检索结果-内蒙古大学图书馆

热加工工艺 2022年第7期51卷 66-71页

作者：张鸣 Benson Kihono Njuguna 谭毅李佳艳大连理工大学材料科学与工程学院辽宁大连116024

硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金熔体的底部引入单晶硅衬底,研究单晶衬底对于块体硅生长的形貌及... 详细信息

硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金熔体的底部引入单晶硅衬底,研究单晶衬底对于块体硅生长的形貌及杂质分布的影响。结果表明,单晶硅衬底的添加降低了合金熔体的温度梯度,块体硅以平直界面向上生长,生长速率明显变慢。在温度梯度2.4 K/mm和生长时间240 min时,块体硅的生长速率由石墨坩埚上的0.108μm/s下降至Si(100)衬底上的0.075μm/s。在相同的温度梯度和生长时间内,块体硅在Si(100)衬底上的生长速率明显快于Si(111)衬底。单晶硅衬底在块体硅生长过程中起到籽晶的作用。

关键词： Si-Al合金单晶硅衬底类单晶硅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

单晶硅衬底对温度梯度区域熔炼Si-Al合金生长块体硅的影响研究

单晶硅衬底对温度梯度区域熔炼Si-Al合金生长块体硅的影响研究

引用

作者：张鸣大连理工大学

学位级别：硕士

冶金法是针对制造太阳能级多晶硅而提出的一种专属提纯工艺,相对于西门子法具有低成本、低能耗、低污染等优势。其中合金凝固精炼具有低温精炼、高效除杂的特点。但精炼后的初晶硅以粗大板条状均匀分布于整个熔区内,不利于提纯后的初晶... 详细信息

冶金法是针对制造太阳能级多晶硅而提出的一种专属提纯工艺,相对于西门子法具有低成本、低能耗、低污染等优势。其中合金凝固精炼具有低温精炼、高效除杂的特点。但精炼后的初晶硅以粗大板条状均匀分布于整个熔区内,不利于提纯后的初晶硅分离。本文为了实现合金精炼中初晶硅的有效分离,采用温度梯度区域熔炼法在Si-Al合金熔体中生长块体硅,并结合液相外延生长技术,在合金定向凝固的基础上引入特定取向的单晶硅衬底,来达到低成本提纯生长块体硅的目的。比较了不同衬底类型上块体硅的凝固界面形貌、晶体结构、生长速率。并讨论了单晶硅衬底下,不同精炼工艺对块体硅生长的影响,最后对不同杂质的分布情况进行了讨论,得出了以下的结论:(1)在单晶硅衬底上Al-Si合金精炼生长块体硅的模型从上到下依次为:冶金硅硅源、Al-Si合金、单晶硅衬底。在正的温度梯度下,硅源不断溶解起到补充熔体中硅原子达到连续生长的目的;Al-Si合金强化了杂质分凝效果起到了高效除杂作用;底部的单晶硅衬底提供了形核位点以及特定的晶粒取向,强化了块体硅的生长。(2)采用温度梯度区域熔炼技术在不同衬底上实现块体硅的有效分离。在单晶硅衬底上Al-Si合金熔体中生长得到与衬底取向相同的大颗粒类单晶硅,相比于石墨上生长的柱状多晶硅,类单晶硅的晶界数量明显减小,杂质在晶界处的富集也有极大降低,对于初晶硅提纯有较好的作用。(3)单晶硅衬底的添加促进了熔体底部的块体硅以平直界面向上生长,有利于块体硅与合金分离减少夹杂的产生。在温度梯度为2.4 K/mm时,生长时间为4 h时,块体硅的生长速率由石墨坩埚上的0.108 um/s下降至Si(100)衬底上的0.075 um/s。在相同的温度梯度和生长时间条件下,块体硅在Si(100)晶面上的平均生长速率明显快于Si(111)晶面。(4)在块体硅生长过程中,硅衬底必须回熔才能起到的引晶作用。随着保温时间的增加,块体硅在硅衬底上连续析出生长,平均生长速率逐渐降低;随着温度梯度的增大,块体硅生长速率呈线性变化。(5)在非平衡凝固生长的条件下,块体硅在凝固界面前沿形成了Al富集层,当温度梯度为1.4 K/mm时Al富集层厚度15 um,温度梯度增加至2.4 K/mm时,富集层厚度减小至10 um;此外温度梯度越大,冷却速率越大,块体硅凝固界面越不平整;合金精炼过程生长块体硅过程中金属杂质Al、Fe、Ti等以针状和骨状形式存在于合金熔体中,非金属杂质B主要存在于共晶Al相中。

