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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

2,084 篇 专利

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2,084 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

1,000 篇 中芯国际集成电路...
144 篇 上海华虹宏力半导...
79 篇 上海华力微电子有...
74 篇 上海宏力半导体制...
57 篇 上海华力集成电路...
39 篇 中国科学院微电子...
37 篇 长鑫存储技术有限...
32 篇 长江存储科技有限...
26 篇 德淮半导体有限公...
24 篇 杭州士兰集成电路...
19 篇 格科微电子有限公...
17 篇 上海蓝光科技有限...
17 篇 飞锃半导体有限公...
16 篇 华虹半导体有限公...
15 篇 武汉新芯集成电路...
14 篇 无锡华润上华科技...
12 篇 中芯国际集成电路...
11 篇 中国科学院上海微...
11 篇 株式会社东芝
10 篇 中微半导体设备有...

作者

137 篇 三重野文健
77 篇 赵猛
62 篇 洪中山
61 篇 张海洋
47 篇 何永根
45 篇 周飞
44 篇 鲍宇
30 篇 涂火金
29 篇 甘正浩
28 篇 邓浩
28 篇 何其旸
28 篇 禹国宾
26 篇 曹子贵
25 篇 何有丰
24 篇 杨彦涛
24 篇 韩秋华
23 篇 谢欣云
23 篇 李勇
21 篇 肖德元
20 篇 冯军宏

语言

2,084 篇 中文

检索条件"主题词=半导体衬底表面"

共 2084 条记录，以下是71-80 订阅

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详细简洁

排序：

半导体器件及其制作方法

半导体器件及其制作方法

引用

作者：章纬杜青松 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，其中，所述半导体器件至少包括：半导体衬底和位于所述半导体衬底表面的存储单元；所述半导体衬底包括阱区、隔离结构、第一掺杂区和第二掺杂区；所述隔离结构、所述第一掺杂区和第二掺杂... 详细信息

标准号: CN116682844A

本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，其中，所述半导体器件至少包括：半导体衬底和位于所述半导体衬底表面的存储单元；所述半导体衬底包括阱区、隔离结构、第一掺杂区和第二掺杂区；所述隔离结构、所述第一掺杂区和第二掺杂区位于所述阱区内，且所述隔离结构至少位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间；所述存储单元位于所述第二掺杂区的顶表面并与所述第二掺杂区电连接。

关键词：掺杂区隔离结构半导体器件存储单元衬底半导体半导体衬底表面电连接顶表面阱区申请制作

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高电子场效应晶体管及其制作方法

高电子场效应晶体管及其制作方法

引用

作者：李佳魏珂袁婷婷张昇杜泽浩 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所

本发明公开了一种高电子场效应晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：制备无凹栅槽的HEMT器件，包括：半导体衬底：位于所述半导体衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述半导体衬底一侧的势垒层；以及位于所述势垒层背离所述缓冲... 详细信息

标准号: CN112928022B

本发明公开了一种高电子场效应晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：制备无凹栅槽的HEMT器件，包括：半导体衬底：位于所述半导体衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述半导体衬底一侧的势垒层；以及位于所述势垒层背离所述缓冲层一侧的钝化层；对所述钝化层进行刻蚀，形成露出所述势垒层的第一窗口；在所述第一窗口露出的所述势垒层表面形成氧化层；基于所述第一窗口刻蚀去除所述氧化层以及部分所述势垒层。应用本发明提供的技术方案，可以有效提高AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀重复性以及平整度，降低刻蚀随机性，提高器件性能。

关键词：势垒层缓冲层刻蚀钝化层氧化层凹栅衬底半导体随机性背离半导体衬底表面电子场效应势垒层表面器件性能槽刻蚀平整度晶体管去除制备制作应用

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半导体器件及其制备方法、图案化方法

半导体器件及其制备方法、图案化方法

引用

作者：王爱兵王昕 266246 山东省青岛市黄岛区红石崖街道山王河路1088号

本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、图案化方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底表面形成硅化物阻挡层，硅化物阻挡层上形成第一介质层，以及在第一介质层上涂覆光刻胶，并进行曝光，以得到图案化的光刻胶层。通过第一介质层... 详细信息

标准号: CN116959963A

本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、图案化方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底表面形成硅化物阻挡层，硅化物阻挡层上形成第一介质层，以及在第一介质层上涂覆光刻胶，并进行曝光，以得到图案化的光刻胶层。通过第一介质层穿插在硅化物阻挡层和光刻胶层之间的结构，以阻挡硅化物阻挡层内的活性氮原子进入光刻胶内而导致光刻胶变性，避免曝光图案区形成非均匀侧壁的光刻胶轮廓或结构，提高曝光后图案化的光刻胶层图案尺寸的均一性，进而提高图案化的硅化物阻挡层图案尺寸的均一性，提高半导体器件的硅化物阻挡层刻蚀良率。

