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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

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限定检索结果

文献类型

52 篇 专利

馆藏范围

52 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

16 篇 伊顿智能动力有限...
8 篇 精工爱普生株式会...
4 篇 英飞凌科技股份有...
3 篇 因芬尼昂技术股份...
3 篇 富士电机株式会社
2 篇 株式会社日立高新...
2 篇 精工电子有限公司
1 篇 尔必达存储器股份...
1 篇 上海宏力半导体制...
1 篇 上海华虹宏力半导...
1 篇 西门子股份公司
1 篇 深圳市奇普乐芯片...
1 篇 富士通微电子株式...
1 篇 深圳市禾望电气股...
1 篇 赛米控电子股份有...
1 篇 株式会社东芝
1 篇 松下电器产业株式...
1 篇 富士通半导体股份...
1 篇 恩益禧电子股份有...
1 篇 日本电气株式会社

作者

15 篇 k·阿斯坎
8 篇 山本壮洋
4 篇 石川匡亨
4 篇 m·卡岑施泰内尔
4 篇 板坂洋佑
4 篇 m·鲍尔图内克
2 篇 福泽晃弘
2 篇 m·莫茨
2 篇 齐藤俊
2 篇 浅见畅彦
2 篇 冈田弘
2 篇 津村和宏
2 篇 黎坡
2 篇 青山昌史
2 篇 岩间聪
2 篇 守屋秀喜
1 篇 a·维斯鲍尔
1 篇 松本哲也
1 篇 宫下俊彦
1 篇 武田晃一

语言

52 篇 中文

检索条件"主题词=半导体电路装置"

共 52 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

半导体电路装置以及该电路仿真方法

半导体电路装置以及该电路仿真方法

引用

作者：佐原康之大谷一弘中田和久关户真策日本大阪府

一种半导体电路装置及其电路仿真方法，在半导体电路装置的N阱(2)中设置由沟槽分离(Ris)包围的PMIS用活性区域(Rtp)，而在P阱(3)中设置由沟槽分离(Ris)包围的NMIS用活性区域(Rtn)。在各活性区域(Rtp、Rtn)中，分别设置有P沟道型或者N沟... 详细信息

标准号: CN1300848C

一种半导体电路装置及其电路仿真方法，在半导体电路装置的N阱(2)中设置由沟槽分离(Ris)包围的PMIS用活性区域(Rtp)，而在P阱(3)中设置由沟槽分离(Ris)包围的NMIS用活性区域(Rtn)。在各活性区域(Rtp、Rtn)中，分别设置有P沟道型或者N沟道型的栅极(7、9)。NMIS用活性区域(Rtn)和PMIS用活性区域(Rtp)之间在Y方向上的间隔(Dpn)按照实质上为一定值进行布局。这样，从沟槽分离(Ris)施加到栅极下方的沟道区域的沟槽分离应力，对各晶体管被均等化，从而提高了电路仿真的精度。

关键词：活性区域半导体电路装置沟道型电路仿真方法沟槽分离应力沟道区域到栅极晶体管电路

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半导体电路装置及电子设备

半导体电路装置及电子设备

引用

作者：许荣峰林哲民 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道53号航空航天大厦2号楼718

本申请公开了一种半导体电路装置及电子设备，半导体电路装置包括：封装基板、半导体基板以及芯粒组件，半导体基板设置于封装基板，且半导体基板设置有可编程连接网络以及芯粒连接部；芯粒组件包括至少一个第一芯粒，至少一个第一芯粒... 详细信息

标准号: CN115995456A

本申请公开了一种半导体电路装置及电子设备，半导体电路装置包括：封装基板、半导体基板以及芯粒组件，半导体基板设置于封装基板，且半导体基板设置有可编程连接网络以及芯粒连接部；芯粒组件包括至少一个第一芯粒，至少一个第一芯粒安装于芯粒连接部上，以使第一芯粒通过芯粒连接部与可编程连接网络连接，无需在芯粒和半导体基板上设置额外的连接线，简化了芯粒的安装，提高了半导体电路装置的生产效率。

关键词：芯粒半导体基板半导体电路装置可编程连接封装基板连接线电子设备生产效率网络连接组件包括申请网络

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半导体电路装置

半导体电路装置

引用

作者： M·克拉拉 A·迪吉安多梅尼科 A·维斯鲍尔德国慕尼黑

一种用于连续时间∑Δ调变器的半导体电路装置，可添加模拟输入信号至数字反馈信号及量化该被加总信号，包含一电压电流转换电路(10)，具有一电阻器梯级的一加法电路(20)，具有比较器组件(45)的一量化电路(40)，及一数字模拟转换电路(30... 详细信息

标准号: CN100530978C

一种用于连续时间∑Δ调变器的半导体电路装置，可添加模拟输入信号至数字反馈信号及量化该被加总信号，包含一电压电流转换电路(10)，具有一电阻器梯级的一加法电路(20)，具有比较器组件(45)的一量化电路(40)，及一数字模拟转换电路(30)。针对各比较器组件(45)，其各输入信号藉由该电阻器梯级的第一串行中的对应分流电阻器(22)前方的分接头及该电阻器梯级的第二串行的对应分流电阻器(22)前方的分接头间的电压来形成。

