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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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2,084 篇 专利

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1,000 篇 中芯国际集成电路...
144 篇 上海华虹宏力半导...
79 篇 上海华力微电子有...
74 篇 上海宏力半导体制...
57 篇 上海华力集成电路...
39 篇 中国科学院微电子...
37 篇 长鑫存储技术有限...
32 篇 长江存储科技有限...
26 篇 德淮半导体有限公...
24 篇 杭州士兰集成电路...
19 篇 格科微电子有限公...
17 篇 上海蓝光科技有限...
17 篇 飞锃半导体有限公...
16 篇 华虹半导体有限公...
15 篇 武汉新芯集成电路...
14 篇 无锡华润上华科技...
12 篇 中芯国际集成电路...
11 篇 中国科学院上海微...
11 篇 株式会社东芝
10 篇 中微半导体设备有...

作者

137 篇 三重野文健
77 篇 赵猛
62 篇 洪中山
61 篇 张海洋
47 篇 何永根
45 篇 周飞
44 篇 鲍宇
30 篇 涂火金
29 篇 甘正浩
28 篇 邓浩
28 篇 何其旸
28 篇 禹国宾
26 篇 曹子贵
25 篇 何有丰
24 篇 杨彦涛
24 篇 韩秋华
23 篇 谢欣云
23 篇 李勇
21 篇 肖德元
20 篇 冯军宏

语言

2,084 篇 中文

检索条件"主题词=半导体衬底表面"

共 2084 条记录，以下是41-50 订阅

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浅槽隔离结构的形成方法

浅槽隔离结构的形成方法

引用

作者：孙林陈献龙 510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

本申请实施例公开了一种浅槽隔离结构的形成方法，该浅槽隔离结构的形成方法包括提供一半导体衬底，半导体衬底上具有至少一个沟槽；将半导体衬底置于高密度等离子化学气相沉积腔室中；对腔室通入具有预设流量的反应气体，并施加第一预... 详细信息

标准号: CN117393492A

本申请实施例公开了一种浅槽隔离结构的形成方法，该浅槽隔离结构的形成方法包括提供一半导体衬底，半导体衬底上具有至少一个沟槽；将半导体衬底置于高密度等离子化学气相沉积腔室中；对腔室通入具有预设流量的反应气体，并施加第一预设功率，以在半导体衬底表面和沟槽内壁上沉积介质层；对介质层进行蚀刻，以对介质层的缺陷进行修复；返回执行对腔室通入具有预设流量的反应气体，并施加预设压力，以形成覆盖半导体衬底表面和沟槽内壁的介质层的步骤，直至沟槽填充完成为止，形成浅槽隔离结构。本方案可以减少浅槽隔离结构的缺陷。

关键词：浅槽隔离结构介质层衬底半导体半导体衬底表面反应气体沟槽内壁腔室预设化学气相沉积腔施加高密度等离子蚀刻沟槽填充预设功率预设压力沉积修复返回覆盖申请

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改善沟槽型MOSFET器件IGSSR反向耐压的方法

改善沟槽型MOSFET器件IGSSR反向耐压的方法

引用

作者：马晓琳沈浩峰 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号

本发明公开了一种改善沟槽型MOSFET产品IGSSR反向耐压的方法，在半导体衬底上刻蚀形成沟槽，形成栅介质层，然后以多晶硅将所述沟槽填充满；对所述的多晶硅进行回刻，再对所述栅介质层进行回刻，去除所述半导体衬底表面的栅介质层，同... 详细信息

标准号: CN118156136A

本发明公开了一种改善沟槽型MOSFET产品IGSSR反向耐压的方法，在半导体衬底上刻蚀形成沟槽，形成栅介质层，然后以多晶硅将所述沟槽填充满；对所述的多晶硅进行回刻，再对所述栅介质层进行回刻，去除所述半导体衬底表面的栅介质层，同时沟槽开口内所述多晶硅上顶面的沟槽侧壁的栅介质层也被去除；再次生长氧化层，所述氧化层形成于整个半导体衬底表面，并覆盖于所述沟槽内的多晶硅的上顶面上；进行多晶硅退火工艺；完成P型体区的注入及热推进，以及源区的离子注入。本发明优化了工艺顺序，精确控制氧化层的厚度，消除沟槽顶部栅介质层尖角位置形成的孔洞所带来的器件耐压性能下降的问题，提升沟槽型产品的栅源反向耐压能力。

