检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2015年第6期35卷 513-517,544页

作者：姚常飞罗运生周明赵博南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开... 详细信息

为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开关插损典型值1.0dB,不一致性小于0.45dB;91~98GHz测得开关隔离典型值25dB,不一致性小于5dB,92.5~94.5GHz隔离典型值32dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18、20、10和18ns;开关尺寸2.8mm×2.6mm。其作为接收保护开关和发射调制开关可集成应用于W波段收发组件中。

关键词： W波段单刀单掷开关 PIN二极管插损隔离度

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76～85GHz集成单刀单掷开关研究

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微波学报 2016年第4期32卷 69-72页

作者：苏斌朱建立姚常飞中国空空导弹研究院洛阳471000

为了解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,基于0.1 mm厚2英寸熔制石英薄膜电路工艺,研制出了应用于W波段PIN二极管单刀单掷开关。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了3个SPST开关作了测试,测试结果为,在76-85 GHz频率范围... 详细信息

为了解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,基于0.1 mm厚2英寸熔制石英薄膜电路工艺,研制出了应用于W波段PIN二极管单刀单掷开关。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了3个SPST开关作了测试,测试结果为,在76-85 GHz频率范围内,开关插损小于1.3 d B,不一致性小于0.5 d B;开关隔离度大于20 d B;开关响应时间、导通时间、关断时间小于20 ns;开关尺寸3.2 mm×3.2 mm。结果表明,该开关可作为接收保护开关和发射调制开关应用于W波段收发组件中。

关键词： W波段单刀单掷开关 PIN二极管收发组件插损

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一种吸收式单刀单掷开关的设计

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通信电源技术 2021年第21期38卷 51-53页

作者：戴林华上海华湘计算机通讯工程有限公司上海200233

讨论了一种利用PIN管特性设计的吸收式单刀单掷开关。该开关采用串并联结构的设计方法,通过金丝压焊技术进行装配,同时设计了驱动电路,最终研制成了工作频率为0.6~3 GHz、插损小于2.5 dB、隔离度大于80 dB、电压驻波比小于1.5以及开关... 详细信息

讨论了一种利用PIN管特性设计的吸收式单刀单掷开关。该开关采用串并联结构的设计方法,通过金丝压焊技术进行装配,同时设计了驱动电路,最终研制成了工作频率为0.6~3 GHz、插损小于2.5 dB、隔离度大于80 dB、电压驻波比小于1.5以及开关时间小于1μs的PIN管吸收式单刀单掷开关,并已经可以在微波系统中广泛应用。

关键词： PIN管吸收式单刀单掷开关

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K波段单刀单掷开关研制

K波段单刀单掷开关研制

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2018年全国微波毫米波会议

作者：朱贵德中国西南电子技术研究所

文中介绍了一种K波段（20GHz3GHz）宽带单刀单掷开关的设计方法。整个设计过程使用HFSS软件完成,通过提取二极管精确的阻抗参数设计出了K波段宽带单刀单掷开关。最终加工测试开关在20～33GHz频段内差损小于0.8dB,隔离度大于25dB,并且开... 详细信息

文中介绍了一种K波段（20GHz3GHz）宽带单刀单掷开关的设计方法。整个设计过程使用HFSS软件完成,通过提取二极管精确的阻抗参数设计出了K波段宽带单刀单掷开关。最终加工测试开关在20～33GHz频段内差损小于0.8dB,隔离度大于25dB,并且开关时间在2ns左右。

关键词： K波段单刀单掷开关阻抗提取

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Ku/K波段砷化镓PIN二极管单片单刀单掷开关

Ku/K波段砷化镓PIN二极管单片单刀单掷开关

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：吴茹菲尹军舰张健刘亮刘会东张海英中国科学院微电子研究所北京 100029中国

基于中科院微电子研究所的砷化镓PIN二极管工艺,研制了一种单片单刀单掷开关。为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了准确的砷化镓PIN二极管小信号模型。在9.5GHZ到26.5GHZ的频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值为1.3dB,回波损耗大... 详细信息

