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沉淀法制备Sm^(3+),Er^(3+)与Nd^(3+)一次共掺杂的BaTiO_3基半导体陶瓷电容器

中国稀土学报 2006年第Z1期24卷 96-101页

作者：柴艮风施哲陈玉林李春花昆明理工大学材料与冶金学院云南昆明650093

在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%~5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.589... 详细信息

在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%~5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.5895μ***-2电性能参数。

关键词：共沉淀法半导体陶瓷电容器施主掺杂稀土

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表面层型半导体陶瓷电容器

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电子学报 2000年第8期28卷 142-142,138页

作者：王振平赵俊斌李勇章士瀛东莞宏明南方电子陶瓷有限公司

1 引言半导体陶瓷电容器(以下简称半导C)特大的比体积电容量(MF/cm3)是传统陶瓷电容器所不可比拟的.这种小型化的新型元件具有颇具吸引力的市场潜力.特别是在尚未100%或不需100%采用SMT组装技术的电子产品中,如电视机、计算机、音响、... 详细信息

1 引言半导体陶瓷电容器(以下简称半导C)特大的比体积电容量(MF/cm3)是传统陶瓷电容器所不可比拟的.这种小型化的新型元件具有颇具吸引力的市场潜力.特别是在尚未100%或不需100%采用SMT组装技术的电子产品中,如电视机、计算机、音响、电话机、电子玩具、白色家电……等产品中的耦合、隔流、滤波、旁路等电路中使用半导C,无疑是最佳选择.目前市场需求热点是Y5V、Y5U、Y5P三种温度特性组别的Ba-TiO3基表面层型半导C和具有更佳温度特性、频率特性和更高使用频率(达几GHz)的SrTio3基晶界层型半导C.国际市场年需求量近300亿只,国内年需求量约50亿只左右,在总需求量中表面层型半导C约占91%～95%,晶界层型半导C约占5%～10%.半导C的生产关键是半导化瓷片的制造技术和设备,国内大多数厂家由于不具备这种技术和设备,所以长期依靠进口进行后工序加工.'东莞宏明'公司利用产学研优势,利用和国外厂商技术交流的机会,并通过自身的努力研制成功关键的设备--气氛烧结组合炉(专利号72.992.364205),并成功地掌握了半导C瓷片和半导C的制造技术,于1999年12月在信息产业部主持下,通过了半导C的生产定型,获得鉴定委员会专家们的高度评价.目前已形成年产6亿只半导体瓷片能力,很快将扩大至12亿只/年的生产能力.本文仅就表面层型半导体C的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数作一简要介绍.

关键词：表面层型半导体陶瓷电容器

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Finder-1000 X射线能谱仪在半导体陶瓷电容器制程中的应用

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电子显微学报 2003年第6期22卷 528-529页

作者：李静王振平广东南方宏明电子科技股份有限公司广东东莞523077

X射线能谱（EDX）分析是目前使用最广泛的表面及亚表面微区化学成分的分析方法之一。

关键词： Finder-1000X射线能谱仪 EDX 半导体陶瓷电容器表面层型半导体瓷片表面污染黑斑表面疵病

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SEM二次电子成像在半导体陶瓷电容器研制中的应用

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电子显微学报 2001年第4期20卷 402-403页

作者：章仲涛李静王振平章士瀛东莞宏明南方电子陶瓷有限公司东莞523077

半导体陶瓷电容器的瓷坯为小圆片.瓷片经过烧结、还原半导化和再氧化后,表面形成很薄的氧化介质层,中间是n型半导体,电阻很小,起连接导通作用.瓷片两表面印制电极后,等效于一对串联电容器.由于氧化介质层很薄,且为高介电材料,所以能够... 详细信息

半导体陶瓷电容器的瓷坯为小圆片.瓷片经过烧结、还原半导化和再氧化后,表面形成很薄的氧化介质层,中间是n型半导体,电阻很小,起连接导通作用.瓷片两表面印制电极后,等效于一对串联电容器.由于氧化介质层很薄,且为高介电材料,所以能够获得很大的电容量.其结构示意图如图1.半导体部分和氧化介质层部分虽然材料是一致的,但由于晶格结构缺陷(氧缺位),而使半导体和氧化介质层SEM二次电子成像中表现出明显不同的衬度,通过衬度对比,我们测出氧化介质层厚度,并且观察判断氧化程度及其一致性,它们与工艺、性能密切相关,给产品开发和生产提供了十分有用的依据.

