检索结果-内蒙古大学图书馆

随着人们对计算能力要求的不断提高,电子器件的尺寸越来越小,速度越来越快,逐渐发展为分子电子器件。其中,一维分子线因其独特的力学性质、电学性质和磁性质等成为分子电子器件中一种重要的构建单元。如何使分子线稳定地与半导体表面结合的同时保持分子线本身的电磁性质非常关键。近年来,无论是实验上还是理论上对一维分子线在半导体衬底上的结合机制及电磁性质的调控等方面的研究都取得了一定的进展。本论文基于第一性原理的密度泛函理论计算,研究了一维分子线及其在半导体硅/锗衬底上的电磁性质,利用有机分子在表面的选择性吸附和自组装机制,提出了几种在半导体表面制备分子线的可能方法,并在理论上证明了通过掺杂和外加电场等手段可以调控其在半导体表面上的电磁性质。主要研究内容如下:1)通过表面聚合反应在H-Si(001)-2×1表面制备导电分子线。如何将导电分子线稳定地钉扎在半导体衬底上是分子线走向应用首先要解决的难题。针对这一难题,我们提出了一种分两步在H-Si(001)-2×1表面制备HPyMB导电分子线的方法。第一步,HPyMB分子通过吡啶环选择性吸附在H-Si(001)-2×1表面[110]取向的Si悬挂键上;第二步,吸附的HPyMB通过分子间脱水反应聚合形成分子线。我们的计算表明,HPyMB分子能够通过形成Si-N共价键稳定地吸附在Si表面,形成的分子线/衬底结构是金属性的,但导电能力很差,通过空穴掺杂可以提高其导电性。该分子线是其唯一的导电通道,且体系的电子性质对外电场不敏感,这有利于其在实际中的应用。2) 1,3,5-三乙炔苯在H-Si(100)-2×1表面自组装及通过与CO的表面聚合反应制备表面导电聚合物。我们提出了利用炔烃分子在H-Si(100)-2×1表面通过自组装进一步形成表面聚合物的机制。研究表明,1,3,5-三乙炔苯(TEB)分子首先在H-Si(100)-2×1表面形成沿着[011]方向的一维分子阵列,然后通过连接在表面的分子与CO发生分子间[2+2+1]加成反应聚合形成分子线。这种分子线/Si(100)-2×1结构本身具有半导体性质,且通过电子掺杂能够将其转变为金属,与我们研究的其它的分子线/半导体组合一样,分子线的能带穿过费米面,提供导电通道,而Si衬底能够保持它本身的半导体性质。3)利用分子自组装和表面聚合反应在H-Si(100)-2×1表面制备导电聚噻吩。聚噻吩在电致发光,化学传感器等方面有着广泛的应用前景,但如何在半导体表面高效制备聚噻吩仍是当前的一个挑战。利用烯烃在H-Si(100)-2×1表面的自组装反应机制,我们研究了不同长度的噻吩取代的链状烯烃分子(H2C=CH-(CH2)n-thiophene)在H钝化的Si(100)-2×1或Ge(100)-2×1表面形成一维分子阵列的机理。研究表明,当H2C=CH-(CH2)n-thiophene分子在表面形成分子阵列后,噻吩环并列位于分子阵列顶端,一旦噻吩环中引入游离基,相邻的噻吩可以聚合形成聚噻吩,进一步形成生长在半导体表面的聚烷烃噻吩-Si/Ge(100)-2×1结构。像大多数的导电聚合物一样,聚烷烃噻吩-Si/Ge(100)-2×1为半导体,且可以通过空穴掺杂或施加外电场调节使其具有导电性。更重要的是,衬底和连接在表面的聚合物都能够保持它们各自的电子性质,并且聚噻吩链是唯一的导电通道,因此能够有效的防止发生漏电现象。4)[EuCOTB]∞三明治分子线及H-Ge(001)-2×1表面对分子线电磁性质的影响。镧系有机金属三明治化合物由于具有高的稳定性和磁矩,在自旋电子器件上有很大的应用前景。基于第一性原理计算,我们系统地研究了镧系金属Eu和B掺杂的环辛四烯基(COTB)形成的三明治分子线的结构以及电磁性质,并进一步研究了半导体Ge衬底对分子线电磁性质的影响。计算表明,一方面,COT配体中B掺杂能够大大提高分子线的结构稳定性和自旋稳定性;另一方面,配体中B掺杂能显著地调节分子线的电子性质:一维[EuCOTB]∞和[Eu-COTB-Eu-COT]∞分别为金属和半金属材料。半导体衬底对[EuCOTB)∞和[Eu-COTB-Eu-COT]∞分子线磁性质的影响较小,支撑在H-Ge(001)-2×1表面后两种分子线仍表现为铁磁性,且都具有导电性。特别是[Eu-COTB-Eu-COT]/Ge(001)表现出准半金属性质,在适当的外电场作用下,可以变为完全的半金属,而Ge保持自身的半导体性质。

