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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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20 篇 专利

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20 篇 电子文献
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机构

7 篇 电子科技大学
3 篇 无锡中感微电子股...
2 篇 西安电子科技大学
1 篇 上海贝岭股份有限...
1 篇 江苏芯力特电子科...
1 篇 开县正品诚赢科技...
1 篇 中国航天科技集团...
1 篇 深圳市同创国芯电...
1 篇 北京理工大学
1 篇 四川和芯微电子股...
1 篇 无锡中普微电子有...

作者

4 篇 樊华
3 篇 董华
3 篇 胡绍刚
3 篇 王钊
3 篇 刘洋
3 篇 吴霜毅
3 篇 于奇
3 篇 佛朗哥·马勒博迪
2 篇 李竞春
1 篇 何文明
1 篇 来新泉
1 篇 李跃进
1 篇 张文杰
1 篇 谢亮
1 篇 万嘉月
1 篇 刘松
1 篇 刘晨
1 篇 蔚婷婷
1 篇 李飞鸣
1 篇 杨银堂

语言

20 篇 中文

检索条件"主题词=占用芯片面积"

共 20 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

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一种多相非交叠时钟电路

一种多相非交叠时钟电路

引用

作者：张文杰谢亮金湘亮 212411 江苏省镇江市句容市宝华镇仙林东路16号

本发明公开了一种多相非交叠时钟电路。所述多相非交叠时钟电路包括延迟模块，周期脉冲产生模块，多个反向器和多个RS触发器，所述延迟模块输入端与周期脉冲产生模块其中一个输入端连接作为主时钟输入端口，延迟模块输出端接至周期脉冲... 详细信息

标准号: CN103166605B

本发明公开了一种多相非交叠时钟电路。所述多相非交叠时钟电路包括延迟模块，周期脉冲产生模块，多个反向器和多个RS触发器，所述延迟模块输入端与周期脉冲产生模块其中一个输入端连接作为主时钟输入端口，延迟模块输出端接至周期脉冲产生模块另一输入端，周期脉冲产生模块输出端接至各RS触发器的置位端，各反向器的输入端分别作为多相时钟的输入端口，各反向器输出端分别接至对应RS触发器的另一个输入端，各RS触发器的输出端分别作为多相非交叠时钟的输出端口。本发明结构简单、占用芯片面积小、可靠性高能对与主时钟同步的多相时钟进行处理。

关键词：产生模块周期脉冲非交叠时钟延迟模块输出端输入端多相一个输入端多相时钟反向器电路反向器输出端时钟输入端口占用芯片面积主时钟同步输出端口输入端口置位端一种对应连接公开处理进行

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大深宽比TSV通孔分步刻蚀和侧壁修饰方法

大深宽比TSV通孔分步刻蚀和侧壁修饰方法

引用

作者：单光宝刘松孙有民蔚婷婷李翔 710000 陕西省西安市高新路28号

本发明公开了一种大深宽比TSV通孔分步刻蚀和侧壁修饰方法，首先在P<100>型单晶硅晶圆表面用PE？CVD方法淀积一层SiO2，并在SiO2表面涂光刻胶，曝光显影，露出需要刻蚀的二氧化硅窗口；然后用等离子干法刻蚀方法在露出的... 详细信息

标准号: CN103715131B

本发明公开了一种大深宽比TSV通孔分步刻蚀和侧壁修饰方法，首先在P<100>型单晶硅晶圆表面用PE？CVD方法淀积一层SiO₂，并在SiO₂表面涂光刻胶，曝光显影，露出需要刻蚀的二氧化硅窗口；然后用等离子干法刻蚀方法在露出的窗口处进行二氧化硅层的刻蚀，一直刻蚀至单晶硅晶圆表面；最后进行优化的多步Bosch刻蚀工艺。本发明不引入K+污染，不经高温工艺处理，具有通孔尺寸占用芯片面积小、经济效益高，与IC工艺兼容，不仅能制作出高密度、大深宽比通孔，减少通孔侧壁“扇贝”尺寸、提高侧壁平整度，降低后续侧壁绝缘工艺难度，还能提升击穿电压，增加TSV立体集成器件可靠性。

