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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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85 篇 专利

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85 篇 电子文献
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机构

24 篇 中芯国际集成电路...
12 篇 长鑫存储技术有限...
8 篇 长江存储科技有限...
5 篇 武汉新芯集成电路...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 世界先进积体电路...
2 篇 上海华力微电子有...
2 篇 睿力集成电路有限...
2 篇 中国科学院微电子...
2 篇 合肥晶合集成电路...
2 篇 南京航空航天大学
2 篇 英特尔公司
2 篇 晶能光电有限公司
2 篇 上海华力集成电路...
2 篇 英特尔半导体有限...
1 篇 上海宏力半导体制...
1 篇 上海积塔半导体有...
1 篇 长江先进存储产业...
1 篇 芯盟科技有限公司

作者

4 篇 汪严莉
4 篇 郑文凯
4 篇 陈金星
4 篇 陈广甸
3 篇 韩秋华
2 篇 孔云龙
2 篇 林静
2 篇 胡友存
2 篇 王潇
2 篇 郑晓芬
2 篇 黄胜男
2 篇 张翼英
2 篇 王冬江
2 篇 陈彩云
2 篇 马宏
2 篇 郭炜
2 篇 张海洋
2 篇 彭翔
2 篇 房凯
2 篇 周俊

语言

85 篇 中文

检索条件"主题词=半导体结构表面"

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半导体结构表面颗粒物的去除方法

半导体结构表面颗粒物的去除方法

引用

作者：张志伟 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本公开提供了一种半导体结构表面颗粒物的去除方法，包括：形成覆盖半导体结构的表面的牺牲层，牺牲层的厚度小于颗粒物的粒径；形成覆盖牺牲层和颗粒物的胶粘层；去除牺牲层和胶粘层，使颗粒物脱离半导体结构的表面。本公开通过在半导... 详细信息

标准号: CN116646297A

本公开提供了一种半导体结构表面颗粒物的去除方法，包括：形成覆盖半导体结构的表面的牺牲层，牺牲层的厚度小于颗粒物的粒径；形成覆盖牺牲层和颗粒物的胶粘层；去除牺牲层和胶粘层，使颗粒物脱离半导体结构的表面。本公开通过在半导体结构的表面形成厚度小于颗粒物的粒径的牺牲层，并形成覆盖牺牲层的胶粘层，使得由牺牲层暴露的颗粒物粘附于胶粘层，使得颗粒物在去除牺牲层和胶粘层的过程中一并去除，以得到具有洁净表面的半导体结构，提升半导体结构在后续制程工艺中的良率。

关键词：牺牲层颗粒物半导体结构胶粘层去除粒径覆盖半导体结构表面表面形成洁净表面良率粘附制程暴露脱离

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半导体结构表面清洗方法与设备

半导体结构表面清洗方法与设备

引用

作者：马宏 116000 辽宁省大连市经济技术开发区淮河东路

本发明的实施例提供半导体结构表面清洗方法与设备，该方法包括：按照预定的循环周期对该结构表面执行物理剥离与化学腐蚀操作，其中该化学腐蚀包括利用化学药液与该结构表面上的粘附物产生化学反应，该物理剥离用于将该粘附物从该结构... 详细信息

标准号: CN110211871A

本发明的实施例提供半导体结构表面清洗方法与设备，该方法包括：按照预定的循环周期对该结构表面执行物理剥离与化学腐蚀操作，其中该化学腐蚀包括利用化学药液与该结构表面上的粘附物产生化学反应，该物理剥离用于将该粘附物从该结构表面分离，其中实现该物理剥离的剥离力小于一剥离力阈值且与该循环周期的循环次数成反比，其中当满足清洗结束条件时，终止执行物理剥离与化学腐蚀操作。

关键词：化学腐蚀结构表面剥离循环周期剥离力粘附物清洗半导体结构表面化学反应化学药液结束条件

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半导体结构表面处理方法

半导体结构表面处理方法

引用

作者：吴珂 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

本发明提供了一种半导体结构表面处理方法，包括如下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶；采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶；将去除所述待处理的光刻胶后的半导体... 详细信息

标准号: CN107015445A

本发明提供了一种半导体结构表面处理方法，包括如下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶；采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶；将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺；采用第二等离子体处理方式处理经过所述清洁工艺后的半导体结构。在本发明提供的半导体结构表面处理方法中，在第一等离子体处理方式去除掉光刻胶以及完成清洁工艺后，通过第二等离子体处理方式可修复半导体结构表面形貌，并增加了薄膜层在后续工艺中的附着力，减少了产品缺陷，提高产品良率，同时可降低薄膜层悬键数量，使薄膜层表面的化学活性降低，提高薄膜层的抗腐蚀能力。

