检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 382-384页

作者：柏松陈刚李哲洋张涛汪浩蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W... 详细信息

分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参数的不同是造成微波性能差异的主要原因.

关键词：碳化硅导通衬底半绝缘衬底 MESFET 微波功率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半绝缘衬底长波长半导体激光器及其制作方法

半绝缘衬底长波长半导体激光器及其制作方法

引用

一种半绝缘衬底长波长半导体激光器,主要包括：P面电极部分和N面电极部分以及两者间的隔离沟道;其中,P面电极部分和N面电极部分主体包括：一半绝缘铟磷衬底;一低压金属有机化合物气相沉积法生长的激光器材料结构,该激光器材料结构制作... 详细信息

标准号: hg08019915

一种半绝缘衬底长波长半导体激光器,主要包括：P面电极部分和N面电极部分以及两者间的隔离沟道;其中,P面电极部分和N面电极部分主体包括：一半绝缘铟磷衬底;一低压金属有机化合物气相沉积法生长的激光器材料结构,该激光器材料结构制作在半绝缘铟磷衬底上;一二氧化硅介质层,该二氧化硅介质层蒸发溅射在材料结构上;一双沟脊形波导区,该双沟脊形波导区采用湿法刻蚀的方法制作在激光器材料结构上;一P面电极层,该P面电极层制作在双沟脊形波导区上;所述的隔离沟道是采用湿法刻蚀的方法形成的,该隔离沟道的外侧为一N面电极区,该隔离沟道形成有一台阶结构;这种结构保证了激光器的P面电极和N面电极共面。200410080410.8

关键词：半导体激光器半绝缘衬底长波长制作方法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

在半绝缘衬底上的GaAs—GaAlAs异质结激光器

引用

半导体光电 1979年第3期 49-58页

作者： CHIENPING LEE SHLOMO MARGALIT AND YARIV 杨德林

在半绝缘衬底上制造了两种 GaAs—GaAlAs 异质结构的激光器。实现了低阈值单模工作。研究了在同一 GaAs 芯片上激光器与一个有源电子器件(Gunn 振荡器)的集成。

关键词：激光器近场光激射器电子器件电磁场 GaAs GaAlAs 半绝缘衬底

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

在半绝缘衬底上制作的1.5μm波长范围InP/GaInAsP隐埋异质结构激光器

引用

微纳电子技术 1983年第2期 80-82页

作者： T.Matsuoka 张华

在半绝缘InP衬底上制作了1.5μm波长范围的InP/GaInAsP隐埋异质结构(BH)激光器。在25℃和CW工作条件下,激光器的阈值电流低至38mA。这一结果与在n型InP衬底上制造的BH激光器的阈值电流几乎一样。

关键词：激光器波长范围异质结构光激射器电子器件 InP/GaInAsP 半绝缘衬底阈值电流

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松陈刚李哲洋张涛汪浩蒋幼泉单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率... 详细信息

本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参致的不同是造成微波性能差异的主要原因.

关键词：碳化硅导通衬底半绝缘衬底微波功率 MESFET结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

11千兆赫带宽直接调制、半绝缘衬底室温GaAlAs窗口激光器

引用

激光与光电子学进展 1984年第10期 21-22页

作者：肖宗耀

由于对波长直到X波段的微波信号的光传输方面的兴趣促使人们在把半导体激光器的本征直接调制的带宽推向更高频率方面作了大量研究。运转激光器的调制带宽B与各种参数间的基本关系是: B=1/2π（APO/τp）1/2这里,A是光模的微分光增益常数... 详细信息

由于对波长直到X波段的微波信号的光传输方面的兴趣促使人们在把半导体激光器的本征直接调制的带宽推向更高频率方面作了大量研究。运转激光器的调制带宽B与各种参数间的基本关系是: B=1/2π（APO/τp）1/2这里,A是光模的微分光增益常数,PO是有

