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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

2,084 篇 专利

馆藏范围

2,084 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

1,000 篇 中芯国际集成电路...
144 篇 上海华虹宏力半导...
79 篇 上海华力微电子有...
74 篇 上海宏力半导体制...
57 篇 上海华力集成电路...
39 篇 中国科学院微电子...
37 篇 长鑫存储技术有限...
32 篇 长江存储科技有限...
26 篇 德淮半导体有限公...
24 篇 杭州士兰集成电路...
19 篇 格科微电子有限公...
17 篇 上海蓝光科技有限...
17 篇 飞锃半导体有限公...
16 篇 华虹半导体有限公...
15 篇 武汉新芯集成电路...
14 篇 无锡华润上华科技...
12 篇 中芯国际集成电路...
11 篇 中国科学院上海微...
11 篇 株式会社东芝
10 篇 中微半导体设备有...

作者

137 篇 三重野文健
77 篇 赵猛
62 篇 洪中山
61 篇 张海洋
47 篇 何永根
45 篇 周飞
44 篇 鲍宇
30 篇 涂火金
29 篇 甘正浩
28 篇 邓浩
28 篇 何其旸
28 篇 禹国宾
26 篇 曹子贵
25 篇 何有丰
24 篇 杨彦涛
24 篇 韩秋华
23 篇 谢欣云
23 篇 李勇
21 篇 肖德元
20 篇 冯军宏

语言

2,084 篇 中文

检索条件"主题词=半导体衬底表面"

共 2084 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

半导体衬底表面分析的预处理方法和装置

半导体衬底表面分析的预处理方法和装置

引用

作者：渡边香里日本东京

一种半导体衬底表面分析的预处理装置，具有保持分解/回收液的衬底处理部分，所述分解/回收液要与经表面分析的衬底的整个表面接触；保持要进行表面分析的衬底并将要进行表面分析的衬底在衬底托架和衬底处理部分之间移动的衬底传输部分... 详细信息

标准号: CN1113228C

一种半导体衬底表面分析的预处理装置，具有保持分解/回收液的衬底处理部分，所述分解/回收液要与经表面分析的衬底的整个表面接触；保持要进行表面分析的衬底并将要进行表面分析的衬底在衬底托架和衬底处理部分之间移动的衬底传输部分，用于分解/回收液的提供和排出装置，以及在衬底处理部分进行超声波或加热处理的处理操作部分。

关键词：衬底衬底处理分解回收分析半导体衬底表面预处理装置衬底托架加热处理排出装置超声波接触

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一种降低半导体衬底表面磷浓度的方法

一种降低半导体衬底表面磷浓度的方法

引用

作者：舒畅郭国超 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供的一种降低半导体表面磷浓度的方法，包括：对半导体衬底进行清洗、烘干；将所述半导体衬底表面暴露于氢气流量为F≥3000cm3/min的氛围中，保持时间T≥20分钟。由于氢原子更容易与该半导体表面的悬挂键结合，通过减少碰撞降... 详细信息

标准号: CN102386057B

本发明提供的一种降低半导体表面磷浓度的方法，包括：对半导体衬底进行清洗、烘干；将所述半导体衬底表面暴露于氢气流量为F≥3000cm³/min的氛围中，保持时间T≥20分钟。由于氢原子更容易与该半导体表面的悬挂键结合，通过减少碰撞降低半导体表面磷原子的浓度。从效果上看，氢原子的存在修饰半导体衬底表面的悬挂键状况，阻碍了磷原子与悬挂键的结合。该方法成本较低，实现方便，解决在硅片暴露于含有磷原子的空气中导致MOS晶体管氧化层相关电学参数漂移，甚至器件性能降低的问题。

关键词：半导体表面半导体衬底表面氢原子悬挂漂移半导体衬底电学参数器件性能氢气流量氧化层硅片烘干修饰碰撞氛围

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一种降低半导体衬底表面磷浓度的方法

一种降低半导体衬底表面磷浓度的方法

引用

作者：舒畅郭国超 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号

标准号: CN102386057A

关键词：半导体表面半导体衬底表面氢原子悬挂漂移半导体衬底电学参数器件性能氢气流量氧化层硅片烘干修饰碰撞氛围

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一种在半导体衬底表面制作斜面的方法

一种在半导体衬底表面制作斜面的方法

引用

作者：陈福成黄河 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明涉及一种在半导体衬底表面制作斜面的方法、半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有第一凹槽，所述第一凹槽的侧面与水平面之间具有第一夹角；选用牺牲材料填充所述第一凹槽，其中，所... 详细信息

