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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

85 篇 专利

馆藏范围

85 篇 电子文献
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日期分布

机构

24 篇 中芯国际集成电路...
12 篇 长鑫存储技术有限...
8 篇 长江存储科技有限...
5 篇 武汉新芯集成电路...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 世界先进积体电路...
2 篇 上海华力微电子有...
2 篇 睿力集成电路有限...
2 篇 中国科学院微电子...
2 篇 合肥晶合集成电路...
2 篇 南京航空航天大学
2 篇 英特尔公司
2 篇 晶能光电有限公司
2 篇 上海华力集成电路...
2 篇 英特尔半导体有限...
1 篇 上海宏力半导体制...
1 篇 上海积塔半导体有...
1 篇 长江先进存储产业...
1 篇 芯盟科技有限公司

作者

4 篇 汪严莉
4 篇 郑文凯
4 篇 陈金星
4 篇 陈广甸
3 篇 韩秋华
2 篇 孔云龙
2 篇 林静
2 篇 胡友存
2 篇 王潇
2 篇 郑晓芬
2 篇 黄胜男
2 篇 张翼英
2 篇 王冬江
2 篇 陈彩云
2 篇 马宏
2 篇 郭炜
2 篇 张海洋
2 篇 彭翔
2 篇 房凯
2 篇 周俊

语言

85 篇 中文

检索条件"主题词=半导体结构表面"

共 85 条记录，以下是11-20 订阅

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详细简洁

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半导体器件的测量方法、装置及存储介质

半导体器件的测量方法、装置及存储介质

引用

作者：郑文凯陈金星陈广甸汪严莉 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本发明涉及一种半导体器件的测量方法、装置及存储介质，半导体器件具有半导体结构，半导体结构中形成有多个开孔，该多个开孔在第一横向上呈多行排布，半导体器件的测量方法包括：利用扫描电镜对暴露于半导体结构表面的多个开孔进行扫... 详细信息

标准号: CN114295080A

本发明涉及一种半导体器件的测量方法、装置及存储介质，半导体器件具有半导体结构，半导体结构中形成有多个开孔，该多个开孔在第一横向上呈多行排布，半导体器件的测量方法包括：利用扫描电镜对暴露于半导体结构表面的多个开孔进行扫描，得到平面多孔图；读取平面多孔图的灰阶数据，灰阶数据包括平面多孔图中各个像素点的灰阶值；根据灰阶数据，从平面多孔图中确定每行开孔所在的行多孔区域；确定行多孔区域中各个开孔的轮廓；根据各轮廓计算出各相对应开孔的尺寸，从而在测量三维存储器的沟道孔尺寸的过程中，能够避免扫描电镜图像中不同行沟道孔所在的图像区域在各灰阶值上的像素分布差异大而导致测量结果准确度低的问题。

关键词：开孔半导体器件灰阶数据半导体结构多孔区域测量沟道灰阶半导体结构表面扫描电镜图像读取三维存储器存储介质多行排布轮廓计算扫描电镜图像区域像素分布准确度像素点扫描暴露同行

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半导体结构的检测方法及其检测装置

半导体结构的检测方法及其检测装置

引用

作者：石泉吴宗芹李国梁张笑马向杰魏强民 430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

本申请公开了一种半导体结构的检测方法及其检测装置。该检测方法包括获取电子能量损失谱，电子能量损失谱对应于半导体结构表面的选定区域；根据电子能量损失谱获得总谱的强度和氮、氧中至少一个的元素信息以及硅的元素信息；根据选定... 详细信息

标准号: CN114018760A

本申请公开了一种半导体结构的检测方法及其检测装置。该检测方法包括获取电子能量损失谱，电子能量损失谱对应于半导体结构表面的选定区域；根据电子能量损失谱获得总谱的强度和氮、氧中至少一个的元素信息以及硅的元素信息；根据选定区域的面积、总谱的强度以及各元素信息获得选定区域对应的该元素的面密度。该检测方法通过电子能量损失谱对半导体结构中由硅、氮、氧构成的物质的材料密度进行检测，从而获得了纳米尺度内的密度信息，为后续的工艺优化提供坚实的数据支撑。

关键词：电子能量损失谱选定区域元素信息检测半导体结构半导体结构表面工艺优化检测装置密度信息纳米尺度数据支撑申请

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半导体结构的清洗装置及清洗方法

半导体结构的清洗装置及清洗方法

引用

作者：梅晓波崔振东 230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本公开提供了一种半导体结构的清洗装置及清洗方法，其中，清洗装置包括清洗槽，清洗槽内部构造有清洗空间，沿第一方向，清洗空间包括顺序连通的清洗区和紊流区，清洗区内设有至少一个用于通入清洗液的进液单元，紊流区内设有至少一个... 详细信息