关键词：电阻器梯级分流电阻器比较器分接头电压电流转换电路半导体电路装置模拟输入信号数字反馈信号数字模拟转换加法电路连续时间量化电路输入信号电压电路量化

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半导体电路装置和用于半导体电路装置的方法

半导体电路装置和用于半导体电路装置的方法

引用

作者： U·奥塞勒克纳德国诺伊比贝尔格

本发明涉及一种半导体电路装置和一种用于半导体电路装置的方法。半导体电路装置包括衬底、衬底第一区域中的至少两个第一应力敏感元件和衬底第二区域中的至少两个第二应力敏感元件。第一应力敏感元件分别具有依赖于第一区域中的机械应... 详细信息

标准号: CN117766516A

本发明涉及一种半导体电路装置和一种用于半导体电路装置的方法。半导体电路装置包括衬底、衬底第一区域中的至少两个第一应力敏感元件和衬底第二区域中的至少两个第二应力敏感元件。第一应力敏感元件分别具有依赖于第一区域中的机械应力张量的第一分量和第二分量的电特性。第二应力敏感元件分别具有依赖于第二区域中的机械应力张量的第一分量和第二分量的电特性。半导体电路装置还包括测量电路，该测量电路被构造成基于第一应力敏感元件和第二应力敏感元件的相应电特性确定第一区域中的第一分量和第二区域中的第一分量之间的第一应力差，并且确定第一区域中的第二分量和第二区域中的第二分量之间的第二应力差。

关键词：应力敏感元件半导体电路装置第二区域第一区域电特性衬底测量电路机械应力应力差

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半导体电路装置、电子器件、电子设备以及移动体

半导体电路装置、电子器件、电子设备以及移动体

引用

作者：板坂洋佑石川匡亨山本壮洋日本东京都

本发明提供半导体电路装置、振荡器、电子设备以及移动体，能够抑制连接布线与电路块之间的干扰。半导体电路装置(1)包含半导体基板(30)、配置在半导体基板(30)上的将模拟电路作为构成要素的第1电路块(10)、将数字电路作为构成要素的第... 详细信息

标准号: CN104639089B

本发明提供半导体电路装置、振荡器、电子设备以及移动体，能够抑制连接布线与电路块之间的干扰。半导体电路装置(1)包含半导体基板(30)、配置在半导体基板(30)上的将模拟电路作为构成要素的第1电路块(10)、将数字电路作为构成要素的第2电路块(20)、连接焊盘(X1)以及将连接焊盘(X1)与第1电路块(10)电连接的连接布线(40)，连接布线(40)被设置成在俯视时不与第2电路块(20)重叠。

关键词：电路块连接布线半导体电路装置半导体基板构成要素连接焊盘电子设备模拟电路数字电路电连接移动体振荡器俯视配置

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半导体电路装置、振荡器、电子设备以及移动体

半导体电路装置、振荡器、电子设备以及移动体

引用

作者：山本壮洋日本东京

本发明提供一种半导体电路装置、振荡器、电子设备以及移动体。所述半导体电路装置具有：振荡用电路；输出电路，其被输入从振荡用电路输出的信号并输出振荡信号；感温元件；特性调节用电路，其根据从感温元件输出的信号而对振荡用电路... 详细信息

标准号: CN105827203B

本发明提供一种半导体电路装置、振荡器、电子设备以及移动体。所述半导体电路装置具有：振荡用电路；输出电路，其被输入从振荡用电路输出的信号并输出振荡信号；感温元件；特性调节用电路，其根据从感温元件输出的信号而对振荡用电路的特性进行调节；第一连接端子，其与输出电路电连接并对振荡信号进行输出，在俯视观察时，输出电路与第一连接端子的距离短于感温元件与第一连接端子的距离。

关键词：感温元件连接端子输出电路振荡半导体电路装置电路输出振荡信号电路输出电子设备俯视观察特性调节振荡信号输出电连接移动体振荡器

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半导体电路装置、振荡器、电子设备以及移动体

半导体电路装置、振荡器、电子设备以及移动体

引用

作者：山本壮洋日本东京

标准号: CN105827203A

关键词：感温元件连接端子输出电路振荡半导体电路装置电路输出振荡信号电路输出电子设备俯视观察特性调节振荡信号输出电连接移动体振荡器

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半导体电路装置的制造方法

半导体电路装置的制造方法

引用

作者：津村和宏日本千叶县

本发明提供半导体装置的制造方法，其能够削减具有MOS晶体管和电容元件的半导体装置的制造成本。该半导体电路装置的制造方法的特征在于，MOS晶体管的栅电极由第1多晶硅膜构成，电容由第1多晶硅膜、电容膜和第2多晶硅膜构成，同时进行... 详细信息

标准号: CN102194746A

本发明提供半导体装置的制造方法，其能够削减具有MOS晶体管和电容元件的半导体装置的制造成本。该半导体电路装置的制造方法的特征在于，MOS晶体管的栅电极由第1多晶硅膜构成，电容由第1多晶硅膜、电容膜和第2多晶硅膜构成，同时进行常闭型晶体管和电容下部电极的低电阻化，同时进行N型MOS晶体管和电容上部电极的低电阻化。