关键词：半导体陶瓷电容器 SEM 二次电子成像应用瓷坯氧化介质层晶格缺陷

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表面层型半导体陶瓷电容器的开发及产业化

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材料导报 2000年第9期14卷 66-68页

作者：王振平赵俊斌李勇章士瀛东莞宏明南方电子陶瓷有限公司东莞523077

表面层型半导体陶瓷电容器的开发成功,是我国新型元件领域中的一项高新技木及其产业化的突破。重点介绍了表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构和原理。本项目开发创新成果:隧道式气氛烧结组合炉,还原气氛的获取,半导化及再氧化技术,工... 详细信息

表面层型半导体陶瓷电容器的开发成功,是我国新型元件领域中的一项高新技木及其产业化的突破。重点介绍了表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构和原理。本项目开发创新成果:隧道式气氛烧结组合炉,还原气氛的获取,半导化及再氧化技术,工程中设计参数及氧化层厚度观察及量测技术等。

关键词：表面层型结构原理半导体陶瓷电容器产业化

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包裹法制备BaTiO3基半导体陶瓷电容器

包裹法制备BaTiO3基半导体陶瓷电容器

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作者：柴艮风昆明理工大学

学位级别：硕士

本文在共沉淀法的基础上,研究了一次掺杂不同浓度的Nd3+（0.030—0.065）对Y5V型BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能的影响。本实验采用自己独特的共沉淀法,其原理为: BaCl2+2NH4HCO3→BaCO3↓+2NH4Cl+CO2↑+H2O 2LnCI3+6NH4HCO3→Ln2（... 详细信息

本文在共沉淀法的基础上,研究了一次掺杂不同浓度的Nd3+（0.030—0.065）对Y5V型BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能的影响。本实验采用自己独特的共沉淀法,其原理为: BaCl2+2NH4HCO3→BaCO3↓+2NH4Cl+CO2↑+H2O 2LnCI3+6NH4HCO3→Ln2（CO3）3+6NH4Cl+3CO2↑+3H2O BaCO3+TiO2→BaTiO3+CO2 BaCl2和NH4HCO3反应生成BaCO3,以TiO2为核,BaCO3包裹在TiO2的周围。稀土离子采用一次掺杂法,此法属于异质共沉淀法。生成物在烧成时反应生成钛酸盐。粉体采用1160℃烧成,由激光粒度分析粉体粒度在2-5μm左右,分布比较集中。材料制成直径约10mm,厚约1mm左右的圆片。通过XRD分析,粉体与瓷片均呈四方相。由于掺杂不同的元素也引起了晶格常数不同的变化,111面及200面有明显的晶格取向。把瓷片在不同温度不同保温时间下进行烧结后发现1360℃保温3小时为最佳烧结条件。高浓度Nd3+的掺杂使陶瓷呈绝缘性,大大增大了BaTiO3的介电常数ε,Nd3+浓度在（0.030—0.055）范围内,本征陶瓷的介电常数基本随着Nd3+浓度的升高而增大,居里点Tc和介电损耗tan δ降低,在Nd3+浓度为0.055-0.060左右时出现一个拐点。用Ba1-xNdxTiO3与Ba1-3/2xNdxTiO3两种不同配方进行对比,考虑了电价平衡的配方Ba1-3/2xNdxTiO3可以增加材料的抗还原性,所得瓷片的电性能要好于Ba1-xNdxTiO3配方的电性能;通过一次掺杂Zr4+,发现Zr4+的加入使居里温度下移,可大幅度提高介电常数,MnCO3的掺杂对本征瓷片的电性能影响不大。用一次掺杂法,研究了Nd3++Sm3+与Nd3++Er3+在浓度为0.040—0.050时双掺杂对材料的电性能的影响。在所掺杂浓度范围内,Sm3+和Er3+的加入使介电常数降低很多,但可以提高居里温度。Sm3+和Er3+的浓度在25mol%时为最佳掺杂浓度。瓷片经还原再氧化处理之后,单掺杂Nd3+的材料由于抗还原性不强,最后的电性能并不能达到要求,添加了Zr4+之后则有很大改善,其绝缘电阻可达到500MΩ,表明Zr4+有一定的抗还原性。加入了MnCO3之后瓷片的绝缘

关键词：共沉淀法 BaTiO3 施主掺杂半导体陶瓷电容器表面层型还原再氧化空位补偿

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半导体陶瓷电容器还原烧成炉

半导体陶瓷电容器还原烧成炉

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作者：李言黄瑞南林榕 515041 广东省汕头市汕头高新区科技西路9号

一种半导体陶瓷电容器还原烧成炉，包括炉体和炉膛，炉膛安装在炉体上，其特征是：所述炉膛包括炉管，炉管沿水平方向设置，炉管由自前至后依次相连接的炉管前段、炉管中段和炉管后段组成，炉管中段处在炉体的腔体内，炉管前段和炉管后... 详细信息

