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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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36 篇 专利

馆藏范围

36 篇 电子文献
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日期分布

机构

5 篇 湖北文理学院
3 篇 电子科技大学
3 篇 无锡麦道电子科技...
2 篇 广州市车厘子电子...
2 篇 比亚迪股份有限公...
2 篇 北京时代民芯科技...
2 篇 北京微电子技术研...
1 篇 上海银沪通信科技...
1 篇 武汉神动汽车电子...
1 篇 国家电网公司
1 篇 武汉恒源电气有限...
1 篇 江苏觅丹智能电器...
1 篇 浙江明德微电子股...
1 篇 东土科技有限公司
1 篇 北京赛德高科铁道...
1 篇 深圳市阿赛姆科技...
1 篇 深圳市绍鑫电子有...
1 篇 中航微电子有限公...
1 篇 南京德睿信息技术...
1 篇 深圳市硕凯电子股...

作者

5 篇 李文联
4 篇 李杨
3 篇 张波
3 篇 郑兵强
3 篇 杨季民
3 篇 乔明
3 篇 方冬
3 篇 李路
3 篇 毛黎明
3 篇 高金奎
3 篇 李成州
3 篇 于亮亮
2 篇 王传敏
2 篇 吴多武
2 篇 吴立成
2 篇 王艳春
2 篇 殷丽
2 篇 秦先清
2 篇 刘学明
1 篇 王顺安

语言

36 篇 中文

检索条件"主题词=双向瞬态电压抑制二极管"

共 36 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

双向瞬态电压抑制二极管

双向瞬态电压抑制二极管

引用

作者：黄林棵闵龙 518000 广东省深圳市福田区华强北路现代之窗A座22H

本实用新型公开了一种双向瞬态电压抑制二极管，包括P型基板、N型埋藏层、LED半导体芯片、第一至第五扩散区域，所述LED半导体芯片形成于基板的表面上，所述N型埋藏层设置于P型基板与LED半导体芯片之间，所述N型埋藏层的表面远离于该基... 详细信息

标准号: CN207529939U

本实用新型公开了一种双向瞬态电压抑制二极管，包括P型基板、N型埋藏层、LED半导体芯片、第一至第五扩散区域，所述LED半导体芯片形成于基板的表面上，所述N型埋藏层设置于P型基板与LED半导体芯片之间，所述N型埋藏层的表面远离于该基板的表面，所述第一扩散区域形成于该基板的表面上，所述第二扩散区域形成于该N型埋藏层的表面上，所述第三扩散区域形成于第一扩散区域内，所述第四扩散区域通过该LED半导体芯片的表面形成于第三扩散区域内，所述第五扩散区域通过该LED半导体芯片的表面形成于第二扩散区域内。上述双向瞬态电压抑制二极管可实现双向电压抑制功能。

关键词：扩散区域埋藏层芯片基板双向瞬态电压抑制二极管表面形成本实用新型双向电压

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一种双向瞬态电压抑制二极管

一种双向瞬态电压抑制二极管

引用

作者：王国庆黄正信 215300 江苏省苏州市昆山市高新区高科技工业园汉浦路989号

本发明涉及一种双向瞬态电压抑制二极管，包括基板，所述基板包括第一表面、第二表面、第一侧面和第二侧面，第一侧面和第二侧面均连接第一表面和第二表面，所述基板为陶瓷基板；在基板的第一表面与第一侧面相连的拐角处设置第一倒角，... 详细信息

标准号: CN213483735U

本发明涉及一种双向瞬态电压抑制二极管，包括基板，所述基板包括第一表面、第二表面、第一侧面和第二侧面，第一侧面和第二侧面均连接第一表面和第二表面，所述基板为陶瓷基板；在基板的第一表面与第一侧面相连的拐角处设置第一倒角，在基板的第一表面与第二侧面的连接处设置第二倒角；在第一表面上设置第一正面导电层和第二正面导电层，第一正面导电层延伸至第一倒角位置，第二正面导电层延伸至第二倒角位置，第一正面导电层和第二正面导电层间隔设置；在第一正面导电层上设置第一晶粒，在第二正面导电层上设置第二晶粒，所述第一晶粒和第二晶粒通过铜跳线连接。本发明实现了产品散热性能佳、体积小，易于贴装的目的。

关键词：正面导电层第一表面基板晶粒侧面倒角位置第二表面倒角双向瞬态电压抑制二极管间隔设置散热性能陶瓷基板跳线连接拐角处体积小延伸贴装

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一种双向瞬态电压抑制二极管

一种双向瞬态电压抑制二极管

引用

作者：陈伦森 518109 广东省深圳市龙华区观澜街道大布巷社区观光路1301号银星科技大厦7楼B710

本实用新型公开了一种双向瞬态电压抑制二极管，包括第一保护壳体和第二保护壳体，所述第一保护壳体的一端固定连接有第一金属片，第一金属片的一侧通过引线对称连接有瞬态电压抑制二极管芯片，第一保护壳体的另一端连接有固定件，固定... 详细信息