关键词： Si-Al合金温度梯度区域熔炼单晶硅衬底类单晶

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

单晶硅衬底偏角对锗薄膜沉积生长的影响

单晶硅衬底偏角对锗薄膜沉积生长的影响

引用

作者：陈梦华北电力大学(北京)

学位级别：硕士

相比于单结太阳电池而言,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池拓宽了太阳光的吸收光谱范围,在聚光条件下将太阳电池的光电转化效率提升至44.4%,因此成为高效率太阳电池的研究重点。由于Ge底电池厚度过大,Ge作为稀有金属进行电池制备增加了多结电... 详细信息

相比于单结太阳电池而言,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池拓宽了太阳光的吸收光谱范围,在聚光条件下将太阳电池的光电转化效率提升至44.4%,因此成为高效率太阳电池的研究重点。由于Ge底电池厚度过大,Ge作为稀有金属进行电池制备增加了多结电池的成本,因此在异质衬底上生长Ge薄膜作为多结电池的底电池成为另一重要研究方向。采用资源丰富的单晶Si作为Ge薄膜生长的衬底,目前有四种主要的研究技术:组分渐变缓冲层法、低温Ge缓冲层法、图形化衬底法以及偏角单晶硅衬底。本文着重研究偏角单晶硅沉积对于Ge薄膜沉积生长的影响,并将偏角单晶硅衬底与组分渐变缓冲层技术结合,研究单层缓冲层与偏角单晶硅衬底共同作用对于Ge薄膜沉积生长的影响。实验采用磁控溅射技术制备Ge薄膜,采用无偏角的Si(100)单晶Si衬底以及具有偏角的单晶硅衬底,分别为Si(100)偏(110)6°、Si(100)偏(110)10°、Si(100)偏(110)8°三种偏角单晶Si衬底沉积Ge薄膜,采用快速热退火炉对溅射所得Ge薄膜进行后续热处理,热处理的时长及温度对Ge薄膜的再结晶同样具有重要影响。通过对以上样品进行相关实验操作,并采用XRD、SEM以及AFM等表征技术对单晶Si异质衬底沉积所得Ge薄膜进行表征,观察Ge薄膜的特征并分析不同制备技术对于Ge薄膜的影响。经过相应理论计算及实验数据分析,获得的主要结果如下:(1)采用偏角单晶硅衬底制备Ge/Si薄膜,在四种单晶Si(100)、Si(100)偏(110)6°、Si(100)偏(110)8°、Si(100)偏(110)10°衬底上沉积所得Ge薄膜,经后续快速热退后处理后,在Si(100)偏(110)8°单晶Si衬底上沉积所得Ge薄膜中Ge(111)晶面择优性最好,并且Ge(111)与Ge(220)晶面衍射强度的比值I Ge(111)/IGe(220)达到 3.453。(2)采用偏角单晶硅衬底与缓冲层技术制备Ge/Si1-xGex/Si薄膜,在Si(100)、Si(100)偏(110)100、Si(100)偏(110)8°三种单晶Si衬底上沉积所得Ge薄膜,经快速热退火处理后,在Si(100)偏(110)10°单晶硅衬底上沉积所得Ge薄膜中I Ge(111)/I Ge(220)为 7.118。(3)在Ge/Si1-xGex/Si结构中,不同衬底温度制备所得Ge薄膜表现出Ge(200)择优,300℃沉积Si0.1Ge0.9缓冲层经2h常规热退火处理后,在450℃沉积所得Ge薄膜后经130s退火后,Ge薄膜中IGe(220)/IGe(111)为6.754。Ge薄膜的生长受到下层Si1-xGex缓冲层的影响,晶体生长方向由下至上,并且造成Ge薄膜择优取向由Ge(111)向Ge(220)晶面择优生长的改变。偏角单晶硅衬底对于Ge薄膜的生长具有良好的促进作用,单晶硅衬底表面的切偏角改变了 Ge薄膜沉积时基片表面的原子排列,降低了 Ge薄膜与Si衬底之间的晶格失配。Si1-xGex缓冲层的存在进一步弱化了晶格失配,使得Ge薄膜在异质衬底表面沉积具有更好的成核及结晶环境,Si1-xGex缓冲层对Ge薄膜的影响与溅射过程中的生长温度相关。

关键词：锗薄膜单晶硅衬底硅锗缓冲层切偏角磁控溅射

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

PECVD制备基于P型单晶硅衬底HIT电池的研究

PECVD制备基于P型单晶硅衬底HIT电池的研究

引用

作者：苏超南开大学

学位级别：硕士

伴随着社会的发展和化石能源储量的减少，太阳能的利用成为大家关注的研究方向之一。其中HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)电池的研究成为一个非常热门的方向。它不仅具有晶体硅太阳电池效率高的特点，而且避免了非晶硅薄... 详细信息