关键词：栅介质层多晶硅半导体衬底表面氧化层回刻上顶去除孔洞反向耐压能力沟槽型MOSFET 控制氧化层反向耐压沟槽侧壁沟槽开口耐压性能退火工艺沟槽型衬底尖角刻蚀源区栅源半导体离子生长覆盖优化

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一种立式LPCVD设备的二氧化硅沉积镀膜工艺

一种立式LPCVD设备的二氧化硅沉积镀膜工艺

引用

作者：姬常晓袁野赵瓛彭浩 410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号

本发明公开一种立式LPCVD设备的二氧化硅沉积镀膜工艺，包括以下步骤：S1、检查工艺管是否漏气；S2、低压下通氮气吹扫工艺管；S3、漏率检测合格后，通入氮气吹扫气路管道，使得工艺管的压强和气体流量稳定在薄膜淀积时设定的压强和气... 详细信息

标准号: CN117660928A

本发明公开一种立式LPCVD设备的二氧化硅沉积镀膜工艺，包括以下步骤：S1、检查工艺管是否漏气；S2、低压下通氮气吹扫工艺管；S3、漏率检测合格后，通入氮气吹扫气路管道，使得工艺管的压强和气体流量稳定在薄膜淀积时设定的压强和气体流量条件下；S4、在设定的压强条件下，通入反应气源，在半导体衬底表面沉积二氧化硅薄膜；S5、完成二氧化硅薄膜淀积后，通入氮气吹扫工艺管及排气管道，并通入氮气升压至常压，出舟。本发明具有操作简单、稳定性好、成膜均匀性高等优点，解决了现有LPCVD在淀积SiO₂薄膜时存在薄膜厚度均匀性差、工艺颗粒度高和重复稳定性差以及对工艺压强的要求极为苛刻等问题，实现了晶圆高质量镀膜。

关键词：工艺管压强二氧化硅薄膜氮气吹扫淀积半导体衬底表面氮气二氧化硅沉积气体流量条件成膜均匀性厚度均匀性升压薄膜淀积镀膜工艺反应气源工艺颗粒漏率检测排气管道气路管道气体流量压强条件通氮气漏气常压沉积吹扫镀膜晶圆薄膜重复检查

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3D存储器件及其制造方法

3D存储器件及其制造方法

引用

作者：胡斌肖莉红 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：半导体衬底；沟道柱，位于半导体衬底上；以及第一栅叠层结构和第二栅叠层结构，每个栅叠层结构与沟道柱邻接，并分别包括多个栅极导体和多个层间绝缘层，3D存储器件还包括... 详细信息

标准号: CN109037226B

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：半导体衬底；沟道柱，位于半导体衬底上；以及第一栅叠层结构和第二栅叠层结构，每个栅叠层结构与沟道柱邻接，并分别包括多个栅极导体和多个层间绝缘层，3D存储器件还包括贯穿沟道柱的第一隔离结构，第一隔离结构将第一栅叠层结构与第二栅叠层结构分隔，其中，在与半导体衬底表面垂直的方向上，每个栅叠层结构的多个栅极导体和多个层间绝缘层交替堆叠，并且第一栅叠层结构的栅极导体和第二栅叠层结构的栅极导体错开设置。通过将第一栅叠层结构的栅极导体和第二栅叠层结构的栅极导体错开设置，从而增大了3D存储器件的存储密度，提高了3D存储器件的空间利用率。

关键词：栅叠层结构栅极导体存储器件沟道层间绝缘层错开设置隔离结构衬底半导体半导体衬底表面空间利用率交替堆叠垂直的邻接分隔存储贯穿申请制造

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一种气体探测器及制备方法

一种气体探测器及制备方法

引用

作者：请求不公布姓名 215347 江苏省苏州市昆山市玉山镇祖冲之南路1699号综合楼北楼1107-1110室

本发明公开了一种气体探测器及其制备方法，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的像素单元；位于半导体衬底内的气室空腔，其对应像素单元中每一个像素单元在半导体衬底内的投影位置；位于半导体衬底内的嵌入式激光器，其侧边的... 详细信息

