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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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85 篇 专利

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机构

24 篇 中芯国际集成电路...
12 篇 长鑫存储技术有限...
8 篇 长江存储科技有限...
5 篇 武汉新芯集成电路...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 世界先进积体电路...
2 篇 上海华力微电子有...
2 篇 睿力集成电路有限...
2 篇 中国科学院微电子...
2 篇 合肥晶合集成电路...
2 篇 南京航空航天大学
2 篇 英特尔公司
2 篇 晶能光电有限公司
2 篇 上海华力集成电路...
2 篇 英特尔半导体有限...
1 篇 上海宏力半导体制...
1 篇 上海积塔半导体有...
1 篇 长江先进存储产业...
1 篇 芯盟科技有限公司

作者

4 篇 汪严莉
4 篇 郑文凯
4 篇 陈金星
4 篇 陈广甸
3 篇 韩秋华
2 篇 孔云龙
2 篇 林静
2 篇 胡友存
2 篇 王潇
2 篇 郑晓芬
2 篇 黄胜男
2 篇 张翼英
2 篇 王冬江
2 篇 陈彩云
2 篇 马宏
2 篇 郭炜
2 篇 张海洋
2 篇 彭翔
2 篇 房凯
2 篇 周俊

语言

85 篇 中文

检索条件"主题词=半导体结构表面"

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半导体结构表面颗粒物的去除方法

半导体结构表面颗粒物的去除方法

引用

作者：张志伟 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本公开提供了一种半导体结构表面颗粒物的去除方法，包括：形成覆盖半导体结构的表面的牺牲层，牺牲层的厚度小于颗粒物的粒径；形成覆盖牺牲层和颗粒物的胶粘层；去除牺牲层和胶粘层，使颗粒物脱离半导体结构的表面。本公开通过在半导... 详细信息

标准号: CN116646297A

本公开提供了一种半导体结构表面颗粒物的去除方法，包括：形成覆盖半导体结构的表面的牺牲层，牺牲层的厚度小于颗粒物的粒径；形成覆盖牺牲层和颗粒物的胶粘层；去除牺牲层和胶粘层，使颗粒物脱离半导体结构的表面。本公开通过在半导体结构的表面形成厚度小于颗粒物的粒径的牺牲层，并形成覆盖牺牲层的胶粘层，使得由牺牲层暴露的颗粒物粘附于胶粘层，使得颗粒物在去除牺牲层和胶粘层的过程中一并去除，以得到具有洁净表面的半导体结构，提升半导体结构在后续制程工艺中的良率。

关键词：牺牲层颗粒物半导体结构胶粘层去除粒径覆盖半导体结构表面表面形成洁净表面良率粘附制程暴露脱离

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半导体结构表面清洗方法与设备

半导体结构表面清洗方法与设备

引用

作者：马宏 116000 辽宁省大连市经济技术开发区淮河东路

本发明的实施例提供半导体结构表面清洗方法与设备，该方法包括：按照预定的循环周期对该结构表面执行物理剥离与化学腐蚀操作，其中该化学腐蚀包括利用化学药液与该结构表面上的粘附物产生化学反应，该物理剥离用于将该粘附物从该结构... 详细信息

标准号: CN110211871A

本发明的实施例提供半导体结构表面清洗方法与设备，该方法包括：按照预定的循环周期对该结构表面执行物理剥离与化学腐蚀操作，其中该化学腐蚀包括利用化学药液与该结构表面上的粘附物产生化学反应，该物理剥离用于将该粘附物从该结构表面分离，其中实现该物理剥离的剥离力小于一剥离力阈值且与该循环周期的循环次数成反比，其中当满足清洗结束条件时，终止执行物理剥离与化学腐蚀操作。

关键词：化学腐蚀结构表面剥离循环周期剥离力粘附物清洗半导体结构表面化学反应化学药液结束条件

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半导体结构表面处理方法

半导体结构表面处理方法

引用

作者：吴珂 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

本发明提供了一种半导体结构表面处理方法，包括如下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶；采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶；将去除所述待处理的光刻胶后的半导体... 详细信息

标准号: CN107015445A

本发明提供了一种半导体结构表面处理方法，包括如下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶；采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶；将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺；采用第二等离子体处理方式处理经过所述清洁工艺后的半导体结构。在本发明提供的半导体结构表面处理方法中，在第一等离子体处理方式去除掉光刻胶以及完成清洁工艺后，通过第二等离子体处理方式可修复半导体结构表面形貌，并增加了薄膜层在后续工艺中的附着力，减少了产品缺陷，提高产品良率，同时可降低薄膜层悬键数量，使薄膜层表面的化学活性降低，提高薄膜层的抗腐蚀能力。

