检索结果-内蒙古大学图书馆

微计算机信息 2008年第2期24卷 285-286,298页

作者：赵斌陈迪平曾健平刘文用湖南大学物理与微电子学院长沙410082

在分析压控振荡器相位噪声的基础上,通过采用尾电流整形滤波技术设计了一种低相位噪声低功耗差分LC压控振荡器。电路设计采用TSMC 0.18um 1P6M CMOS RF工艺,利用Cadence软件中的SpectreRF工具对电路进行了仿真,结果显示,在电源电压VDD=1... 详细信息

在分析压控振荡器相位噪声的基础上,通过采用尾电流整形滤波技术设计了一种低相位噪声低功耗差分LC压控振荡器。电路设计采用TSMC 0.18um 1P6M CMOS RF工艺,利用Cadence软件中的SpectreRF工具对电路进行了仿真,结果显示,在电源电压VDD=1.8V时,其中心频率为1.8GHz,频率的变化范围为1.43~1.82GHz,相位噪声为-121dBc/Hz@600kHz。静态功耗仅为2.5mW(1.8V×1.39mA)。

关键词：压控振荡器相位噪声尾电流整形滤波

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一种基于阻抗变换的低噪声LC压控振荡器设计

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电子器件 2019年第2期42卷 394-398页

作者：周鑫田晔非重庆电子工程职业学院通信工程学院重庆401331 重庆大学电气工程学院重庆400044

为了提高相位噪声性能,提出了一种基于阻抗变换模块的新型无尾电流源电感电容(LC)压控振荡器。该阻抗变换模块位于交叉耦合晶体管的漏极与栅极之间,能够减少有源器件产生的噪声,并且交叉耦合晶体管主要位于饱和区域,能够防止LC谐振腔的... 详细信息

为了提高相位噪声性能,提出了一种基于阻抗变换模块的新型无尾电流源电感电容(LC)压控振荡器。该阻抗变换模块位于交叉耦合晶体管的漏极与栅极之间,能够减少有源器件产生的噪声,并且交叉耦合晶体管主要位于饱和区域,能够防止LC谐振腔的品质因数降低。此外,相较于传统LC振荡器,该振荡器在低电压工作条件下能够维持低相位噪声性能,并采用0.18μm CMOS工艺进行了具体实现。实验结果表明:在3 MHz偏移频率的条件下,提出的振荡器相位噪声范围为-138.8 dBc/Hz～-141.1 dBc/Hz,调谐范围增加了大约22.8%。在此调谐范围内,与其他提LC压控振荡器相比,所提方法具有更大的品质因数更好,具体为191.8 dBc/Hz。

关键词：压控振荡器 LC振荡器相位噪声低电压

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基于环形振荡器的压控振荡器的频率设计

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微计算机信息 2006年第12Z期22卷 238-240,177页

作者：陈聪葛宁阮方清华大学电子工程系北京100084

文章分析了环形振荡器中延迟环节内与延迟时间(即振荡频率)有关的MOS管参数问题,结合一个中心频率为600MHz,0.18-μmCOMS制造工艺,1.8-V电源电压的VCO设计,做了仿真验证。最后文章总结出对于一般的基于环形振荡器的压控振荡器的频率调... 详细信息

文章分析了环形振荡器中延迟环节内与延迟时间(即振荡频率)有关的MOS管参数问题,结合一个中心频率为600MHz,0.18-μmCOMS制造工艺,1.8-V电源电压的VCO设计,做了仿真验证。最后文章总结出对于一般的基于环形振荡器的压控振荡器的频率调解的方法。

关键词：环形振荡器压控振荡器频率延迟

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低噪声双环路压控振荡器的设计

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微电子学 2015年第3期45卷 315-319页

作者：路小龙高博龚敏薛兵四川省微电子技术重点实验室成都610064

基于SMIC 65nm CMOS RF工艺库,设计了一款低噪声差分型双环路压控振荡器。针对振荡器中的延迟单元,引入PMOS交叉耦合正反馈技术,以提高输出波形的摆幅;采用Maneatis负载结构,改善输出波形的对称性;利用次级延迟环路输入MOS管的开关作用... 详细信息

