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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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2,084 篇 专利

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2,084 篇 电子文献
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1,000 篇 中芯国际集成电路...
144 篇 上海华虹宏力半导...
79 篇 上海华力微电子有...
74 篇 上海宏力半导体制...
57 篇 上海华力集成电路...
39 篇 中国科学院微电子...
37 篇 长鑫存储技术有限...
32 篇 长江存储科技有限...
26 篇 德淮半导体有限公...
24 篇 杭州士兰集成电路...
19 篇 格科微电子有限公...
17 篇 上海蓝光科技有限...
17 篇 飞锃半导体有限公...
16 篇 华虹半导体有限公...
15 篇 武汉新芯集成电路...
14 篇 无锡华润上华科技...
12 篇 中芯国际集成电路...
11 篇 中国科学院上海微...
11 篇 株式会社东芝
10 篇 中微半导体设备有...

作者

137 篇 三重野文健
77 篇 赵猛
62 篇 洪中山
61 篇 张海洋
47 篇 何永根
45 篇 周飞
44 篇 鲍宇
30 篇 涂火金
29 篇 甘正浩
28 篇 邓浩
28 篇 何其旸
28 篇 禹国宾
26 篇 曹子贵
25 篇 何有丰
24 篇 杨彦涛
24 篇 韩秋华
23 篇 谢欣云
23 篇 李勇
21 篇 肖德元
20 篇 冯军宏

语言

2,084 篇 中文

检索条件"主题词=半导体衬底表面"

共 2084 条记录，以下是61-70 订阅

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详细简洁

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半导体衬底以及半导体器件

半导体衬底以及半导体器件

引用

作者：曲志浩谢可勋 201617 上海市松江区石湖荡镇长塔路945弄18号3楼Y-27

本发明提供了一种半导体衬底以及半导体器件。所述半导体衬底包括：基层；基层表面的至少包括的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层位于所述半导体衬底表面，所述第二掺杂半导体层位于第一掺杂半导体层下方，且... 详细信息

标准号: CN118231452A

本发明提供了一种半导体衬底以及半导体器件。所述半导体衬底包括：基层；基层表面的至少包括的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层位于所述半导体衬底表面，所述第二掺杂半导体层位于第一掺杂半导体层下方，且第一掺杂半导体层的掺杂浓度小于第二掺杂半导体层的掺杂浓度。上述结构通过降低表面的掺杂浓度来降低表面电场，从而补偿制造工艺对表面积引起的电荷损伤，从而改善电荷平衡窗口。特别是在较低的电荷状态(较低的外延掺杂浓度状态)下，上述结构能够提高表面击穿电压，从而提高了器件的鲁棒性。还发现，上述结构还能使器件在遭遇电流浪涌的情况下保持稳定工况、UIS性能和器件可靠性HTRB性能。

关键词：掺杂半导体层掺杂衬底半导体半导体衬底表面表面击穿电压降低表面电场半导体器件器件可靠性电荷平衡电荷损伤电荷状态电流浪涌基层表面浓度状态稳定工况制造工艺鲁棒性基层发现

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：米红星王鹏李洋吴琼郑磊 300385 天津市西青区兴华道19号

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面包括垫氧化层和贯穿所述垫氧化层并延伸至所述半导体衬底中的隔离沟槽；隔离结构，位于所述隔离沟槽中且高于所述垫氧化层表面，所述隔离结构包... 详细信息

标准号: CN117790400A

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面包括垫氧化层和贯穿所述垫氧化层并延伸至所述半导体衬底中的隔离沟槽；隔离结构，位于所述隔离沟槽中且高于所述垫氧化层表面，所述隔离结构包括位于所述隔离沟槽底部和侧壁的氧化层、位于所述氧化层表面的阻挡层以及位于所述阻挡层表面填满所述隔离沟槽的填充层，其中，所述填充层完全覆盖所述阻挡层。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，将阻挡层分为不相连的两部分，去除第二部分时不会影响到第一部分，可以提高浅沟槽隔离结构的隔离效果，提高器件可靠性。

关键词：隔离沟槽半导体结构垫氧化层阻挡层隔离结构填充层衬底半导体半导体衬底表面浅沟槽隔离结构器件可靠性氧化层表面阻挡层表面隔离效果氧化层侧壁填满去除申请贯穿延伸

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一种基于范德华接触制备半导体器件的方法及器件

一种基于范德华接触制备半导体器件的方法及器件

引用

作者：赵鼎孙歆语金斌斌仇旻 310024 浙江省杭州市西湖区转塘街道石龙山街18号

本发明公开了一种基于范德华接触制备半导体器件的方法以及制备得到的器件，包括：低温真空环境下，在半导体衬底表面形成冰层，在冰层表面沉淀金属薄膜；最后冰层升华，金属薄膜沉降到半导体衬底表面，形成范德华接触，获得金属‑半导... 详细信息