标准号: CN117147441B

本发明公开了一种气体探测器及其制备方法，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的像素单元；位于半导体衬底内的气室空腔，其对应像素单元中每一个像素单元在半导体衬底内的投影位置；位于半导体衬底内的嵌入式激光器，其侧边的半导体衬底内具有通向气室空腔的波导光路，用于光的传输，本发明通过利用半导体工艺，将光源、光路，气室、探测器集成在同一半导体结构内，提供了工艺的兼容性，和器件的精确度。

关键词：衬底半导体像素单元气室空腔半导体衬底表面半导体工艺半导体结构气体探测器探测器集成波导光路投影位置激光器兼容性嵌入式侧边光路气室制备光源传输

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半导体器件的制造方法

半导体器件的制造方法

引用

作者：陈宏 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供一种半导体器件的制造方法，通过在半导体衬底表面以及栅极结构顶面和侧面形成侧墙材料层；然后，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出所述栅极结构顶面和所述半导体衬底表面，以在所述栅极结构侧面形成侧墙结构... 详细信息

标准号: CN111681961B

本发明提供一种半导体器件的制造方法，通过在半导体衬底表面以及栅极结构顶面和侧面形成侧墙材料层；然后，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出所述栅极结构顶面和所述半导体衬底表面，以在所述栅极结构侧面形成侧墙结构；接着，在暴露出的所述半导体衬底表面和所述栅极结构顶面形成金属硅化物。其中，通过所述干法刻蚀工艺刻蚀所述侧墙材料层，并停止在所述栅极结构顶面和所述半导体衬底表面，可以避免侧墙材料层残留在所述半导体衬底上，在后续形成金属硅化物时，可以使所述金属硅化物的表面形貌平整。由此，可以避免金属硅化物表面的凹凸缺陷，从而改善所述金属硅化物表面的均匀性。

关键词：金属硅化物栅极结构半导体衬底表面侧墙材料层顶面干法刻蚀工艺刻蚀半导体器件凹凸缺陷表面形貌侧墙结构侧面均匀性暴露衬底半导体平整残留制造

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具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法

具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法

引用

作者：陈庆敏李丙科陈加朋卓倩武 214000 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法，其首先在半导体衬底表面通过原子层沉积得到光滑的第一钝化层，然后继续依次循环脉冲通入由铝源前驱体以及硅烷封端剂构成的混合气体以及氧源，并在混合... 详细信息

标准号: CN117410386A

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法，其首先在半导体衬底表面通过原子层沉积得到光滑的第一钝化层，然后继续依次循环脉冲通入由铝源前驱体以及硅烷封端剂构成的混合气体以及氧源，并在混合气体以及氧源的通入间隙使用吹扫气进行吹扫，从而在第一钝化层表面通过原子层沉积得到具有粗糙结构的第二钝化层，对得到的第二钝化层进行加热，从而得到所述具有陷光结构的叠层钝化层。通过本发明中的方法制备得到的具有陷光结构的叠层钝化层，可以同时提高太阳能电池的稳定性和效率。

关键词：钝化层陷光结构叠层原子层沉积混合气体氧源制备半导体衬底表面太阳能电池技术钝化层表面硅烷封端剂太阳能电池粗糙结构钝化结构循环脉冲吹扫气前驱体吹扫铝源光滑加热

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一种太阳电池及其制备方法

一种太阳电池及其制备方法

引用

作者：潘孝堃 230094 安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角

本申请提供一种太阳电池及其制备方法。该方法包括采用制绒液对太阳电池的半导体衬底的表面进行制绒，制绒液包括第一碱液、制绒添加剂和水；以在半导体衬底的表面形成金字塔绒面结构；采用酸性混合液对金字塔绒面结构进行削平矮化，然... 详细信息