基于中科院微电子研究所的砷化镓PIN二极管工艺,研制了一种单片单刀单掷开关。为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了准确的砷化镓PIN二极管小信号模型。在9.5GHZ到26.5GHZ的频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值为1.3dB,回波损耗大于10dB;开关关断状态的隔离度最大值为35dB。在1.3V的偏置电压下工作电流为7mA。

关键词：砷化镓单刀单掷开关 PIN二极管插入损耗

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GaAs平面PIN二极管单刀单掷开关单片

GaAs平面PIN二极管单刀单掷开关单片

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2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：陈新宇许正荣蒋幼泉李拂晓南京电子器件研究所 210016CHNC

采用GaAs平面PIN二极管,完成DC～26.5GHz的单刀单掷开关的设计、制作.宽带单刀单掷开关单片带内差损小于0.5dB,26.5GHz处隔离度22dB.开关单片采用离子注入技术的GaAs平面工艺加工制作.

关键词： GaAs PIN二极管单刀单掷开关

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基于GaAs PIN工艺的非反射型毫米波单刀单掷开关单片

基于GaAs PIN工艺的非反射型毫米波单刀单掷开关单片

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2009年全国微波毫米波会议

作者：蒋东铭陈新宇蒋幼泉黄子乾冯欧南京电子器件研究所

采用3英寸圆片GaAs PIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAs PIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点,工作频段25～40GHz,输入端在关断态下采用非反射设计。在片测试表明,导通态下开关插损小于1.2dB,... 详细信息

采用3英寸圆片GaAs PIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAs PIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点,工作频段25～40GHz,输入端在关断态下采用非反射设计。在片测试表明,导通态下开关插损小于1.2dB,驻波优于1.5,关断态下隔离度大于20dB,驻波优于2.5。开关在导通态下1dB功率压缩点P大于1W。

关键词：毫米波 GaAs PIN二极管单刀单掷开关单片

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高隔离微带PIN单刀单掷开关

高隔离微带PIN单刀单掷开关

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2003'全国微波毫米波会议

作者：刘呈斌徐军罗慎独电子科技大学

本文介绍了微带PIN单刀单掷开关的设计过程,讨论在用户要求的频段范围内,实现高隔离度的方法。测试结果表明,在5.31～5.81GHz的频率范围内,插损小于2.7dB,隔离度大于55dB。

关键词：单刀单掷开关高隔离度插损

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1-40GHz GaAs PIN管单刀单掷开关单片

1-40GHz GaAs PIN管单刀单掷开关单片

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第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

作者：陈新宇许正荣蒋幼泉黄子乾李拂晓南京电子器件研究所南京210016

本文采用GaAs PIN二极管,完成1～40 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.砷化镓PIN二极管SPST开关单片具有低插损,高隔离,高功率的特点,在1～10 GHz带内插损0.3 dB,驻波优于1.1,隔离度大于24 dB,在10～40 GHz,带内插损小于0.8 dB,驻波优... 详细信息

本文采用GaAs PIN二极管,完成1～40 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.砷化镓PIN二极管SPST开关单片具有低插损,高隔离,高功率的特点,在1～10 GHz带内插损0.3 dB,驻波优于1.1,隔离度大于24 dB,在10～40 GHz,带内插损小于0.8 dB,驻波优于1.2,隔离度大于30 ***二极管SPST开关单片的1 dB功率压缩点P-1大于1 *** PIN二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构,(O)76 mm GaAs圆片工艺加工制作.

关键词：毫米波砷化镓 PIN二极管单刀单掷开关微波集成电路

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高隔离微带PIN单刀单掷开关

高隔离微带PIN单刀单掷开关

引用

2003全国微波毫米波会议

作者：刘呈斌徐军罗慎独电子科技大学(成都)

本文介绍了微带PIN单刀单掷开关的设计过程,讨论在用户要求的频段范围内,实现高隔离度的方法.测试结果表明,在5.31~5.81GHz的频率范围内,插损小于2.7dB,隔离度大于55dB.

关键词：单刀单掷开关高隔离度插损微带开关 PIN单刀单掷开关

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