基于SMIC 65nm CMOS RF工艺库,设计了一款低噪声差分型双环路压控振荡器。针对振荡器中的延迟单元,引入PMOS交叉耦合正反馈技术,以提高输出波形的摆幅;采用Maneatis负载结构,改善输出波形的对称性;利用次级延迟环路输入MOS管的开关作用,减小振荡周期中PMOS管的沟道热噪声对输出节点的影响,以提高相位噪声性能。后仿真结果表明,在1.2V电源电压下,可控电压调节范围为0.1-0.7V时,输出频率调谐范围为3.8-1.63GHz,在振荡频率为3.8GHz处的相位噪声为-100.4dBc/Hz@1 MHz,在1.63GHz处的相位噪声为-103.5dBc/Hz@1 MHz,功耗为13.2mW。

关键词：压控振荡器 Maneatis结构双环路相位噪声

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S波段简易压控振荡器的设计与实现

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现代雷达 2015年第4期37卷 65-68,72页

作者：李彪潘安李家强葛俊祥李垚南京信息工程大学江苏省气象探测与信息处理重点实验室南京210044

描述了一种S波段简易压控振荡器(VCO)的设计。该设计基于负阻原理,利用微波有源器件的小信号S参数,采用低噪声晶体管和变容二极管作为核心器件降低振荡器的相位噪声。适当的匹配补偿电路有效地改善了VCO的调频(FM)线性度,同时,有效地抑... 详细信息

描述了一种S波段简易压控振荡器(VCO)的设计。该设计基于负阻原理,利用微波有源器件的小信号S参数,采用低噪声晶体管和变容二极管作为核心器件降低振荡器的相位噪声。适当的匹配补偿电路有效地改善了VCO的调频(FM)线性度,同时,有效地抑制了谐波分量。实际电路测试结果表明:该VCO的中心频率为3.09 GHz,输出功率为10.9 d Bm,调谐范围大于200 MHz,FM线性度优于3%,功率平坦度良好,相位噪声达到了-104.5 d Bc/Hz@100 k Hz,128.9 d Bc/Hz@1 MHz,且电路结构简单,工程应用性强。

关键词： S波段压控振荡器 S参数负阻特性结构简单

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8098单片机可编程在压控振荡器中的应用

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电气自动化 1995年第4期17卷 39-40,33页

作者：纪宗南南京航空航天大学自控系

说明利用8098实现VCO的原理,硬件电路和软件设计。最后并对软件中某些部分进行详细分析。

关键词：压控振荡器程序控制器微机

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基于可变全差分电感的宽带压控振荡器设计

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半导体技术 2016年第11期41卷 811-815页

作者：贺章擎任志雄万相奎李风从湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心武汉430068 湖北工业大学电气与电子工程学院武汉430068

提出了一种新型结构的可变全差分电感,并将其应用于一款宽带CMOS压控振荡器（VCO）的设计。通过开关控制电感值大小在0.87 nH和1.72 nH之间变换,进一步通过4 bit数字信号控制MOS管电容阵列开关的闭合,VCO输出频率调谐范围（FTR）超过57... 详细信息

提出了一种新型结构的可变全差分电感,并将其应用于一款宽带CMOS压控振荡器（VCO）的设计。通过开关控制电感值大小在0.87 nH和1.72 nH之间变换,进一步通过4 bit数字信号控制MOS管电容阵列开关的闭合,VCO输出频率调谐范围（FTR）超过57%。采用TSMC 55 nm1P8M CMOS工艺对VCO进行了流片和性能测试,测试结果表明：VCO的输出信号频率范围为3.98-7.22 GHz,其中,开关闭合状态下VCO高频频率范围为4.73-7.22 GHz,开关打开状态下VCO低频频率范围为3.98-5.23 GHz;1 MHz频偏处,VCO的整体相位噪声小于-104 d Bc/Hz,适用于多频段无线收发器的设计。VCO的电源电压为1.2 V,芯片面积为0.39 mm2。

