检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：郑婉华陈忠浩周旭彦渠红伟齐爱谊 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构，包括：N型衬底层，用于生长外延材料；N型限制层，配置于N型衬底层之上，用于限制光场向N型区的扩展；光子晶体，配置于N型限制层之上，用于调控输出光场模式；有源区，配置于光子晶... 详细信息

标准号: CN110323671B

一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构，包括：N型衬底层，用于生长外延材料；N型限制层，配置于N型衬底层之上，用于限制光场向N型区的扩展；光子晶体，配置于N型限制层之上，用于调控输出光场模式；有源区，配置于光子晶体上；P型限制层，配置于有源区之上，用于限制光场向P型区的扩展；P型盖层，配置于P型限制层之上，用于限制光场及降低载流子势垒；P型接触层，配置于P型盖层之上，用于与金属形成欧姆接触。

关键词：配置光子晶体光场衬底层源区载流子单模半导体激光器金属形成欧姆接触输出光场外延材料外延结构势垒生长调控

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一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构

一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构

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作者：郑婉华陈忠浩周旭彦渠红伟齐爱谊 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

标准号: CN110323671A

关键词：配置光子晶体光场衬底层源区载流子单模半导体激光器金属形成欧姆接触输出光场外延材料外延结构势垒生长调控

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单模AlGaAs／GaAs脊形波导量子阱半导体激光器

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激光技术 1996年第3期20卷 177-181页

作者：曹三松西南技术物理研究所

本文报道用分子束外延设备研制梯度折射率分别限制式单量子阱ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ脊形波导半导体激光器。该激光器具有良好的性能，条宽５μｍ器件室温阈值电流２３ｍＡ，线性连续输出单模激光功率大于１５ｍＷ。

关键词：单模半导体激光器单量子阱脊形波导铝镓砷化合物砷化镓

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程控/手动单模可调谐外腔半导体激光器

程控/手动单模可调谐外腔半导体激光器

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作者：张汉一潘仲琦周炳琨杨今强毕可奎清华大学

该项目属于信息光电子技术领域。外腔可调谐半导体激光器是在普通半导体激光器外部引入光反馈元件构成的。通过外腔的选模作用，可以使多模半导体激光器稳定地以单纵模工作，线宽大大压窄并可以几十到上百纳米的范围内调谐。它具有结构... 详细信息

标准号: 0801241558

该项目属于信息光电子技术领域。外腔可调谐半导体激光器是在普通半导体激光器外部引入光反馈元件构成的。通过外腔的选模作用，可以使多模半导体激光器稳定地以单纵模工作，线宽大大压窄并可以几十到上百纳米的范围内调谐。它具有结构紧凑、体积小、重量轻、效率高、空气致冷、寿命长、右靠性高等优点，是新一代的可调谐光源。该发明立足国内条件，首次提出和采用了外腔参数匹配、多重复合腔选模、温度裣、偏轴调谐、摩擦传动、压缩反馈线宽、提高主模竞争力等创新思想及技术，成功地解决了外腔激光器调谐过程中谐振条件易被破坏等问题，实现了连续调谐的稳定工作，提高了调谐精度，实现了波长标定和程控调谐。该器件性能稳定可靠，达到了国际先进水平，而且在方便使用及价格方面优于国外。到目前为止，已先后提供30余套用于国内光通信、光交换系统研制，光纤器件、光放大器、光调制器、光隔离器等光波元件测试，飞行目标、距离及速度监测，化学激光研制，精密测长，光谱分析及物理化学研究等领域，这些器件解决了国内许多单位的急需，保证了国内十几项科研或生产建设的顺利进行，取得了显著的经济和社会效益。

关键词：可调谐外腔单模半导体激光器

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一种近圆形光斑的单模半导体激光器件

一种近圆形光斑的单模半导体激光器件

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作者：刘飞孙芳建赵军华 250000 山东省济南市高新区天辰大街1835号

本发明公开一种近圆形光斑的单模半导体激光器件，其由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、(Alx1Ga1‑x1)y1In1‑y1P下限制层A、(Alx2Ga1‑x2)y2In1‑y2P扩展波导层、(Alx3Ga1‑x3)y3In1‑y3P下限制层B、(Alx4Ga1‑x4)y4In1‑y4P下波导层、Gax... 详细信息

