检索结果-内蒙古大学图书馆

中国电机工程学报 2019年第19期39卷 5732-5740页

作者：赵锡正魏晓光齐磊喻湄霁周万迪东野忠昊新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京市昌平区102206 先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司) 北京市昌平区102209

母排杂散电感是影响绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)工作可靠性的关键因素之一。为得到杂散电感对直流断路器半导体组件的影响机理,进而提出降低杂散电感的优化设计方法,该文首先分析混合式直流断路器半导... 详细信息

母排杂散电感是影响绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)工作可靠性的关键因素之一。为得到杂散电感对直流断路器半导体组件的影响机理,进而提出降低杂散电感的优化设计方法,该文首先分析混合式直流断路器半导体组件关断暂态过程,建立包含杂散电感在内的二极管全桥组件关断暂态等效电路,在此基础上通过理论分析、仿真计算和试验相结合的方法,深入研究二极管全桥组件内部杂散电感对IGBT关断电压过冲的影响。提出以量化分析杂散电感对IGBT关断电压影响的灵敏度系数,并据此提出二极管全桥组件杂散电感的设计原则。以此原则设计搭建二极管全桥组件试验验证平台。仿真与试验结果吻合良好,验证了杂散电感影响分析的准确性,以及杂散电感优化方案的有效性。

关键词：混合级联直流断路器半导体组件杂散电感耦合系数灵敏度分析

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规模化半导体组件隔离供能系统负载自均衡方法研究

规模化半导体组件隔离供能系统负载自均衡方法研究

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作者：李嘉靓华北电力大学(北京)

学位级别：硕士

由电力电子开关构成的转移支路是混合式直流断路器实现直流开断功能的核心部分。由于直流断路器长期处于合闸状态,电力电子开关中大量IGBT器件无法直接在线取能,因此现有工程上一般采用外供工频电源的电缆穿过多个磁环的方式实现电力电... 详细信息

由电力电子开关构成的转移支路是混合式直流断路器实现直流开断功能的核心部分。由于直流断路器长期处于合闸状态,电力电子开关中大量IGBT器件无法直接在线取能,因此现有工程上一般采用外供工频电源的电缆穿过多个磁环的方式实现电力电子开关的多路隔离供能。但是,由于参数不一致常常导致各个模块负载功率难以控制,严重时甚至会出现IGBT取能失败的现象,对断路器的可靠性造成重大影响。目前针对高压直流断路器半导体组件供能不均的研究甚少,本文针对规模化半导体组件的取能不均现象,建立供能系统等效模型,提出了两种负载自均衡策略,对自均衡供能系统样机结构进行设计并开展实验。主要工作和成果如下:首先,分析了工频磁耦合供能系统结构的能量传输机理,建立了工频供能系统主要设备——隔离变压器、取能磁环、绝缘电缆、恒流电抗器的等效电路模型。利用电磁场理论分析取能磁环结构,并根据被测非晶材料的磁化特性完成磁环模型的参数计算,通过开路短路实验测量与计算数据的对比,验证了本文取能磁环工频等效电路模型与参数计算方法的有效性。其次,提出了以工频供能系统为基础,结合电力电子主动调控手段实现负载自均衡的两种策略。其一是在隔离变压器侧串联反并联晶闸管,控制晶闸管的导通角,实现磁环输入电流恒定,使各磁环输出的感应电压一致;其二是直接在负载侧设置带反馈的DC-DC稳压电路,通过改变脉冲宽度控制开关器件通断时间实现高电位侧的稳压。分别对各策略下具体拓扑的负载均衡原理进行理论推导,并在仿真软件中模拟负载掉电以及负载短路的情况,以验证自均衡方案的可行性。最后,设计了电气隔离性能良好、采用工频磁耦合取能的驱动供能平台,并设计了负载侧负反馈稳压的控制电路,对实验所需设备参数进行计算,并按照相关标准确定设备型号。搭建实验平台与供能系统样机,验证负载故障下最优自均衡拓扑的有效性。

关键词：混合式直流断路器供能系统负载自均衡半导体组件多路隔离输出优化设计

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2003年度半导体组件供货商风云产品关键报告

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电子与电脑 2004年第1期4卷 90-100页

岁末时分．电子与半导体产业界在2003年表现总体总算摆脱低迷的景气，出现复苏的契机，据数据显示2003年全球半导体成长率可望达到16．6％（2002年为1．3％)，出现二位数成长，而IC产品产值历年皆优于全球半导体成长率的台湾地区rc产业... 详细信息

