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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

85 篇 专利

馆藏范围

85 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

24 篇 中芯国际集成电路...
12 篇 长鑫存储技术有限...
8 篇 长江存储科技有限...
5 篇 武汉新芯集成电路...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 世界先进积体电路...
2 篇 上海华力微电子有...
2 篇 睿力集成电路有限...
2 篇 中国科学院微电子...
2 篇 合肥晶合集成电路...
2 篇 南京航空航天大学
2 篇 英特尔公司
2 篇 晶能光电有限公司
2 篇 上海华力集成电路...
2 篇 英特尔半导体有限...
1 篇 上海宏力半导体制...
1 篇 上海积塔半导体有...
1 篇 长江先进存储产业...
1 篇 芯盟科技有限公司

作者

4 篇 汪严莉
4 篇 郑文凯
4 篇 陈金星
4 篇 陈广甸
3 篇 韩秋华
2 篇 孔云龙
2 篇 林静
2 篇 胡友存
2 篇 王潇
2 篇 郑晓芬
2 篇 黄胜男
2 篇 张翼英
2 篇 王冬江
2 篇 陈彩云
2 篇 马宏
2 篇 郭炜
2 篇 张海洋
2 篇 彭翔
2 篇 房凯
2 篇 周俊

语言

85 篇 中文

检索条件"主题词=半导体结构表面"

共 85 条记录，以下是41-50 订阅

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详细简洁

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清洗工艺和半导体工艺方法

清洗工艺和半导体工艺方法

引用

作者：崔兆培朱柄宇 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本发明涉及一种清洗工艺，用于对半导体结构的表面进行清洗，所述半导体结构的表面形成有残留物层，所述清洗工艺包括：向所述半导体结构的表面提供第一反应气体及第二反应气体，所述第一反应气体与所述第二反应气体反应，以在去除所述... 详细信息

标准号: CN112951711A

本发明涉及一种清洗工艺，用于对半导体结构的表面进行清洗，所述半导体结构的表面形成有残留物层，所述清洗工艺包括：向所述半导体结构的表面提供第一反应气体及第二反应气体，所述第一反应气体与所述第二反应气体反应，以在去除所述残留物层的同时于所述半导体结构的表面形成保护层。上述清洗工艺，与传统清洗工艺相比，无需等离子条件，降低了清洗工艺所需要满足的条件，节省了成本。并且，在去除残留物层的同时，还可以在半导体结构表面形成保护层，进一步避免半导体结构表面被破坏。

关键词：清洗工艺半导体结构反应气体残留物层半导体结构表面表面形成保护层去除等离子条件清洗

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半导体器件的形成方法及半导体器件

半导体器件的形成方法及半导体器件

引用

作者：吴锋朴相烈 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本发明涉及一种半导体器件的形成方法及半导体器件。所述半导体器件的形成方法包括如下步骤：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上方的阵列区域，所述阵列区域包括第一半导体结构以及覆盖于所述第一半导体结构表面的第一介质... 详细信息

标准号: CN113078103A

本发明涉及一种半导体器件的形成方法及半导体器件。所述半导体器件的形成方法包括如下步骤：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上方的阵列区域，所述阵列区域包括第一半导体结构以及覆盖于所述第一半导体结构表面的第一介质层；于所述第一介质层中形成暴露所述第一半导体结构的凹槽，所述凹槽沿平行于所述衬底表面的方向贯穿所述第一介质层；填充导电材料于所述凹槽内，形成阵列接触线。本发明中的阵列接触线不仅可以增大工艺窗口，简化制程难度，而且还能够降低所述阵列区域内部的导通电阻。

关键词：半导体器件阵列区域介质层半导体结构接触线衬底基底半导体结构表面填充导电材料衬底表面导通电阻工艺窗口制程平行暴露贯穿覆盖

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薄膜沉积设备和薄膜沉积方法

薄膜沉积设备和薄膜沉积方法

引用

作者：韩亚朋骆金龙 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室

本公开实施例公开了一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法，所述薄膜沉积设备包括：处理腔室，包括腔体和位于腔体内的容置空间；遮蔽组件，位于容置空间内，用于遮蔽腔体的腔壁，并在容置空间内形成子空间；承载台，位于子空间内，用于承载... 详细信息

标准号: CN113430501A

本公开实施例公开了一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法，所述薄膜沉积设备包括：处理腔室，包括腔体和位于腔体内的容置空间；遮蔽组件，位于容置空间内，用于遮蔽腔体的腔壁，并在容置空间内形成子空间；承载台，位于子空间内，用于承载半导体结构；气体输入装置，位于腔体的顶部，并与子空间连通，用于向子空间内提供第一气体和第二气体；其中，在第一温度条件下，第一气体和第二气体反应生成固态副产物，并在半导体结构表面形成固态薄膜；第一加热装置，位于子空间内，且位于遮蔽组件上，用于将子空间加热至第二温度；其中，第二温度大于第一温度；在第二温度条件下，固态副产物分解为第二气体和第三气体。