伴随着社会的发展和化石能源储量的减少，太阳能的利用成为大家关注的研究方向之一。其中HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)电池的研究成为一个非常热门的方向。它不仅具有晶体硅太阳电池效率高的特点，而且避免了非晶硅薄膜太阳电池的光致衰退效应。　　本文主要是利用RF-PECVD系统进行HIT太阳电池的研究。采取从易到难的方式，分步进行研究。　　窗口层作为电池结构最重要的一环，是本文研究的重点。首先通过优化工艺条件如硅烷浓度、气体配比、压强、功率、沉积时间等讨论 N型非晶硅薄膜性能，并在材料研究的基础上获得6.27％的太阳电池光电转换效率。通过与ITO的接触特性的研究，采用N型微晶硅薄膜对窗口层进行处理，使之与ITO形成良好欧姆接触，降低接触电阻，使太阳电池效率达到7.95%，效率较未处理时提升26.79%。　　在背电场的研究中，首先利用AFORS-HET软件对HIT太阳电池背电场进行理论分析。通过模拟计算发现帯隙为1.6 eV，掺杂浓度量级大于1×1018时，太阳电池效率最优。在模拟结果的基础上，通过制备非晶硅薄膜和符合要求的微晶硅薄膜，分别作为背电场应用于电池中，通过对比研究发现：采取符合要求的微晶硅薄膜作为背场，可以使电池达到9.73%的效率;如果非晶硅薄膜的掺杂浓度低，将对太阳电池产生负面作用。　　在钝化层的研究中，要力求避免本征非晶硅薄膜外延生长。通过优化工艺，包括沉积温度、硅烷浓度、功率密度、沉积时间及退火处理，最终使单晶硅少子寿命达到598.7μs。经模拟计算表明：优化后的钝化层应用于HIT太阳电池中，使电池效率最终达到14.69%，与未加钝化层的电池相比，效率提升50.9%。

关键词： HIT太阳电池单晶硅衬底电池结构微晶硅薄膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法

一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法

引用

作者：范春晖 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

本发明提供一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法，包括：提供单晶硅衬底；在所述单晶硅衬底上依次形成第一二氧化硅层、氮化硅层及第二二氧化硅层；利用第一掩模板光刻定义有源区，刻蚀去除所述有源区的第二二氧化硅层、氮化硅层及第一... 详细信息

标准号: CN102496563B

本发明提供一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法，包括：提供单晶硅衬底；在所述单晶硅衬底上依次形成第一二氧化硅层、氮化硅层及第二二氧化硅层；利用第一掩模板光刻定义有源区，刻蚀去除所述有源区的第二二氧化硅层、氮化硅层及第一二氧化硅层，暴露出有源区的单晶硅衬底；横向刻蚀去除部分氮化硅层，形成沟槽；在暴露出的单晶硅衬底上外延生长硅层，所述硅层充满所述沟槽；利用第二掩模板光刻定义硅纳米线支撑区域，刻蚀所述硅层，在所述沟槽内形成硅纳米线；依次刻蚀去除有源区以外的第二二氧化硅层、氮化硅层及第一二氧化硅层，使得所述硅纳米线悬空。该工艺制备方法简单、可控，生产成本低廉。

关键词：二氧化硅层单晶硅衬底氮化硅层硅纳米线有源区刻蚀暴露出掩模板光刻硅层去除外延生长硅横向刻蚀去除部分支撑区域制备方法可控一种制备生产成本悬空充满

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

EWT单晶硅太阳电池工艺与讨论

EWT单晶硅太阳电池工艺与讨论

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Xiaoning Zhu 朱小宁 Yongguagn Huang 黄永光 Deiwei Liu 刘德伟 Xiyuan Wang 王熙元 Xiao Cui 崔晓 Baojun Wang 王宝军 Hongliang Zhu 朱洪亮 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of S 中国科学院半导体研究所材料重点实验室北京 100083 Zhengzhou University of Light Industry Zhengzhou 450002 China 郑州轻工业学院郑州 450002

背接触太阳电池具有无栅线遮光、易封装等优点，是高效晶体硅太阳电池的一个重要发展方向。本文介绍了一种基于p型单晶硅衬底的EWT背接触太阳电池工艺流程，测试了器件在模拟光照下的I-V特性，讨论了激光打孔与去除热损伤、扩散发射极... 详细信息