关键词：等离子体处理半导体结构薄膜层光刻胶半导体结构表面清洁工艺薄膜层表面去除附着力形貌产品良率产品缺陷方式处理后续工艺化学活性抗腐蚀可修复除掉悬键半导体结构表面等离子体处理工艺条件

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

引用

作者：王洪岩 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括功能区；在所述衬底上形成初始掩膜层，所述初始掩膜层包括位于所述衬底上的初始第一掩膜层、以及位于初始第一掩膜层上的初始上层掩膜层；以所述初始掩膜层为掩膜，在所述功能... 详细信息

标准号: CN116417346A

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括功能区；在所述衬底上形成初始掩膜层，所述初始掩膜层包括位于所述衬底上的初始第一掩膜层、以及位于初始第一掩膜层上的初始上层掩膜层；以所述初始掩膜层为掩膜，在所述功能区内形成沟槽；在形成沟槽后，去除所述功能区上的初始上层掩膜层，形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，在沟槽内形成沟道结构；平坦化所述功能区上的沟道结构以及掩膜层，直至暴露出所述功能区表面，以形成沟道层。所述半导体结构的形成方法改善了平坦化工艺后半导体结构表面的平整度，从而提升了半导体器件的性能。

关键词：掩膜层功能区衬底半导体结构沟道结构平坦化掩膜半导体结构表面上层半导体器件沟道层平整度去除暴露

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：陈洋 230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成介电层；刻蚀所述介电层和所述衬底，形成间隔排列的连接通孔，填充所述连接通孔形成位线结构；在所述位线结构上形成第一牺牲层；图案化所述位... 详细信息

标准号: CN112447602A

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成介电层；刻蚀所述介电层和所述衬底，形成间隔排列的连接通孔，填充所述连接通孔形成位线结构；在所述位线结构上形成第一牺牲层；图案化所述位线结构和所述第一牺牲层，形成第一半导体结构；对所述第一半导体结构进行表面钝化处理，在所述第一半导体结构表面形成钝化层；沉积覆盖所述第一半导体结构的隔离层；刻蚀处理，暴露出所述第一牺牲层的顶部；去除所述第一牺牲层，形成位于所述位线结构上的空隙；填充所述空隙。上述方法能够提高形成的半导体结构的性能。

关键词：半导体结构位线结构牺牲层衬底连接通孔介电层刻蚀填充半导体结构表面表面钝化处理间隔排列钝化层隔离层图案化沉积去除暴露覆盖

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半导体结构的清洗方法

半导体结构的清洗方法

引用

作者：张志伟 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本公开提供了一种半导体结构的清洗方法，包括：对半导体结构的表面进行亲水化处理，形成亲水层，形成覆盖亲水层的膜液层，对膜液层进行固化处理，形成与膜液层的体积不同的固化层，去除固化层。本公开通过在半导体结构的表面形成膜液... 详细信息

标准号: CN116453936A

本公开提供了一种半导体结构的清洗方法，包括：对半导体结构的表面进行亲水化处理，形成亲水层，形成覆盖亲水层的膜液层，对膜液层进行固化处理，形成与膜液层的体积不同的固化层，去除固化层。本公开通过在半导体结构的表面形成膜液层，并对膜液层进行固化处理，使得膜液层转变为与其体积不同的固化层，固化层体积膨胀或者体积收缩的过程中可以拔除半导体结构表面的颗粒物和微尘，使得颗粒物在去除固化层时一并去除，以得到具有洁净表面的半导体结构，提升半导体结构在后续制程工艺中的良率。

关键词：膜液半导体结构固化层去除固化处理颗粒物亲水层半导体结构表面亲水化处理表面形成洁净表面体积膨胀体积收缩拔除良率微尘制程清洗覆盖

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半导体器件的测量方法、装置及存储介质

半导体器件的测量方法、装置及存储介质

引用

作者：郑文凯陈金星陈广甸汪严莉 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本发明涉及一种半导体器件的测量方法、装置及存储介质，半导体器件具有半导体结构，半导体结构中形成有多个开孔，且半导体结构包括衬底，多个开孔在垂直于衬底的方向上延伸，半导体器件的测量方法包括：利用扫描电镜对暴露于半导体结... 详细信息