关键词：分子线半导体表面电磁性质生长机理密度泛函理论

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半导体表面安装器件及其应用(续)

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半导体技术 1993年第1期 32-26页

作者：云振新国营九七○厂成都610051

4 半导体表面安装器件的应用半导体表面安装器件是一种十分精密、微小的新型器件,只有小心谨慎地正确使用,才能充分发挥其技术功能,获得应有的经济效果.这里对半导体表面安装器件应用中必须注意的问题作一介绍.4.1 器件的选择现在大部... 详细信息

4 半导体表面安装器件的应用半导体表面安装器件是一种十分精密、微小的新型器件,只有小心谨慎地正确使用,才能充分发挥其技术功能,获得应有的经济效果.这里对半导体表面安装器件应用中必须注意的问题作一介绍.4.1 器件的选择现在大部分双列直插式集成电路和插装型中小功率二极管、晶体管,都有对应的表面安装器件.世界上主要半导体生产厂家的产品手册或目录,对插装器件与表面安装器件型号之间的转换原则都作了说明,有的厂家还列出了对照表.熟悉插装器件的人员,根据这些资料不难找到相应的表面安装器件型号.有的公司还提供专门的表面安装器件产品手册,这对用户选用器件更为方便.

关键词：器件表面安装极性半导体表面印制板印刷电路板(材料)

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Ⅳ族半导体表面和界面结构与特性

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北京大学学报（自然科学版） 1998年第2期34卷 159-166页

作者：盖峥赵汝光季航杨威生北京大学物理学系

为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质，以扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）为主要手段，辅以ＬＥＥＤ和ＡＥＳ等常规手段，对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述，首先介绍几个重要的Ｇｅ高指数表面的结构，然后对... 详细信息

为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质，以扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）为主要手段，辅以ＬＥＥＤ和ＡＥＳ等常规手段，对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述，首先介绍几个重要的Ｇｅ高指数表面的结构，然后对发生在Ｇｅ（１１１）和（１１３）表面和亚表面的原子的扩散和迁移运动作了介绍，最后阐述决定Ⅲ族金属／Ⅳ族半导体界面的结构的３个共同要素。

关键词： STM 界面结构半导体表面 Ⅳ族半导体

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砷化镓及其它Ⅲ—Ⅴ族半导体表面的硫钝化

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物理学进展 1995年第2期 218-231页

作者：李深王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室和复旦大学李政道物理学综合实验室

砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望，但它的化学稳定性仍不够理想。通过对硫钝化机理的研究，弄清了这种方法所存在的问题后，一些改进的硫钝化方法正不断发展，使之有可能... 详细信息

砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望，但它的化学稳定性仍不够理想。通过对硫钝化机理的研究，弄清了这种方法所存在的问题后，一些改进的硫钝化方法正不断发展，使之有可能在不远的将来成为ＧａＡｓ器件制造中的一种实用钝化工艺。

关键词：硫钝化半导体表面砷化镓砷化物梗梗

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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面的硫钝化

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面的硫钝化

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作者：袁泽亮复旦大学

学位级别：博士

该文主要通过同步辐射光电子能谱及其它辅助分析手段如扫描电镜、俄歇电子能谱和光致荧光谱(PL)等对硫钝化Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面的性质进行了研究.作者在博士阶段主要作了如下方面的工作:(1)发展了一种中性(NH<,4>)&am... 详细信息

该文主要通过同步辐射光电子能谱及其它辅助分析手段如扫描电镜、俄歇电子能谱和光致荧光谱(PL)等对硫钝化Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面的性质进行了研究.作者在博士阶段主要作了如下方面的工作:(1)发展了一种中性(NH<,4>)<,2>S溶液钝化技术.与常规的目前普遍采用的碱性(NH<,4>)<,2>S方法比较,中性(NH<,4>)<,2>S溶液钝化技术有它的优越性.作者对该方法的作用机理、钝化表面的性质和钝化效果进行了系统分析.一系列的实验结果表明在GaAs钝化表面上可以形成更厚的Ga的硫化物层,并有较强的Ga-S键,表面更平整,PL强度衰减更慢.(2)将中性(NH<,4>)<,2>S钝化技术用于Ⅲ-Ⅴ族磷化物GaP(InP)(100)表面.通过对钝化表面的组分、化学态及稳定性进行分析,并与常规(NH<,4>)<,2>S处理比较,结果表明在所处理表面上形成了较厚的硫化物层,并有P-S键态和较强的Ga-S(In-S)键态,这些态都具有较好的稳定性.该结果进一步证实了中性(NH<,4>)<,2>S钝化GaAs表面所提出的钝化机理,从而证明了该技术对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是一种普适方法.(3)对S<,2>Cl<,2>钝化GaAs(100)表面的化学态作了进一步研究,结果表明除了与常规(NH<,4>)<,2>S处理所形成的Ga-S和As-S键处,还形成更强的Ga-S键.退火结果表明存在着As-S键的S向Ga-S键转移的过程.稳定的GaAs钝化表面与Ga-S键的存在相联系.

关键词： Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面硫钝化

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