标准号: CN118197924A

本发明公开了一种基于范德华接触制备半导体器件的方法以及制备得到的器件，包括：低温真空环境下，在半导体衬底表面形成冰层，在冰层表面沉淀金属薄膜；最后冰层升华，金属薄膜沉降到半导体衬底表面，形成范德华接触，获得金属‑半导体器件。本发明的半导体器件的制备方法，工艺更简单，不需要高温条件，不需要使用有机溶剂，环境友好，避免了溶剂或者高温处理条件对器件的影响，同时对于温度敏感的半导体衬底也可以实现快速高效的加工，且得到的半导体器件性能更加优良，得到的场效应管的导通‑关断比以及迁移率均很高，且无迟滞现象。

关键词：半导体衬底表面半导体器件冰层制备半导体器件性能制备半导体器件低温真空环境高温处理条件冰层表面场效应管沉淀金属高温条件环境友好金属薄膜温度敏感有机溶剂迁移率沉降溶剂迟滞衬底导通关断薄膜半导体金属升华加工

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：张庆超周亦康 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一绝缘层、导电层、第二绝缘层和硬掩膜层，所述第一绝缘层中形成有电连接所述半导体衬底的集电极，所述导电层、第二绝缘层和硬掩... 详细信息

标准号: CN117577527A

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一绝缘层、导电层、第二绝缘层和硬掩膜层，所述第一绝缘层中形成有电连接所述半导体衬底的集电极，所述导电层、第二绝缘层和硬掩膜层中形成有暴露所述集电极的开口；位于所述开口底部电连接所述集电极和所述导电层的基极；依次位于所述开口侧壁的第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙和第二侧墙的刻蚀选择比大于10:1。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，能够保证基极与外基区足够的接触面积并防止发射极与外基区短路，可以提高器件可靠性。

关键词：绝缘层侧墙半导体结构导电层集电极硬掩膜层电连接外基区衬底半导体开口半导体衬底表面刻蚀选择比器件可靠性开口侧壁短路发射极申请暴露保证

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一种电子生物传感器及其制备方法和应用

一种电子生物传感器及其制备方法和应用

引用

作者：庄萍萍刘璟窦超 361021 福建省厦门市集美银江路185号

本发明属于生物检测技术领域，具体涉及一种电子生物传感器及其制备方法和应用。本发明提供的金功能化褶皱石墨烯场效应晶体管，包括半导体衬底；设置于所述半导体衬底表面的源电极和漏电极；设置于所述半导体衬底表面且连接所述源电极... 详细信息

标准号: CN117630133A

本发明属于生物检测技术领域，具体涉及一种电子生物传感器及其制备方法和应用。本发明提供的金功能化褶皱石墨烯场效应晶体管，包括半导体衬底；设置于所述半导体衬底表面的源电极和漏电极；设置于所述半导体衬底表面且连接所述源电极和漏电极的金功能化褶皱石墨烯沟道，所述金功能化褶皱石墨烯沟道包括层叠设置的金纳米岛层和单层石墨烯。本发明中单层石墨烯在离散的金纳米颗粒表面实现阵列式褶皱，这种“阵列式褶皱”的纳米级的变形会在传感通道中产生较高的电位，可以在离子溶液中石墨烯表面形成电荷聚集区，从而降低德拜屏蔽效应，形成的电双层电双层进一步膨胀，增大了电双层电双层的尺寸，进而能够实现对待检测溶液的高灵敏度检测。

关键词：褶皱电双层功能化石墨烯半导体衬底表面单层石墨烯漏电极源电极阵列式沟道石墨烯场效应晶体管电子生物传感器制备方法和应用生物检测技术电位电荷聚集区金纳米颗粒表面形成层叠设置传感通道高灵敏度离子溶液屏蔽效应纳米岛纳米级检测衬底半导体变形膨胀

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图像传感器的制造方法

图像传感器的制造方法

引用

作者：詹曜宇张磊王奇伟 201315 上海市浦东新区良腾路6号

本发明提供了一种图像传感器的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，通过在形成栅极堆叠结构的栅氧化物层之前增加一道热氧化工艺，以在半导体衬底上形成一无差别覆盖的第一氧化层，然后，再通过增加一道光刻工艺，在光电二极管区... 详细信息

标准号: CN114005846B

本发明提供了一种图像传感器的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，通过在形成栅极堆叠结构的栅氧化物层之前增加一道热氧化工艺，以在半导体衬底上形成一无差别覆盖的第一氧化层，然后，再通过增加一道光刻工艺，在光电二极管区对应的所述第一氧化层的表面上形成图案化的光刻胶层，并通过刻蚀工艺去除去除非光电二极管区的第一氧化层，从而达到增加光电二极管区对应的半导体衬底表面上沉积的氧化层厚度的目的，避免了后续的刻蚀工艺中对光电二极管区对应的半导体衬底的表面的损伤，从而避免了表面损伤造成的暗电流，同时又保证了像素器件区和逻辑器件区的功能正常，提升了图像传感器的性能。

关键词：光电二极管区氧化层图像传感器刻蚀工艺衬底半导体半导体衬底表面半导体技术领域栅极堆叠结构逻辑器件区热氧化工艺栅氧化物层表面损伤光刻工艺光刻胶层像素器件暗电流图案化沉积损伤覆盖应用制造保证