关键词：子空间容置空间腔体薄膜沉积设备固态副产物温度条件遮蔽组件半导体结构表面气体输入装置半导体结构薄膜沉积处理腔室固态薄膜加热装置气体反应承载台腔壁遮蔽加热连通承载体内分解

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MicroLED芯片

MicroLED芯片

引用

作者：彭翔赵汉民封波 330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

本实用新型提供了一种MicroLED芯片及其制备方法，该MicroLED芯片中从下至上依次包括：GaN半导体结构、P型欧姆接触层、绝缘层、N‑Pad层及P‑Pad层，其中，GaN半导体结构呈规则结构设置，表面包括用于设置P型欧姆接触层的规则区域；P‑Pa... 详细信息

标准号: CN211529966U

本实用新型提供了一种MicroLED芯片及其制备方法，该MicroLED芯片中从下至上依次包括：GaN半导体结构、P型欧姆接触层、绝缘层、N‑Pad层及P‑Pad层，其中，GaN半导体结构呈规则结构设置，表面包括用于设置P型欧姆接触层的规则区域；P‑Pad层设置于P型欧姆接触层表面；N‑Pad层围绕P‑Pad层呈环状结构设置于GaN半导体结构表面，且与GaN半导体结构中的N‑GaN层接触，GaN半导体结构中从下至上依次为N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层；绝缘层设于GaN半导体结构表面除去N‑Pad层和P‑Pad层的区域。该MicroLED芯片在巨量转移的过程中，不再会出现由于芯片尺寸过小导致固晶时芯片的正负电极反向的技术问题，从而大大提高了巨量转移的良率。

关键词：半导体结构芯片绝缘层半导体结构表面本实用新型规则结构规则区域环状结构量子阱层正负电极固晶良率制备

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预处理方法、金属硅化物的形成方法以及半导体处理装置

预处理方法、金属硅化物的形成方法以及半导体处理装置

引用

作者：黄志贤刘小东方建智刘镇豪 230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号

本发明提供一种预处理方法、金属硅化物的形成方法以及半导体处理装置。所述预处理方法对半导体结构执行等离子刻蚀，半导体结构在衬底的有源区的部分表面上设置有第一导电部分以及覆盖于第一导电部分侧表面的隔离侧墙，在等离子刻蚀中... 详细信息

标准号: CN111211046B

本发明提供一种预处理方法、金属硅化物的形成方法以及半导体处理装置。所述预处理方法对半导体结构执行等离子刻蚀，半导体结构在衬底的有源区的部分表面上设置有第一导电部分以及覆盖于第一导电部分侧表面的隔离侧墙，在等离子刻蚀中，通过调节两个RF源的功率来调节施加在半导体结构表面的偏压不小于150V。所述金属硅化物的形成方法对包括第一导电部分和第二导电部分的半导体结构进行上述预处理后，沉积金属膜并进行退火以形成了金属硅化物。较大的偏压有助于避免从隔离侧墙上落下的侧墙材料停留在衬底表面，可以提高预处理效果进而提高金属硅化物的质量。所述半导体处理装置可以用于执行上述预处理方法以及金属硅化物的形成方法。

关键词：金属硅化物预处理导电半导体结构半导体处理装置等离子刻蚀半导体结构表面退火预处理效果侧墙材料衬底表面隔离侧墙侧表面金属膜衬底落下源区沉积隔离施加停留覆盖

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预处理方法、金属硅化物的形成方法以及半导体处理装置

预处理方法、金属硅化物的形成方法以及半导体处理装置

引用

作者：黄志贤刘小东方建智刘镇豪 230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号

标准号: CN111211046A

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一种半导体器件及其制作方法

一种半导体器件及其制作方法

引用

作者：陈景苏大荣 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种半导体器件结构及其制作方法，包括：提供半导体结构，在半导体结构表面形成层间介质叠层，包括若干堆叠的层间介质层；在所述层间介质叠层中形成多层金属层和多层插塞层，相邻两层金属层之间通过所述插塞层连接；至少其... 详细信息

标准号: CN109411407B

本发明提供一种半导体器件结构及其制作方法，包括：提供半导体结构，在半导体结构表面形成层间介质叠层，包括若干堆叠的层间介质层；在所述层间介质叠层中形成多层金属层和多层插塞层，相邻两层金属层之间通过所述插塞层连接；至少其中的一层在所述层间介质层中制作伪插塞层，且所述伪插塞层位于相邻两层所述金属层之间，通过所述伪插塞层分散来自于封装芯片时的键合力，防止芯片损伤。本发明通过在层间介质层中设置伪插塞层，利用伪插塞层的蜂窝消力作用，使层间介质层的受力向不同的方向发散，从而使封装时的键合力到达易损层时大大减小，同时增大了易损层对力的承受能力，有效防止芯片层间介质层断裂以及与该层介质层相邻的上层金属连线损伤。