岁末时分．电子与半导体产业界在2003年表现总体总算摆脱低迷的景气，出现复苏的契机，据数据显示2003年全球半导体成长率可望达到16．6％（2002年为1．3％)，出现二位数成长，而IC产品产值历年皆优于全球半导体成长率的台湾地区rc产业，今年仍然保持稳健的产品产值成长率，达27．5％（去年27．3％)，产值达到3,565亿台币冶币兑换人民币约为42：1)，表现出色。

关键词： 2003年半导体组件 IC产品 ALTERA公司光罩编程组件柏士半导体公司网络芯片科胜讯系统公司 NetChip Technology公司

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半导体组件搭载用基板

半导体组件搭载用基板

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作者：久保田觉史日本国鹿儿岛县伊佐市大口牛尾1746番地2

一种半导体组件搭载用基板，是为了让端子独立而使用，所述半导体组件搭载用基板在金属板的另一面侧具备形成有外部连接用镀覆层的外部连接部，且在半导体封装件的制造工序中，将形成于金属板的另一面侧的镀覆层当作蚀刻掩模来进行蚀刻... 详细信息

标准号: CN113471166A

一种半导体组件搭载用基板，是为了让端子独立而使用，所述半导体组件搭载用基板在金属板的另一面侧具备形成有外部连接用镀覆层的外部连接部，且在半导体封装件的制造工序中，将形成于金属板的另一面侧的镀覆层当作蚀刻掩模来进行蚀刻加工，由此让具备外部连接部的端子独立，所述半导体组件搭载用基板在金属板的另一面侧形成有沿着外部连接部的轮廓的凹部，在凹部的内表面上形成有预定的镀覆层。借此提供一种在半导体封装件的制造工序中，当从半导体组件搭载用基板的另一面侧通过蚀刻加工而使具备外部连接部的端子独立时，可以抑制端子变细的半导体组件搭载用基板。

关键词：半导体组件搭载用基板外部连接部镀覆层金属板半导体封装件蚀刻加工制造工序凹部蚀刻掩模外部连接内表面变细

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半导体组件及其制造方法

半导体组件及其制造方法

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作者：陈劲甫 518004 广东省深圳市罗湖区莲塘街道仙湖社区国威路六十八号国威商务大厦一五O二

本发明公开了半导体组件及其制造方法，包含基底、阱区、第一沟槽、第二沟槽、第一栅极、源极电极及漏极电极。基底具有第一导电类型，阱区具有第二导电类型，且设置于基底上，第一沟槽和第二沟槽设置于阱区中，第一沟槽内设置有第一场... 详细信息

标准号: CN116895692A

本发明公开了半导体组件及其制造方法，包含基底、阱区、第一沟槽、第二沟槽、第一栅极、源极电极及漏极电极。基底具有第一导电类型，阱区具有第二导电类型，且设置于基底上，第一沟槽和第二沟槽设置于阱区中，第一沟槽内设置有第一场板和第一介电层围绕第一场板，第二沟槽内设置有第二场板和第二介电层围绕第二场板，第一栅极设置于第一场板上方，源极电极设置于第一沟槽的第一侧，漏极电极设置于第二沟槽的第二侧，沿着第一方向依序排列源极电极、第一沟槽、第二沟槽与漏极电极。

关键词：场板漏极电极源极电极基底阱区介电层第一导电类型半导体组件导电类型依序排列制造

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半导体组件及半导体存储元件的形成方法

半导体组件及半导体存储元件的形成方法

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作者：骆统杨令武黄启东陈光钊中国台湾

本发明是有关于一种半导体组件及半导体存储元件的形成方法。该半导体组件的形成方法，包括提供一半导体基底，并在半导体基底上形成一第一绝缘层，之后，以反应气体在第一绝缘层上形成一浮置栅极，其中浮置栅极包括具有约50埃至300埃... 详细信息

