检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2007年第2期27卷 217-220,225页

作者：李丽赵正平张志国郭文胜吕苗杨瑞霞河北工业大学信息工程学院天津300130 河北半导体研究所石家庄050051

报道了一种中心频率为2GHz的电感电容(LC)压控振荡器,其谐振回路由微机械可变电容和键合线电感构成。微机械可变电容采用与集成电路兼容的表面微机械工艺制造,在2GHz时其Q值约为32.6,当调节电压从0V增大到12V时,电容量变化范围为25%。... 详细信息

报道了一种中心频率为2GHz的电感电容(LC)压控振荡器,其谐振回路由微机械可变电容和键合线电感构成。微机械可变电容采用与集成电路兼容的表面微机械工艺制造,在2GHz时其Q值约为32.6,当调节电压从0V增大到12V时,电容量变化范围为25%。通过键合技术将微机械可变电容与有源电路集成在一起,制备了MEMSVCO器件,测试结果表明,载波频率为2.004GHz时,VCO的单边带相位噪声为-103.5dBc/Hz@100kHz,输出功率为12.51dBm。调频范围约为4.8%。

关键词：微电子机械系统可变电容压控振荡器

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超高频声表面波压控振荡器

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压电与声光 1994年第4期16卷 1-5页

作者：黄汉生陈小兵四川压电与声光技术研究所

本文介绍了ＵＨＦ频段声表面波压控振荡器的原理、设计与实验结果。实验制作的ＵＨＦ声表面波压控振荡器的工作频率为４１６ＭＨｚ；压控频偏＞４００ｋＨｚ；压控线性度为±３％；输出功率为７～１０ｄＢｍ。

关键词：声表面波超高频压控振荡器

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锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究

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计算机工程与科学 2011年第2期33卷 75-79页

作者：秦军瑞陈吉华赵振宇梁斌刘征国防科学技术大学计算机学院湖南长沙410073

空间辐射环境中的锁相环在SET作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对SET最为敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用TCAD混合模拟的方法,针对180nm体硅C... 详细信息

空间辐射环境中的锁相环在SET作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对SET最为敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用TCAD混合模拟的方法,针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器,研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响,通过分析失效机理,以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明,当器件工作在截止区时,入射粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差最小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高,轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差也是增大的。

关键词：单粒子瞬变压控振荡器混合模拟

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一种适用于2.4GHz ISM射频波段的全集成C MOS压控振荡器

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Journal of Semiconductors 2003年第3期24卷 322-326页

作者：王海永林敏李永明陈弘毅清华大学微电子学研究所北京100084

提出了一种频率可调范围约 2 30MHz的全集成LC压控振荡器 (VCO) .该压控振荡器是用 6层金属、0 18μm的标准CMOS工艺制造完成 .采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低... 详细信息

提出了一种频率可调范围约 2 30MHz的全集成LC压控振荡器 (VCO) .该压控振荡器是用 6层金属、0 18μm的标准CMOS工艺制造完成 .采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低功耗的措施 .测试结果表明 ,该压控振荡器在电源电压为 1 8V的情况下功耗约为10mW ,在振荡器中心频率为 2 46GHz时的单边带相位噪声为 - 10 5 89dBc/Hz @6 0 0kHz .该压控振荡器可以应用于锁相环电路或频率综合器中 .

关键词： CMOS 压控振荡器射频变容管互补金属氧化物半导体晶体管 VCO ISM频段

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低增益变化宽线性范围低噪声压控振荡器设计

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微电子学与计算机 2014年第6期31卷 84-90页

作者：郑金汪陈华倪侃郭桂良张润曦刘生有来强涛阎跃鹏中国科学院微电子研究所北京100029 华东师范大学微电子电路与系统研究所上海710054

应用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一款低调谐增益变化,恒定调谐曲线间隔,恒定输出摆幅的低功耗低噪声宽带压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).本振荡器的振荡频率覆盖1.153~1.911GHz(49.5%)范围,相邻调谐曲线的覆盖范围大于... 详细信息

应用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一款低调谐增益变化,恒定调谐曲线间隔,恒定输出摆幅的低功耗低噪声宽带压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).本振荡器的振荡频率覆盖1.153~1.911GHz(49.5%)范围,相邻调谐曲线的覆盖范围大于50%,调谐增益变化范围为45.5~52.7MHz/V(13.7%),相邻调谐曲线间距变化范围为43.2~45.9MHz(5.9%),VCO输出波形的峰峰值为694~715mV(3%),调谐曲线的线性范围为0.2~1.6V(1.4V).在1.8V的电源电压下,VCO在中心频率1.53GHz处耗电电流为3.2mA,相位噪声在1MHz频偏处为-130.5dBc/Hz,FOM值为-186.5dBc/Hz.