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去除刻蚀副产物的方法及刻蚀设备

去除刻蚀副产物的方法及刻蚀设备

引用

作者：罗来青苗果蔡文超 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号

本发明提供了一种去除刻蚀副产物方法及刻蚀设备，在去除刻蚀副产物方法中，通过将具有图形的半导体衬底移出刻蚀反应腔至处理仓，在处理仓内对刻蚀副产物进行吹送气体，刻蚀副产物受到较强气压作用而从半导体衬底表面脱离，达到去除目... 详细信息

标准号: CN117334573A

本发明提供了一种去除刻蚀副产物方法及刻蚀设备，在去除刻蚀副产物方法中，通过将具有图形的半导体衬底移出刻蚀反应腔至处理仓，在处理仓内对刻蚀副产物进行吹送气体，刻蚀副产物受到较强气压作用而从半导体衬底表面脱离，达到去除目的。本实施例采用物理手段去除刻蚀副产物，这不同于相关技术采用湿法腐蚀手段去除刻蚀副产物的方案，不会额外再产生其他残留物，不会产生额外的腐蚀问题，能够有效去除刻蚀副产物。

关键词：刻蚀副产物去除处理仓半导体衬底表面刻蚀反应腔技术采用刻蚀设备湿法腐蚀物理手段强气压衬底吹送移出半导体腐蚀脱离

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半导体结构及其制备方法

半导体结构及其制备方法

引用

作者：李静怡张若男冯喆温芳龚丽 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516

本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种半导体结构及其制备方法，旨在解决现有半导体结构在接触孔内填充金属的过程中容易形成空洞的问题。为此目的，本发明提供的半导体结构的制备方法包括：在半导体基底上形成场效应晶体管的正面电... 详细信息

标准号: CN118280843A

本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种半导体结构及其制备方法，旨在解决现有半导体结构在接触孔内填充金属的过程中容易形成空洞的问题。为此目的，本发明提供的半导体结构的制备方法包括：在半导体基底上形成场效应晶体管的正面电极；在正面电极上形成图案化的介质层，介质层内设置有多个接触孔，接触孔与正面电极对应；对介质层进行回流处理，使位于接触孔两侧的介质层远离半导体基底的一面形成凸出的曲面；向接触孔内填充金属，作为电极引出端。以此，改变后续金属铝沉积时金属原子或金属分子团到达时半导体衬底表面的接收角度，避免因悬垂突起造成接触孔内空洞的产生。

关键词：接触孔介质层半导体结构正面电极半导体基底填充金属制备空洞半导体衬底表面半导体技术领域场效应晶体管电极引出端回流处理金属分子金属原子悬垂金属铝凸出的图案化突起沉积

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

引用

作者：左敏 230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

该发明涉及半导体制造领域，公开了一种半导体结构的形成方法。该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面沉积有栅介质层和多晶硅层；对所述半导体衬底进行预掺杂；再对所述多晶硅层进行碳离子或锗离子注入；进行快速退火后，利... 详细信息

标准号: CN112885716B

该发明涉及半导体制造领域，公开了一种半导体结构的形成方法。该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面沉积有栅介质层和多晶硅层；对所述半导体衬底进行预掺杂；再对所述多晶硅层进行碳离子或锗离子注入；进行快速退火后，利用沉积和刻蚀工艺形成栅极。本发明通过在多晶硅沉积和快速热处理之间增加电中性的碳离子、锗离子的注入，在高温退火过程中，晶界处的碳离子、锗离子可以抑制多晶硅晶粒的长大，使多晶硅晶粒尺寸降低，能让掺杂离子P更好的扩散到多晶硅内，降低耗尽区的形成，同时避免形成多晶硅间隙，从而提高半导体器件的性能。

关键词：碳离子锗离子多晶硅晶粒多晶硅层衬底沉积半导体半导体衬底表面半导体制造领域半导体结构半导体器件多晶硅沉积多晶硅间隙快速热处理掺杂离子高温退火刻蚀工艺快速退火栅介质层电中性多晶硅耗尽区预掺杂晶界扩散

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：张永杰周永昌 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成栅极的栅极沟槽；第一介质层，位于所述栅极沟槽中；栅极介质层，位于所述第一介... 详细信息

标准号: CN117116768A

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成栅极的栅极沟槽；第一介质层，位于所述栅极沟槽中；栅极介质层，位于所述第一介质层顶面以及高于所述第一介质层顶面的栅极沟槽侧壁；栅极，位于所述栅极介质层表面，所述栅极顶面低于所述栅极沟槽顶面；第二介质层，位于所述栅极顶面且填满所述栅极沟槽，部分第二介质层贯穿所述栅极与所述栅极介质层连接；接地结构，贯穿所述第二介质层和所述栅极介质层延伸至所述第一介质层中。本申请可以增加源极金属与阱区的接触面积以及提高栅极介质层的可靠性。

关键词：介质层栅极介质层栅极沟槽顶面半导体结构外延层基底半导体衬底表面接地结构源极金属贯穿侧壁衬底填满阱区半导体申请延伸

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