关键词：硅化物阻挡层图案化光刻胶层光刻胶介质层半导体器件均一性硅化物阻挡层图案半导体衬底表面光刻胶轮廓活性氮原子曝光曝光图案非均匀变性侧壁衬底刻蚀良率涂覆制备半导体穿插图案阻挡申请

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：三重野文健周永昌 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层包括用于形成栅极的栅极区域；第一栅极氧化层，位于所述栅极区域的外延层表面；第二栅极氧化层... 详细信息

标准号: CN116564822A

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层包括用于形成栅极的栅极区域；第一栅极氧化层，位于所述栅极区域的外延层表面；第二栅极氧化层，位于所述第一栅极氧化层表面，所述第二栅极氧化层包括位于所述栅极区域相对边且沿所述相对边设置的两个第一部分以及位于所述两个第一部分之间且与所述第一部分垂直连接的若干间隔设置的第二部分；栅极，位于所述栅极区域上覆盖并接触所述第一栅极氧化层和第二栅极氧化层。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以减小半导体器件结场效应区的栅极氧化物处的高电场，从而提高器件可靠性。

关键词：栅极氧化层栅极区域半导体结构外延层基底半导体衬底表面栅极氧化层表面半导体器件器件可靠性外延层表面栅极氧化物场效应区垂直连接间隔设置高电场衬底减小申请半导体覆盖

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一种半导体外延的实现方法及半导体器件

一种半导体外延的实现方法及半导体器件

引用

作者：杨瑞坤 201203 上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

本发明提供一种半导体外延的实现方法，包括：在半导体器件的栅极形成之前，在半导体衬底表面形成硬掩模层，通过至少两次刻蚀工艺，刻蚀所述半导体衬底，形成阵列排布的半导体岛状结构，且各所述半导体岛状结构至少上部之间通过至少一... 详细信息

标准号: CN117219640A

本发明提供一种半导体外延的实现方法，包括：在半导体器件的栅极形成之前，在半导体衬底表面形成硬掩模层，通过至少两次刻蚀工艺，刻蚀所述半导体衬底，形成阵列排布的半导体岛状结构，且各所述半导体岛状结构至少上部之间通过至少一处连接结构相互连接，所述半导体岛状结构之间形成第一沟槽；其中，在所述至少两次刻蚀工艺中，于所述第一沟槽上部形成保护介质层；通过至少一次外延工艺在所述第一沟槽表面形成第一外延层；去除所述保护介质层和所述硬掩模层；通过至少一次外延工艺在所述第一外延层和所述半导体衬底表面形成第二外延层，所述第二外延层形成器件层。本发明的方案能够优化第二外延工艺开始时的表面均匀性，以及外延生长在晶圆上的均匀性，进而提升工艺窗口和品质，并简化了工艺步骤，提高了工艺效率。

关键词：外延层半导体岛状结构半导体衬底表面两次刻蚀一次外延硬掩模层介质层半导体器件半导体外延表面均匀性工艺步骤工艺窗口工艺效率沟槽表面连接结构外延工艺外延生长栅极形成阵列排布均匀性器件层衬底晶圆刻蚀去除半导体优化

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栅氧化层的形成方法

栅氧化层的形成方法

引用

作者：归琰 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明提供一种栅氧化层的形成方法，所述方法包括：步骤1)提供一半导体衬底，且所述半导体衬底包括中压器件区，用于形成中压器件；步骤2)利用第一原位水汽生成工艺于所述中压器件区的所述半导体衬底表面形成第一栅氧化层；步骤3)利用... 详细信息

标准号: CN117276060A

本发明提供一种栅氧化层的形成方法，所述方法包括：步骤1)提供一半导体衬底，且所述半导体衬底包括中压器件区，用于形成中压器件；步骤2)利用第一原位水汽生成工艺于所述中压器件区的所述半导体衬底表面形成第一栅氧化层；步骤3)利用高温氧化沉积工艺于所述第一栅氧化层表面形成第二栅氧化层；步骤4)利用第二原位水汽生成工艺对所述第一栅氧化层及所述第二栅氧化层进行退火处理。通过本发明解决了现有的形成于晶圆中心区域和边缘区域的中压器件的阈值电压Vt分布不均匀的问题。

