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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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2,084 篇 专利

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2,084 篇 电子文献
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1,000 篇 中芯国际集成电路...
144 篇 上海华虹宏力半导...
79 篇 上海华力微电子有...
74 篇 上海宏力半导体制...
57 篇 上海华力集成电路...
39 篇 中国科学院微电子...
37 篇 长鑫存储技术有限...
32 篇 长江存储科技有限...
26 篇 德淮半导体有限公...
24 篇 杭州士兰集成电路...
19 篇 格科微电子有限公...
17 篇 上海蓝光科技有限...
17 篇 飞锃半导体有限公...
16 篇 华虹半导体有限公...
15 篇 武汉新芯集成电路...
14 篇 无锡华润上华科技...
12 篇 中芯国际集成电路...
11 篇 中国科学院上海微...
11 篇 株式会社东芝
10 篇 中微半导体设备有...

作者

137 篇 三重野文健
77 篇 赵猛
62 篇 洪中山
61 篇 张海洋
47 篇 何永根
45 篇 周飞
44 篇 鲍宇
30 篇 涂火金
29 篇 甘正浩
28 篇 邓浩
28 篇 何其旸
28 篇 禹国宾
26 篇 曹子贵
25 篇 何有丰
24 篇 杨彦涛
24 篇 韩秋华
23 篇 谢欣云
23 篇 李勇
21 篇 肖德元
20 篇 冯军宏

语言

2,084 篇 中文

检索条件"主题词=半导体衬底表面"

共 2084 条记录，以下是51-60 订阅

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晶体管的形成方法

晶体管的形成方法

引用

作者：何有丰 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的栅极结构、以及位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的开口；以体积比至少为3∶2的SiH2Cl2和SiH4作为硅源，在所述开口内形成第一应力衬垫层... 详细信息

标准号: CN103187299B

一种晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的栅极结构、以及位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的开口；以体积比至少为3∶2的SiH₂Cl₂和SiH₄作为硅源，在所述开口内形成第一应力衬垫层，所述第一应力衬垫层的深度至少为开口深度的一半；以体积比至少为3∶2的SiH₄和SiH₂Cl₂作为硅源，形成覆盖所述第一应力衬垫层、且与所述开口齐平的第二应力衬垫层。本发明实施例形成的晶体管的漏电流低，电阻小，功耗低且响应速度快。

关键词：衬垫层半导体衬底栅极结构晶体管硅源基底开口半导体衬底表面开口齐平开口深度响应速度功耗低漏电流电阻两侧

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监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法

监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法

引用

作者：何亮 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明提供一种监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，所述方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面形成栅氧化层；于所述栅氧化层表面形成光刻胶层，并对其进行图案化处理以漏出需刻蚀掉的所述栅... 详细信息

标准号: CN116313761A

本发明提供一种监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，所述方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面形成栅氧化层；于所述栅氧化层表面形成光刻胶层，并对其进行图案化处理以漏出需刻蚀掉的所述栅氧化层；通过扫描判断漏出的所述栅氧化层表面是否存在水汽化合物，若判断结果为是，利用去离子水对漏出的所述栅氧化层进行清洗。通过本发明解决了现有的双栅极易产生氧化物残留的问题。

关键词：栅氧化层漏出栅氧化层表面氧化物残留双栅极晶圆半导体衬底表面图案化处理光刻胶层判断结果去离子水水汽衬底刻蚀半导体清洗扫描监测预防

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刻蚀停止层及铜互连的形成方法

刻蚀停止层及铜互连的形成方法

引用

作者：周鸣 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明涉及一种刻蚀停止层的形成方法，包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上沉积碳化硅预停止层；在碳化硅预停止层上沉积氮碳化硅主停止层。本发明还涉及一种铜互连的形成方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有铜... 详细信息

标准号: CN103187266B

本发明涉及一种刻蚀停止层的形成方法，包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上沉积碳化硅预停止层；在碳化硅预停止层上沉积氮碳化硅主停止层。本发明还涉及一种铜互连的形成方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有铜导电层；用氢气退火半导体衬底；用氢气和氦气等离子体预处理半导体衬底；用硅烷预处理半导体衬底；在半导体衬底表面沉积碳化硅预停止层；在碳化硅预停止层上沉积氮碳化硅主停止层；在氮碳化硅主停止层上沉积介质层；形成贯穿介质层、氮碳化硅主停止层和碳化硅预停止层的通孔或沟槽；填充通孔或沟槽，形成铜互连。由于碳化硅预停止层能降低铜扩散，因此能阻止CuN_X的形成，同时提高刻蚀停止层与铜互连的粘附性。

关键词：停止层半导体衬底碳化硅氮碳化硅沉积铜互连预处理刻蚀停止层一种半导体衬底表面半导体衬底上氦气等离子体沉积介质氢气退火填充通孔铜导电层氢气介质层铜扩散粘附性硅烷通孔涉及阻止贯穿

