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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

2,084 篇 专利

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2,084 篇 电子文献
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机构

1,000 篇 中芯国际集成电路...
144 篇 上海华虹宏力半导...
79 篇 上海华力微电子有...
74 篇 上海宏力半导体制...
57 篇 上海华力集成电路...
39 篇 中国科学院微电子...
37 篇 长鑫存储技术有限...
32 篇 长江存储科技有限...
26 篇 德淮半导体有限公...
24 篇 杭州士兰集成电路...
19 篇 格科微电子有限公...
17 篇 上海蓝光科技有限...
17 篇 飞锃半导体有限公...
16 篇 华虹半导体有限公...
15 篇 武汉新芯集成电路...
14 篇 无锡华润上华科技...
12 篇 中芯国际集成电路...
11 篇 中国科学院上海微...
11 篇 株式会社东芝
10 篇 中微半导体设备有...

作者

137 篇 三重野文健
77 篇 赵猛
62 篇 洪中山
61 篇 张海洋
47 篇 何永根
45 篇 周飞
44 篇 鲍宇
30 篇 涂火金
29 篇 甘正浩
28 篇 邓浩
28 篇 何其旸
28 篇 禹国宾
26 篇 曹子贵
25 篇 何有丰
24 篇 杨彦涛
24 篇 韩秋华
23 篇 谢欣云
23 篇 李勇
21 篇 肖德元
20 篇 冯军宏

语言

2,084 篇 中文

检索条件"主题词=半导体衬底表面"

共 2084 条记录，以下是11-20 订阅

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详细简洁

排序：

可进行SRAM操作的电擦除非易失性半导体存储装置

可进行SRAM操作的电擦除非易失性半导体存储装置

引用

作者：小林和男中岛盛义 201206 上海市浦东新区金豫路199号旗开坊文创产业园1栋5层

本申请公开一种可进行SRAM操作的电擦除非易失性半导体存储装置，能够进行易失性RAM操作和RAM数据的非易失性存储，包括：存储单元，存储单元包括形成于半导体衬底表面的单层多晶硅栅互补MIS晶体管；存储单元包括由6个半导体元件组成SRA... 详细信息

标准号: CN118173143A

本申请公开一种可进行SRAM操作的电擦除非易失性半导体存储装置，能够进行易失性RAM操作和RAM数据的非易失性存储，包括：存储单元，存储单元包括形成于半导体衬底表面的单层多晶硅栅互补MIS晶体管；存储单元包括由6个半导体元件组成SRAM存储单元部分和由4个半导体元件组成的非易失性存储部分；SRAM存储单元部分包括一个CMOS触发器，COMS触发器的正相存储节点和反相存储节点分别通过第一N型沟道晶体管和第二N型沟道晶体管连接位线和反相位线；非易失性存储部分包括两组串联的传输栅晶体管和存储晶体管。本申请实施例提供的可进行SRAM操作的电擦除非易失性半导体存储装置，至少能够降低制造成本提高集成密度。

关键词：非易失性存储存储单元易失性半导体半导体元件存储节点存储装置电擦半导体衬底表面传输栅晶体管存储晶体管多晶硅栅反相位线制造成本触发器连接位易失性单层反相两组申请串联

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一种TFET器件及其形成方法

一种TFET器件及其形成方法

引用

作者：包明珺吴旭升 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层

本申请提供一种TFET器件及其形成方法，所述TFET器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面包括相互垂直的x方向和y方向；位于所述半导体衬底中的若干沿x方向延伸的第一沟槽和若干沿y方向延伸的第二沟槽；位于所述第一沟槽和所述第二沟... 详细信息