标准号: CN115739792A

本公开提供了一种半导体结构的清洗装置及清洗方法，其中，清洗装置包括清洗槽，清洗槽内部构造有清洗空间，沿第一方向，清洗空间包括顺序连通的清洗区和紊流区，清洗区内设有至少一个用于通入清洗液的进液单元，紊流区内设有至少一个清洗液流出的清洗出口，紊流区用于改变并引导清洗液的流动方向，以对放置于清洗区内的至少一个半导体结构进行清洗；清洗装置还包括控制器，控制器与进液单元电连接。本公开通过在清洗槽中设置顺序连通的清洗区和紊流区，利用紊流区打乱清洗液的流动方向，从而有效清除半导体结构表面的微粒，提高半导体结构的清洗效果，有利于后续制程的稳定，提高产品良率。

关键词：清洗液紊流区半导体结构清洗装置清洗进液单元清洗空间顺序连通控制器清洗槽清洗区半导体结构表面清洗槽内部产品良率清洗出口清洗效果电连接紊流制程流动流出

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半导体存储器及其制造方法

半导体存储器及其制造方法

引用

作者：不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室

本发明提供一种半导体存储器及其制造方法，包括：半导体结构，包含一半导体衬底，其形成有字线隔离线、位线金属以及电容触点，位线金属与电容触点位于字线隔离线两侧；去除字线隔离线的一上层部分，形成凹槽；于半导体结构表面形成电... 详细信息

标准号: CN107946302A

本发明提供一种半导体存储器及其制造方法，包括：半导体结构，包含一半导体衬底，其形成有字线隔离线、位线金属以及电容触点，位线金属与电容触点位于字线隔离线两侧；去除字线隔离线的一上层部分，形成凹槽；于半导体结构表面形成电容支撑底层，并同时于凹槽中填充保护衬垫；于电容支撑底层表面形成电容牺牲层；于电容牺牲层及电容支撑底层中形成与电容触点对应的电容孔；及于电容孔中制作电容器。本发明既可以避免位线金属露出而导致损坏；同时可以避免在制作电容器时，电容器的金属电极的填充而造成位线金属及电容触点之间短路的缺陷，保证存储器的良率，并提高存储器的性能。

关键词：电容位线金属隔离线触点电容器字线存储器牺牲层填充支撑半导体结构表面半导体存储器半导体结构保护衬垫底层表面金属电极短路衬底良率去除制作半导体上层制造保证

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半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法

半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法

引用

作者：请求不公布姓名 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

本发明提供一半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法，该半导体结构的形成方法包括：在基底上形成第一氧化硅层；以及通过调整沉积工艺的射频功率和流量比在所述第一氧化硅层上形成第二氧化硅层；其中，所述射频功率为800～... 详细信息

标准号: CN110942974B

本发明提供一半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法，该半导体结构的形成方法包括：在基底上形成第一氧化硅层；以及通过调整沉积工艺的射频功率和流量比在所述第一氧化硅层上形成第二氧化硅层；其中，所述射频功率为800～1500W，所述流量比是氧气与硅化物的流量比，所述流量比为(3～5):1。本发明一实施方式，通过调整沉积工艺的射频功率和流量比，使所述半导体结构表面具有较低含量的‑H和‑OH，进而形成疏水性表面，所述疏水性表面可以改善所述半导体结构与光阻之间的粘附性。

关键词：流量比半导体结构射频功率疏水性表面氧化硅层沉积半导体结构表面二氧化硅层氧化硅膜硅化物粘附性光阻基底晶圆氧气

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异质结双极晶体管结构的形成方法

异质结双极晶体管结构的形成方法

引用

作者：邹道华高谷信一郎黄仁耀潘林 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极晶体管结构的形成方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供半导体结构；在半导体结构表面形成第一钝化部和第二钝化部，第一钝化部暴露出第一集电极电极、基极电极和发射极电极，第二钝化部暴露出第二集电极电极；形成... 详细信息

标准号: CN115621125A

一种异质结双极晶体管结构的形成方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供半导体结构；在半导体结构表面形成第一钝化部和第二钝化部，第一钝化部暴露出第一集电极电极、基极电极和发射极电极，第二钝化部暴露出第二集电极电极；形成第一金属部和第二金属部；形成第三钝化部和第四钝化部，第三钝化部覆盖第一金属部表面，第四钝化部覆盖第二金属部表面；在第四钝化部上形成第二金属层；在第二金属层表面和第二钝化层表面形成第一介质层；以第一介质层为掩膜刻蚀第三钝化部。通过以第一介质层为掩膜刻蚀第二钝化层，无需采用单独的光罩工艺对第二钝化层进行处理以暴露出第一金属部的顶部表面，进而减少工艺光罩，提供生产效率以及降低生产成本。

关键词：钝化金属部介质层第二金属层集电极电极钝化层光罩刻蚀掩膜暴露异质结双极晶体管结构半导体结构表面半导体制造技术半导体结构钝化层表面发射极电极顶部表面基极电极生产效率覆盖

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减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法