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一种平面栅双极型晶体管及其制作方法

一种平面栅双极型晶体管及其制作方法

引用

作者：阳平 201100 上海市闵行区园紫星路588号2幢1169室

本发明涉及一种平面栅双极型晶体管，包括具有第一掺杂类型的半导体衬底、形成于半导体衬底表面的JFET区及基区、形成于基区表面的发射区、位于半导体衬底上方的栅极，基区具有第二掺杂类型，发射区具有第一掺杂类型，半导体衬底的上方... 详细信息

标准号: CN109713035A

本发明涉及一种平面栅双极型晶体管，包括具有第一掺杂类型的半导体衬底、形成于半导体衬底表面的JFET区及基区、形成于基区表面的发射区、位于半导体衬底上方的栅极，基区具有第二掺杂类型，发射区具有第一掺杂类型，半导体衬底的上方设置有栅氧化层，栅极包括位于JFET区的左右两侧且间隔一定距离的栅极左部和栅极右部，本发明平面栅双极型晶体管还包括二氧化硅膜形成的FOX区。本发明采用FOX区来分隔栅极，减小无效栅极面积，使得本发明的平面栅双极型晶体管能实现更低的栅源电容、栅漏电容和器件开关损耗，具有更高的器件性能。

关键词：双极型晶体管掺杂类型平面栅衬底半导体发射区基区半导体衬底表面二氧化硅膜分隔栅极基区表面器件开关器件性能栅漏电容栅氧化层栅源电容左右两侧减小

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嵌入式闪存的隔离方法和制备方法

嵌入式闪存的隔离方法和制备方法

引用

作者：罗清威周俊 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

本发明涉及存储器制造技术领域，尤其涉及一种嵌入式闪存的隔离方法和制备方法，所述的隔离方法通过在半导体衬底的介质层上方沉积一层二氧化硅硬掩模层，从而实现利用湿法刻蚀进行图形转移而保留逻辑电路区上方的介质层以作隔离用，克... 详细信息

标准号: CN106409833A

本发明涉及存储器制造技术领域，尤其涉及一种嵌入式闪存的隔离方法和制备方法，所述的隔离方法通过在半导体衬底的介质层上方沉积一层二氧化硅硬掩模层，从而实现利用湿法刻蚀进行图形转移而保留逻辑电路区上方的介质层以作隔离用，克服了传统工艺中半导体衬底表面的介质层没有办法用湿法蚀刻的方式进行图形转移的弊端；所述的制备方法通过在逻辑电路区上方形成隔离后进行存储器件区的存储结构制备工艺，并于存储结构制备工艺完成后去除逻辑电路区的隔离，从而保证存储结构制备工艺不会对逻辑电路区造成影响。

关键词：逻辑电路区隔离存储结构制备工艺介质层图形转移制备半导体衬底表面存储器制造嵌入式闪存传统工艺存储器件二氧化硅湿法刻蚀湿法蚀刻硬掩模层衬底沉积去除半导体保留保证

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FDSOI器件及其制造方法

FDSOI器件及其制造方法

引用

作者：翁文寅 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明公开了一种FDSOI器件，半导体衬底表面依次形成有第一和第二半导体外延层。在半导体衬底和第二半导体外延层之间的第一区域中形成有中间介质埋层，相邻的第一区域之间为第二区域。中间介质埋层由介质离子注入到第一区域中后介质... 详细信息

标准号: CN118335777A

本发明公开了一种FDSOI器件，半导体衬底表面依次形成有第一和第二半导体外延层。在半导体衬底和第二半导体外延层之间的第一区域中形成有中间介质埋层，相邻的第一区域之间为第二区域。中间介质埋层由介质离子注入到第一区域中后介质离子和半导体材料退火结合形成。第二区域中自对准形成有将第一半导体外延层完全去除后形成的空隙结构。在第二半导体外延层的顶部形成有栅极结构，被栅极结构所覆盖的第二半导体外延层中形成有沟道区。至少沟道区的部分区域的底部具有空隙结构。本发明还公开了一种FDSOI器件的制造方法。本发明能消除沟道区底部表面处的由中间介质埋层引入的正电荷，改善器件性能，增加器件可靠性，同时不会对器件的其它性能产生退化影响。

关键词：半导体外延层第一区域中间介质沟道区埋层第二区域介质离子空隙结构栅极结构半导体衬底表面半导体材料退火器件可靠性底部表面器件性能正电荷自对准衬底去除半导体退化引入覆盖制造

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P型MOSFET及其制造方法

P型MOSFET及其制造方法

引用

作者：李中华 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

本发明公开了一种P型MOSFET，包括：由栅介质层和栅极导电材料层叠加而成的栅极结构；栅介质层形成于半导体衬底表面上，被栅极结构所覆盖的半导体衬底中形成有由N阱组成的沟道区；N阱由退火后的磷注入区、第一砷注入区和第二砷注入区... 详细信息