标准号: CN100397618C

本发明是有关于一种半导体组件及半导体存储元件的形成方法。该半导体组件的形成方法，包括提供一半导体基底，并在半导体基底上形成一第一绝缘层，之后，以反应气体在第一绝缘层上形成一浮置栅极，其中浮置栅极包括具有约50埃至300埃晶粒大小的多晶硅材质，接着在浮置栅极上形成第二绝缘层，之后在第二绝缘层上形成一控制栅极。本发明的浮置栅极相较于先前技术对第一绝缘层与第二绝缘层而言可显示出更高栅极耦合比率、改良的摆动退化与更低的电子陷落比。而且，本发明可以改良存储元件的持久性与使存储元件具有更高、更稳定的胞读取电流。

关键词：绝缘层浮置栅极半导体基底半导体组件存储元件半导体存储元件多晶硅材质反应气体晶粒大小耦合比率持久性电流退化

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半导体组件的钝化层结构及其形成方法

半导体组件的钝化层结构及其形成方法

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作者：孙文檠林泽胜游胜闵中国台湾新竹县

本发明提供一种半导体组件的钝化层结构及其形成方法。该半导体组件的钝化层结构包括：半导体基板，钝化层结构，设置于该半导体基板上，其中该钝化层结构包括卤素掺杂的氧化铝层。

标准号: CN102468244A

关键词：钝化层半导体基板半导体组件卤素掺杂氧化铝层

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半导体组件及其制造方法

半导体组件及其制造方法

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作者：曹博昭黄裕华中国台湾新竹市新竹科学园区笃行一路一号

本发明提供了一种半导体组件及其制造方法。半导体组件包括基板和焊盘。焊盘位于基板上并且具有上表面和狭槽，其中，狭槽相对于上表面向内凹进。本发明中在焊盘上包括狭槽，可以使得在焊接过程中容纳焊盘部分的变形和/或减小或释放焊... 详细信息

标准号: CN112397469A

本发明提供了一种半导体组件及其制造方法。半导体组件包括基板和焊盘。焊盘位于基板上并且具有上表面和狭槽，其中，狭槽相对于上表面向内凹进。本发明中在焊盘上包括狭槽，可以使得在焊接过程中容纳焊盘部分的变形和/或减小或释放焊盘的应力，可以缩小相邻两个焊盘之间的间距。

关键词：焊盘狭槽半导体组件上表面基板焊接过程向内凹进减小变形容纳释放制造

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半导体组件及其制作方法

半导体组件及其制作方法

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作者：余振华曾鸿辉胡正明王昭雄台湾省新竹科学工业园区

本发明是揭示一种半导体组件及其制作方法。其利用一高温超导(HighTemperature Surperconductor，HTS)层与一典型的扩散层组合，其中该扩散层于介电材料与铜(或其它金属)导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元素，而该稀... 详细信息

标准号: CN100353543C

本发明是揭示一种半导体组件及其制作方法。其利用一高温超导(HighTemperature Surperconductor，HTS)层与一典型的扩散层组合，其中该扩散层于介电材料与铜(或其它金属)导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元素，而该稀土元素以钇(yttrium)特别合适。如欲在导线上方形成其它半导体电路或组件，可于沉积一介电覆盖层前，沉积一高温超导材料覆盖层于导线上。本发明亦揭示将高温超导体填充于极微小的孔隙或沟槽内以形成联线。

关键词：高温超导体稀土元素覆盖层扩散层沉积高温超导材料半导体电路半导体组件高温超导介电材料钡铜氧填充金属

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半导体组件及其制作方法

半导体组件及其制作方法

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作者：苏如意杨富智蔡俊琳郑志昌柳瑞兴中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

本发明提供一种高电压半导体组件的制作方法及半导体组件。此方法包含指定第一、第二与第三区于一基材中。第一与第二区分别为半导体组件的源极与漏极将形成的区域。第三区分开第一与第二区。此方法还包含形成一有沟槽的植入屏蔽层至少... 详细信息

标准号: CN102468179B

本发明提供一种高电压半导体组件的制作方法及半导体组件。此方法包含指定第一、第二与第三区于一基材中。第一与第二区分别为半导体组件的源极与漏极将形成的区域。第三区分开第一与第二区。此方法还包含形成一有沟槽的植入屏蔽层至少部分地位于第三区上方。此方法亦包含将数个掺质植入第一、第二与第三区中。在植入期间，有沟槽的植入屏蔽层保护在其下方的第三区的部分。此方法还包含以一方式回火基材，以造成掺质在第三区中扩散。

关键词：植入半导体组件屏蔽层基材回火漏极源极电压扩散分开

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