减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法

引用

作者：谭国志王平曾招钦鲍宇 201314 上海市浦东新区良腾路6号

本发明提供了一种减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法，属于半导体领域。该减少STI填充缺陷的方法包括提供半导体结构，并在所述半导体结构设置多个STI区域；在设置STI区域的半导体结构采用PSZ进行填充；将PSZ填充之后的半导体... 详细信息

标准号: CN118231331A

本发明提供了一种减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法，属于半导体领域。该减少STI填充缺陷的方法包括提供半导体结构，并在所述半导体结构设置多个STI区域；在设置STI区域的半导体结构采用PSZ进行填充；将PSZ填充之后的半导体结构至少进行一次退火处理；将退火处理之后的半导体结构进行HDP填充；对HDP填充之后的半导体结构进行研磨，以使所述半导体结构表面的厚度均匀。本发明通过采用先PSZ填充，再HDP填充的方式，采用CMP工艺进行研磨时，通过增加STI区域填充的密度，减少在不同区域的研磨速率不均匀的问题，从而能够达到晶圆表面形的厚度均匀分布的目的。

关键词：填充半导体结构研磨厚度均匀半导体结构表面半导体器件制备半导体领域晶圆表面区域填充退火处理一次退火不均匀

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半导体处理方法及半导体处理装置

半导体处理方法及半导体处理装置

引用

作者：庄望超沈显青 200123 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号

本发明涉及一种半导体处理方法及半导体处理装置。所述半导体处理方法包括如下步骤：去除化学试剂中粒径大于预设尺寸的颗粒物；采用去除粒径大于预设尺寸的颗粒物之后的化学试剂对半导体结构进行表面处理；注入掺杂离子至所述半导体结... 详细信息

标准号: CN117276064A

本发明涉及一种半导体处理方法及半导体处理装置。所述半导体处理方法包括如下步骤：去除化学试剂中粒径大于预设尺寸的颗粒物；采用去除粒径大于预设尺寸的颗粒物之后的化学试剂对半导体结构进行表面处理；注入掺杂离子至所述半导体结构的预定区域；对注入所述掺杂离子之后的所述半导体结构进行激光激活处理。本发明减少了激光激活处理过程中颗粒物对激光的散射效应，使得半导体结构表面的温度能够显著提升，提升了激光激活效能，使得离子注入工艺到的窗口明显扩大，离子注入工艺的良率和产率均得到提高。

关键词：半导体结构激光激活颗粒物离子注入工艺半导体处理掺杂离子化学试剂预设去除半导体处理装置半导体结构表面散射效应预定区域中粒径产率粒径良率激光

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

引用

作者：王洪岩 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括功能区和边缘区；在衬底上形成掩膜层，掩膜层覆盖边缘区表面；在功能区上形成第一沟道材料层；在第一沟道材料层内形成材料层开口，材料层开口贯穿所述第一沟道材料层，第一沟道材... 详细信息

标准号: CN116417406A

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括功能区和边缘区；在衬底上形成掩膜层，掩膜层覆盖边缘区表面；在功能区上形成第一沟道材料层；在第一沟道材料层内形成材料层开口，材料层开口贯穿所述第一沟道材料层，第一沟道材料层形成第一沟道层；在材料层开口内形成第二沟道材料层，第二沟道材料层高于所述第一沟道层顶部表面；平坦化第二沟道材料层，以形成第二沟道层，第二沟道层高于或齐平于第一沟道层顶部表面。所述半导体结构的形成方法减少了衬底边缘表面被污染的可能性，改善了半导体结构表面的平整度，减少了表面晶格缺陷，从而提升了半导体器件的性能。

关键词：沟道材料层沟道层衬底半导体结构开口顶部表面材料层功能区掩膜层半导体结构表面半导体器件边缘区表面表面晶格衬底边缘形成材料边缘区平坦化平整度齐平贯穿覆盖污染

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一种改善控制栅填充缺陷的方法

一种改善控制栅填充缺陷的方法

引用

作者：黄胜男谢峰周俊 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

本发明公开了一种改善控制栅填充缺陷的方法，采用在已形成浮栅结构的半导体结构表面采用较低的温度沉积多晶硅，以形成多晶硅层，再对硅片进行高温退火处理使得多晶硅二次生长。采用本发明的技术方案能够实现消除多晶硅填充时的空洞缺... 详细信息

标准号: CN108666211A

本发明公开了一种改善控制栅填充缺陷的方法，采用在已形成浮栅结构的半导体结构表面采用较低的温度沉积多晶硅，以形成多晶硅层，再对硅片进行高温退火处理使得多晶硅二次生长。采用本发明的技术方案能够实现消除多晶硅填充时的空洞缺陷，同时保持多晶硅的阻值和载流子的迁移率不变，达到工艺要求。

关键词：多晶硅载流子半导体结构表面多晶硅填充多晶硅层二次生长浮栅结构高温退火工艺要求空洞缺陷控制栅迁移率硅片沉积填充

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