标准号: CN104752192B

本发明涉及一种在半导体衬底表面制作斜面的方法、半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有第一凹槽，所述第一凹槽的侧面与水平面之间具有第一夹角；选用牺牲材料填充所述第一凹槽，其中，所述牺牲材料和所述半导体衬底具有不同的蚀刻选择比；蚀刻去除所有的所述牺牲材料的同时形成第二凹槽，所述第二凹槽的侧面与水平面之间具有第二夹角，所述第二夹角小于所述第一夹角。本发明所述方法能够制备角度更小的斜面作为斜面反射镜，不同硅片上的斜面反射镜可以通过简单的反射式耦合，耦合效率可以达到90%以上，极大的提高了耦合效率和器件性能。

关键词：牺牲材料衬底半导体斜面反射镜耦合效率制备半导体衬底表面蚀刻半导体器件蚀刻选择比器件性能侧面耦合反射式硅片去除填充制作

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在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法

在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法

引用

作者：孙兵刘洪刚赵威王盛凯常虎东 100083 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明公开了一种在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法，属于半导体集成技术领域，该方法是将由原子层沉积得到的氧化锌中的锌进行扩散的方式在半导体衬底表面制备锌掺杂的超浅结，该方法包括：清洗半导体衬底表面；在原子层沉积系... 详细信息

标准号: CN104733285A

本发明公开了一种在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法，属于半导体集成技术领域，该方法是将由原子层沉积得到的氧化锌中的锌进行扩散的方式在半导体衬底表面制备锌掺杂的超浅结，该方法包括：清洗半导体衬底表面；在原子层沉积系统中利用原子层沉积的方法在所述半导体衬底上沉积氧化锌层；在所述氧化锌层上沉积帽层；高温退火将所述氧化锌层中的锌原子扩散到半导体衬底表面；去除帽层和残余的氧化锌层。本发明可应用于平面、非平面半导体器件的超浅结的制备，在小尺寸半导体器件掺杂方面具有结深可控、半导体衬底晶格损伤小的优点。

关键词：半导体衬底表面氧化锌层超浅结半导体衬底原子层沉积掺杂平面半导体器件原子层沉积系统半导体集成半导体器件沉积帽层高温退火原子扩散小尺寸氧化锌晶格帽层沉积损伤扩散

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一种使用电化学沉积在半导体衬底表面选择性生长金属的方法

一种使用电化学沉积在半导体衬底表面选择性生长金属的方法

引用

作者：赵毅翟东媛张睿 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

本发明公开了使用电化学沉积在半导体衬底表面选择性生长金属的方法，用电化学沉积技术在传统的场效应晶体管中制备金属电极和半导体之间的金属缓冲层；使用电化学沉积技术在肖特基源漏的场效应晶体管中制备源漏肖特基接触金属；在缓冲... 详细信息

标准号: CN105762069A

本发明公开了使用电化学沉积在半导体衬底表面选择性生长金属的方法，用电化学沉积技术在传统的场效应晶体管中制备金属电极和半导体之间的金属缓冲层；使用电化学沉积技术在肖特基源漏的场效应晶体管中制备源漏肖特基接触金属；在缓冲层或接触金属上再制备金属电极，所述的场效应晶体管包括PN结场效应晶体管和肖特基源漏的场效应晶体管，场效应晶体管的半导体衬底包括Si、Ge等各种半导体衬底材料；所沉积的金属层的厚度范围大，0.001?1μm。能改善场效应晶体管源漏接触特性和简化源漏金属制备工艺，不需要通过传统光刻方法来实现选择性金属沉积，自身可通过材料表面导电性的差异来实现选择性的沉积，工艺复杂度大大降低。

关键词：场效应晶体管沉积制备金属电极肖特基源半导体半导体衬底表面半导体衬底材料电化学沉积技术导电性金属电化学沉积工艺复杂度金属缓冲层肖特基接触选择性金属选择性生长接触金属用电化学源漏接触源漏金属制备工艺传统的缓冲层金属层衬底光刻源漏制备

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一种在半导体衬底表面制作斜面的方法

一种在半导体衬底表面制作斜面的方法

引用

作者：陈福成黄河 201203 上海市浦东新区张江路18号

标准号: CN104752192A

关键词：半导体衬底牺牲材料蚀刻斜面反射镜耦合效率半导体衬底表面半导体器件侧面器件性能制备方法耦合反射式硅片填充小于

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用于对半导体衬底进行表面织构化的设备和方法

用于对半导体衬底进行表面织构化的设备和方法

引用

作者： I.梅尔尼克 P.费斯 W.乔斯 J.琼格-凯尼格 A.泰佩德国康斯坦茨

本发明涉及一种用于对半导体衬底进行表面织构化的设备，包括：第一工艺槽，被构造为容纳第一工艺液体，并且借助第一工艺液体将银颗粒沉积在半导体衬底表面上并通过基于银的金属催化剂化学刻蚀在衬底表面上形成大量的包含银颗粒的孔洞... 详细信息

