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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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2,084 篇 专利

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2,084 篇 电子文献
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机构

1,000 篇 中芯国际集成电路...
144 篇 上海华虹宏力半导...
79 篇 上海华力微电子有...
74 篇 上海宏力半导体制...
57 篇 上海华力集成电路...
39 篇 中国科学院微电子...
37 篇 长鑫存储技术有限...
32 篇 长江存储科技有限...
26 篇 德淮半导体有限公...
24 篇 杭州士兰集成电路...
19 篇 格科微电子有限公...
17 篇 上海蓝光科技有限...
17 篇 飞锃半导体有限公...
16 篇 华虹半导体有限公...
15 篇 武汉新芯集成电路...
14 篇 无锡华润上华科技...
12 篇 中芯国际集成电路...
11 篇 中国科学院上海微...
11 篇 株式会社东芝
10 篇 中微半导体设备有...

作者

137 篇 三重野文健
77 篇 赵猛
62 篇 洪中山
61 篇 张海洋
47 篇 何永根
45 篇 周飞
44 篇 鲍宇
30 篇 涂火金
29 篇 甘正浩
28 篇 邓浩
28 篇 何其旸
28 篇 禹国宾
26 篇 曹子贵
25 篇 何有丰
24 篇 杨彦涛
24 篇 韩秋华
23 篇 谢欣云
23 篇 李勇
21 篇 肖德元
20 篇 冯军宏

语言

2,084 篇 中文

检索条件"主题词=半导体衬底表面"

共 2084 条记录，以下是11-20 订阅

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详细简洁

排序：

半导体衬底的表面处理方法

半导体衬底的表面处理方法

引用

作者：魏星曹共柏张峰张苗王曦 201821 上海市嘉定区普惠路200号

本发明提供了一种半导体衬底的表面处理方法以及半导体衬底的制作方法。所述半导体衬底的表面处理方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；研磨减薄所述半导体衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；采... 详细信息

标准号: CN102909639A

本发明提供了一种半导体衬底的表面处理方法以及半导体衬底的制作方法。所述半导体衬底的表面处理方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；研磨减薄所述半导体衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面。本发明的优点在于，研磨工艺会在半导体衬底的表面形成一层自然氧化层，本发明采用了能够腐蚀半导体衬底的自然氧化层的氧化物抛光浆料对半导体衬底实施抛光，保证在对半导体衬底表面化学机械抛光之前，半导体衬底的表面是绝对无任何多余物质的，避免不同物质的机械强度不同对研磨造成影响。

关键词：半导体衬底抛光浆料研磨减薄抛光自然氧化氧化物半导体衬底表面化学机械抛光腐蚀半导体机械强度研磨工艺研磨绝对无衬底

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半导体芯片的压焊模块制作方法

半导体芯片的压焊模块制作方法

引用

作者：不公告发明人 518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼

本发明提供了一种半导体芯片的压焊模块制作方法，包括：在半导体衬底表面形成压焊块；在所述半导体衬底表面形成复合钝化层，所述钝化层覆盖所述压焊块；对所述复合钝化层的多个钝化膜层依次进行刻蚀，以在所述复合钝化层与所述压焊块... 详细信息

标准号: CN108109925A

本发明提供了一种半导体芯片的压焊模块制作方法，包括：在半导体衬底表面形成压焊块；在所述半导体衬底表面形成复合钝化层，所述钝化层覆盖所述压焊块；对所述复合钝化层的多个钝化膜层依次进行刻蚀，以在所述复合钝化层与所述压焊块相对应的位置形成中间内凹的开口；通过所述中间内凹的开口在所述压焊块表面形成金属加厚层。

关键词：压焊块复合钝化层半导体衬底表面中间内凹开口表面形成金属半导体芯片钝化膜层模块制作钝化层加厚层刻蚀压焊覆盖

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测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法

测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法

引用

作者：钟海舰刘争晖徐耿钊徐科 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

本发明提供一种测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法，包括步骤：在半导体衬底表面覆盖石墨烯以形成石墨烯微区，并配置与石墨烯微区接触的导电探针；将导电探针与扫描开尔文探针力显微镜连接，以测量石墨烯微区的实际功函数，... 详细信息