关键词：等离子体处理半导体结构薄膜层光刻胶半导体结构表面清洁工艺薄膜层表面去除附着力形貌产品良率产品缺陷方式处理后续工艺化学活性抗腐蚀可修复除掉悬键半导体结构表面等离子体处理工艺条件

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调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构

调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构

引用

作者：钱征华房凯李鹏 210001 江苏省南京市秦淮区御道街29号

本发明公开一种调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构，在部分半导体结构表面覆盖材料性质不同的其他材料，覆盖断面位于同质结p区和n区交界面附近；当同质结处于电学开路状态时，施加外载荷，压电半导体纤维发生变形，且... 详细信息

标准号: CN115036413B

本发明公开一种调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构，在部分半导体结构表面覆盖材料性质不同的其他材料，覆盖断面位于同质结p区和n区交界面附近；当同质结处于电学开路状态时，施加外载荷，压电半导体纤维发生变形，且变形所对应的应变在材料性质发生跳变的半覆盖界面处不连续；应变不连续处因压电效应产生压电电荷，压电电荷影响同质结结区静电场的分布，改变结区势垒构型，使压电半导体同质结的势垒构型及伏安特性可被外载荷调控，解决了压电半导体同质结电学特性对外载荷不敏感的难题。

关键词：压电半导体同质结同质结构型势垒伏安特性压电电荷不连续结区变形半导体结构表面半导体纤维材料性质电学特性覆盖材料复合结构开路状态其他材料压电效应不敏感交界面界面处静电场电学调控覆盖跳变施加

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利用顶层金属层进行电性测试的芯片及其制造方法

利用顶层金属层进行电性测试的芯片及其制造方法

引用

作者：吕穿江陈昊赵广轩王晓日 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本申请提供一种利用顶层金属层进行电性测试的芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供一半导体结构，半导体结构表面形成有绝缘层，绝缘层中形成有顶层金属层；依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层；刻蚀顶层金属层上方的第... 详细信息

标准号: CN118197939A

本申请提供一种利用顶层金属层进行电性测试的芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供一半导体结构，半导体结构表面形成有绝缘层，绝缘层中形成有顶层金属层；依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层；刻蚀顶层金属层上方的第三介质层、第二介质层和部分厚度的第一介质层以形成测试沟槽；利用金属探针穿透测试沟槽底壁的第一介质层，对芯片进行电性测试。本申请通过利用顶层金属层代替传统的测试Pad，并通过先刻蚀顶层金属层上方的第三介质层、第二介质层和部分厚度的第一介质层，再直接利用金属探针连接测试沟槽下方的顶层金属层对芯片进行电性测试，避免了顶层金属层因裸露而被腐蚀的情况，避免了芯片在电性测试、物流运输中被污染。

关键词：介质层顶层金属层电性测试芯片绝缘层金属探针刻蚀半导体结构表面半导体结构测试穿透测试沟槽底壁连接测试物流运输传统的申请制造裸露腐蚀污染

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减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法

减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法

引用

作者：谭国志王平曾招钦鲍宇 201314 上海市浦东新区良腾路6号

本发明提供了一种减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法，属于半导体领域。该减少STI填充缺陷的方法包括提供半导体结构，并在所述半导体结构设置多个STI区域；在设置STI区域的半导体结构采用PSZ进行填充；将PSZ填充之后的半导体... 详细信息

标准号: CN118231331A

本发明提供了一种减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法，属于半导体领域。该减少STI填充缺陷的方法包括提供半导体结构，并在所述半导体结构设置多个STI区域；在设置STI区域的半导体结构采用PSZ进行填充；将PSZ填充之后的半导体结构至少进行一次退火处理；将退火处理之后的半导体结构进行HDP填充；对HDP填充之后的半导体结构进行研磨，以使所述半导体结构表面的厚度均匀。本发明通过采用先PSZ填充，再HDP填充的方式，采用CMP工艺进行研磨时，通过增加STI区域填充的密度，减少在不同区域的研磨速率不均匀的问题，从而能够达到晶圆表面形的厚度均匀分布的目的。

关键词：填充半导体结构研磨厚度均匀半导体结构表面半导体器件制备半导体领域晶圆表面区域填充退火处理一次退火不均匀

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半导体结构尺寸的测量方法及设备

半导体结构尺寸的测量方法及设备

引用

作者：李政 230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号

本申请实施例提供了一种半导体结构尺寸的测量方法及设备，在测量过程中，先控制原子力显微镜的探针从预设基准位置沿垂直于待测半导体结构顶表面的方向，朝待测半导体结构顶表面移动第一距离，然后控制探针沿平行于待测半导体结构顶表... 详细信息