关键词：激光器调制带宽半绝缘衬底光激射器电子器件 GaAlAs 直接调制千兆赫

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

在半绝缘衬底上制造的槽型GaInAsP激光器

引用

微纳电子技术 1982年第1期 82-82页

作者：张华

美国加州工学院在半绝缘衬底上制造了一种新型的GaInAsP注入式激光器。这种结构是在刻了槽沟的衬底上采用单层液相外延生长工艺方法形成的折射率波导型器件。电流的限制是通过GaInAsP有源层周围的半绝缘InP层来实现的。器件在250 μm腔... 详细信息

美国加州工学院在半绝缘衬底上制造了一种新型的GaInAsP注入式激光器。这种结构是在刻了槽沟的衬底上采用单层液相外延生长工艺方法形成的折射率波导型器件。电流的限制是通过GaInAsP有源层周围的半绝缘InP层来实现的。器件在250 μm腔长的条件下,阈值电流低至28mA,光-电流特性可线性上升到阈值电流,I;的5倍。在1.20μm波长下直到1.3

关键词：半绝缘衬底 GaInAsP 电流

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Mg掺杂氧化镓研究进展

引用

人工晶体学报 2025年第3期54卷 361-370页

作者：孙汝军张晶辉李一帆郝跃张进成西安电子科技大学宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室西安710071 西安电子科技大学集成电路学部西安710071

氧化镓(Ga_(2)O_(3))材料具有超宽禁带宽度、高击穿电场强度,在电力电子器件和光电器件领域具有巨大应用前景。虽然氧化镓难以实现p型导电,但仍可以利用p型掺杂调控能带实现电学性能设计。实验上已验证的氧化镓p型掺杂杂质有Mg、Fe、N... 详细信息

氧化镓(Ga_(2)O_(3))材料具有超宽禁带宽度、高击穿电场强度,在电力电子器件和光电器件领域具有巨大应用前景。虽然氧化镓难以实现p型导电,但仍可以利用p型掺杂调控能带实现电学性能设计。实验上已验证的氧化镓p型掺杂杂质有Mg、Fe、N、Zn、Cu、Ni、Co等,其中,Mg掺杂由于形成能最低、能级位置最靠近价带顶,以及掺入方法多而被大量研究。本文聚焦Mg掺杂,首先对Mg掺杂氧化镓的受主能级的理论计算认识和实验测试结果进行综述;接着总结了Mg掺杂氧化镓半绝缘单晶和外延层的各种掺杂方法、掺杂浓度,以及在热处理中Mg扩散等关键问题;最后指出关于Mg掺入、激活及扩散机制还值得进一步研究,并对其未来进行了展望。

关键词：氧化镓 Mg掺杂半绝缘衬底电流阻挡层电学性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016

文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息

文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×10 12cm-2、迁移率达188cm2/V·s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的AlGaN/GaN HEMT,小信号测试表明器件fT为31.6GHz、最高振荡频率fmax为36.8GHz。研制的1mm栅宽器件8GHz、45V工作电压下饱和输出功率10.52W,功率增益和功率附加小率分别为7.62dB和45.8％。

关键词：电子迁移率晶体管电流崩塌输出功率异质结振荡频率半绝缘衬底

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

提高SiC MESFET功率增益的研究

引用

半导体技术 2010年第4期35卷 333-336页

作者：娄辰潘宏菽中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

在高纯半绝缘衬底上采用国产的外延技术和自己开发的器件设计及工艺技术,研制出在S波段连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,比研制初期的3～5 dB的功率增益得到了较大幅度的提高,初步显现了Si... 详细信息

在高纯半绝缘衬底上采用国产的外延技术和自己开发的器件设计及工艺技术,研制出在S波段连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,比研制初期的3～5 dB的功率增益得到了较大幅度的提高,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势。采用亚微米光刻和低欧姆接触形成及减小附加寄生参量,使器件在更大功率输出的情况下,功率增益和功率附加效率得到了明显提升,证明采取的措施是有效的。

关键词：碳化硅微波功率器件金属-半导体场效应晶体管半绝缘衬底

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：