标准号: CN107037284A

本发明提供一种测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法，包括步骤：在半导体衬底表面覆盖石墨烯以形成石墨烯微区，并配置与石墨烯微区接触的导电探针；将导电探针与扫描开尔文探针力显微镜连接，以测量石墨烯微区的实际功函数，从而获得石墨烯微区与半导体衬底之间的势垒高度φ_Bn0；将导电探针与导电原子力显微镜连接，以采集石墨烯微区的电流‑电压曲线；根据石墨烯微区与半导体衬底之间的势垒高度φ_Bn0以及热电子发射模型对电流‑电压曲线进行分析拟合，得到导电探针与石墨烯微区的有效接触半径；根据导电针尖与石墨烯微区的有效接触半径以及实际接触半径，计算石墨烯微区迁移率μ的值。本发明可实现以任意半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的测量。

关键词：石墨烯微区导电探针衬底半导体迁移率电压曲线有效接触势垒导电原子力显微镜半导体衬底表面测量开尔文探针热电子发射测量石墨导电针尖力显微镜功函数拟合扫描采集覆盖配置分析石墨烯微区功函数衬底半导体载流子本征石墨烯费米能级能带结构迁移率移动量势垒测量

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：任烨吴旭升 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域的半导体衬底表面都形成有栅极结构，每个栅极结构两侧的半导体衬底中都分别形成有源极和漏极；其... 详细信息

标准号: CN117393566A

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域的半导体衬底表面都形成有栅极结构，每个栅极结构两侧的半导体衬底中都分别形成有源极和漏极；其中，所述第一区域的源极包括第二高掺杂外延层，所述第一区域的漏极包括第一低掺杂外延层和第一高掺杂外延层，所述第二区域的源极包括第一高掺杂外延层，所述第二区域的漏极包括第二低掺杂外延层和第二高掺杂外延层。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以减少MOSFET器件和TFET器件混合集成的半导体结构中外延生长工艺的时间，提高工艺效率，节约成本。

关键词：外延层半导体结构第二区域第一区域高掺杂衬底漏极源极半导体栅极结构低掺杂半导体衬底表面工艺效率混合集成申请节约生长

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图像传感器及其形成方法

图像传感器及其形成方法

引用

作者：吴罚陈世杰黄晓橹 223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管；在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层表面形成分立的金属栓；在所述第... 详细信息

标准号: CN108807447A

本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管；在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层表面形成分立的金属栓；在所述第一绝缘层表面形成层间介质层，所述层间介质层还覆盖所述金属栓的侧壁；在所述层间介质层表面形成第二绝缘层；刻蚀所述第二绝缘层，形成与所述光电二极管相对应的反射区，所述反射区远离光电二极管的表面为凸面。本发明技术方案有效减少了光的串扰。

关键词：绝缘层光电二极管层间介质层绝缘层表面图像传感器反射区金属栓衬底分立半导体半导体衬底表面表面形成有效减少介质层侧壁串扰刻蚀凸面覆盖

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一种太阳能电池及其制备工艺、光伏组件

一种太阳能电池及其制备工艺、光伏组件

引用

作者：王正华曾庆云王振刚李征林 231600 安徽省合肥市肥东县合肥循环经济示范园龙兴大道与乳泉路交叉口东北角1号

本申请涉及一种太阳能电池及其制备工艺、光伏组件，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行制绒处理形成预偏光结构；对制绒后的半导体衬底进行硼扩散形成硼扩散层，对硼扩散层进行一次酸洗、水洗和一次烘干处理；对半导体衬底背面进... 详细信息

标准号: CN115172528A

本申请涉及一种太阳能电池及其制备工艺、光伏组件，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行制绒处理形成预偏光结构；对制绒后的半导体衬底进行硼扩散形成硼扩散层，对硼扩散层进行一次酸洗、水洗和一次烘干处理；对半导体衬底背面进行水洗、碱抛光、水洗、后清洗、二次酸洗、水洗、慢提和二次烘干处理，使得预偏光结构转变为偏光结构，碱抛光的抛光处理剂包括碱溶液、表面活性剂和脱泡剂；半导体衬底的表面积与偏光结构在半导体衬底表面的投影面积之比为(1.0～1.4)：1；对二次烘干处理的半导体衬底背面形成隧穿层和掺杂导电层；对一次烘干处理后的半导体衬底正面形成正面钝化层和正面电极；以及在掺杂导电层的表面形成背面钝化层和背面电极。

关键词：半导体偏光结构衬底衬底背面二次烘干硼扩散层抛光导电层掺杂半导体衬底表面背面钝化层表面活性剂抛光处理剂太阳能电池正面钝化层背面电极表面形成衬底正面二次酸洗光伏组件烘干处理一次烘干一次酸洗正面电极制备工艺制绒处理碱溶液硼扩散隧穿层脱泡剂制绒投影清洗申请