标准号: CN110534450A

本发明涉及一种用于对半导体衬底进行表面织构化的设备，包括：第一工艺槽，被构造为容纳第一工艺液体，并且借助第一工艺液体将银颗粒沉积在半导体衬底表面上并通过基于银的金属催化剂化学刻蚀在衬底表面上形成大量的包含银颗粒的孔洞；第二工艺槽，被构造为容纳第二工艺液体并且在存在银颗粒时借助第二工艺液体对孔洞进行碱性刻蚀，以形成倒金字塔型织构化的表面结构；清洁装置，被构造为借助清洁液体对倒金字塔型织构化的表面结构实施清洁以去除银颗粒。本发明还涉及一种根据本发明的对半导体衬底进行表面织构化的方法。根据本发明能够以简单有效的方式获得了倒金字塔型织构化表面，以便制造带有极低反射损失和高效率的太阳能电池。

关键词：工艺液体银颗粒倒金字塔孔洞表面织构化表面结构工艺槽织构化衬底半导体半导体衬底表面容纳金属催化剂太阳能电池织构化表面衬底表面化学刻蚀清洁液体清洁装置低反射高效率刻蚀沉积去除清洁制造

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用于对半导体衬底进行表面织构化的设备

用于对半导体衬底进行表面织构化的设备

引用

作者： I.梅尔尼克 P.费斯 W.乔斯 J.琼格-凯尼格 A.泰佩德国康斯坦茨

本实用新型涉及一种用于对半导体衬底进行表面织构化的设备，包括：第一工艺槽，被构造为容纳第一工艺液体，并且借助第一工艺液体将银颗粒沉积在半导体衬底表面上并通过基于银的金属催化剂化学刻蚀在衬底表面上形成大量的包含银颗粒的... 详细信息

标准号: CN209133464U

本实用新型涉及一种用于对半导体衬底进行表面织构化的设备，包括：第一工艺槽，被构造为容纳第一工艺液体，并且借助第一工艺液体将银颗粒沉积在半导体衬底表面上并通过基于银的金属催化剂化学刻蚀在衬底表面上形成大量的包含银颗粒的孔洞；第二工艺槽，被构造为容纳第二工艺液体并且在存在银颗粒时借助第二工艺液体对孔洞进行碱性刻蚀，以形成倒金字塔型织构化的表面结构；清洁装置，被构造为借助清洁液体对倒金字塔型织构化的表面结构实施清洁以去除银颗粒。根据本实用新型能够以简单有效的方式获得了倒金字塔型织构化表面，以便制造带有极低反射损失和高效率的太阳能电池。

关键词：工艺液体银颗粒倒金字塔孔洞本实用新型表面结构工艺槽织构化半导体衬底表面容纳表面织构化金属催化剂太阳能电池织构化表面衬底表面化学刻蚀清洁液体清洁装置低反射高效率衬底刻蚀沉积去除半导体清洁制造

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半导体衬底的表面处理方法

半导体衬底的表面处理方法

引用

作者：魏星曹共柏张峰张苗王曦 201821 上海市嘉定区普惠路200号

本发明提供了一种半导体衬底的表面处理方法以及半导体衬底的制作方法。所述半导体衬底的表面处理方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；研磨减薄所述半导体衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；采... 详细信息

标准号: CN102909639B

本发明提供了一种半导体衬底的表面处理方法以及半导体衬底的制作方法。所述半导体衬底的表面处理方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；研磨减薄所述半导体衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面。本发明的优点在于，研磨工艺会在半导体衬底的表面形成一层自然氧化层，本发明采用了能够腐蚀半导体衬底的自然氧化层的氧化物抛光浆料对半导体衬底实施抛光，保证在对半导体衬底表面化学机械抛光之前，半导体衬底的表面是绝对无任何多余物质的，避免不同物质的机械强度不同对研磨造成影响。

关键词：半导体衬底抛光浆料研磨减薄抛光表面处理方法自然氧化层氧化物半导体衬底表面化学机械抛光表面形成不同物质机械强度研磨工艺研磨一层一种多余腐蚀保证影响

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