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砷化镓微波单片电路技术在五十五所
砷化镓微波单片电路技术在五十五所
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 杨乃彬 李拂晓 张斌 陈堂胜 蒋幼泉 沈亚 高建峰 彭龙新 中国电子科技集团公司第五十五研究所(南京)
本文简要地介绍了中国电子科技集团公司第五十五研究所在砷化镓微波单片集成电路研究与开发方面的进展与突破.采用砷化镓0.5微米MESFET、HFET、PHEMT技术研制成功各类宽带及窄带单片电路,金属陶瓷及塑料封装的多种产品已应用于各类军用... 详细信息
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8mm GaAs功率单片电路
8mm GaAs功率单片电路
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'96全国第六届MIC电路及工艺会议
作者: 张幕义 张玉清 工业部第十三研究所
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用GaAs单片电路形成的高性能W波段集成振荡源组件
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固体电子学研究与进展 1995年 第4期 325-325页
作者: 曲兰欣
用GaAs单片电路形成的高性能W波段集成振荡源组件HBTMMIC介质谐振器振荡器(DRO)由于稳定性和相噪性能良好而受到微波和毫米波稳定振荡源的青睐。然而,Ka波段以上的HBTDRO却少有报道。据《IEEEM.G.W... 详细信息
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单片电路板式LED灯泡
单片电路板式LED灯泡
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作者: 陈泽民 中国台湾新竹市东大路3段511号
一种单片电路板式LED灯泡,包括一灯头、一设于灯头上方的灯壳以及与所述灯头电性连接的电路板,其特征在于:该电路板为单片电路板纵向插设于灯头内,再与灯头电性连接,且所述电路板的第一面所设LED位于该第一面的上端,而所述电路... 详细信息
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微波单片电路抗扰度测试夹具
微波单片电路抗扰度测试夹具
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作者: 迟雷 高金环 黄杰 杨洁 张希军 050051 河北省石家庄市合作路113号
本发明提供了一种微波单片电路抗扰度测试夹具,用于夹持微波单片电路并进行抗扰度测试,包括底座主体、PCB电路板、定位块、可拆卸连接在底座主体上的金属盒盖、设置在金属盒盖上的并用于压靠固定微波单片电路的压块,定位块上设有用... 详细信息
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一种太赫兹单片电路过渡结构
一种太赫兹单片电路过渡结构
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作者: 张勇 蒋巍 邓乐 余彩云 王莉 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
本发明公开一种太赫兹单片电路过渡结构,应用于太赫兹单片电路封装技术领域,针对现有技术存在的回波变差,损耗变大的问题,本发明通过将倒置微带线与放大器芯片进行连接,与传统的金丝键合连接形式相比,本发明的倒置微带线结构省去... 详细信息
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一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管
一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管
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作者: 蒋东铭 210016 江苏省南京市江宁区秣陵街道正方中路166号
本发明提出的是一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管,其结构包括GaAs衬底、P型半导体层、I型半导体层、N型半导体层,其中GaAs衬底的表面自下而上依次设置N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层;所述的N型半导体层在GaAs衬底的Y... 详细信息
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一种毫米波及太赫兹单片电路过渡结构及其实现方法
一种毫米波及太赫兹单片电路过渡结构及其实现方法
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作者: 于伟华 高港 武楠 陈纲 孙丽敏 许迪迪 100081 北京市海淀区中关村南大街5号
本发明公开了一种毫米波及太赫兹单片电路过渡结构及其实现方法。本发明的电磁带隙结构包括多个相同的周期性二维排列的单元结构;每一个单元结构包括两个相同的金属销钉和一个空气销钉,电磁带隙结构使得电磁带隙调节范围更宽,金属销... 详细信息
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集成在片探针的太赫兹单片电路结构及其设计方法
集成在片探针的太赫兹单片电路结构及其设计方法
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作者: 柳林 胡志富 何美林 何锐聪 刘亚男 彭志农 徐敏 071000 河北省保定市容城县容城镇影院路1号B区201室
本发明公开了一种集成在片探针的太赫兹单片电路结构及设计方法,所述电路结构包括衬底,所述衬底包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底,所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路,所述太赫兹单片电路的输入端以及... 详细信息
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一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管
一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管
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作者: 蒋东铭 210016 江苏省南京市江宁区秣陵街道正方中路166号
本发明提出的是一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管,其结构包括GaAs衬底、P型半导体层、I型半导体层、N型半导体层,其中GaAs衬底的表面自下而上依次设置N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层;所述的N型半导体层在GaAs衬底的Y... 详细信息
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