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薄膜全耗尽SIMOX／SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究

Journal of Semiconductors 1995年第7期16卷 517-523页

作者：程玉华魏丽琼孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元北京大学微电子学研究所

本文对ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ全耗尽Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ中单晶体管Ｌａｔｃｈ状态对器件性能的影响进行了实验研究．实验结果表明，短时间的Ｌａｔｃｈ条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显蜕变．蜕变原因主要是Ｌａｔｃｈ期间大... 详细信息

本文对ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ全耗尽Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ中单晶体管Ｌａｔｃｈ状态对器件性能的影响进行了实验研究．实验结果表明，短时间的Ｌａｔｃｈ条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显蜕变．蜕变原因主要是Ｌａｔｃｈ期间大量热电子注入到背栅氧化层中形成了电子陷阱电荷（主要分布在漏端附近）所致．文章还对经过Ｌａｔｃｈ应力后，全耗尽ＳＯＩ器件在其他应力条件下的蜕变特性进行了分析．

关键词：单晶体管蜕变 MOSFET SOI SIMOX 薄膜

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薄膜全耗尽SOI　MOSFET单晶体管Latch效应

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微电子学与计算机 1995年第2期12卷 34-36,19页

作者：魏丽琼程玉华孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元北京大学微电子学研究所

本文在详细分析各种不同条件下全耗尽ＭＯＳＦＥＴ单晶体管Ｌａｔｃｈ效应测试结果的基础上，较为详细地讨论了单晶体管Ｌａｔｃｈ效应的物理机理，发现单管Ｌａｔｃｈ效应与ＭＯＳＦＥＴ的寄生双极晶体管有着极其密切的关系，最后还给... 详细信息

本文在详细分析各种不同条件下全耗尽ＭＯＳＦＥＴ单晶体管Ｌａｔｃｈ效应测试结果的基础上，较为详细地讨论了单晶体管Ｌａｔｃｈ效应的物理机理，发现单管Ｌａｔｃｈ效应与ＭＯＳＦＥＴ的寄生双极晶体管有着极其密切的关系，最后还给出了相应的改进措施。

关键词：场效应晶体管 SOI 薄膜 Latch效应单晶体管

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赛普拉斯和ProMOS合作开发单晶体管虚拟SRAM技术

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电子质量 2002年第4期 133-134页

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单晶体管双电容器非易失性存储器单元

单晶体管双电容器非易失性存储器单元

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作者：蔡新树王蓝翔孙永顺卓荣发陈学深新加坡新加坡市

本发明涉及单晶体管双电容器非易失性存储器单元。提供了一种非易失性存储器器件。该器件包括存储器晶体管。第一电容器被耦接到存储器晶体管。第二电容器被耦接到存储器晶体管。第二电容器包括第一电极和第二电极。第一电容器和第二电... 详细信息

标准号: CN113764427A

本发明涉及单晶体管双电容器非易失性存储器单元。提供了一种非易失性存储器器件。该器件包括存储器晶体管。第一电容器被耦接到存储器晶体管。第二电容器被耦接到存储器晶体管。第二电容器包括第一电极和第二电极。第一电容器和第二电容器连接到分隔开的输入端子。

关键词：电容器存储器晶体管第一电容器非易失性存储器单元非易失性存储器器件单晶体管第二电极第一电极输入端子双电容器分隔

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双掺杂源漏单晶体管同或门及制造方法

双掺杂源漏单晶体管同或门及制造方法

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作者：靳晓诗杨敏 110870 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号

本发明公开了双掺杂源漏单晶体管同或门及制造方法，通过对晶体管的源区和漏区形成具有施主掺杂和受主掺杂的两个分区，当两个信号输入端同时输入高电平或低电平时，双掺杂源漏单晶体管同或门处于电子导通状态或空穴导通状态，实现高电... 详细信息