标准号: CN114322865B

本发明涉及一种半导体器件的测量方法、装置及存储介质，半导体器件具有半导体结构，半导体结构中形成有多个开孔，且半导体结构包括衬底，多个开孔在垂直于衬底的方向上延伸，半导体器件的测量方法包括：利用扫描电镜对暴露于半导体结构表面的多个开孔进行扫描，得到平面多孔图；将平面多孔图与预设多孔排布图案相比较，以从平面多孔图中比对出至少一个目标开孔以及每一目标开孔所在的目标单孔区域；提取每一目标单孔区域中目标开孔的轮廓；根据各轮廓计算出各相对应目标开孔的尺寸，从而在测量三维存储器的沟道孔尺寸的过程中，能够避免扫描电镜图像中不同沟道孔所在的单孔图像区域在各灰阶值上的像素分布差异大而导致测量结果准确度低的问题。

关键词：开孔半导体结构半导体器件单孔测量衬底沟道半导体结构表面扫描电镜图像三维存储器存储介质轮廓计算扫描电镜图像区域像素分布准确度比对灰阶排布预设垂直扫描图案暴露延伸

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调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构

调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构

引用

作者：钱征华房凯李鹏 210001 江苏省南京市秦淮区御道街29号

本发明公开一种调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构，在部分半导体结构表面覆盖材料性质不同的其他材料，覆盖断面位于同质结p区和n区交界面附近；当同质结处于电学开路状态时，施加外载荷，压电半导体纤维发生变形，且... 详细信息

标准号: CN115036413B

本发明公开一种调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构，在部分半导体结构表面覆盖材料性质不同的其他材料，覆盖断面位于同质结p区和n区交界面附近；当同质结处于电学开路状态时，施加外载荷，压电半导体纤维发生变形，且变形所对应的应变在材料性质发生跳变的半覆盖界面处不连续；应变不连续处因压电效应产生压电电荷，压电电荷影响同质结结区静电场的分布，改变结区势垒构型，使压电半导体同质结的势垒构型及伏安特性可被外载荷调控，解决了压电半导体同质结电学特性对外载荷不敏感的难题。

关键词：压电半导体同质结同质结构型势垒伏安特性压电电荷不连续结区变形半导体结构表面半导体纤维材料性质电学特性覆盖材料复合结构开路状态其他材料压电效应不敏感交界面界面处静电场电学调控覆盖跳变施加

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一种改善控制栅填充缺陷的方法

一种改善控制栅填充缺陷的方法

引用

作者：黄胜男谢峰周俊 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

本发明公开了一种改善控制栅填充缺陷的方法，采用在已形成浮栅结构的半导体结构表面采用较低的温度沉积多晶硅，以形成多晶硅层，再对硅片进行高温退火处理使得多晶硅二次生长。采用本发明的技术方案能够实现消除多晶硅填充时的空洞缺... 详细信息

标准号: CN108666211B

本发明公开了一种改善控制栅填充缺陷的方法，采用在已形成浮栅结构的半导体结构表面采用较低的温度沉积多晶硅，以形成多晶硅层，再对硅片进行高温退火处理使得多晶硅二次生长。采用本发明的技术方案能够实现消除多晶硅填充时的空洞缺陷，同时保持多晶硅的阻值和载流子的迁移率不变，达到工艺要求。

关键词：多晶硅载流子半导体结构表面多晶硅填充多晶硅层二次生长浮栅结构高温退火工艺要求空洞缺陷控制栅迁移率硅片沉积填充

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利用顶层金属层进行电性测试的芯片及其制造方法

利用顶层金属层进行电性测试的芯片及其制造方法

引用

作者：吕穿江陈昊赵广轩王晓日 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本申请提供一种利用顶层金属层进行电性测试的芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供一半导体结构，半导体结构表面形成有绝缘层，绝缘层中形成有顶层金属层；依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层；刻蚀顶层金属层上方的第... 详细信息

标准号: CN118197939A

本申请提供一种利用顶层金属层进行电性测试的芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供一半导体结构，半导体结构表面形成有绝缘层，绝缘层中形成有顶层金属层；依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层；刻蚀顶层金属层上方的第三介质层、第二介质层和部分厚度的第一介质层以形成测试沟槽；利用金属探针穿透测试沟槽底壁的第一介质层，对芯片进行电性测试。本申请通过利用顶层金属层代替传统的测试Pad，并通过先刻蚀顶层金属层上方的第三介质层、第二介质层和部分厚度的第一介质层，再直接利用金属探针连接测试沟槽下方的顶层金属层对芯片进行电性测试，避免了顶层金属层因裸露而被腐蚀的情况，避免了芯片在电性测试、物流运输中被污染。

关键词：介质层顶层金属层电性测试芯片绝缘层金属探针刻蚀半导体结构表面半导体结构测试穿透测试沟槽底壁连接测试物流运输传统的申请制造裸露腐蚀污染

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