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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

1,257 篇 专利

馆藏范围

1,257 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

207 篇 台湾积体电路制造...
137 篇 英飞凌科技股份有...
78 篇 半导体元件工业有...
62 篇 英飞凌科技奥地利...
60 篇 新科金朋有限公司
55 篇 恩智浦美国有限公...
52 篇 英特尔公司
39 篇 德克萨斯仪器股份...
35 篇 意法半导体股份有...
29 篇 星科金朋私人有限...
27 篇 高通股份有限公司
26 篇 爱思开海力士有限...
24 篇 安世有限公司
23 篇 商升特公司
22 篇 三星电子株式会社
18 篇 恩智浦有限公司
18 篇 飞思卡尔半导体公...
14 篇 美光科技公司
13 篇 西部数据技术公司
13 篇 日月光半导体制造...

作者

51 篇 余振华
49 篇 林耀剑
28 篇 陈宪伟
25 篇 郑心圃
25 篇 陈康
25 篇 林俊成
24 篇 p.c.马里穆图
24 篇 卢思维
21 篇 施应庆
20 篇 刘重希
18 篇 沈一权
17 篇 陈明发
14 篇 白志刚
13 篇 林育圣
12 篇 e·菲尔古特
12 篇 林承园
12 篇 周志雄
12 篇 全五燮
12 篇 吴集锡
11 篇 王志杰

语言

1,257 篇 中文

检索条件"主题词=半导体管芯"

共 1257 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

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半导体管芯拾取设备

半导体管芯拾取设备

引用

作者：郑宰永文钟奎韩国京畿道

根据本公开的一方面的半导体管芯拾取设备包括：带剥离器，其用于将安装带从半导体管芯剥离；以及翻转器，其用于保持半导体管芯，其中，带剥离器包括具有面向安装带的槽的壳体部、覆盖槽的盖部、连接到盖部的辊部以及在槽内执行真空抽... 详细信息

标准号: CN116525520A

根据本公开的一方面的半导体管芯拾取设备包括：带剥离器，其用于将安装带从半导体管芯剥离；以及翻转器，其用于保持半导体管芯，其中，带剥离器包括具有面向安装带的槽的壳体部、覆盖槽的盖部、连接到盖部的辊部以及在槽内执行真空抽吸的真空部。辊部移动以卷绕盖部。

关键词：半导体管芯盖部安装带剥离器辊部拾取设备真空抽吸翻转器覆盖槽壳体部真空部卷绕剥离移动

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半导体管芯及制造其的方法

半导体管芯及制造其的方法

引用

作者： A·费拉拉 D·雷根费尔德纳 T·R·西门尼克奥地利菲拉赫西门子大街2号

本申请涉及一种半导体管芯(1)，具有半导体器件(2)和横向位于半导体器件(2)和管芯(1)的横向边缘(10)之间的边缘终止结构(3)，边缘终止结构(3)包括：第一内屏蔽电极区(30)，在延伸到半导体本体(15)中的沟槽(33)中具有屏蔽电极(31)；外屏... 详细信息

标准号: CN117410335A

本申请涉及一种半导体管芯(1)，具有半导体器件(2)和横向位于半导体器件(2)和管芯(1)的横向边缘(10)之间的边缘终止结构(3)，边缘终止结构(3)包括：第一内屏蔽电极区(30)，在延伸到半导体本体(15)中的沟槽(33)中具有屏蔽电极(31)；外屏蔽电极区(50)，在延伸到半导体本体(15)中的沟槽(53)中具有屏蔽电极(51)并沿第一横向方向(11)设置在第一内屏蔽电极区(30)和所述管芯(1)的横向边缘(10)之间；阱区(60)，形成在半导体本体(15)中邻近第一内屏蔽电极区(30)的沟槽(33)，其中第一内屏蔽电极区(30)的屏蔽电极(31)电连接到阱区(60)以从阱区(60)引出电位，并且其中外屏蔽电极区(50)的屏蔽电极(51)电连接到第一内屏蔽电极区(30)的屏蔽电极(31)。

关键词：电极区屏蔽电极内屏蔽半导体本体阱区边缘终止结构半导体器件横向边缘电连接外屏蔽管芯电位半导体管芯横向方向延伸邻近申请

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半导体管芯附接系统和方法

半导体管芯附接系统和方法

引用

作者： J·马勒 G·迈耶-伯格德国诺伊比贝尔格

本公开涉及半导体管芯附接系统和方法。半导体封装包括半导体管芯、用于支撑半导体管芯的衬底、覆盖半导体管芯和至少部分衬底的包封剂、以及将半导体管芯附接到衬底的管芯附接材料。管芯附接材料包括具有第一官能团和第二官能团的分子... 详细信息