标准号: CN117334784A

本申请提供一种太阳电池及其制备方法。该方法包括采用制绒液对太阳电池的半导体衬底的表面进行制绒，制绒液包括第一碱液、制绒添加剂和水；以在半导体衬底的表面形成金字塔绒面结构；采用酸性混合液对金字塔绒面结构进行削平矮化，然后采用碱性抛光液对削平矮化后的金字塔绒面结构进行抛光，以在半导体衬底的表面形成类金字塔绒面结构。本申请提供的制备方法，通过交替使用碱性制绒液、酸性混合液和碱性抛光液，可以提高半导体衬底表面的清洗效果。本申请制备的金字塔绒面结构表面更趋近于光滑和平坦，使得最终形成的类金字塔绒面结构的表面粗糙度较小，提高了光反射率和光反射强度，从而提高了后续测量薄膜的厚度和反射率的精准度。

关键词：金字塔绒面结构衬底制备半导体碱性抛光液酸性混合液表面形成削平制绒液矮化申请半导体衬底表面表面粗糙度碱性制绒液制绒添加剂测量薄膜光反射率交替使用清洗效果反射率光反射精准度抛光碱液制绒光滑

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一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质

一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质

引用

作者：杜宁乐 510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

本公开提供了一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质，通过针对待隔离芯片进行深沟槽蚀刻、衬氧化层生成以及深沟槽填充处理，在所述待隔离芯片的半导体衬底中生成隔离沟槽；在所述隔离沟槽对应的槽口位置处进行浅沟槽隔离... 详细信息

标准号: CN117438372A

本公开提供了一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质，通过针对待隔离芯片进行深沟槽蚀刻、衬氧化层生成以及深沟槽填充处理，在所述待隔离芯片的半导体衬底中生成隔离沟槽；在所述隔离沟槽对应的槽口位置处进行浅沟槽隔离结构蚀刻，生成有源区并在所述有源区中填充衬氧化层；在所述待隔离芯片表面沉积硬掩膜层，并在所述隔离沟槽对应的槽口边缘位置处蚀刻所述硬掩膜层，生成局部氧化隔离窗口；根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长隔离氧化层。可以提升深沟槽隔离结构的耐压性能。

关键词：蚀刻局部氧化隔离隔离沟槽隔离芯片衬氧化层硬掩膜层深沟槽源区半导体衬底表面浅沟槽隔离结构深沟槽隔离结构槽口位置处隔离氧化层深沟槽隔离表面沉积槽口边缘存储介质电子设备耐压性能填充处理位置处衬底耐压填充半导体生长

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异质结太阳能电池及其制备方法

异质结太阳能电池及其制备方法

引用

作者：孙鹏张良张景杜文朝 214100 江苏省无锡市锡山经济技术开发区荟智企业中心凤威路2号B312-175

本发明提供异质结太阳能电池及其制备方法，包括：对半导体衬底进行制绒得到绒面结构，绒面结构具有待抛光区和位于待抛光区侧部的绒面区；对半导体衬底进行吸杂，形成位于绒面结构表面的磷硅玻璃层；对磷硅玻璃层进行图案化处理，形成... 详细信息

标准号: CN117374168A

本发明提供异质结太阳能电池及其制备方法，包括：对半导体衬底进行制绒得到绒面结构，绒面结构具有待抛光区和位于待抛光区侧部的绒面区；对半导体衬底进行吸杂，形成位于绒面结构表面的磷硅玻璃层；对磷硅玻璃层进行图案化处理，形成贯穿磷硅玻璃层的孔型区域，待抛光区暴露在孔型区域中；对待抛光区进行抛光得到抛光区，绒面结构形成抛光绒面复合结构；去除位于绒面区的磷硅玻璃层；在抛光绒面复合结构的表面依次沉积去复合载流子传输层、透明导电层和栅线，栅线在半导体衬底表面的正投影与抛光区重合，提高了栅线与透明导电层的接触效果，降低了异质结太阳能电池的接触电阻，从而提高了异质结太阳能电池的光电转换效率。

关键词：抛光区磷硅玻璃层绒面结构绒面异质结太阳能电池抛光栅线透明导电层复合结构孔型区域衬底半导体半导体衬底表面光电转换效率复合载流子图案化处理接触电阻接触效果传输层正投影重合吸杂制绒沉积去除制备暴露贯穿

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