背接触太阳电池具有无栅线遮光、易封装等优点，是高效晶体硅太阳电池的一个重要发展方向。本文介绍了一种基于p型单晶硅衬底的EWT背接触太阳电池工艺流程，测试了器件在模拟光照下的I-V特性，讨论了激光打孔与去除热损伤、扩散发射极和通孔金属化等三种工艺的重要性以及对EWT太阳电池参数的影响。

关键词：太阳电池单晶硅衬底工艺流程性能评价

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅衬底锗薄膜的制备及性质分析

硅衬底锗薄膜的制备及性质分析

引用

作者：王从杰华北电力大学(北京)

学位级别：硕士

能源危机、环境污染已经成为21世纪人类急需解决的重要问题,全世界各国都在积极推动能源结构转型,发展和利用清洁能源。太阳能由于其无污染、可持续的特性得到了各国政府的高度重视和大力发展。在可预见的未来,太阳能必将在能源结构中... 详细信息

能源危机、环境污染已经成为21世纪人类急需解决的重要问题,全世界各国都在积极推动能源结构转型,发展和利用清洁能源。太阳能由于其无污染、可持续的特性得到了各国政府的高度重视和大力发展。在可预见的未来,太阳能必将在能源结构中占据主要地位。高转换效率、高性价比的太阳能电池一直是研究、开发的重点。目前,转换效率最高的太阳能电池是砷化镓基多结太阳能电池。多结太阳能电池一般以锗单晶作为底电池,但是锗是典型的稀有金属,价格昂贵。为了节约材料、降低成本,利用硅衬底生长高质量锗薄膜来替代锗单晶作为多结电池衬底是今后的发展方向。因此,本文研究的主要内容是在单晶硅衬底上制备高择优取向、表面平整的锗薄膜。本文采用石墨缓冲层法和偏角衬底法,利用磁控溅射、快速光热退火以及常规热退火技术在单晶硅衬底上制备锗薄膜,并利用X射线衍射、拉曼光谱、台阶仪等多种测试方法对锗薄膜的质量进行分析表征。取得的主要研究成果如下:(1)在单晶硅衬底上采用磁控溅射方法,通过石墨缓冲层降低锗薄膜与硅衬底之间的晶格失配,研究衬底温度对沉积锗薄膜晶化的影响,实验发现沉积锗薄膜的临界晶化温度为430℃。(2)对沉积在石墨缓冲层上的非晶锗薄膜进行快速光热退火处理,研究了快速光热退火使非晶锗薄膜晶化的机理,发现光子在非晶锗薄膜的快速光热退火过程中既有晶化作用,也有退晶化作用。(3)在偏角(100)晶向单晶硅衬底上沉积非晶锗薄膜,并对其进行快速光热退火处理。测试结果表明单晶硅衬底的偏角对锗薄膜晶化质量的影响显著,单向偏角衬底上制备的锗薄膜质量优于无偏角,双向偏角衬底上制备的锗薄膜优于单向偏角。(4)对沉积在石墨缓冲层上的非晶锗薄膜进行常规热退火处理,研究常规热退火对非晶锗薄膜晶化的影响。Raman和XRD测试结果表明,退火温度的升高有利于锗晶粒的长大。在退火温度为800℃的条件下,随着退火时间的增加,锗薄膜的择优取向由(100)向(111)转变,并且在退火时间为1Oh的条件下得到了(111)择优取向的锗晶体薄膜。

关键词：锗薄膜单晶硅衬底石墨缓冲层晶向偏角快速光热退火常规热退火

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

异质衬底锗薄膜制备及其性质分析

异质衬底锗薄膜制备及其性质分析

引用

作者：贺凯华北电力大学(北京)

学位级别：硕士

进入21世纪以后,随着传统化石能源和矿石能源的日益减少,能源危机、环境污染已经成为人类社会急需解决的问题,而随着可再生能源技术的不断成熟,可再生能源尤其是太阳能已成为当今社会经济发展的必然选择。太阳能由于其取之不尽用之不竭... 详细信息