标准号: CN113571586A

本发明公开了双掺杂源漏单晶体管同或门及制造方法，通过对晶体管的源区和漏区形成具有施主掺杂和受主掺杂的两个分区，当两个信号输入端同时输入高电平或低电平时，双掺杂源漏单晶体管同或门处于电子导通状态或空穴导通状态，实现高电平输出，当两个信号输入端其中一个处于高电平而另一个处于低电平时，双掺杂源漏单晶体管同或门处于电子阻断且空穴阻断状态，实现低电平输出，从而使本发明所述的双掺杂源漏单晶体管，仅通过自身单独一个晶体管即实现了同或门逻辑，从而极大程度上降低了同或门的复杂度。

关键词：单晶体管双掺杂同或门源漏信号输入端导通状态晶体管低电空穴高电平输出输入高电平同或门逻辑电子阻断空穴阻断施主掺杂受主掺杂低电平复杂度高电平漏区源区分区输出制造

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一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门及其制备方法

一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门及其制备方法

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作者：刘艳周久人郑思颖韩根全郝跃 311215 浙江省杭州市萧山经济技术开发区钱农东路8号

本发明提供了一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门，包括脉冲输入端电极、铁电介质层、直流输入端电极、介质层、源端电极、漏端电极、超薄沟道层、二氧化硅层和硅衬底；超薄沟道层的高低阻态代表了单晶体管的布尔逻辑输出；脉冲输入... 详细信息

标准号: CN116312680A

本发明提供了一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门，包括脉冲输入端电极、铁电介质层、直流输入端电极、介质层、源端电极、漏端电极、超薄沟道层、二氧化硅层和硅衬底；超薄沟道层的高低阻态代表了单晶体管的布尔逻辑输出；脉冲输入端电极和直流输入端电极分别调控沟道中的串联电阻；铁电介质层的极化状态存储了脉冲输入端的信息，从而在脉冲结束后持续调控串联电阻阻态。本发明利用铁电介质层非易失存储特性，以脉冲信号和直流信号分别调控超薄沟道层中的串联电阻，通过沟道层的高低阻态表征单晶体管的布尔逻辑输出，从而使单个晶体管具有逻辑计算功能和信息存储功能，且该存内布尔逻辑门能够在“或非”和“与”中切换，具有可重构的多功能优势。

关键词：电极布尔逻辑沟道层铁电介质层串联电阻阻态脉冲输入端直流输入端单晶体管可重构调控逻辑计算功能信息存储功能单个晶体管多功能优势二氧化硅层非易失存储铁电单晶体极化状态脉冲输入脉冲信号直流信号输出硅衬底介质层脉冲沟道漏端源端存储

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具有单晶体管驱动器的存储器装置及操作所述存储器装置的方法

具有单晶体管驱动器的存储器装置及操作所述存储器装置的方法

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作者： R·穆泽托 E·博兰里那 U·迪温琴佐 F·贝代斯基美国爱达荷州

描述了一种具有单晶体管驱动器的存储器装置及操作所述存储器装置的方法。在一些实施例中，所述存储器装置可包括：存储器单元，其位于存储器阵列的存取线的交叉点处；第一偶数单晶体管驱动器，其经配置以：在空闲阶段期间将第一偶数存... 详细信息

标准号: CN115516566A

描述了一种具有单晶体管驱动器的存储器装置及操作所述存储器装置的方法。在一些实施例中，所述存储器装置可包括：存储器单元，其位于存储器阵列的存取线的交叉点处；第一偶数单晶体管驱动器，其经配置以：在空闲阶段期间将第一偶数存取线驱动到放电电压，在作用阶段期间将所述第一偶数存取线驱动到浮动电压，且在脉冲阶段期间将所述第一偶数存取线驱动到读取/编程电压；及第一奇数单晶体管驱动器，其经配置以：在所述空闲阶段期间将第一奇数存取线驱动到所述放电电压，所述第一奇数存取线物理地邻近于所述第一偶数存取线，在所述作用阶段期间将所述第一奇数存取线驱动到所述浮动电压，及在所述脉冲阶段期间将所述第一奇数存取线驱动到屏蔽电压。

