检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：黄杰中国科学院研究生院

学位级别：博士

太赫兹技术被称为“改变未来世界十大技术”之一，具有广泛应用前景，是重要的交叉前沿研究领域。THz波的产生和处理技术是THz研究领域的重点和难点，由于技术的限制，目前主要借助超快激光技术及非线性光学等方法实现。基于微电子技术... 详细信息

太赫兹技术被称为“改变未来世界十大技术”之一，具有广泛应用前景，是重要的交叉前沿研究领域。THz波的产生和处理技术是THz研究领域的重点和难点，由于技术的限制，目前主要借助超快激光技术及非线性光学等方法实现。基于微电子技术的THz波收发系统具有体积小、成本低、可室温工作、与未来THz通信技术兼容等显著优点，但其在国际上仍处在探索阶段，若干关键技术问题尚需突破。鉴于此，本论文将依据微电子技术的最新进展，深入研究THz波收发系统中的关键技术：高性能THz器件、新电路结构的新型THz源。具体包括：THz信号混频器所需高截止频率的InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)和THz复合左右手非线性传输线(CRLH-NLTLs)技术所需THz GaAs肖特基二极管等；针对新器件、新结构，对基于微电子技术的THz信号源电路结构进行深入研究，提出新结构电学THz源。通过研制高性能THz器件和电路，所获得的设计与制造技术有助于促进我国THz技术研究与应用水平的提高。本论文的主要创新性成果如下：\n 1、设计了适用于THz非线性传输线的新型THz GaAs肖特基二极管外延材料和器件结构，开发了一套具有自主知识产权的THz GaAs肖特基二极管制造工艺，提出了一套准确可靠的THz GaAs肖特基二极管大信号等效电路模型提取方法，该模型与通用EDA软件兼容，可以应用于各种微波电路的设计。\n 2、开展了InP基HEMT。关键工艺的研究，制作了高性能的InP基HEMT，器件性能如下：晶格匹配InP基HEMT，最高电流增益截止频率达190 GHz；晶格赝配的InP基HEMT，最高单向功率截止频率达310 GHz。\n 3、建立了与THz GaAs肖特基二极管工艺兼容的CRLH-NLTLs制造工艺；利用自行提取的THz GaAs肖特基二极管大信号模型，建立了较为完整的CRLM-NLTLs倍频电路设计流程，提出谐波转换效率高的CRLH-NLTLs结构。\n 4、基于自主知识产权的THz GaAs肖特基二极管工艺和模型，设计并实现了K波段和K-U波段CRLH-NLTLs单片倍频器，二次谐波转换效率均达到6.1％，二次谐波相位噪声分别为-103dBc/Hz@100kHz和-107dBc/Hz@100kHz。这是国内外首次报道工作于K波段、K-U波段基于CRLH-NLTLs单片倍频电路。电路的研制成功，验证了工艺和设计水平，为开展基于微电子技术的固态THz源打下坚实的基础。\n 5、将新兴的CRLH-NLTLs技术引入THz领域，探索了新型CRLH-NLTLs在THz频段特性，提出CRLH-NLTLs需的新型THz无源器件结构；基于自主知识产权的THz GaAs肖特基二极管工艺和模型，设计并制作了0.1THzCRLH-NLTLs单片倍频器，提出了0.1THz信号源原型机。\n 6、基于自主研发的THz GaAs肖特基二极管工艺和模型，设计和制作了一款K波段基于右手非线性传输线(RH-NLTLs)单片倍频器，研究RH-NLTLs倍频器的二次谐波产生、高次谐波抑制、电压调谐和相位噪声等特性。通过与新型CRLH-NLTLs倍频器比较，揭示RH-NLTLs技术在倍频电路中的优缺点和设计瓶颈，确定了CRLH-NLTLs技术在0.1THz以上频段的优势。

关键词：左手材料非线性传输线倍频器磷化铟晶体管单片电路

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毫米波宽带低噪声放大器单片电路研究

毫米波宽带低噪声放大器单片电路研究

引用

作者：黄清华中国科学院微电子研究所

学位级别：博士

随着微波技术的发展，用户剧增使微波频谱出现拥挤。而毫米波具有极宽带宽、波束窄、全天候工作、容易小型化的优点，从而促使了毫米波频率的利用。毫米波低噪声放大器是所有毫米波接收机前端的重要部件，广泛应用于毫米波雷达、毫米波... 详细信息

