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文献类型

  • 37 篇 专利
  • 6 篇 期刊文献

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  • 43 篇 电子文献
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学科分类号

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作者

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语言

  • 43 篇 中文
检索条件"主题词=单晶体管"
43 条 记 录,以下是41-50 订阅
排序:
赛普拉斯和ProMOS合作开发单晶体管虚拟SRAM技术
收藏 引用
电子质量 2002年 第4期 133-134页
来源: 评论
薄膜全耗尽SIMOX/SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究
收藏 引用
Journal of Semiconductors 1995年 第7期16卷 517-523页
作者: 程玉华 魏丽琼 孙玉秀 阎桂珍 李映雪 武国英 王阳元 北京大学微电子学研究所
本文对SIMOX/SOI全耗尽N沟MOSFET中单晶体管Latch状态对器件性能的影响进行了实验研究.实验结果表明,短时间的Latch条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显蜕变.蜕变原因主要是Latch期间大... 详细信息
来源: 评论
薄膜全耗尽SOI MOSFET单晶体管Latch效应
收藏 引用
微电子学与计算机 1995年 第2期12卷 34-36,19页
作者: 魏丽琼 程玉华 孙玉秀 阎桂珍 李映雪 武国英 王阳元 北京大学微电子学研究所
本文在详细分析各种不同条件下全耗尽MOSFET单晶体管Latch效应测试结果的基础上,较为详细地讨论了单晶体管Latch效应的物理机理,发现单Latch效应与MOSFET的寄生双极晶体管有着极其密切的关系,最后还给... 详细信息
来源: 评论