标准号: CN114765113B

本申请实施例提供了一种半导体结构尺寸的测量方法及设备，在测量过程中，先控制原子力显微镜的探针从预设基准位置沿垂直于待测半导体结构顶表面的方向，朝待测半导体结构顶表面移动第一距离，然后控制探针沿平行于待测半导体结构顶表面的方向保持上述第一距离对待测半导体结构表面进行扫描，并检测探针在待测半导体结构表面上的各个扫描点的振幅；根据探针在待测半导体结构表面上的各个扫描点的振幅，确定待测半导体结构的关键尺寸。本申请在待测半导体结构的表面存在高深宽比的沟槽时，能够避免对待测半导体结构造成破坏，测量方式简单，不受待测半导体结构表面构造的影响，使用范围更加广泛。

关键词：半导体结构半导体结构表面顶表面探针扫描点测量方法及设备预设基准位置原子力显微镜测量过程方向保持高深宽比检测探针申请平行测量垂直扫描移动

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一种图像传感器的形成方法

一种图像传感器的形成方法

引用

作者：米魁白旭东王宜炜程刘锁 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本发明提供一种图像传感器的形成方法，包括提供半导体结构，半导体结构包括衬底以及位于衬底上方分立的传输栅和复位栅，衬底中形成有光电二极管区和阱区；在半导体结构表面淀积一层侧墙材料形成位于传输栅和复位栅两侧的第一侧墙；对... 详细信息

标准号: CN117690938A

本发明提供一种图像传感器的形成方法，包括提供半导体结构，半导体结构包括衬底以及位于衬底上方分立的传输栅和复位栅，衬底中形成有光电二极管区和阱区；在半导体结构表面淀积一层侧墙材料形成位于传输栅和复位栅两侧的第一侧墙；对光电二极管区表面进行LDD注入工艺形成钳位层；在半导体结构表面再淀积一层侧墙材料并刻蚀以形成位于第一侧墙侧壁的第二侧墙；进行源漏离子注入工艺形成源漏区。本发明通过改变现有侧墙刻蚀工艺，在第一侧墙的形成工艺中不进行光刻、干法和湿法刻蚀，在第二侧墙的形成工艺中采用不含氢氟酸成分的湿法刻蚀，达到了减少等离子体和金属离子污染对有源区衬底损伤，进而减少暗电流产生，改善图像传感器白噪声的目的。

关键词：侧墙衬底半导体结构表面光电二极管区半导体结构图像传感器侧墙材料湿法刻蚀传输栅复位栅淀积等离子体金属离子污染离子注入工艺衬底损伤刻蚀工艺暗电流白噪声氢氟酸源漏区侧壁分立干法光刻刻蚀钳位源漏源区阱区

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监测研磨机台漏光的方法

监测研磨机台漏光的方法

引用

作者：文浩然张方舟陈苗米琳宁威 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本申请提供一种监测研磨机台漏光的方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，半导体结构中形成有PN结导通回路、第一导电插塞和第二导电插塞；形成金属层；利用研磨机台对半导体结构表面的金属层进行研磨；获取半导体结构表面... 详细信息

标准号: CN117346988A

本申请提供一种监测研磨机台漏光的方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，半导体结构中形成有PN结导通回路、第一导电插塞和第二导电插塞；形成金属层；利用研磨机台对半导体结构表面的金属层进行研磨；获取半导体结构表面缺陷图；通过缺陷图监控半导体结构表面是否存在金属析出缺陷和/或凹坑缺陷，若存在金属析出缺陷和/或凹坑缺陷，则诊断研磨机台中的HCLU压感传感器存在漏光故障。本申请通过利用具有PN结导通回路的半导体结构在研磨机台中进行CMP工艺，实现了研磨机台漏光的准确监控，避免了宏观检测方法造成的误检或者漏检的情况，提高了监控效率和监控精确度。

关键词：研磨机台半导体结构漏光半导体结构表面析出凹坑缺陷导电插塞导通回路金属层缺陷图衬底金属监控半导体压感传感器监控效率结构表面研磨监控漏检误检申请诊断监测检测宏观

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半导体制造方法及半导体结构

半导体制造方法及半导体结构

引用

作者：郭顺华林本付包凡良 266111 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室

本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，其中，半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一待平坦化的底层结构，底层结构的表面不平整且具有至少一个台阶；在底层结构之上形成第一介质层，第一介质层的表面由于底层结构表面的台阶而... 详细信息

标准号: CN117877972A

本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，其中，半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一待平坦化的底层结构，底层结构的表面不平整且具有至少一个台阶；在底层结构之上形成第一介质层，第一介质层的表面由于底层结构表面的台阶而形成高度差，高度差最大处为4～5μm；对第一介质层的表面执行第一次化学机械研磨；在研磨后的第一介质层之上形成第二介质层；对第二介质层的表面执行第二次化学机械研磨直至表面达到键合要求。通过该方法可以降低半导体结构表面较大的台阶差，获得较好的平坦度，满足键合要求。

关键词：介质层底层结构化学机械研磨半导体制造高度差键合半导体结构表面半导体结构研磨平坦度平坦化台阶差最大处平整

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