关键词：栅氧化层中压器件原位水汽生成工艺衬底半导体半导体衬底表面晶圆中心区域栅氧化层表面阈值电压Vt 边缘区域高温氧化退火处理不均匀沉积

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：刘继全 201203 上海市浦东新区张江路18号

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面设置有第一介质层以及位于所述第一介质层中的若干第一金属层；刻蚀停止层，位于所述第一介质层和若干第一金属层表面；第二介质层，位于所述刻蚀停止... 详细信息

标准号: CN115985844A

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面设置有第一介质层以及位于所述第一介质层中的若干第一金属层；刻蚀停止层，位于所述第一介质层和若干第一金属层表面；第二介质层，位于所述刻蚀停止层表面；第二金属层，位于所述第二介质层中，所述第二金属层底部的一部分位于所述刻蚀停止层表面，所述第二金属层底部的另一部分电连接所述若干第一金属层中的一个第一金属层。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，在形成第二介质层之前先将刻蚀停止层打开，可以避免相邻第一金属层被第二金属层连通，从而提高器件可靠性。

关键词：介质层第一金属层第二金属层刻蚀停止层半导体结构半导体衬底表面器件可靠性电连接衬底申请半导体连通

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一种半导体介质层结构及制作方法

一种半导体介质层结构及制作方法

引用

作者：李杰英单亚东胡丹谢刚 518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科智西路5号科苑西25栋A609

本发明公开了一种半导体介质层结构及制作方法。该半导体介质层结构包括半导体衬底，半导体衬底表面设有外延层，外延层设有多个沟槽，外延层表面设有第一热氧化层，沟槽内填充有原位掺杂多晶硅，原位掺杂多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化... 详细信息

标准号: CN115566078A

本发明公开了一种半导体介质层结构及制作方法。该半导体介质层结构包括半导体衬底，半导体衬底表面设有外延层，外延层设有多个沟槽，外延层表面设有第一热氧化层，沟槽内填充有原位掺杂多晶硅，原位掺杂多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，沟槽相邻的第一热氧化层表面设有氮化硅层，氮化硅层表面设有第二热氧化层，第二热氧化层表面设有淀积的氧化层，淀积的氧化层以及第二热氧化层以及第二热氧化层底部的氮化硅层以及第一热氧化层的一部分镂空形成接触孔，接触孔内的底端中部延伸至外延层表面，使外延层顶部裸露，且接触孔底部内的底端边缘延伸至原位掺杂多晶硅，露出沟槽内壁的栅氧化层。本发明能够达到反向漏电流减少的目的。

关键词：热氧化层原位掺杂多晶硅氮化硅层接触孔外延层半导体介质层外延层表面栅氧化层氧化层淀积半导体衬底表面反向漏电流底端边缘沟槽内壁镂空延伸衬底底端填充半导体裸露制作

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太阳能电池及识别方法

太阳能电池及识别方法

引用

作者：吴君立黄纪德金井升刘长明张昕宇 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号

本发明公开了一种太阳能电池及识别方法，太阳能电池包括半导体衬底，以及位于半导体衬底表面侧的间隔排布的栅线电极和至少一个身份识别码，身份识别码包括用于形成电池数据追溯的多个标记点，其中至少一条栅线电极与至少一个标记点交... 详细信息

标准号: CN116314130A

本发明公开了一种太阳能电池及识别方法，太阳能电池包括半导体衬底，以及位于半导体衬底表面侧的间隔排布的栅线电极和至少一个身份识别码，身份识别码包括用于形成电池数据追溯的多个标记点，其中至少一条栅线电极与至少一个标记点交叠形成交叠区域，交叠区域的栅线电极宽度大于非交叠区域的栅线电极宽度且标记点的直径不小于非交叠区域的栅线电极宽度。本发明提高了身份识别码的解码率。

关键词：栅线电极身份识别码标记点非交叠区域太阳能电池交叠区域半导体衬底表面解码电池数据间隔排布线电极衬底交叠条栅半导体追溯

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监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法

监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法

引用

作者：何亮 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明提供一种监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，所述方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面形成栅氧化层；于所述栅氧化层表面形成光刻胶层，并对其进行图案化处理以漏出需刻蚀掉的所述栅... 详细信息

标准号: CN116313761A

本发明提供一种监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，所述方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面形成栅氧化层；于所述栅氧化层表面形成光刻胶层，并对其进行图案化处理以漏出需刻蚀掉的所述栅氧化层；通过扫描判断漏出的所述栅氧化层表面是否存在水汽化合物，若判断结果为是，利用去离子水对漏出的所述栅氧化层进行清洗。通过本发明解决了现有的双栅极易产生氧化物残留的问题。

关键词：栅氧化层漏出栅氧化层表面氧化物残留双栅极晶圆半导体衬底表面图案化处理光刻胶层判断结果去离子水水汽衬底刻蚀半导体清洗扫描监测预防

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