关键词：刻蚀单晶硅晶圆深宽比侧壁等离子干法刻蚀占用芯片面积露出二氧化硅层器件可靠性二氧化硅分步刻蚀高温工艺击穿电压绝缘工艺刻蚀工艺立体集成曝光显影通孔侧壁通孔尺寸涂光刻胶修饰方法扇贝窗口处高密度后续侧平整度淀积多步通孔一层一种兼容引入提升污染优化进行公开减少处理需要

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一种采用硅通孔构成的三维集成电容器及其制造方法

一种采用硅通孔构成的三维集成电容器及其制造方法

引用

作者：尹湘坤朱樟明杨银堂李跃进丁瑞雪 710071 陕西省西安市太白南路2号

本发明属于涉及一种采用硅通孔构成的三维集成电容器及其制造方法。一种采用硅通孔构成的三维集成电容器，包括顶层介质层、外层金属环极板、内层金属极板、顶层层间介质层、外层互连金属环、内层互连金属柱、中间层互连金属环、半导体... 详细信息

标准号: CN105206421A

本发明属于涉及一种采用硅通孔构成的三维集成电容器及其制造方法。一种采用硅通孔构成的三维集成电容器，包括顶层介质层、外层金属环极板、内层金属极板、顶层层间介质层、外层互连金属环、内层互连金属柱、中间层互连金属环、半导体衬底、第一介质层、第一金属环层、第二介质层、第二金属环层、第三介质层、第三金属环层、第四介质层、金属柱层、底层层间介质、外层金属环、内层金属环、底层介质、底层互连金属。本发明公开的三维电容器的制作均采用硅通孔制造工艺，工艺兼容性高，制造成本低；占用芯片面积小；该三维集成电容器具有较大的电容密度；而其与地接触面积仅限于外围金属层，因此对地寄生电容减小到fF量级。

关键词：介质层互连金属电容器三维集成硅通孔金属环层内层金属外层金属极板一种与地接触面积占用芯片面积半导体衬底顶层介质层工艺兼容性三维电容器外围金属层底层介质第三金属电容密度寄生电容制造成本制造工艺金属柱中间层环层减小内层构成制作公开涉及

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一种流水线型逐次逼近模数转换器的前后级交换方法

一种流水线型逐次逼近模数转换器的前后级交换方法

引用

作者：樊华 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明一种流水线型逐次逼近模数转换器的前后级交换方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是一种流水线型逐次逼近模数转换器。不需要引入额外的运放进行噪声整形，不需要引入任何校正算法，也不需要引入Dither，只需要在两次转换... 详细信息

标准号: CN105245231A

本发明一种流水线型逐次逼近模数转换器的前后级交换方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是一种流水线型逐次逼近模数转换器。不需要引入额外的运放进行噪声整形，不需要引入任何校正算法，也不需要引入Dither，只需要在两次转换之间交换第一级逐次逼近模数转换器和第二级逐次逼近模数转换器，即可避免电容失配在同一码字的误差进行累加，因此，与传统依赖噪声整形、校正算法或者Dither来提高DNL/INL的校正方法相比，具有结构更简单、占用芯片面积更小、更容易在片上实现的效果。

关键词：逐次逼近模数转换器不需要流水线型校正算法噪声整形一种引入微电子学占用芯片面积电容失配交换方法校正方法第二级第一级前后级同一码累加电子学片上运放依赖转换容易交换进行涉及需要

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用于稳压电源芯片的软启动电路

用于稳压电源芯片的软启动电路

引用

作者：来新泉王涛邵丽丽刘晨 710071 陕西省西安市太白南路2号

本发明公开了一种用于稳压电源芯片的软启动电路，主要解决现有的软启动电路占用芯片面积大、额外增加功率消耗的问题。其包括一个PMOS管M1和两个NMOS管M2、M3；该PMOS管M1的源极接电源VDD，栅极接控制信号ONX，漏极接第一NMOS管M2的漏... 详细信息