标准号: CN117542884A

本申请提供一种TFET器件及其形成方法，所述TFET器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面包括相互垂直的x方向和y方向；位于所述半导体衬底中的若干沿x方向延伸的第一沟槽和若干沿y方向延伸的第二沟槽；位于所述第一沟槽和所述第二沟槽中的隔离结构，其中，部分所述第二沟槽中的隔离结构的顶面低于所述半导体衬底的表面；位于所述半导体衬底表面以及所述部分第二沟槽中的栅极层。本申请提供一种TFET器件及其形成方法，栅极层覆盖半导体衬底表面并延伸至半导体衬底中，可以增大TFET器件的隧穿面积和开态电流。

关键词：衬底半导体衬底表面半导体隔离结构栅极层方向延伸开态电流垂直的面积和顶面隧穿申请延伸覆盖

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SON器件及其制造方法

SON器件及其制造方法

引用

作者：王鹏鹏孔凡友祝强韬汪涛张宏光 311225 浙江省杭州市钱塘新区义蓬街道江东大道3899号709-7号

本发明提供了一种SON器件及其制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁；形成介质层，所述介质层覆盖所述沟槽表面并延伸覆盖所述半导体衬底表面，所述介质层包括层叠的第一介质... 详细信息

标准号: CN118231334A

本发明提供了一种SON器件及其制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁；形成介质层，所述介质层覆盖所述沟槽表面并延伸覆盖所述半导体衬底表面，所述介质层包括层叠的第一介质层和第二介质层；在所述沟槽中填充可分解材料层；回刻蚀所述可分解材料层，以去除部分所述可分解材料层并去除覆盖所述第一侧壁的部分所述介质层，暴露出部分所述第一侧壁；通过外延生长工艺自暴露出的所述第一侧壁形成填满所述沟槽的外延层；通过湿法腐蚀工艺去除所述第二介质层，并在所述沟槽的所述第二侧壁侧形成间隙；通过蒸发工艺沿着所述间隙去除剩余的所述可分解材料层，以形成空洞结构。简化了制造工艺。

关键词：介质层可分解材料第一侧壁去除第二侧壁衬底半导体半导体衬底表面外延生长工艺沟槽表面空洞结构湿法腐蚀延伸覆盖蒸发工艺制造工艺回刻蚀外延层暴露覆盖填充填满制造

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一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件

一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件

引用

作者：金井升张彼克杨楠楠张昕宇 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构；第一掺杂结构包括依次设置在半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层；第二掺杂结构包括第一硅掺... 详细信息

标准号: CN114899243B

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构；第一掺杂结构包括依次设置在半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层；第二掺杂结构包括第一硅掺杂层；覆盖第一掺杂结构和第二掺杂结构的钝化层，穿过钝化层与所述掺杂多晶硅层形成电连接的电极。本申请太阳能电池通过设置不同类型的第一掺杂结构和第二掺杂结构，第一掺杂结构的区域允许多数载流子通过而阻碍少数载流子通过，具有较好的金属接触和较低的金属区复合，第二掺杂结构的硅掺杂层避免了第二掺杂结构形成载流子复合中心，降低太阳能电池对光的吸收，从而提高太阳能电池的转换效率。

关键词：掺杂太阳能电池半导体衬底表面掺杂多晶硅层钝化层硅掺杂载流子复合中心多数载流子少数载流子电介质层光伏组件结构形成金属接触依次设置转换效率电连接金属区电极衬底申请制备半导体穿过复合阻碍覆盖吸收

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FDSOI器件及其制造方法

FDSOI器件及其制造方法

引用

作者：翁文寅 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明公开了一种FDSOI器件，半导体衬底表面依次形成有第一和第二半导体外延层。在半导体衬底和第二半导体外延层之间的第一区域中形成有中间介质埋层，相邻的第一区域之间为第二区域。中间介质埋层由介质离子注入到第一区域中后介质... 详细信息