关键词：频率综合器压控振荡器低调谐增益变化低功耗低相位噪声

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一种具有上电启动功能的差分环形压控振荡器

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微电子学 2019年第4期49卷 471-476页

作者：刘雨婷刘兴辉孙嘉斌李威王绩伟辽宁大学物理学院沈阳110036 北京崇新通信技术有限公司北京100041 中国科学院计算技术研究所北京100190

设计了一种具有上电启动功能的差分环形压控振荡器(VCO),该电路可作为时钟产生模块应用于SoC中的高速锁相环(PLL)。该VCO采用全差分延迟结构,可更好地抑制来自电源的共模噪声。增加了使控制电压变化可控的上电启动电路,便于控制PLL中环... 详细信息

设计了一种具有上电启动功能的差分环形压控振荡器(VCO),该电路可作为时钟产生模块应用于SoC中的高速锁相环(PLL)。该VCO采用全差分延迟结构,可更好地抑制来自电源的共模噪声。增加了使控制电压变化可控的上电启动电路,便于控制PLL中环路开启次序,缩短PLL锁定时间,为延迟单元提供适当的初始偏置和起振条件。基于GF 28 nm标准CMOS工艺进行电路设计、仿真和版图设计。仿真结果表明,该VCO具有良好的起振可靠性和稳定性,输出频率调谐范围为0.65~3.9 GHz。在1 V电源电压、1.625 GHz中心频率时,相位噪声为-80.44 dBc/Hz@1 MHz,功耗为6.6 mW。应用该VCO的PLL的测试结果表明,锁定时间为1.6μs,频率调谐范围和锁定时间均优于对比文献。

关键词：压控振荡器启动电路偏置产生电路锁相环

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宽带高性能CMOS压控振荡器的研究与实现

宽带高性能CMOS压控振荡器的研究与实现

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作者：孙文东南大学

学位级别：博士

作为射频收发机中的关键模块，压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator，VCO)的设计研究包括宽范围调谐、低噪声、低功耗以及低电压设计技术等等。其中由于相位噪声性能决定了收发机的选择性和灵敏度，因此低相位噪声设计技术一直是... 详细信息

作为射频收发机中的关键模块，压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator，VCO)的设计研究包括宽范围调谐、低噪声、低功耗以及低电压设计技术等等。其中由于相位噪声性能决定了收发机的选择性和灵敏度，因此低相位噪声设计技术一直是VCO设计领域中的重要研究课题。而基于CMOS工艺的宽带VCO的低相位噪声设计更是VCO设计的一个难点。这是因为CMOS器件具有较高的闪烁(flicker)噪声，而宽带VCO由于变容管灵敏度和非线性增加，加剧了闪烁噪声上变频为相位噪声，因此限制了VCO的近边带相位噪声性能。\n 本文旨在解决宽带低噪声CMOS VCO设计的关键问题。首先简要概述了CMOS VCO的基本理论和设计方法，并回顾了主流的VCO低相位噪声设计技术。在此基础上本文基于AM-PM理论和Lesson模型，重点分析并归纳总结了VCO相位噪声随尾电流及振荡摆幅的变化规律；给出了利用数字可编程的自动幅度控制(Automatic Amplimde Control，AAC)环路动态调整VCO振荡摆幅及偏置电流的相位噪声优化技术。基于上述理论本文提出了一种新型的电荷泵式自动幅度控制(Charge Pump Automatic Amplitude Control，CP-AAc)技术。对比于传统的AAC技术，它同时具备了高速和低噪声的特点，非常适合于宽带低噪声VCO的幅度控制。本文基于S域小信号模型详细分析了CP-AAC的稳定性，给出了CP-AAC的系统级设计方法；同时，本文还给出了一种适用于宽带VCO的改进型幅度检测器，它可以和VCO直接耦合并且不受宽带VCO输出共模电平变化的影响，防止了电容耦合带来的外部偏置噪声对VCO相位噪声的恶化；另外针对宽带VCO的低相位噪声设计，本文采用了一种新型图形化的有源器件尺寸设计方法，它不仅可以直观高效的得到满足设计要求的交叉耦合管和尾电流管最优尺寸，而且可以清晰的指出由于约束条件过严导致无解的情况。\n 最后基于以上研究成果，本文设计实现了用于有线数字电视调谐器(DVB-C Tuner)的VCO及CP-AAC模块，测试结果表明在80～900MHz的调谐频率范围内，CP-AAC环路噪声对相位噪声的贡献小于0.