关键词：插塞层层间介质层键合力介质层金属层两层易损半导体结构表面半导体器件结构半导体结构多层金属层层间介质承受能力封装芯片介质叠层金属连线芯片损伤力作用芯片层发散叠层堆叠多层减小受力制作封装蜂窝断裂损伤上层

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三维存储器及其制造方法

三维存储器及其制造方法

引用

作者：张珍珍郑晓芬朱焜 430205 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，包括第一堆栈以及位于第一堆栈上的堆栈中间层和硬掩模层，且半导体结构具有垂直贯穿的第一沟道孔；在半导体结构表面和第一沟道孔内覆盖牺牲层；去除半导... 详细信息

标准号: CN110649034A

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，包括第一堆栈以及位于第一堆栈上的堆栈中间层和硬掩模层，且半导体结构具有垂直贯穿的第一沟道孔；在半导体结构表面和第一沟道孔内覆盖牺牲层；去除半导体结构表面的牺牲层，并去除第一沟道孔侧壁的部分牺牲层，使第一沟道孔侧壁的牺牲层顶部具有第一倒台形轮廓，第一倒台形轮廓从牺牲层顶部之下的垂直侧壁倾斜地延伸到堆栈中间层侧壁所在垂直面；以及按照预设的刻蚀比来刻蚀第一沟道孔处的硬掩模层、堆栈中间层和牺牲层的第一倒台形轮廓，形成第二倒台形轮廓，第二倒台形轮廓从牺牲层侧壁倾斜地延伸到堆栈中间层侧壁。

关键词：牺牲层堆栈倒台形沟道中间层半导体结构表面半导体结构硬掩模层孔侧壁侧壁刻蚀去除三维存储器侧壁倾斜垂直侧壁垂直贯穿垂直面延伸预设覆盖制造

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MicroLED芯片及其制备方法

MicroLED芯片及其制备方法

引用

作者：彭翔赵汉民封波 330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

本发明提供了一种MicroLED芯片及其制备方法，该MicroLED芯片中从下至上依次包括：GaN半导体结构、P型欧姆接触层、绝缘层、N‑Pad层及P‑Pad层，其中，GaN半导体结构呈规则结构设置，表面包括用于设置P型欧姆接触层的规则区域；P‑Pad层... 详细信息

标准号: CN110957402A

本发明提供了一种MicroLED芯片及其制备方法，该MicroLED芯片中从下至上依次包括：GaN半导体结构、P型欧姆接触层、绝缘层、N‑Pad层及P‑Pad层，其中，GaN半导体结构呈规则结构设置，表面包括用于设置P型欧姆接触层的规则区域；P‑Pad层设置于P型欧姆接触层表面；N‑Pad层围绕P‑Pad层呈环状结构设置于GaN半导体结构表面，且与GaN半导体结构中的N‑GaN层接触，GaN半导体结构中从下至上依次为N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层；绝缘层设于GaN半导体结构表面除去N‑Pad层和P‑Pad层的区域。该MicroLED芯片在巨量转移的过程中，不再会出现由于芯片尺寸过小导致固晶时芯片的正负电极反向的技术问题，从而大大提高了巨量转移的良率。

关键词：半导体结构芯片绝缘层半导体结构表面规则结构规则区域环状结构量子阱层正负电极固晶良率制备

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半导体晶圆表面清洗方法与设备

半导体晶圆表面清洗方法与设备

引用

作者：马宏 116000 辽宁省大连市经济技术开发区淮河东路

本发明的实施例提供半导体结构表面清洗方法与设备，该方法包括：按照预定的循环周期对该结构表面执行物理剥离与化学腐蚀操作，其中该化学腐蚀包括利用化学药液与该结构表面上的粘附物产生化学反应，该物理剥离用于将该粘附物从该结构... 详细信息

标准号: CN110211871B

本发明的实施例提供半导体结构表面清洗方法与设备，该方法包括：按照预定的循环周期对该结构表面执行物理剥离与化学腐蚀操作，其中该化学腐蚀包括利用化学药液与该结构表面上的粘附物产生化学反应，该物理剥离用于将该粘附物从该结构表面分离，其中实现该物理剥离的剥离力小于一剥离力阈值且与该循环周期的循环次数成反比，其中当满足清洗结束条件时，终止执行物理剥离与化学腐蚀操作。

关键词：化学腐蚀结构表面剥离循环周期剥离力粘附物清洗半导体结构表面化学反应化学药液结束条件

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