进入21世纪以后,随着传统化石能源和矿石能源的日益减少,能源危机、环境污染已经成为人类社会急需解决的问题,而随着可再生能源技术的不断成熟,可再生能源尤其是太阳能已成为当今社会经济发展的必然选择。太阳能由于其取之不尽用之不竭的特点,得到了世界各国的高度重视和大力扶持。未来,太阳能必将在能源结构中占据主要地位。而如何提高太阳能电池效率,降低太阳能发电成本已经成为各国光伏发电领域研究的重点。目前,GaAs基多结太阳能电池转换效率最高。GaAs基多结太阳能电池一般以Ge单晶作为其衬底材料,但是由于Ge材料为典型的稀散金属,储量较少、价格较高。因此为了降低多结太阳电池成本,提高其性价比,本论文的主要内容是在单晶硅衬底上制备择优取向高,晶体质量较好的Ge薄膜,拟用价格较低的Si材料代替Ge材料作为多结电池的衬底。首先从布拉格方程出发,证明了谢乐公式的适用范围以及其对于Ge材料晶粒尺寸测量的最大值。随后采用铝诱导方法,利用磁控溅射以及常规热退火技术在单晶硅衬底上制备锗薄膜,并利用X射线衍射、拉曼光谱、台阶仪等多种测试方法对锗薄膜的质量进行分析表征。取得的主要研究成果如下:(1)证明了谢乐公式计算出的晶粒尺寸仅为垂直于晶面方向的晶粒高度,而谢乐公式对于Ge(111)晶粒尺寸的最大值为115nm。(2)利用磁控溅射设备在Si衬底上先后沉积A1膜及Ge膜,并利用常规退火方法对样品进行退火,探究常规退火温度变化对于Ge薄膜结构所带来的影响。根据拉曼测试结果,当常规退火温度达到200℃时,Ge薄膜为非晶态;当退火温度在250℃及以上时,Ge薄膜开始晶化,说明了铝诱导Ge薄膜晶化的最低退火温度为250℃,并在常规退火温度为250℃的条件下,成功制备出了晶粒质量较好的Ge薄膜,并且Ge(111)晶向的择优取向超过99%。(3)通过常规退火方法对样品进行250℃及400℃退火温度下不同时长的退火处理,研究退火时间对于Ge薄膜晶化的影响。XRD测试结果表明Ge薄膜结晶质量好坏与退火时间有着密切的关系,当增长常规退火时间时,Ge薄膜结晶质量变好,并且在400℃退火温度下,Ge(111)峰随着退火时间增长择优取向愈发明显。(4)将样品在200℃至500℃的温度范围内分别退火100小时,X射线衍射结果表明250℃时,Ge(111)择优取向度和晶粒尺寸达到最优;之后随着温度升高,Ge(111)择优取向性变差,晶粒质量也逐渐降低。

关键词：锗薄膜单晶硅衬底谢乐公式常规热退火多结太阳电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

采用正交法研究金刚石偏压形核

引用

材料开发与应用 2003年第2期18卷 6-8,30页

作者：王传新汪建华满卫东王升高马志斌康志成吴素娟中国科学院等离子体物理研究所合肥230031 武汉化工学院材料科学与工程系武汉430073

在微波等离子体化学气相沉积装置中 ,采用正交试验法研究金刚石在镜面抛光的Si( 1 0 0 )面上的偏压形核过程中 ,形核时间、偏压电压、气压及甲烷浓度对形核密度的影响 ,研究结果表明 :形核密度随形核时间的增加而增加 ,适中的偏压电压... 详细信息

在微波等离子体化学气相沉积装置中 ,采用正交试验法研究金刚石在镜面抛光的Si( 1 0 0 )面上的偏压形核过程中 ,形核时间、偏压电压、气压及甲烷浓度对形核密度的影响 ,研究结果表明 :形核密度随形核时间的增加而增加 ,适中的偏压电压和沉积气压有利于金刚石的形核 ,而甲烷浓度的影响很小。正交试验所得的最佳形核条件为偏压 -1 5 0V ;时间 1 2min ;气压 4kPa;CH4 比率 5 % ,在该条件下金刚石的形核密度达到 1 0 1 0 个 cm2 。

关键词：偏压形核化学气相沉积正交试验金刚石微波等离子体单晶硅衬底薄膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SiO_2层对金刚石膜初期生长影响的研究

引用

真空科学与技术 1994年第6期14卷 396-400页

作者：陈岩陈启谨崔玉德孙碧武林彰达中科院物理所表面物理国家重点实验室北京100080

用俄歇子能谱（AES）研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si，C，O元素浓度的深度分布。结果表明：在沉积过程中，随沉积时间增加时，基材表面C浓度增加，O浓度下降，但SiC过渡层的生长缓... 详细信息

用俄歇子能谱（AES）研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si，C，O元素浓度的深度分布。结果表明：在沉积过程中，随沉积时间增加时，基材表面C浓度增加，O浓度下降，但SiC过渡层的生长缓慢。700℃沉积4h时仍无结构完整的SiC层生成，这是表面SiO2层阻碍了SiC的形成。分析了不经划痕处理的基材形核率低的原因。用高分辨电镜（HREM）观察了生长良好的金刚石膜的膜—基界面，发现没有SiO2层存在。

关键词：表面结构单晶硅衬底生长速率氧化硅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：