关键词：射频收发机压控振荡器相位噪声电荷泵自动幅度控制电路数字电视调谐器

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X波段GaAs单片压控振荡器

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固体电子学研究与进展 1990年第4期10卷 407-408页

作者：梁波林金庭夏先齐王福臣杨玉昌南京电子器件研究所

本工作的GaAs单片压控振荡器其振荡电路选择了GaAs场效应管作为有源器件,平面肖特基势垒变容二极管(Planar Schottkey Varactor Diode,简称PSVD)作为调谐元件.这种变容管的最大特点是它的工艺与GaAs FET的工艺相容,设计也比较灵活,改变... 详细信息

本工作的GaAs单片压控振荡器其振荡电路选择了GaAs场效应管作为有源器件,平面肖特基势垒变容二极管(Planar Schottkey Varactor Diode,简称PSVD)作为调谐元件.这种变容管的最大特点是它的工艺与GaAs FET的工艺相容,设计也比较灵活,改变阳极指的长度和宽度就能改变电容比和电容量.但是在有源层临近夹断时,其串联电阻迅速变大,

关键词： Ф波段 GaAs 单片压控振荡器

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宽频率范围的单子带压控振荡器设计

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电子元件与材料 2022年第2期41卷 200-205页

作者：张博蔡林钰吴昊谦西安邮电大学电子工程学院陕西西安710121

基于TSMC 180 nm CMOS工艺,提出了一种振荡频率为2~3 GHz的宽频率范围、低相位噪声的单子带压控振荡器(VCO)。采用双平衡吉尔伯特混频结构,将单子带5~6 GHz压控振荡器与固定频率3 GHz压控振荡器进行下混频,可得到振荡频率为2~3 GHz的单... 详细信息

基于TSMC 180 nm CMOS工艺,提出了一种振荡频率为2~3 GHz的宽频率范围、低相位噪声的单子带压控振荡器(VCO)。采用双平衡吉尔伯特混频结构,将单子带5~6 GHz压控振荡器与固定频率3 GHz压控振荡器进行下混频,可得到振荡频率为2~3 GHz的单子带压控振荡器,实现相对带宽从18.18%到40%的展宽。其中5~6 GHz单子带压控振荡器采用互补交叉耦合结构,更易达到起振条件,采用两组可变电容的并联形式以提高调谐曲线的线性度,拓宽压控振荡器的输出频率调谐范围。通过芯片测试验证,在1.8 V电源电压下,调谐电压变化范围为0.6~2.8 V时,实际输出频率范围为1.85~3 GHz,最大调谐灵敏度为1000 MHz/V,2 GHz频点处相位噪声为-123.2 dBc/Hz@1 MHz,芯片尺寸为1.2 mm×0.7 mm。

关键词：压控振荡器低相位噪声宽调谐范围锁相环

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RF MEMS压控振荡器的研制及相位噪声特性研究

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传感技术学报 2006年第5B期19卷 1907-1910页

作者：李丽张志国赵正平郭文胜中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051

利用RFMEMS可变电容作为频率调节元件,制备了中心频率为2GHz的MEMSVCO器件.RFMEMS可变电容采用凹型结构,其控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为***的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频率100kHz处... 详细信息

利用RFMEMS可变电容作为频率调节元件,制备了中心频率为2GHz的MEMSVCO器件.RFMEMS可变电容采用凹型结构,其控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为***的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107dBc/Hz,此相位噪声性能优于他们与90年代末国外同频率器件.并与采用GaAs超突变结变容二极管的VCO器件进行了比较,说明由于集成了RFMEMS可变电容,使得在RFMEMS可变电容的机械谐振频率近端时,MEMSVCO的相位噪声特性发生了改变.

关键词： RF MEMS 可变电容 Q值压控振荡器单边带相位噪声

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