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

引用

作者：左敏 230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

该发明涉及半导体制造领域，公开了一种半导体结构的形成方法。该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面沉积有栅介质层和多晶硅层；对所述半导体衬底进行预掺杂；再对所述多晶硅层进行碳离子或锗离子注入；进行快速退火后，利... 详细信息

标准号: CN112885716B

该发明涉及半导体制造领域，公开了一种半导体结构的形成方法。该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面沉积有栅介质层和多晶硅层；对所述半导体衬底进行预掺杂；再对所述多晶硅层进行碳离子或锗离子注入；进行快速退火后，利用沉积和刻蚀工艺形成栅极。本发明通过在多晶硅沉积和快速热处理之间增加电中性的碳离子、锗离子的注入，在高温退火过程中，晶界处的碳离子、锗离子可以抑制多晶硅晶粒的长大，使多晶硅晶粒尺寸降低，能让掺杂离子P更好的扩散到多晶硅内，降低耗尽区的形成，同时避免形成多晶硅间隙，从而提高半导体器件的性能。

关键词：碳离子锗离子多晶硅晶粒多晶硅层衬底沉积半导体半导体衬底表面半导体制造领域半导体结构半导体器件多晶硅沉积多晶硅间隙快速热处理掺杂离子高温退火刻蚀工艺快速退火栅介质层电中性多晶硅耗尽区预掺杂晶界扩散

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：张永杰周永昌 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成栅极的栅极沟槽；第一介质层，位于所述栅极沟槽中；栅极介质层，位于所述第一介... 详细信息

标准号: CN117116768A

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成栅极的栅极沟槽；第一介质层，位于所述栅极沟槽中；栅极介质层，位于所述第一介质层顶面以及高于所述第一介质层顶面的栅极沟槽侧壁；栅极，位于所述栅极介质层表面，所述栅极顶面低于所述栅极沟槽顶面；第二介质层，位于所述栅极顶面且填满所述栅极沟槽，部分第二介质层贯穿所述栅极与所述栅极介质层连接；接地结构，贯穿所述第二介质层和所述栅极介质层延伸至所述第一介质层中。本申请可以增加源极金属与阱区的接触面积以及提高栅极介质层的可靠性。

关键词：介质层栅极介质层栅极沟槽顶面半导体结构外延层基底半导体衬底表面接地结构源极金属贯穿侧壁衬底填满阱区半导体申请延伸

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半导体装置及半导体存储装置

半导体装置及半导体存储装置

引用

作者：内海哲章日本东京

实施方式提供一种高集成度的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底、设置在半导体衬底表面的多个晶体管、以及电连接于多个晶体管的栅极电极的第1电路。多个晶体管包含：在第1方向上隔着绝缘区域相邻... 详细信息

标准号: CN111081712A

实施方式提供一种高集成度的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底、设置在半导体衬底表面的多个晶体管、以及电连接于多个晶体管的栅极电极的第1电路。多个晶体管包含：在第1方向上隔着绝缘区域相邻的第1及第2晶体管、在与第1方向交叉的第2方向上隔着绝缘区域而与第1及第2晶体管相邻的第3晶体管、以及在第2方向上隔着绝缘区域而与第1及第2晶体管相邻的第4晶体管。第1电路根据第1信号而使第1～第4晶体管为导通状态。

关键词：晶体管绝缘区域半导体存储装置电路半导体衬底表面半导体装置导通状态方向交叉高集成度栅极电极电连接衬底半导体

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功率半导体器件及其制造方法

功率半导体器件及其制造方法

引用

作者：杨彦涛顾悦吉陈琛陶玉美 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街(东)308号

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中形成分裂栅结构；在第三沟槽中形成屏蔽布线；在所述半导体衬底中体区；在所述体区中形成源区；以及形成分别与所述源区、源... 详细信息

标准号: CN107910270A

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中形成分裂栅结构；在第三沟槽中形成屏蔽布线；在所述半导体衬底中体区；在所述体区中形成源区；以及形成分别与所述源区、源极导体和屏蔽布线电连接的源极电极、栅极电极和屏蔽电极,其中，所述屏蔽布线与所述屏蔽导体电连接，并且所述屏蔽布线包括填充所述第三沟槽的第一部分以及在所述半导体衬底表面横向延伸的第二部分，所述第二部分用于重布线。该方法利用独立引出电极的屏蔽布线改善电荷平衡效果，并且将屏蔽布线用于重布线以提高器件良率和可靠性。

关键词：屏蔽布重布线衬底源区半导体半导体衬底表面功率半导体器件电荷平衡横向延伸屏蔽导体屏蔽电极引出电极源极导体源极电极栅极电极电连接分裂栅良率体区线电填充申请制造

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