标准号: CN110491944B

本发明公开了一种P型MOSFET，包括：由栅介质层和栅极导电材料层叠加而成的栅极结构；栅介质层形成于半导体衬底表面上，被栅极结构所覆盖的半导体衬底中形成有由N阱组成的沟道区；N阱由退火后的磷注入区、第一砷注入区和第二砷注入区叠加而成，第一和第二砷注入区叠加形成沟道区中的阈值电压调整区；第一砷注入区的注入深度大于第二砷注入区的注入深度，第一砷注入区使第一砷注入区的注入深度范围内的半导体衬底形成非晶化层，非晶化层使第二砷注入区的注入均匀性增加以及使第二砷注入区的位于半导体衬底表面处的掺杂浓度峰值降低，以降低闪烁噪声。本发明还公开了一种P型MOSFET的制造方法。本发明能降低器件闪烁噪声。

关键词：注入区半导体衬底表面非晶化层栅极结构栅介质层沟道区衬底半导体叠加噪声栅极导电材料阈值电压调整注入均匀性闪烁退火峰值降低降低器件掺杂覆盖制造

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图像传感器制备方法

图像传感器制备方法

引用

作者：方娜陈杰汪辉田犁任韬 201210 上海市浦东新区海科路99号

本发明提供一种图像传感器制备方法，提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，在第一半导体衬底表面或第二半导体衬底表面形成第二绝缘埋层，键合第一半导体衬底和第二半导体衬底，并使第二绝缘埋层位于第一顶层半导体层与第二半导体衬底... 详细信息

标准号: CN102509730B

本发明提供一种图像传感器制备方法，提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，在第一半导体衬底表面或第二半导体衬底表面形成第二绝缘埋层，键合第一半导体衬底和第二半导体衬底，并使第二绝缘埋层位于第一顶层半导体层与第二半导体衬底之间，将第二半导体衬底减薄形成与第一顶层半导体层厚度不同的第二顶层半导体层，在第二顶层半导体层表面定义出第I区域和第II区域，并在第I区域开窗口直至暴露出第一顶层半导体层表面，分别在第I区域和第II区域完成光学传感器件和像素读出电路的制备，并形成相邻器件间的隔离，以完成图像传感器的制备。本发明制备的图像传感器具有良好的抗辐射性能和良好的半导体性能，且感光区域具有较高的光吸收效率。

关键词：半导体衬底顶层图像传感器半导体衬底表面半导体层表面半导体层绝缘埋层半导体层厚度半导体性能光学传感器读出电路感光区域相邻器件制备方法抗辐射键合像素隔离

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半导体器件的制造方法

半导体器件的制造方法

引用

作者：陈宏 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供一种半导体器件的制造方法，通过在半导体衬底表面以及栅极结构顶面和侧面形成侧墙材料层；然后，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出所述栅极结构顶面和所述半导体衬底表面，以在所述栅极结构侧面形成侧墙结构... 详细信息

标准号: CN111681961A

本发明提供一种半导体器件的制造方法，通过在半导体衬底表面以及栅极结构顶面和侧面形成侧墙材料层；然后，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出所述栅极结构顶面和所述半导体衬底表面，以在所述栅极结构侧面形成侧墙结构；接着，在暴露出的所述半导体衬底表面和所述栅极结构顶面形成金属硅化物。其中，通过所述干法刻蚀工艺刻蚀所述侧墙材料层，并停止在所述栅极结构顶面和所述半导体衬底表面，可以避免侧墙材料层残留在所述半导体衬底上，在后续形成金属硅化物时，可以使所述金属硅化物的表面形貌平整。由此，可以避免金属硅化物表面的凹凸缺陷，从而改善所述金属硅化物表面的均匀性。

关键词：金属硅化物栅极结构半导体衬底表面侧墙材料层顶面干法刻蚀工艺刻蚀半导体器件凹凸缺陷表面形貌侧墙结构侧面均匀性暴露衬底半导体平整残留制造

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一种发光二极管的正面切割工艺

一种发光二极管的正面切割工艺

引用

作者：杨杰张楠袁根如朱秀山陈鹏陈耀 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

本发明提供一种发光二极管的正面切割工艺，包括步骤：1）于半导体衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）定义出多个发光单元，并于各该发光单元间刻蚀出直至所述半导体衬底的多个走道；3）于各该发光单元中形... 详细信息

标准号: CN104078534A

本发明提供一种发光二极管的正面切割工艺，包括步骤：1）于半导体衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）定义出多个发光单元，并于各该发光单元间刻蚀出直至所述半导体衬底的多个走道；3）于各该发光单元中形成N电极制备区域；4）于各该发光单元的P型层表面形成透明导电层，于透明导电层表面制备P电极，并于N电极制备区域制备N电极；5）对各该走道进行激光正面切割工艺，于所述半导体衬底中形成与各该发光单元对应的多个切割痕；6）依据各切割痕进行裂片。本发明提供了一种发光二极管的激光正面切割方法，可以有效避免激光对发光二极管的损伤，提高发光二极管的亮度以及良率，工艺简单，适用于工艺生产。

关键词：发光单元发光二极管半导体衬底激光电极制备切割工艺电极走道切割半导体衬底表面透明导电层表面透明导电层工艺生产量子阱层切割方法外延结构刻蚀良率裂片发光损伤

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