关键词：存取线驱动驱动器存储器装置单晶体管放电电压空闲阶段脉冲阶段作用阶段浮动存储器单元存储器阵列读取编程电压交叉点处配置屏蔽

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一种新型单晶体管主动像素传感器及其制备方法

一种新型单晶体管主动像素传感器及其制备方法

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作者：万景皮韶冲刘坚 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明提供一种新型单晶体管主动像素传感器及其制备方法，本发明在绝缘层上硅自下而上依序设置衬底、下层氧化埋层、中间硅层、上层氧化埋层、上层硅层，利用中间硅层作为光电敏感层，进行光电子的转换；转换的光电子被中间硅层两端的... 详细信息

标准号: CN111446268A

本发明提供一种新型单晶体管主动像素传感器及其制备方法，本发明在绝缘层上硅自下而上依序设置衬底、下层氧化埋层、中间硅层、上层氧化埋层、上层硅层，利用中间硅层作为光电敏感层，进行光电子的转换；转换的光电子被中间硅层两端的第一隔离槽、第二隔离槽和下层氧化埋层局限在本像素中，而不能向临近的像素迁移；通过在衬底施加背栅极脉冲，在衬底和中间硅层中形成深度耗尽，入射光在此深度耗尽区产生光生电子，受电场驱动聚集在上层氧化埋层/中间硅层的界面上，聚集的光生电子造成上层硅层中MOSFET中阈值电压移动；通过读出该阈值电压，得到像素的曝光剂量；本发明能减小光损耗，提高量子效率、防止不同像素间光生电子串扰。

关键词：中间硅层氧化埋层像素光生电子上层衬底阈值电压隔离槽硅层光电子下层绝缘层上硅单晶体管电场驱动量子效率曝光剂量主动像素背栅极光损耗耗尽区敏感层入射光转换传感器脉冲串扰减小读出耗尽制备迁移施加局限移动

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基于半导体衬底的新型单晶体管像素传感器及制备方法

基于半导体衬底的新型单晶体管像素传感器及制备方法

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作者：万景 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明公开了一种基于半导体衬底的新型单晶体管像素传感器及制备方法，通过在漏极区域、源极区域、沟道区域和衬底区域引入特殊的掺杂体系，在漏极区域、源极区域施加电压脉冲，提高沟道区域的电势，形成了能够收集光电子的耗尽区域。... 详细信息

标准号: CN112420752B

本发明公开了一种基于半导体衬底的新型单晶体管像素传感器及制备方法，通过在漏极区域、源极区域、沟道区域和衬底区域引入特殊的掺杂体系，在漏极区域、源极区域施加电压脉冲，提高沟道区域的电势，形成了能够收集光电子的耗尽区域。其优点是：本发明使用单个晶体管完成光电传感、电荷积分、缓冲放大和阵列选通的功能，原位读出光生电子，无需CCD传感器中的转移读出电荷，也无须如CMOS像素传感器中的额外晶体管进行电荷积分、信号放大和选通，具有高量子效率和低功耗等优点，这也大大降低像素单元的复杂度，增大有效传感面积，从而实现高灵敏度，低功耗和高速的图像传感。

关键词：电荷沟道区域漏极区域源极区域低功耗选通读出有效传感面积单个晶体管额外晶体管高量子效率像素传感器衬底区域单晶体管高灵敏度光电传感光生电子耗尽区域施加电压图像传感像素单元复杂度传感器脉冲缓冲光电子衬底电势制备半导体掺杂放大引入

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双掺杂源漏单晶体管同或门及制造方法

双掺杂源漏单晶体管同或门及制造方法

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作者：靳晓诗杨敏 110870 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号

标准号: CN113571586B

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