随着微波技术的发展，用户剧增使微波频谱出现拥挤。而毫米波具有极宽带宽、波束窄、全天候工作、容易小型化的优点，从而促使了毫米波频率的利用。毫米波低噪声放大器是所有毫米波接收机前端的重要部件，广泛应用于毫米波雷达、毫米波制导、电子对抗、毫米波通信等系统。因此，无论在军事应用，还是民用方面，毫米波低噪声放大器都具有广阔的市场前景，对毫米波低噪声放大器尤其是具有极低噪声系数的宽带低噪声放大器单片电路的研究具有重要的战略意义。\n 本论文对毫米波宽带低噪声放大器单片电路进行了深入地研究。在单端结构、平衡结构和行波放大器结构三方面分别进行了研究，成功研制出两款Ka波段的宽带低噪声放大器单片电路和一款带宽超过40GHz的超宽带行波放大器单片电路。取得的主要创新性成果如下：\n 1、利用负反馈和多谐振点技术成功设计出一款Ka波段单端式宽带低噪声放大器单片电路。并采用了电阻吸收网络和R-C串联的偏置网络提高稳定性。在23～36GHz的宽带范围内，增益大于26dB，噪声系数小2dB，输入驻波比小于1.8，输出驻波比小于1.8。指标达到国际先进水平，部分指标优于国际同类电路的指标。\n 2、提出一种新结构的LANGE耦合器，即采用二次金属制作指条，一次金属制作指条间的互连线，利用指条纵向跨越的方式制作空气桥。并提出了LANGE耦合器的一种电磁场仿真模型。这种新结构的LANGE耦合器能明显降低损耗，电磁场仿真表明，该LANGE耦合器比传统结构的LANGE耦合器损耗小0.3dB以上。\n 3、基于新结构的LNAGE耦合器，设计了一款Ka波段平衡式宽带低噪声放大器单片电路。相比于传统的LANGE耦合器，能明显降低噪声系数。实测结果表明，在24～40GHz的范围内，增益大于20dB，噪声系数小于2.3dB，输入驻波比和输出驻波比分别小于1.25和1.22。在噪声系数以及驻波比方面，优于国外公司及文献报道的相同频段的电路，达到国际先进水平。\n 4、提出了一种改进的行波放大器电路结构，即把行波放大器分成两段，它们之间用电容耦合级联。这种结构能明显提高增益和改善带宽。并成功研制出一款带宽超过40GHz的行波放大器单片电路，增益大于lldB，SII和S22均小于-10dB。

关键词：毫米波 Ka波段低噪声放大器单片电路平衡LANGE耦合器行波放大器

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1985年MTT-S国际微波讨论会与微波和毫米波单片电路讨论会

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半导体技术 1985年第5期 60-64+50页

作者：周焕文电子工业部第十三研究所

一、会议概况1985年国际微波讨论会与微波和毫社波单片电路讨论会于6月2日至7日在美国***召开.6月2日至4日召开的微波和毫米波单片会议上,发表了22篇论文.论文内容包括:单片接收机电路、单片毫米波电路、微波和毫米波单片功率放大器、... 详细信息

一、会议概况1985年国际微波讨论会与微波和毫社波单片电路讨论会于6月2日至7日在美国***召开.6月2日至4日召开的微波和毫米波单片会议上,发表了22篇论文.论文内容包括:单片接收机电路、单片毫米波电路、微波和毫米波单片功率放大器、低噪声放大器、开关和控制电路.6月4日至7日召开的MTT-S微波讨论会上发表了157篇论文.论文内容包括:各种微波器件、组件、放大器和应用电路,各种微波技术——加工制作技术、分析测量技术、

关键词： MTT-S 毫米波极高频微带混频器单片电路放大器电子设备变频损耗微波电磁波

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YIG调谐宽带硅单片电路振荡器研究

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微纳电子技术 1987年第4期 24-29页

作者：罗毅王长河曾庆明李高庆

本文对2～6GHz YIG调谐宽带晶体管振荡器的工作原理和设计方法进行了讨论。采用一种新型的Si MMIC单片作为有源器件,并使用紧凑型磁路结构提供调谐磁场,借助CAD技术获得了研究结果。选用单级振荡电路在1.8～5.7GHz频率范围内达到如下指... 详细信息

本文对2～6GHz YIG调谐宽带晶体管振荡器的工作原理和设计方法进行了讨论。采用一种新型的Si MMIC单片作为有源器件,并使用紧凑型磁路结构提供调谐磁场,借助CAD技术获得了研究结果。选用单级振荡电路在1.8～5.7GHz频率范围内达到如下指标:输出功率0.1～3.5mW,非线性度小于0.25％。

关键词：振荡器负阻单片电路线性度电子设备电阻宽带调谐 YIG

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XFC79宽频带单片电路设计

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半导体技术 1980年第1期 62-70页

作者：杨廷政七四九厂

为了满足电子技术飞速发展的需要,我们参考μA733电路的线路原理图设计了一种宽频带单片电路.该电路由两级差分对、射极跟随器组成串并级联反馈放大器,采用双端输入和双端输出,用恒流源供给各级工作电流.电路具有较高的输入阻抗、较低... 详细信息

为了满足电子技术飞速发展的需要,我们参考μA733电路的线路原理图设计了一种宽频带单片电路.该电路由两级差分对、射极跟随器组成串并级联反馈放大器,采用双端输入和双端输出,用恒流源供给各级工作电流.电路具有较高的输入阻抗、较低的输出阻抗,直流稳定性好,无外接元件,增益可以调节,使用方便等多种优点.