标准号: CN117833024A

本发明公开一种近圆形光斑的单模半导体激光器件，其由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、(Al_x1Ga_1‑x1)_y1In_1‑y1P下限制层A、(Al_x2Ga_1‑x2)_y2In_1‑y2P扩展波导层、(Al_x3Ga_1‑x3)_y3In_1‑y3P下限制层B、(Al_x4Ga_1‑x4)_y4In_1‑y4P下波导层、Ga_x5In_1‑x5P第一量子阱、(Al_x6Ga_1‑x6)_y5In_1‑y5P第一垒层、Ga_x7In_1‑x7P第二量子阱、(Al_x8Ga_1‑x8)_y6In_1‑y6P第二垒层、Ga_x9In_1‑x9P第三量子阱、(Al_x10Ga_1‑x10)_y7In_1‑y7P上波导层、(Al_x11Ga_1‑x11)_y8In_1‑y8P上限制层A、Ga_x12In_1‑x12P腐蚀终止层、Al_x13In_1‑x13P上限制层B、(Al_x14Ga_1‑x14)_y9In_1‑y9P带隙过渡层、GaAs帽层。本发明通过窄脊弱波导结构，实现近圆光斑，同时利用非对称结构、扩展波导结构，压缩光场向N侧偏移，降低吸收损耗，利用低折射率垒层，提高光场与量子阱的重合度，提高光电转换效率。

关键词：量子阱垒层光斑波导结构上限制层下限制层光场单模半导体激光器光电转换效率非对称结构腐蚀终止层低折射率上波导层吸收损耗下波导层波导层过渡层近圆形重合度衬底带隙帽层压缩

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可调谐半导体激光器的发展

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激光与光电子学进展 2007年第2期44卷 69-72页

作者：余永林华中科技大学

1 可调谐半导体激光器的研究进展自20世纪80年代初单模半导体激光器研制成功后，波长可调谐的半导体激光器就成为广泛研究的重要课题。通信系统的需求一直是可调谐半导体激光器研发的主要驱动力所在。在多信道相干光通信系统中，为方便... 详细信息

1 可调谐半导体激光器的研究进展自20世纪80年代初单模半导体激光器研制成功后，波长可调谐的半导体激光器就成为广泛研究的重要课题。通信系统的需求一直是可调谐半导体激光器研发的主要驱动力所在。在多信道相干光通信系统中，为方便接收机进行信道选择，作为本地振荡器的半导体激光器最好具有一定的波长调谐能力；此外，在窄频率间隔的多信道系统中，信道的有效分配也需要发射光源可以进行小范围的波长调谐。

关键词：可调谐半导体激光器相干光通信系统单模半导体激光器波长调谐波长可调谐本地振荡器多信道信道选择

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一种半导体激光器芯片中的自对准方法

一种半导体激光器芯片中的自对准方法

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作者：李青民任占强李喜荣刘科燕张冰李康 710077 陕西省西安市高新区锦业路125号西安半导体产业园103号E3楼4层

本发明涉及一种半导体激光器芯片中的自对准方法，属于半导体器件制备技术领域，包括在单模外延片上刻蚀脊型波导、绝缘介质薄膜沉积、涂胶与烘烤、去除光刻胶、制作p型金属电极、研磨抛光、制作n型金属电极、退火处理的过程。本发明自... 详细信息

标准号: CN116937316A

本发明涉及一种半导体激光器芯片中的自对准方法，属于半导体器件制备技术领域，包括在单模外延片上刻蚀脊型波导、绝缘介质薄膜沉积、涂胶与烘烤、去除光刻胶、制作p型金属电极、研磨抛光、制作n型金属电极、退火处理的过程。本发明自对准方法通过光刻版半曝光、显影实施涂胶，以及去胶溶液去除光刻胶，在单模半导体激光器芯片的脊型波导上形成P型电极窗口，弥补了接触式光刻机在对位精度的不足，解决了单模半导体激光器芯片窄条宽上P型电极难制作的问题。

关键词：单模半导体激光器脊型波导光刻胶自对准涂胶去除制作半导体激光器芯片芯片半导体器件制备接触式光刻机绝缘介质薄膜去胶溶液退火处理研磨抛光半曝光光刻版外延片烘烤单模对位刻蚀显影窄条沉积

