳流温度控制锁相放大线性吸收谱线

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半导体激光二极管的制造方法和半导体激光二极管

半导体激光二极管的制造方法和半导体激光二极管

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作者：佐藤恒辅岩谷素显日本东京都

本发明提供降低了激光振荡的阈值电流密度的二极管作为经由使用蚀刻技术形成谐振器端面的工序得到的法布里‑珀罗型的半导体激光二极管。一种半导体激光二极管的制造方法，包含在基板上形成多个半导体激光二极管后按各半导体激光二极管... 详细信息

标准号: CN113497406B

本发明提供降低了激光振荡的阈值电流密度的二极管作为经由使用蚀刻技术形成谐振器端面的工序得到的法布里‑珀罗型的半导体激光二极管。一种半导体激光二极管的制造方法，包含在基板上形成多个半导体激光二极管后按各半导体激光二极管分割基板的工序，该制造方法具有在基板上形成层叠体的工序；对层叠体蚀刻而分成成为谐振区域的部分和除此以外的部分的工序；使成为第二电极的层在层叠体的第二半导体层之上形成到谐振区域的谐振器端面与分割的工序中进行分割的位置之间的电极层形成工序；以及在电极层形成工序后同时或连续进行成为第二电极的层的在比谐振器端面靠外侧的位置形成的部分的去除和谐振器端面的形成的蚀刻工序。

关键词：半导体激光二极管蚀刻层叠体谐振器端面第二电极谐振区域形成工序电极层基板二极管半导体层分割基板激光振荡法布里谐振器分割去除振器制造

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半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法

半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法

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作者：斯文·格哈德克里斯托夫·艾希勒阿尔弗雷德·莱尔穆罕默德·阿里德国雷根斯堡

提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半... 详细信息

标准号: CN113574749A

提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4)，其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22)，所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上，所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10)，所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。

关键词：半导体层序列覆盖层竖直半导体激光二极管覆盖区域接触区域源区域源层施加横向方向透明导电遮盖垂直生长延伸制造

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半导体激光二极管

半导体激光二极管

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作者：戴文长金宇中黄朝兴中国台湾桃园市平镇区工业一路16号

一种半导体激光二极管，包括基板、下磊晶区、主动区与上磊晶区。下磊晶区位于基板之上，下磊晶区包含下DBR层；主动区位于下磊晶区之上；上磊晶区位于主动区之上，上磊晶区包含上DBR层；其中该下DBR层包含P型下DBR区，该上DBR层包含N型... 详细信息

标准号: CN117424068A

一种半导体激光二极管，包括基板、下磊晶区、主动区与上磊晶区。下磊晶区位于基板之上，下磊晶区包含下DBR层；主动区位于下磊晶区之上；上磊晶区位于主动区之上，上磊晶区包含上DBR层；其中该下DBR层包含P型下DBR区，该上DBR层包含N型上DBR区。

关键词：磊晶主动区基板半导体激光二极管

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半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法

半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法

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作者：郭准燮蔡秀熙成演准韩国京畿道

本发明提供一种半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法，该辅助装配座倒装焊接到一个具有阶梯状第一和第二电极的半导体激光二极管芯片上。该辅助装配座包括：一个具有第一和第二表面的衬底，所述第一和第二表面隔开与所述第一和第... 详细信息

标准号: CN100468893C

本发明提供一种半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法，该辅助装配座倒装焊接到一个具有阶梯状第一和第二电极的半导体激光二极管芯片上。该辅助装配座包括：一个具有第一和第二表面的衬底，所述第一和第二表面隔开与所述第一和第二电极之间的高度差相当的阶跃高度；第一和第二金属层，分别形成于所述第一和第二表面上且厚度相同；以及第一和第二焊料层，分别形成于所述第一和第二金属层上且厚度相同，并且分别焊接到所述第一和第二电极上。通过一个工序同时形成厚度相同的两焊料层，由此具有相同的化学成分比，提供几乎相同的熔融特性；可通过辅助装配座有效地排放出在半导体激光二极管芯片工作期间产生的热量。

关键词：辅助装配半导体激光二极管第二表面电极焊料层金属层熔融特性芯片工作成分比衬底隔开芯片排放

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小功率半导体激光二极管的稳定控制及其在原子实验中的应用

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激光杂志 2003年第5期24卷 10-12页

作者：孙番典杨世琪刘琼发华南师范大学物理系广州510631

介绍一种高稳定的半导体激光二极管恒温、稳流控制方式。使用该方式电路 ,室温下半导体激光二极管注入电流波动为 10 - 5,温度波动优于 10 - 4。并介绍高稳定半导体二极管激光在原子超精细跃迁线形吸收谱和塞曼相干共振谱观测中的应用。

关键词：半导体激光二极管控制技术原子实验恒温稳流线性吸收谱线塞曼相干共振谱线电路结构工作原理

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半导体激光二极管和半导体器件

半导体激光二极管和半导体器件

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作者：亚历山大·巴赫曼罗兰德·海因里希·恩茨曼米夏埃尔·米勒德国雷根斯堡

提出一种半导体激光二极管(1)，其具有：‑半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域(20)；‑辐射耦合输出面(10)，所述辐射耦合输出面垂直于有源区域的主延伸平面伸展；‑主面(11)，所述主面对半导体层序列沿竖... 详细信息

标准号: CN111133640A

提出一种半导体激光二极管(1)，其具有：‑半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域(20)；‑辐射耦合输出面(10)，所述辐射耦合输出面垂直于有源区域的主延伸平面伸展；‑主面(11)，所述主面对半导体层序列沿竖直方向限界；‑接触层(3)，所述接触层邻接于主面；和‑散热层(4)，所述散热层局部地设置在接触层的背离有源区域的侧上，其中接触层部分地露出用于半导体激光二极管的外部电接触。此外，提出一种半导体器件。

关键词：接触层半导体层序列源区域半导体激光二极管辐射耦合输出面散热层主面半导体器件主延伸平面电接触邻接竖直限界伸展背离垂直辐射外部

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半导体激光二极管

半导体激光二极管

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作者：斯文·格哈德克里斯托夫·艾希勒克里斯蒂安·鲁姆博尔茨德国雷根斯堡

本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的... 详细信息

标准号: CN116865097A

本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧面限界，其中脊部具有第一区域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一区域的第二区域，其中脊部在第一区域中具有第一半导体材料并且在第二区域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中脊部在第一区域中具有第一宽度，并且其中脊部在第二区域中具有第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度。

关键词：脊部第一区域半导体材料第二区域半导体激光二极管半导体层序列脊波导结构垂直纵向和横向方向光耦合输出面横向方向后侧面邻接竖直限界源层侧面延伸

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半导体激光二极管

半导体激光二极管

引用

作者：斯文·格哈德克里斯托夫·艾克勒艾尔弗雷德·莱尔贝恩哈德·施托耶茨德国雷根斯堡

提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相... 详细信息

标准号: CN114243448A

提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，并且其中第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。

关键词：半导体层序列光耦合输出面外壳层主延伸平面源层源区半导体激光二极管材料体系透明材料后侧面结构化放射施加延伸配置

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