标准号: CN109637991A

本公开涉及半导体管芯附接系统和方法。半导体封装包括半导体管芯、用于支撑半导体管芯的衬底、覆盖半导体管芯和至少部分衬底的包封剂、以及将半导体管芯附接到衬底的管芯附接材料。管芯附接材料包括具有第一官能团和第二官能团的分子，第一官能团具有至少一个自由电子对，第二官能团以促进与包封剂的粘附性的方式与包封剂发生化学反应或可反应。还描述了制造半导体封装的对应方法。

关键词：半导体管芯包封剂衬底半导体封装附接管芯化学反应附接系统粘附性覆盖支撑制造自由

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半导体管芯的前侧或背侧互连的附加制造

半导体管芯的前侧或背侧互连的附加制造

引用

作者： E·菲尔古特 I·埃舍尔-珀佩尔 M·格鲁贝尔 I·尼基廷 H-J·舒尔策奥地利菲拉赫

一种用于制造半导体管芯封装的方法(100)，该方法包括：(110)提供半导体晶体管管芯，该半导体晶体管管芯可能地包括在第一下主面上的第一接触焊盘和/或在上主面上的第二接触焊盘；(120)向所述第二接触焊盘上制造前侧电导体，并且可能地... 详细信息

标准号: CN113140504A

一种用于制造半导体管芯封装的方法(100)，该方法包括：(110)提供半导体晶体管管芯，该半导体晶体管管芯可能地包括在第一下主面上的第一接触焊盘和/或在上主面上的第二接触焊盘；(120)向所述第二接触焊盘上制造前侧电导体，并且可能地向所述第一接触焊盘上制造背侧电导体；以及(130)施加覆盖所述半导体管芯以及所述前侧电导体的至少一部分的包封体，其中，所述前侧电导体和/或所述背侧电导体是通过金属结构的激光辅助结构化来制造的。

关键词：电导体接触焊盘半导体晶体管制造管芯半导体管芯封装半导体管芯激光辅助金属结构包封体结构化施加覆盖

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半导体管芯和电子系统

半导体管芯和电子系统

引用

作者：安内特·文策尔拉尔斯·穆勒-梅什坎普迈克尔·基尔施奥地利菲拉赫

公开了一种半导体管芯和电子系统。该半导体管芯包括：半导体衬底；半导体衬底中的发射器或接收器电路；在半导体衬底上的多层堆叠，多层堆叠包括被层间电介质彼此隔开的多个金属化层；以及在多层堆叠中并且电耦接至发射器或接收器电路... 详细信息

标准号: CN117275901A

公开了一种半导体管芯和电子系统。该半导体管芯包括：半导体衬底；半导体衬底中的发射器或接收器电路；在半导体衬底上的多层堆叠，多层堆叠包括被层间电介质彼此隔开的多个金属化层；以及在多层堆叠中并且电耦接至发射器或接收器电路的变压器。变压器包括形成在多个金属化层中的第一金属化层中的第一绕组和形成在多个金属化层中的第二金属化层中的第二绕组。第一绕组和第二绕组彼此感应耦合。多层堆叠中的磁性材料与变压器的至少一部分相邻。

关键词：金属化层堆叠多层衬底变压器半导体半导体管芯接收器电路发射器层间电介质磁性材料电子系统感应耦合电耦隔开

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半导体管芯、半导体装置和用于形成半导体管芯的方法

半导体管芯、半导体装置和用于形成半导体管芯的方法

引用

作者： T·瓦格纳 M·奥斯特迈尔 J·辛格 K·黑罗尔德美国加利福尼亚

提供了一种半导体管芯。该半导体管芯包括布置在半导体衬底的正面处的多个晶体管、以及导电结构。该导电结构的顶表面在半导体衬底的正面处被接触，并且该导电结构的底表面在半导体衬底的背面处被接触。此外，半导体管芯包括附接至半导... 详细信息

标准号: CN117501439A

提供了一种半导体管芯。该半导体管芯包括布置在半导体衬底的正面处的多个晶体管、以及导电结构。该导电结构的顶表面在半导体衬底的正面处被接触，并且该导电结构的底表面在半导体衬底的背面处被接触。此外，半导体管芯包括附接至半导体衬底的背面的背面金属化层堆叠体。布线结构的第一部分形成于背面金属化层堆叠体的第一金属化层中，并且该布线结构的第二部分形成于背面金属化层堆叠体的第二金属化层中。此外，锥形的垂直连接形成于该布线结构的第一部分和该布线结构的第二部分之间，其中，第一金属化层比第二金属化层更接近半导体衬底。锥形的垂直连接的宽度朝着第一金属化层增大。

关键词：金属化层衬底布线结构半导体半导体管芯背面金属化导电结构层堆叠垂直连接顶表面晶体管附接背面

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半导体管芯的金属栅极部件

半导体管芯的金属栅极部件

引用

作者：庄学理朱鸣中国台湾新竹

CMOS半导体管芯包括：衬底；绝缘层，位于衬底的主面的上方；多个P金属栅极区域，形成在绝缘层内，总体覆盖主面的第一区域；多个N金属栅极区域，形成在绝缘层内，总体覆盖主面的第二区域，其中，第一区域与第二区域的第一比率等于或大... 详细信息