标准号: CN103631303B

本发明公开了一种用于稳压电源芯片的软启动电路，主要解决现有的软启动电路占用芯片面积大、额外增加功率消耗的问题。其包括一个PMOS管M1和两个NMOS管M2、M3；该PMOS管M1的源极接电源VDD，栅极接控制信号ONX，漏极接第一NMOS管M2的漏极和第二NMOS管M3的栅极；该第一NMOS管M2的源极接地，栅极接基准电压V_REF；该第二NMOS管M3的源极接地，漏极接基准电压V_REF。高电平控制信号ONX关断PMOS管M1，使其漏极电压缓慢降低，削弱第二NMOS管M3的导通能力，进而使其对基准电压V_REF的短路作用减弱，实现基准电压V_REF从零缓慢上升到预设值。本发明延长了基准电压V_REF的建立时间，使其与稳压电源芯片的输出电压V_OUT同步建立，有效地抑制了稳压电源芯片启动过程中的浪涌电流。

关键词：基准电压稳压电源芯片漏极软启动电路源极接地高电平控制信号占用芯片面积导通能力额外增加功率消耗缓慢降低缓慢上升建立时间控制信号浪涌电流漏极电压启动过程输出电压同步建立对基准接电源预设值短路关断两个一种源极电压减弱削弱抑制公开有效解决

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应用于芯片内的分压电路

应用于芯片内的分压电路

引用

作者：王钊 214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层

本实用新型公开了一种应用于芯片内的分压电路，其包括：串联于输入电源电压端和接地端的第一分压单元和第二分压单元，第一分压单元和第二分压单元的中间连接节点作为分压输出端，每个分压单元至少包括一个分压基本器件，分压基本器件... 详细信息

标准号: CN205229875U

本实用新型公开了一种应用于芯片内的分压电路，其包括：串联于输入电源电压端和接地端的第一分压单元和第二分压单元，第一分压单元和第二分压单元的中间连接节点作为分压输出端，每个分压单元至少包括一个分压基本器件，分压基本器件包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的源极与第二晶体管的栅极相连，第二晶体管的源极与第一晶体管的栅极相连，第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极相连，第一晶体管的源极为分压基本器件的第一连接端，第二晶体管的源极为分压基本器件的第二连接端，电流从分压基本器件的第一连接端流动至分压基本器件的第二连接端。与现有技术相比，本实用新型不采用电阻串联的方式进行分压，占用芯片面积较小，功耗较低。

关键词：分压第二晶体管第一晶体管分压单元第二连接第一连接栅极相连源极串联输入电源电压占用芯片面积中间连接节点分压输出端采用电阻分压电路漏极相连接地芯片内实用功耗漏极一种电流流动应用公开进行

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一种基于FPGA的信号扩展显示装置

一种基于FPGA的信号扩展显示装置

引用

作者：台明超 405458 重庆市开县铁桥镇灵通村5组100号

本实用新型属于电子显示产品领域，本实用新型提供了一种基于FPGA的信号扩展显示装置，其包括壳体，以及壳体内部的FPGA控制器；所述FPGA控制器包括信号输入单元，FIFO存储器1；信号压缩单元；FIFO存储器2；信号扩展单元；输出单元和显... 详细信息

标准号: CN204791904U

本实用新型属于电子显示产品领域，本实用新型提供了一种基于FPGA的信号扩展显示装置，其包括壳体，以及壳体内部的FPGA控制器；所述FPGA控制器包括信号输入单元，FIFO存储器1；信号压缩单元；FIFO存储器2；信号扩展单元；输出单元和显示器；本实用新型以可编程器件？FPGA？为核心，解决现有的CMOS压缩扩展器采用数字信号处理来达到压缩和扩展功能，一般结构复杂，而且非常占用芯片面积，并仍然需要外挂元件，增加了成本这一缺点。

关键词：存储器信号扩展实用外挂电子显示产品数字信号处理信号输入单元占用芯片面积可编程器件压缩扩展器壳体内部扩展功能输出单元显示装置信号压缩压缩和壳体一种显示器需要解决

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一种可编程小数分频电路

一种可编程小数分频电路

引用

作者：何文明宣学雷林斗勋 518057 广东省深圳市南山区高新科技产业园南区科技南八道豪威科技大厦16层

本发明实施例公开了一种可编程小数分频电路，涉及集成电路技术领域，解决了现有技术中小数分频电路算法复杂，占用芯片面积和功耗比较大的缺陷。本发明的可编程小数分频电路包括计数器、选择信号产生模块、8个上升沿比较模块、8个下降... 详细信息

