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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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- 8 篇 教育学
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作者

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351 篇 中文

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一种基于变压器的宽带单刀单掷开关及单刀多掷开关

一种基于变压器的宽带单刀单掷开关及单刀多掷开关

引用

作者：马顺利章锦程任俊彦 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于电子开关技术领域，具体为一种基于变压器的宽带单刀单掷开关及单刀多掷开关。本发明单刀单掷开关包括：第一开关晶体管与第二开关晶体管，两者导通时呈现为一个小的导通电阻，关断时呈现为一个关断电容；变压器，在两个开关... 详细信息

标准号: CN111525917B

本发明属于电子开关技术领域，具体为一种基于变压器的宽带单刀单掷开关及单刀多掷开关。本发明单刀单掷开关包括：第一开关晶体管与第二开关晶体管，两者导通时呈现为一个小的导通电阻，关断时呈现为一个关断电容；变压器，在两个开关晶体管关断时与关断电容共同构成一个宽带阻抗匹配网络；四分之一波长传输线，将第二开关晶体管导通时的小的导通电阻转换为一个高的实阻抗。本发明可以实现一个宽带的单刀单掷开关，在两个开关晶体管导通时单刀单掷开关关断，在两个开关晶体管关断时单刀单掷开关导通；所述单刀单掷开关通过并联构成单刀多掷开关；宽带单刀单掷开关及单刀多掷开关在导通时具有较宽射频带宽，同时具有直流隔离与宽带匹配的功能。

关键词：单刀单掷开关开关晶体管导通关断宽带单刀多掷开关导通电阻关断电容变压器四分之一波长传输线电子开关技术宽带阻抗匹配第一开关射频带宽直流隔离实阻抗晶体管并联匹配转换网络

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一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关

一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关

引用

作者：沈光煦 210046 江苏省南京市栖霞区文苑路9号

本发明公开了一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关，包括第一射频端口P1、第二射频端口P2、N个直流端口VgN、至少N+1个耦合电感和N个谐振单元，N个谐振单元均由一端接地的晶体管与一端接地的补偿电感并联构成，第一射频端口P1和... 详细信息

标准号: CN113206658B

本发明公开了一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关，包括第一射频端口P1、第二射频端口P2、N个直流端口V_gN、至少N+1个耦合电感和N个谐振单元，N个谐振单元均由一端接地的晶体管与一端接地的补偿电感并联构成，第一射频端口P1和第二射频端口P2之间电连接有至少N+1个耦合电感和N个谐振单元，第一射频端口P1和谐振单元之间电连接有耦合电感，第二射频端口P2和谐振单元之间电连接有耦合电感，谐振单元之间电连接有耦合电感。本发明公开的半导体射频单刀单掷开关具有尺寸小、导通传输损耗低的优点，通过提出一种耦合谐振式拓扑，可以实现宽带匹配，特别适用于毫米波频段。

关键词：射频端口耦合电感谐振单元电连接单刀单掷开关耦合谐振接地射频半导体毫米波频段补偿电感传输损耗直流端口晶体管并联导通宽带拓扑匹配

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一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关

一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关

引用

作者：沈光煦 210046 江苏省南京市栖霞区文苑路9号

标准号: CN113206658A

关键词：射频端口耦合电感谐振单元电连接单刀单掷开关耦合谐振接地射频半导体毫米波频段补偿电感传输损耗直流端口晶体管并联导通宽带拓扑匹配

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一种毫米波单刀单掷开关

一种毫米波单刀单掷开关

引用

作者：齐步坤刘家兵 230088 安徽省合肥市高新区创新大道425号安徽省科技成果转化示范基地E幢

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种毫米波单刀单掷开关，包括第一开关模块，第一开关模块的控制端与第一控制端连接，第一端与第一射频端连接，第二端与第二射频端连接；至少两个并联支路结构，至少一个并联支路结构与第一射频端连... 详细信息

标准号: CN116545425A

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种毫米波单刀单掷开关，包括第一开关模块，第一开关模块的控制端与第一控制端连接，第一端与第一射频端连接，第二端与第二射频端连接；至少两个并联支路结构，至少一个并联支路结构与第一射频端连接，剩余并联支路结构与第二射频端连接；并联支路结构包括第二开关模块和自偏置负载模块，第二开关模块的控制端与第二控制端连接，第二开关模块的第一端与第一射频端或第二射频端连接，第二开关模块的第二端与自偏置负载模块的第一端连接，自偏置负载模块的第二端接入电源电压，用于自适应调节毫米波单刀单掷开关的负载阻抗。本方案能够同时改善毫米波开关的开态插入损耗、关态隔离度和输入1dB压缩功率等参数。