关键词：差分电感压控振荡器相位噪声宽带调谐范围

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一种基于BiCMOS工艺的差分压控振荡器

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微电子学 2005年第5期35卷 553-556页

作者：李永峰李卫民航天时代电子公司研究院微电子技术部北京100076

设计了一种Colpitts型LC振荡器.该电路采用差分结构,具有集成度高,噪声性能良好的优点.该设计基于0.8 μm BiCMOS工艺,实现了中心频率为433 MHz的Colpitts型差分压控振荡器(VCO).电路采用3 V电压供电,频率范围399.8 ～ 465.1 MHz,偏离... 详细信息

设计了一种Colpitts型LC振荡器.该电路采用差分结构,具有集成度高,噪声性能良好的优点.该设计基于0.8 μm BiCMOS工艺,实现了中心频率为433 MHz的Colpitts型差分压控振荡器(VCO).电路采用3 V电压供电,频率范围399.8 ～ 465.1 MHz,偏离中心频率1 MHz处的相位噪声是-137 dBc/Hz.

关键词：压控振荡器锁相环相位噪声 BiCMOS

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低抖动高线性压控振荡器设计与仿真分析

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华侨大学学报（自然科学版） 2017年第6期38卷 858-861页

作者：崔冰杨骁徐锦里华侨大学信息科学与工程学院福建厦门361021 厦门市ASIC与系统重点实验室福建厦门361008

设计一种应用于锁相环(PLL)电路的压控振荡器(VCO).该电路采用浮空电容结构,相对传统接地电容结构,可提高电容充放电幅值,减小时钟抖动.快速电平检测电路,使电路在未采用反馈和补偿的前提下,减小环路延时,从而实现高线性.电路采用CSMC ... 详细信息

设计一种应用于锁相环(PLL)电路的压控振荡器(VCO).该电路采用浮空电容结构,相对传统接地电容结构,可提高电容充放电幅值,减小时钟抖动.快速电平检测电路,使电路在未采用反馈和补偿的前提下,减小环路延时,从而实现高线性.电路采用CSMC 0.6μm CMOS标准工艺库实现.仿真结果表明:振荡频率为0.79,24,30 MHz时的相位噪声达到-128,-122,-120dBc·Hz-1@1 MHz.通过调节外接电阻电容,使得电路在36V电源电压下,输出100.03.0×107 MHz的矩形波,电路兼具低相位噪声和高线性特性.

关键词：锁相环压控振荡器浮空电容相位噪声

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基于电流复用技术的LC压控振荡器

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微电子学 2011年第4期41卷 528-531页

作者：郭鑫龚敏刘林涛四川大学物理科学与技术学院成都610065 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

介绍了一种改进的LC压控振荡器。该电路采用电流复用技术维持有源负阻的相对稳定,有效增大了输出摆幅,同时没有尾电流上混频引入的1/f噪声,大大减小了相位噪声。另外,与常规VCO不同,采用开关阶跃电容结构,在一定程度上增大了可变电容的... 详细信息

介绍了一种改进的LC压控振荡器。该电路采用电流复用技术维持有源负阻的相对稳定,有效增大了输出摆幅,同时没有尾电流上混频引入的1/f噪声,大大减小了相位噪声。另外,与常规VCO不同,采用开关阶跃电容结构,在一定程度上增大了可变电容的调节范围。采用TSMC 0.18μmRF CMOS 1P6M工艺,仿真得到在1.25 V基准电压下供电时,可有950~1050 MHz的线性调节范围,在中心频率1 GHz频偏1 MHz时的相位噪声为-129.3 dBc/Hz,功耗为4.1 mW。

关键词：压控振荡器电流复用开关阶跃电容相位噪声

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