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一种基于调制半导体激光器级联注入的宽带混沌熵源

一种基于调制半导体激光器级联注入的宽带混沌熵源

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作者：李璞尚锦涵蔡强徐兵杰秦玉文王云才 510009 广东省广州市东风东路729号

本发明属于混沌通信技术领域，具体涉及到基于调制半导体激光器级联注入的宽带混沌熵源结构，包括N个直接调制单模半导体激光器和一个光电探测器，其特征是：通过直接调制使各个单模半导体激光器输出多模激光信号，进而利用级联注入的... 详细信息

标准号: CN117293648A

本发明属于混沌通信技术领域，具体涉及到基于调制半导体激光器级联注入的宽带混沌熵源结构，包括N个直接调制单模半导体激光器和一个光电探测器，其特征是：通过直接调制使各个单模半导体激光器输出多模激光信号，进而利用级联注入的方法，使得每次注入后的下一个激光器激发出新的频率成分，并且每个频率成分和原始纵模的失谐逐渐增加。在进行多次级联注入后，最后一个半导体激光器的多个纵模和其新激发出来的频率成分将相互连接，从经光电转换后最终实现频谱带宽极大增强的超宽带混沌熵源信号，并且根据应用需要，可以通过调节级联半导体激光器的个数对产生混沌熵源信号的频谱带宽进行定制。

关键词：级联混沌熵源单模半导体激光器半导体激光器频谱带宽直接调制纵模调制半导体激光器光电探测器多模激光光电转换混沌通信逐渐增加激光器超宽带激发宽带失谐输出应用

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一种半导体激光器及其制备方法

一种半导体激光器及其制备方法

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作者：张鹏斐张意宣扬骆伟祝涛 430000 湖北省武汉市洪山区雄楚大街981号

本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器包括在外延结构上刻蚀的脊波导，在靠近半导体激光器背光端面位置的脊波导上刻蚀有光栅结构；光栅结构包括模式选择区光栅和位于模式选择区一侧的模式过滤区光栅；本发明的半导体... 详细信息

标准号: CN116191201A

本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器包括在外延结构上刻蚀的脊波导，在靠近半导体激光器背光端面位置的脊波导上刻蚀有光栅结构；光栅结构包括模式选择区光栅和位于模式选择区一侧的模式过滤区光栅；本发明的半导体激光器在常规的大功率半导体激光器脊波导上制备光栅，实现模式选择和过滤，模式选择区的光栅与模式过滤区的光栅可以独立优化调整，最终实现大功率单模稳定工作，无须额外配备复杂的散热装置；另外该方案的大功率单模半导体激光器的制备工艺简单、可靠性高。

关键词：光栅半导体激光器模式选择区脊波导光栅结构模式过滤刻蚀制备大功率半导体激光器单模半导体激光器背光端面位置模式选择散热装置外延结构优化调整制备工艺常规的单模过滤配备

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一种半导体激光器

一种半导体激光器

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作者：张鹏斐张意宣扬骆伟祝涛 430000 湖北省武汉市洪山区雄楚大街981号

本实用新型提供一种半导体激光器，该半导体激光器包括在外延结构上刻蚀的脊波导，在靠近半导体激光器背光端面位置的脊波导上刻蚀有光栅结构；光栅结构包括模式选择区光栅和位于模式选择区一侧的模式过滤区光栅；本实用新型的半导体激... 详细信息

标准号: CN219123667U

本实用新型提供一种半导体激光器，该半导体激光器包括在外延结构上刻蚀的脊波导，在靠近半导体激光器背光端面位置的脊波导上刻蚀有光栅结构；光栅结构包括模式选择区光栅和位于模式选择区一侧的模式过滤区光栅；本实用新型的半导体激光器在常规的大功率半导体激光器脊波导上制备光栅，实现模式选择和过滤，模式选择区的光栅与模式过滤区的光栅可以独立优化调整，最终实现大功率单模稳定工作，无须额外配备复杂的散热装置；另外该方案的大功率单模半导体激光器的制备工艺简单、可靠性高。

关键词：光栅半导体激光器模式选择区脊波导本实用新型光栅结构模式过滤刻蚀大功率半导体激光器单模半导体激光器背光端面位置模式选择散热装置外延结构优化调整制备工艺常规的单模制备过滤配备

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