标准号: CN203364599U

一种半导体陶瓷电容器还原烧成炉，包括炉体和炉膛，炉膛安装在炉体上，其特征是：所述炉膛包括炉管，炉管沿水平方向设置，炉管由自前至后依次相连接的炉管前段、炉管中段和炉管后段组成，炉管中段处在炉体的腔体内，炉管前段和炉管后段处于炉体外；炉管中段的外壁上绕有钼丝；炉管前段的前端设有炉管入口，炉管入口处设有入口炉门和第一火帘；炉管后段的后端设有炉管出口，炉管出口处设有出口炉门和第二火帘；所述半导体陶瓷电容器还原烧成炉还包括能够为炉体腔体、炉管腔体、第一火帘和第二火帘提供氮氢混合气体的氮氢混合气体供给装置。本实用新型能够连续式使用，生产效率高，能够满足大批量生产的使用要求，且能耗较低。

关键词：炉管火帘炉体炉膛半导体陶瓷电容器氮氢混合气体烧成还原出口炉门供给装置入口炉门连续式入口处后端腔体体腔外壁钼丝能耗连接出口

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半导体陶瓷电容器还原烧成炉的炉膛

半导体陶瓷电容器还原烧成炉的炉膛

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作者：李言黄瑞南林榕 515041 广东省汕头市汕头高新区科技西路9号

一种半导体陶瓷电容器还原烧成炉的炉膛，其特征在于包括炉管，炉管沿水平方向设置，炉管由自前至后依次相连接的炉管前段、炉管中段和炉管后段组成，炉管中段的外壁上绕有钼丝，炉管前段的前端设有炉管入口，炉管入口处设有入口炉门和... 详细信息

标准号: CN203364595U

一种半导体陶瓷电容器还原烧成炉的炉膛，其特征在于包括炉管，炉管沿水平方向设置，炉管由自前至后依次相连接的炉管前段、炉管中段和炉管后段组成，炉管中段的外壁上绕有钼丝，炉管前段的前端设有炉管入口，炉管入口处设有入口炉门和第一火帘，炉管后段的后端设有炉管出口，炉管出口处设有出口炉门和第二火帘。具有本实用新型的炉膛的半导体陶瓷电容器还原烧成炉对半导体陶瓷电容器生坯进行烧结时，能够连续式使用，生产效率高，能够满足大批量生产的使用要求，且生产过程中热能损失少，能耗较低。

关键词：炉管半导体陶瓷电容器炉膛火帘烧成还原出口炉门热能损失入口炉门烧结连续式入口处后端生坯外壁钼丝能耗连接出口

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半导体陶瓷电容器还原烧成炉的气体供给装置

半导体陶瓷电容器还原烧成炉的气体供给装置

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作者：李言黄瑞南林榕 515041 广东省汕头市汕头高新区科技西路9号

一种半导体陶瓷电容器还原烧成炉的气体供给装置，其特征在于包括氮氢混合气体供给装置和氮气供给装置，氮氢混合气体供给装置的氮氢混合气体供给口和氮气供给装置的氮气供给口均连接至一总供气管，氮氢混合气体供给装置的氮氢混合气体... 详细信息

标准号: CN203364622U

一种半导体陶瓷电容器还原烧成炉的气体供给装置，其特征在于包括氮氢混合气体供给装置和氮气供给装置，氮氢混合气体供给装置的氮氢混合气体供给口和氮气供给装置的氮气供给口均连接至一总供气管，氮氢混合气体供给装置的氮氢混合气体供给口处设置有第一供气开关电磁阀，氮气供给装置的氮气供给口处设置有第二供气开关电磁阀。本实用新型能够为半导体陶瓷电容器还原烧成炉提供各个运行阶段所需的氮氢混合气体或氮气，从而确保半导体陶瓷电容器还原烧成炉可靠安全地运行。

关键词：氮氢混合气体半导体陶瓷电容器氮气供给装置供给装置烧成还原氮气供给供气开关电磁阀口处气体供给装置氮气供气连接

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半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器

半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器

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作者：石井辰也增田健一郎日高重和夏井秀定塚田岳夫日本东京都

本发明涉及半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器，更具体地，涉及BaTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用其的层叠型半导体陶瓷电容器。其目的在于提供通过提高半导体陶瓷部分的绝缘性，从而可兼具作为半导体陶瓷的高介电特性和高绝缘电... 详细信息

标准号: CN102731089A

本发明涉及半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器，更具体地，涉及BaTiO₃系晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用其的层叠型半导体陶瓷电容器。其目的在于提供通过提高半导体陶瓷部分的绝缘性，从而可兼具作为半导体陶瓷的高介电特性和高绝缘电阻的层叠型半导体陶瓷电容器。本发明所述的BaTiO₃系半导体陶瓷，其特征在于，其由Ba_A(Ti_1-α-βGa_αNb_β)_BO₃所示，A/B摩尔比在0.900以上且1.060以下的范围，α/β摩尔比在0.92以上且100以下的范围。

关键词：半导体陶瓷半导体陶瓷电容器摩尔比介电特性高绝缘绝缘性电阻晶界绝缘

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