标准号: CN105187052A

本发明实施例公开了一种可编程小数分频电路，涉及集成电路技术领域，解决了现有技术中小数分频电路算法复杂，占用芯片面积和功耗比较大的缺陷。本发明的可编程小数分频电路包括计数器、选择信号产生模块、8个上升沿比较模块、8个下降沿比较模块、8个上升沿相移模块、8个下降沿相移模块和分频时钟输出模块，具体是根据分频参数M和N的取值和8个同频异相的输入时钟得到分频时钟的一个时钟单元中的8个上升沿和8个下降沿，然后对得到的8个上升沿和8个下降沿进行逻辑运算，得到对基本时钟clk_0进行分频后的分频时钟clk_out，其中，所述8个同频异相的输入时钟分别为clk_0～clk_7，其中，clk_0即为待处理的基本时钟，相邻输入时钟之间的相位差为1/16个基本时钟。

关键词：上升沿下降沿分频时钟基本时钟输入时钟比较模块相移模块小数分频可编程同频异相电路占用芯片面积计数器产生模块分频参数分频电路逻辑运算时钟单元输出模块选择信号待处理相位差分频功耗取值算法一种集成电路复杂进行公开涉及解决

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电压调节器

电压调节器

引用

作者：王钊 214135 江苏省无锡市无锡新区清源路18号太湖国际科技园传感网大学科技园530大厦A1001

本发明涉及一种电压调节器，包括：偏置电路，为放大器的一端和电流镜电路提供第一偏置电流，为放大器的另一端提供第二偏置电流；电流镜电路，将第一偏置电流镜像为镜像电流，并将镜像电流提供给箝位电路；放大器，对在第一偏置电流下... 详细信息

标准号: CN104460801B

本发明涉及一种电压调节器，包括：偏置电路，为放大器的一端和电流镜电路提供第一偏置电流，为放大器的另一端提供第二偏置电流；电流镜电路，将第一偏置电流镜像为镜像电流，并将镜像电流提供给箝位电路；放大器，对在第一偏置电流下产生的第一节点电压和在第二偏置电流下产生的第二节点电压进行调整，使得第二节点电压等于第一节点电压；箝位电路对电压调节器的输出电压和第二节点电压的电压差箝位，以产生箝位电压；输出电路，为电压调节器的输出电压VO提供驱动电流。本发明实施例提供的电压调节器无需外接电容即可稳定，结构简单、占用芯片面积更小，输出电压随负载电流的变化较小，能跟踪工艺变化和温度变化，且静态电流较小。

关键词：电压调节器偏置电流放大器节点电压输出电压第一节点镜像电流箝位电路偏置电流镜像占用芯片面积电流镜电路负载电流工艺变化静态电流偏置电路驱动电流输出电路外接电容箝位电压电压差电压和和电流镜电路产生一种箝位电压跟踪涉及变化调整稳定进行

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求大网络电路

求大网络电路

引用

作者：刘洋张晓宸董华胡绍刚吴霜毅于奇 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明涉及求大网络电路，具有神经信号选择单元，神经信号选择单元的输出端分别与放大输出单元和神经信号强度检测单元连接，所述神经信号强度检测单元的输出端连接所述的放大输出单元输入端，神经信号选择单元具有至少2个神经信号输... 详细信息

标准号: CN103414460B

本发明涉及求大网络电路，具有神经信号选择单元，神经信号选择单元的输出端分别与放大输出单元和神经信号强度检测单元连接，所述神经信号强度检测单元的输出端连接所述的放大输出单元输入端，神经信号选择单元具有至少2个神经信号输入端，放大输出单元具有与神经信号选择单元上神经信号输入端的数量相匹配数量的输出端。本发明的求大网络电路，在低功耗、结构简单和占用芯片面积小的基础上，实现了求大网络电路的多输入。

关键词：神经信号选择单元放大输出单元大网络强度检测单元电路输出端输入端占用芯片面积输出端连接低功耗多输入相匹配连接涉及

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