标准号: CN103151353B

CMOS半导体管芯包括：衬底；绝缘层，位于衬底的主面的上方；多个P金属栅极区域，形成在绝缘层内，总体覆盖主面的第一区域；多个N金属栅极区域，形成在绝缘层内，总体覆盖主面的第二区域，其中，第一区域与第二区域的第一比率等于或大于1；多个伪P金属栅极区域，形成在绝缘层内，总体覆盖主面的第三区域；以及多个伪N金属栅极区域，形状在绝缘层内，总体覆盖主面的第四区域，其中，第三区域与第四区域的第二比率基本上等于第一比率。本发明还提供了半导体管芯的金属栅极部件。

关键词：绝缘层金属栅极半导体管芯第二区域第一区域覆盖衬底

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半导体管芯裂纹检测器

半导体管芯裂纹检测器

引用

作者： M·贾科米尼 F·E·C·迪塞格尼 R·纳尔沃 P·K·赛尼 M·哈雷什巴·尼兰贾尼意大利阿格拉布里安扎

本公开涉及半导体管芯裂纹检测器。提供了一种用于检测半导体管芯中的结构缺陷的组件。该组件包括缺陷检测传感器和微控制器。缺陷检测传感器包括半导体管芯中导电材料的多个电阻路径，每个电阻路径具有第一端和第二端，并且靠近半导体... 详细信息

标准号: CN116203083A

本公开涉及半导体管芯裂纹检测器。提供了一种用于检测半导体管芯中的结构缺陷的组件。该组件包括缺陷检测传感器和微控制器。缺陷检测传感器包括半导体管芯中导电材料的多个电阻路径，每个电阻路径具有第一端和第二端，并且靠近半导体管芯的周边延伸。缺陷检测传感器包括多个信号产生结构，每个信号产生结构耦接到相应的电阻路径，并被配置为向电阻路径提供测试信号。微控制器被配置成控制信号产生结构以生成测试信号，获取每个电阻路径中的测试信号，通过对所获取的测试信号执行分析来测试电阻路径的电特性，并基于所获取的测试信号的分析结果来检测半导体管芯中结构缺陷的存在。

关键词：半导体管芯电阻路径测试信号缺陷检测传感器微控制器信号产生检测器控制信号产生测试电阻导电材料结构缺陷生成测试周边延伸组件包括第一端电特性中结构检测配置分析

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半导体管芯和包括其的半导体器件

半导体管芯和包括其的半导体器件

引用

作者：禹昇汉柳济民吴凛吴文熙李范锡韩国京畿道

提供了半导体管芯和包括其的半导体器件。该半导体管芯可以包括：第一延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第一延迟电路包括串联连接的第一延迟级；第二延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第二延迟电路包括串联连... 详细信息

标准号: CN110265383B

提供了半导体管芯和包括其的半导体器件。该半导体管芯可以包括：第一延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第一延迟电路包括串联连接的第一延迟级；第二延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第二延迟电路包括串联连接的第二延迟级；至少一个穿通硅通路，连接到第一延迟级的输出端子中的至少一个输出端子，所述至少一个穿通硅通路贯穿基板；以及负载确定装置，配置为将从第一延迟级中的一个输出的第一延迟信号与从第二延迟级中的一个输出的第二延迟信号相比较，并且确定所述至少一个穿通硅通路的负载。

关键词：延迟级延迟电路穿通基板延迟测试信号半导体管芯输出端子延迟信号配置负载确定装置半导体器件输出贯穿

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半导体管芯和制造半导体管芯的方法

半导体管芯和制造半导体管芯的方法

引用

作者： D·毛雷尔 S·康拉德 S·萨克 T·奥斯特曼奥地利菲拉赫西门子大街2号

本公开涉及半导体管芯和制造半导体管芯的方法。本公开涉及一种半导体管芯(1)，其具有：包括有源区域(3)的半导体本体(2)，形成在半导体本体(2)上的绝缘层(4)，其中p沟道器件(5)被形成在有源区域(3)中，以及其中钠阻挡器(10)被形成在绝... 详细信息

标准号: CN118039693A

本公开涉及半导体管芯和制造半导体管芯的方法。本公开涉及一种半导体管芯(1)，其具有：包括有源区域(3)的半导体本体(2)，形成在半导体本体(2)上的绝缘层(4)，其中p沟道器件(5)被形成在有源区域(3)中，以及其中钠阻挡器(10)被形成在绝缘层(4)中并且被横向地布置在管芯(1)的横向边缘(1.1)和有源区域(3)之间，钠阻挡器(10)包括绝缘层沟槽(11)，绝缘层沟槽(11)与绝缘层(4)垂直相交并且围绕有源区域(3)延伸，绝缘层沟槽(11)被填充有扩散屏障材料(21)。

关键词：绝缘层源区域半导体管芯半导体本体阻挡器垂直相交横向边缘屏障材料管芯填充扩散延伸制造

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