关键词：射频端并联支路开关模块控制端负载模块第一端自偏置单刀单掷开关毫米波第一开关集成电路领域毫米波开关自适应调节插入损耗负载阻抗接入电源隔离度关态开态压缩

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DC-40GHz反射式单刀单掷开关

DC-40GHz反射式单刀单掷开关

引用

作者：齐步坤黄军恒 230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1楼1001-1002室

本实用新型涉及微波开关技术领域，尤其为DC‑40GHz反射式单刀单掷开关，有7级开关晶体管结构，两个射频端口，两个直流控制端口，各级晶体管通过电感相连，组成多级串并联开关结构；各级晶体管栅极通过高阻值电阻与直流控制端口相连，... 详细信息

标准号: CN208062218U

本实用新型涉及微波开关技术领域，尤其为DC‑40GHz反射式单刀单掷开关，有7级开关晶体管结构，两个射频端口，两个直流控制端口，各级晶体管通过电感相连，组成多级串并联开关结构；各级晶体管栅极通过高阻值电阻与直流控制端口相连，实现状态控制；整体电路以第4级晶体管为轴线镜面对称；两个射频端口可互易分别作为输入、输出端口。本实用新型电路结构简单，具有超带宽、开态输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷，能够满足雷达、通讯等微波工程的指标需求。

关键词：直流控制端口本实用新型射频端口晶体管单刀单掷开关输出反射系数电感串并联开关高阻值电阻晶体管栅极开关晶体管传统电路电路结构隔离度高镜面对称输出端口微波工程微波开关整体电路指标需求状态控制反射式插损开态带宽雷达通讯

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一种DC‑20GHz吸收式单刀单掷开关

一种DC‑20GHz吸收式单刀单掷开关

引用

作者：齐步坤黄军恒刘家兵 230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1楼1001-1002室

本实用新型涉及微波开关技术领域，尤其为DC‑20GHz吸收式单刀单掷开关，有7级开关晶体管结构，两个射频输入输出端口，两个直流控制端口，各级晶体管通过电感相连，组成多级串并联开关结构；各级晶体管栅极通过高阻值电阻与直流控制端... 详细信息

标准号: CN207039559U

本实用新型涉及微波开关技术领域，尤其为DC‑20GHz吸收式单刀单掷开关，有7级开关晶体管结构，两个射频输入输出端口，两个直流控制端口，各级晶体管通过电感相连，组成多级串并联开关结构；各级晶体管栅极通过高阻值电阻与直流控制端口相连，实现状态控制；整体电路以第4级晶体管为轴线镜面对称；两个射频输入、输出端口可互易作为输出、输入端口。本实用新型电路结构简单，具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷，能够满足雷达、通讯等微波工程的指标需求。

关键词：直流控制端口本实用新型射频输入输出端口晶体管单刀单掷开关输出反射系数电感串并联开关高阻值电阻晶体管栅极开关晶体管传统电路电路结构隔离度高镜面对称输入端口微波工程微波开关整体电路指标需求状态控制吸收式插损带宽雷达输出通讯

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一种直板型单刀单掷开关单片集成衰减器

一种直板型单刀单掷开关单片集成衰减器

引用

作者：李孟委高跃升张一飞刘秋慧王代华王莉 030051 山西省太原市学院路3号

一种直板型单刀单掷开关单片集成衰减器，该结构主要由衬底、第一衰减开关、第二衰减开关、第一短路开关、第二短路开关、微波传输线CPW、衰减模块、引线和空气桥组成，衬底的上表面设有开关、微波传输线CPW、衰减片和引线，微波传输线... 详细信息

标准号: CN207097753U

一种直板型单刀单掷开关单片集成衰减器，该结构主要由衬底、第一衰减开关、第二衰减开关、第一短路开关、第二短路开关、微波传输线CPW、衰减模块、引线和空气桥组成，衬底的上表面设有开关、微波传输线CPW、衰减片和引线，微波传输线CPW的T型结和转角上方设有空气桥，第一衰减开关、第二衰减开关、衰减模块以及微波传输线CPW构成的衰减通道，第一短路开关、第二短路开关和微波传输线CPW构成的短路通道，本实用新型采用了一种可实用化的射频MEMS开关，开关采用直板型带通孔的上电极和悬臂梁单触点式下电极，简化了结构，提高了的可靠性，在加工工艺中易于实现,使得衰减器具有较长的寿命且易于批量化生产，很适合实际应用。

关键词：微波传输线短路开关衰减开关衰减模块空气桥直板型衬底单片集成衰减器单刀单掷开关射频MEMS开关本实用新型转角单触点式短路通道衰减通道批量化上表面衰减片衰减器下电极悬臂梁电极带通应用生产