标准号: CN118335777A

本发明公开了一种FDSOI器件，半导体衬底表面依次形成有第一和第二半导体外延层。在半导体衬底和第二半导体外延层之间的第一区域中形成有中间介质埋层，相邻的第一区域之间为第二区域。中间介质埋层由介质离子注入到第一区域中后介质离子和半导体材料退火结合形成。第二区域中自对准形成有将第一半导体外延层完全去除后形成的空隙结构。在第二半导体外延层的顶部形成有栅极结构，被栅极结构所覆盖的第二半导体外延层中形成有沟道区。至少沟道区的部分区域的底部具有空隙结构。本发明还公开了一种FDSOI器件的制造方法。本发明能消除沟道区底部表面处的由中间介质埋层引入的正电荷，改善器件性能，增加器件可靠性，同时不会对器件的其它性能产生退化影响。

关键词：半导体外延层第一区域中间介质沟道区埋层第二区域介质离子空隙结构栅极结构半导体衬底表面半导体材料退火器件可靠性底部表面器件性能正电荷自对准衬底去除半导体退化引入覆盖制造

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接触孔的制造方法

接触孔的制造方法

引用

作者：尹振忠高宏肖泽龙田磊 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号

本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括：步骤一、定义出接触孔的形成区域。步骤二、进行停止在半导体衬底表面的第一次刻蚀以实现对层间膜进行选择性刻蚀并形成第一开口，第一次刻蚀的面内波动性使部分区域中的第一开口的底部具有层... 详细信息

标准号: CN118039563A

本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括：步骤一、定义出接触孔的形成区域。步骤二、进行停止在半导体衬底表面的第一次刻蚀以实现对层间膜进行选择性刻蚀并形成第一开口，第一次刻蚀的面内波动性使部分区域中的第一开口的底部具有层间膜残留。步骤三、进行具有对层间膜和半导体衬底的第二刻蚀选择比的第二次刻蚀以形成第二开口；在具有层间膜残留区域中，层间膜残留被完全去除。步骤四、进行第三次刻蚀以实现对半导体衬底进行选择性刻蚀并在第二开口底部形成第三开口，通过调节第三和第二次刻蚀的深度使触孔开口位于半导体衬底中的深度达到目标值。步骤五、填充金属形成接触孔。本发明是能防止接触孔开路并保证使接触孔达到目标深度。

关键词：开口刻蚀接触孔层间膜衬底半导体选择性刻蚀残留对层半导体衬底表面刻蚀选择比防止接触填充金属波动性触孔去除开路制造保证

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图像传感器及其形成方法

图像传感器及其形成方法

引用

作者：吴琼涛阎大勇冯威 100176 北京市大兴区文昌大道18号

本申请提供一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括红色像素区域、绿色像素区域、蓝色像素区域；在所述半导体衬底表面形成滤色层，所述滤色层包括位于所述半导体衬底表面的透光层和位于所... 详细信息

标准号: CN117766552A

本申请提供一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括红色像素区域、绿色像素区域、蓝色像素区域；在所述半导体衬底表面形成滤色层，所述滤色层包括位于所述半导体衬底表面的透光层和位于所述透光层表面的若干呈矩阵分布的滤光柱，其中，位于红色像素区域上方的相邻滤光柱中心的距离在红光的波长范围内，位于绿色像素区域上方的相邻滤光柱中心的距离在绿光的波长范围内，位于蓝色像素区域上方的相邻滤光柱中心的距离在蓝光的波长范围内。本申请提供一种图像传感器及其形成方法，滤色层的寿命更高，且滤色层可以根据不同像素区域针对设置，滤色层的滤光性能更好。

关键词：滤色层光柱图像传感器波长半导体衬底表面红色像素区域绿色像素区域蓝色像素透光层衬底半导体矩阵分布像素区域红光蓝光滤光绿光申请

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后栅工艺中伪栅平坦化方法

后栅工艺中伪栅平坦化方法

引用

作者：王朝辉何志斌 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明公开了一种后栅工艺中伪栅平坦化方法，包括：步骤一、在半导体衬底表面形成伪栅材料层，进行光刻定义同时定义出伪栅的形成区域以及栅极内沟槽的形成区域；步骤二、对伪栅材料层进行刻蚀同时形成伪栅和栅极内沟槽；步骤三、在栅... 详细信息