关键词：单片电路发射区 XFC79 结型晶体管基区电流增益宽频带宽波段带宽

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彩电单片电路TDA8366原理与应用

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电子天府 1997年第4期 90-96,104页

作者：董伟

TDA8366是一种由12C总线控制的PAL/NTSC制彩色电视机单片图象处理集成电路。除伴音解调电路外,它包含了从图象中频放大电路到RGB信号输出所有PAL/NTSC制小信号的处理电路和数字式东-西校正电路,同时又很容易实现SECAM制解调。 I^2C即INT... 详细信息

TDA8366是一种由12C总线控制的PAL/NTSC制彩色电视机单片图象处理集成电路。除伴音解调电路外,它包含了从图象中频放大电路到RGB信号输出所有PAL/NTSC制小信号的处理电路和数字式东-西校正电路,同时又很容易实现SECAM制解调。 I^2C即INTER IC,意为IC之间的通信。IZC总线采用时钟(CLOCK)、数据(DATA)两根线,简单明了,是多重双向的串行总线。目前,在大屏幕电视机及多制式彩色电视机中,I^2C总线(12C-BUS)控制越来越多地显示出它的优越性,得到了越来越广泛的应用。

关键词：彩电单片电路 TDA8366 应用

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MC14402 PCM单片电路应用

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实用影音技术 1995年第8期 53-56页

作者：刘运国陈汝全

为了简化用戶在使用莫托罗拉的MC14402 PCM(脉码调制)单片电路,特别是莫托罗拉单片电路评价板时的计算和评价,特编写了下面的使用指南与说明。给出了这种板子的电路图和印制电路图以及在用戶的印制板上设计单片电路的布局指南。为避免... 详细信息

为了简化用戶在使用莫托罗拉的MC14402 PCM(脉码调制)单片电路,特别是莫托罗拉单片电路评价板时的计算和评价,特编写了下面的使用指南与说明。给出了这种板子的电路图和印制电路图以及在用戶的印制板上设计单片电路的布局指南。为避免一些编译码器/滤波器计算的麻烦和困难,说明了模拟测试的多种考虑。

关键词：单片电路印制电路板编译码器输出电平同步信号噪声测量模拟测试加权滤波器参考阻抗脉码调制

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1985年IEEE单片电路会议和国际微波会议概况

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固体电子学研究与进展 1985年第3期 269-271页

作者：陈经波南京固体器件研究所

1985年6月3日到6日在美国圣路易斯召开了1985年度IEEE单片电路会议和国际微波讨论会.会议期间还有200多家公司参加了微波展览会的展出.单片会上发表了22篇论文,微波会159篇论文.提交报告的国家有17个,中国有4篇.会议厅横幅是“通向未来... 详细信息

1985年6月3日到6日在美国圣路易斯召开了1985年度IEEE单片电路会议和国际微波讨论会.会议期间还有200多家公司参加了微波展览会的展出.单片会上发表了22篇论文,微波会159篇论文.提交报告的国家有17个,中国有4篇.会议厅横幅是“通向未来之路”,希望通过与会代表的技术交流,使微波技术更好地为开创人类幸福的未来服务.现就两个会议的情况分别报道如下.一、国际微波讨论会GaAs FET及其应用在会议报告中起着重要作用,有关固体器件及其应用的内容占会议的三分之一,这方面内容的听众也很多,可容纳4～5百人的会场后排还站着许多人,可见FET及其应用在与会者心目中的地位.

关键词：单片电路 GaAs FET 双栅 IEEE 会议微波电磁波

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彩电超级单片电路主要功能引脚速查表（二）

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家电维修 2008年第7期 56-58页

作者：孙德印

超级单片电路微处理器部分的主要功能引脚超级单片电路的微处理器部分的主要功能引脚和对地电压见表3（下页），表中的引脚功能说明如下：

关键词：引脚速查表单片电路彩电功能引脚微处理器对地电压功能说明

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LA7685单片电路原理与检修

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家电维修 1998年第4期 3-6页

作者：刘航军周立云

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