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射频信号输出模块单刀单掷开关

射频信号输出模块单刀单掷开关

引用

作者：宁涛肖聪王润洪吴伟冬马刚 611730 四川省成都市郫县成都现代工业港北片区港大路138号

本实用新型公开了一种射频信号输出模块单刀单掷开关，PIN二极管D2上并联有匹配电阻R1，电容C1与PIN二极管D1的正极连接，PIN二极管D1的负极与PIN二极管D2的正极之间依次并联有PIN二极管D3、D4、D5和D6，PIN二极管D2的负极与电容C2连接... 详细信息

标准号: CN203522684U

本实用新型公开了一种射频信号输出模块单刀单掷开关，PIN二极管D2上并联有匹配电阻R1，电容C1与PIN二极管D1的正极连接，PIN二极管D1的负极与PIN二极管D2的正极之间依次并联有PIN二极管D3、D4、D5和D6，PIN二极管D2的负极与电容C2连接，PIN二极管D2的负极还与电感L2的一端连接，电感L2的另一端通过电容C3接地，电感L2的另一端还与偏置电压输入相连。本实用新型增设的并联型PIN二极管，采用一串四并式二极管分布，提高了开关电路的隔离度，吸收式设计改善了开关电路的阻抗匹配，同时还具有损耗小、隔离度高、驻波小、响应时间短、脉冲调制效果好等特点。

关键词：二极管电感负极电容正极开关电路并联连接单刀单掷开关隔离度高脉冲调制匹配电阻偏置电压射频信号响应时间阻抗匹配并联型隔离度接地

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一种DC-40GHz宽带PIN单刀单掷开关

一种DC-40GHz宽带PIN单刀单掷开关

引用

作者：胡译文黄军恒 230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1楼1001-1002室

本实用新型公开了一种DC‑40GHz宽带PIN单刀单掷开关，包括射频输入信号端，所述射频输入信号端和并联二极管连接，用于向电路发出RF射频信号；射频输出信号端，所述射频输出信号端和并联二极管连接，用于接收输出的RF射频信号；并联二... 详细信息

标准号: CN212305285U

本实用新型公开了一种DC‑40GHz宽带PIN单刀单掷开关，包括射频输入信号端，所述射频输入信号端和并联二极管连接，用于向电路发出RF射频信号；射频输出信号端，所述射频输出信号端和并联二极管连接，用于接收输出的RF射频信号；并联二极管，所述并联二极管用于接收射频输入信号端发出的RF射频信号并导通至射频输出信号端或导通至地；直流偏置，所述直流偏置和并联二极管连接，用于控制其导通和截止；本实用新型合理选择了开关的拓扑结构和PIN二极管的尺寸、工作状态，优化了匹配电路，在带宽和隔离度之间做出折衷，选用多PIN二极管并联结构，保证了低插入损耗和高隔离度，提高了功率容量，多个PIN二极管使用同一个直流偏置，节省了开关的功率。

关键词：并联二极管射频输出信号射频输入信号直流偏置导通本实用新型单刀单掷开关并联结构插入损耗高隔离度功率容量匹配电路拓扑结构隔离度宽带带宽电路截止输出优化保证

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一种吸收式单刀单掷开关

一种吸收式单刀单掷开关

引用

作者：任凤程伟马正纯李庆 230088 安徽省合肥市高新技术产业开发区香樟大道199号

本实用新型属于微波技术领域，特别涉及一种吸收式单刀单掷开关。本实用新型包括第一单刀双掷单元、单刀单掷单元、以及第二单刀双掷单元，第一单刀双掷单元的公共端连接输入信号，第一单刀双掷单元的输出端分别与单刀单掷单元和第一电... 详细信息

标准号: CN205490468U

本实用新型属于微波技术领域，特别涉及一种吸收式单刀单掷开关。本实用新型包括第一单刀双掷单元、单刀单掷单元、以及第二单刀双掷单元，第一单刀双掷单元的公共端连接输入信号，第一单刀双掷单元的输出端分别与单刀单掷单元和第一电阻的输入端相连，单刀单掷单元的输出端连接第二单刀双掷单元的输入端，第二单刀双掷单元的输出端连接第二电阻的输入端，第二单刀双掷单元的公共端为信号输出端，第一电阻、第二电阻的输出端均接地，因此本实用新型体积小、集成度高、使用方便，而且在大功率信号下本实用新型具备高隔离度且信号输入输出端有小的驻波比，保护前后的电路不受影响；在小功率信号下开关快速恢复低损耗直通以满足后面系统的正常工作。

关键词：单刀双掷本实用新型电阻单刀输入端输出端连接公共端输出端信号输入输出端单刀单掷开关微波技术领域大功率信号小功率信号信号输出端高隔离度快速恢复接地低损耗集成度体积小吸收式下开关驻波比电路

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