标准号: CN113394087B

本发明公开了一种后栅工艺中伪栅平坦化方法，包括：步骤一、在半导体衬底表面形成伪栅材料层，进行光刻定义同时定义出伪栅的形成区域以及栅极内沟槽的形成区域；步骤二、对伪栅材料层进行刻蚀同时形成伪栅和栅极内沟槽；步骤三、在栅极内沟槽的侧面形成研磨阻障层；步骤四、形成第零层层间膜；步骤五、进行化学机械研磨使第零层层间膜和伪栅表面相平以及将伪栅表面暴露，通过研磨阻障层并结合栅极内沟槽的布局实现对各伪栅的研磨负载的调节，化学机械研磨完成后各伪栅的高度均匀。本发明能使不同尺寸的伪栅的研磨负载均匀，伪栅内部的高度均匀性以及各不同尺寸的伪栅的高度均匀性都得到提高，能使器件的性能稳定并且能提高器件的可靠性。

关键词：伪栅研磨内沟槽化学机械研磨高度均匀性伪栅表面材料层阻障层半导体衬底表面后栅工艺平坦化光刻刻蚀侧面暴露

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功率半导体器件及其制造方法

功率半导体器件及其制造方法

引用

作者：杨彦涛顾悦吉陈琛陶玉美 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街(东)308号

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中形成分裂栅结构；在第三沟槽中形成屏蔽布线；在所述半导体衬底中体区；在所述体区中形成源区；以及形成分别与所述源区、栅... 详细信息

标准号: CN107910270B

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中形成分裂栅结构；在第三沟槽中形成屏蔽布线；在所述半导体衬底中体区；在所述体区中形成源区；以及形成分别与所述源区、栅极导体和屏蔽布线电连接的源极电极、栅极电极和屏蔽电极,其中，所述屏蔽布线与所述屏蔽导体电连接，并且所述屏蔽布线包括填充所述第三沟槽的第一部分以及在所述半导体衬底表面横向延伸的第二部分，所述第二部分用于重布线。该方法利用独立引出电极的屏蔽布线改善电荷平衡效果，并且将屏蔽布线用于重布线以提高器件良率和可靠性。

关键词：屏蔽布重布线衬底源区半导体半导体衬底表面功率半导体器件电荷平衡横向延伸屏蔽导体屏蔽电极引出电极源极电极栅极导体栅极电极电连接分裂栅良率体区线电填充申请制造

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改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法

改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法

引用

作者：孟晓莹张彦伟 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

本发明公开了一种改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，包括：步骤一、提供需要进行离子注入的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有场氧，在有源区上形成有栅极结构，栅极结构的侧面形成有氮化硅侧墙；步骤二、进行涂胶前预处理，涂... 详细信息

标准号: CN112382562B

本发明公开了一种改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，包括：步骤一、提供需要进行离子注入的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有场氧，在有源区上形成有栅极结构，栅极结构的侧面形成有氮化硅侧墙；步骤二、进行涂胶前预处理，涂胶前预处理采用合成气体或者采用合成气体和氮气的混合气体对半导体衬底表面进行处理；步骤三、进行光刻工艺，包括光刻胶的涂胶、曝光和显影工艺，显影后形成光刻胶图形；步骤四、进行所述离子注入；步骤五、去除光刻胶图形。本发明能同时消除栅极结构的氮化硅侧墙对光刻胶的氮中毒影响以及消除有源区和场氧的光发射率不同而使光刻胶产生底部缺角的缺陷，能使器件的性能得到保证，且工艺简单以及成本低。

关键词：栅极结构涂胶离子预处理氮化硅侧墙光刻胶图形合成气体光刻胶场氧衬底源区半导体半导体衬底表面氮气光刻胶形貌光发射率光刻工艺混合气体显影工艺注入光刻层缺角显影去除侧面曝光保证

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