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检索条件"主题词=半导体结构表面"
85 条 记 录,以下是1-10 订阅
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半导体结构表面颗粒物的去除方法
半导体结构表面颗粒物的去除方法
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作者: 张志伟 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
本公开提供了一种半导体结构表面颗粒物的去除方法,包括:形成覆盖半导体结构表面的牺牲层,牺牲层的厚度小于颗粒物的粒径;形成覆盖牺牲层和颗粒物的胶粘层;去除牺牲层和胶粘层,使颗粒物脱离半导体结构表面。本公开通过在半导... 详细信息
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半导体结构表面清洗方法与设备
半导体结构表面清洗方法与设备
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作者: 马宏 116000 辽宁省大连市经济技术开发区淮河东路
本发明的实施例提供半导体结构表面清洗方法与设备,该方法包括:按照预定的循环周期对该结构表面执行物理剥离与化学腐蚀操作,其中该化学腐蚀包括利用化学药液与该结构表面上的粘附物产生化学反应,该物理剥离用于将该粘附物从该结构... 详细信息
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半导体结构表面处理方法
半导体结构表面处理方法
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作者: 吴珂 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
本发明提供了一种半导体结构表面处理方法,包括如下步骤:提供一半导体结构,所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶;采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶;将去除所述待处理的光刻胶后的半导体... 详细信息
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调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构
调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构
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作者: 钱征华 房凯 李鹏 210001 江苏省南京市秦淮区御道街29号
本发明公开一种调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构,在部分半导体结构表面覆盖材料性质不同的其他材料,覆盖断面位于同质结p区和n区交界面附近;当同质结处于电学开路状态时,施加外载荷,压电半导体纤维发生变形,且... 详细信息
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利用顶层金属层进行电性测试的芯片及其制造方法
利用顶层金属层进行电性测试的芯片及其制造方法
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作者: 吕穿江 陈昊 赵广轩 王晓日 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
本申请提供一种利用顶层金属层进行电性测试的芯片及其制造方法,其中制造方法包括:提供一半导体结构半导体结构表面形成有绝缘层,绝缘层中形成有顶层金属层;依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层;刻蚀顶层金属层上方的第... 详细信息
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减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法
减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法
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作者: 谭国志 王平 曾招钦 鲍宇 201314 上海市浦东新区良腾路6号
本发明提供了一种减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法,属于半导体领域。该减少STI填充缺陷的方法包括提供半导体结构,并在所述半导体结构设置多个STI区域;在设置STI区域的半导体结构采用PSZ进行填充;将PSZ填充之后的半导体... 详细信息
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半导体结构尺寸的测量方法及设备
半导体结构尺寸的测量方法及设备
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作者: 李政 230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
本申请实施例提供了一种半导体结构尺寸的测量方法及设备,在测量过程中,先控制原子力显微镜的探针从预设基准位置沿垂直于待测半导体结构表面的方向,朝待测半导体结构表面移动第一距离,然后控制探针沿平行于待测半导体结构顶表... 详细信息
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一种图像传感器的形成方法
一种图像传感器的形成方法
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作者: 米魁 白旭东 王宜炜 程刘锁 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
本发明提供一种图像传感器的形成方法,包括提供半导体结构半导体结构包括衬底以及位于衬底上方分立的传输栅和复位栅,衬底中形成有光电二极管区和阱区;在半导体结构表面淀积一层侧墙材料形成位于传输栅和复位栅两侧的第一侧墙;对... 详细信息
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监测研磨机台漏光的方法
监测研磨机台漏光的方法
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作者: 文浩然 张方舟 陈苗 米琳 宁威 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
本申请提供一种监测研磨机台漏光的方法,包括:提供一衬底;在衬底上形成半导体结构半导体结构中形成有PN结导通回路、第一导电插塞和第二导电插塞;形成金属层;利用研磨机台对半导体结构表面的金属层进行研磨;获取半导体结构表面... 详细信息
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半导体制造方法及半导体结构
半导体制造方法及半导体结构
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作者: 郭顺华 林本付 包凡良 266111 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室
本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构,其中,半导体制造方法至少包括以下步骤:提供一待平坦化的底层结构,底层结构表面不平整且具有至少一个台阶;在底层结构之上形成第一介质层,第一介质层的表面由于底层结构表面的台阶而... 详细信息
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