标准号: CN211238225U

本实用新型公开了一种双向瞬态电压抑制二极管，包括第一保护壳体和第二保护壳体，所述第一保护壳体的一端固定连接有第一金属片，第一金属片的一侧通过引线对称连接有瞬态电压抑制二极管芯片，第一保护壳体的另一端连接有固定件，固定件的外壁上开设有滑槽，固定件远离第一保护壳体的一端连接有固定板。本双向瞬态电压抑制二极管，通过在第一保护壳体上开设凹槽和连接固定件，凹槽与第二保护壳体上的插块卡合，固定第二保护壳体的位置，固定件可以供第二保护壳体旋转，实现第二保护壳体上的金属导柱位置调整，方便快速更换瞬态电压抑制二极管芯片，且采用插块与凹槽卡合的结构，结构稳定。

关键词：保护壳体固定件双向瞬态电压抑制二极管瞬态电压抑制二极管一端连接金属片插块芯片本实用新型连接固定件对称连接结构稳定金属导柱快速更换位置调整凹槽卡固定板滑槽卡合外壁

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双向瞬态电压抑制二极管及其制作方法

双向瞬态电压抑制二极管及其制作方法

引用

作者：吴多武 401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

本发明提供一种双向瞬态电压抑制二极管及其制作方法，制作方法至少包括以下步骤：1）提供一第一掺杂类型的衬底，所述第一掺杂类型的衬底包括第一表面及第二表面；2）在所述第一掺杂类型的衬底的第一表面形成第一掺杂类型的第一外延层... 详细信息

标准号: CN107346736B

本发明提供一种双向瞬态电压抑制二极管及其制作方法，制作方法至少包括以下步骤：1）提供一第一掺杂类型的衬底，所述第一掺杂类型的衬底包括第一表面及第二表面；2）在所述第一掺杂类型的衬底的第一表面形成第一掺杂类型的第一外延层；3）在所述第一掺杂类型的第一外延层的表面形成第二掺杂类型的外延层；4）在所述第二掺杂类型的外延层的表面形成第一掺杂类型的第二外延层；5）在所述第一掺杂类型的第二外延层的表面形成第一电极；6）在所述第一掺杂类型的衬底的第二表面形成第二电极。本发明仅对第一掺杂类型的衬底正面进行加工，制作工艺简单；同时，根据二极管的耐压等级，可以选择各外延层的外延和注入次数，获得均匀的浓度分布。

关键词：掺杂类型外延层衬底表面形成第二表面第一表面双向瞬态电压抑制二极管衬底正面第二电极第一电极浓度分布制作工艺二极管耐压制作加工

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双向瞬态电压抑制二极管及其制作方法

双向瞬态电压抑制二极管及其制作方法

引用

作者：吴多武 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号

标准号: CN107346736A

关键词：掺杂类型外延层衬底表面形成第二表面第一表面双向瞬态电压抑制二极管衬底正面第二电极第一电极浓度分布制作工艺二极管耐压制作加工

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双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法

双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法

引用

作者：王艳春 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

本发明提出了一种双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法，本发明通过在二极管内设置同时形成的且具有相同导电类型、掺杂浓度和形状的第二有源区和第三有源区，将传统的双向瞬态电压抑制二极管的纵向NPN或PNP结构转化为横向NPN或者PNP结... 详细信息

标准号: CN105206680B

本发明提出了一种双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法，本发明通过在二极管内设置同时形成的且具有相同导电类型、掺杂浓度和形状的第二有源区和第三有源区，将传统的双向瞬态电压抑制二极管的纵向NPN或PNP结构转化为横向NPN或者PNP结构，并通过由导通层、埋层和第一有源区形成的电流通道，使得本发明的双向瞬态电压抑制二极管无论是施加正向电压还是反向电压，都能保证正反向抑制电压对称，而且整体器件结构为纵向结构，保证了其过电流能力，不影响封装。

关键词：双向瞬态电压抑制二极管源区过电流能力二极管导电类型电流通道电压对称反向电压整体器件正向电压纵向结构传统的导通层正反向埋层封装掺杂施加保证转化制造

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双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法

双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法

引用

作者：王艳春 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

标准号: CN105206680A

关键词：双向瞬态电压抑制二极管有源区相同导电类型过电流能力二极管掺杂浓度电流通道反向电压同时形成抑制电压整体器件正向电压纵向结构导通层内设置正反向埋层一种封装对称施加保证转化影响

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一种双向瞬态电压抑制二极管及制造方法

一种双向瞬态电压抑制二极管及制造方法

引用

作者：殷丽刘学明吴立成王传敏 100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号

本发明公开了一种双向瞬态电压抑制二极管及制造方法，管芯由第一单向二极管管芯、焊片和第二单向二极管进行金属化处理后依次叠加，加热一段时间后降温获得，所述第一单向二极管和第二单向二极管结构相同。本发明的管芯与管芯之间焊接... 详细信息

标准号: CN108269859B

本发明公开了一种双向瞬态电压抑制二极管及制造方法，管芯由第一单向二极管管芯、焊片和第二单向二极管进行金属化处理后依次叠加，加热一段时间后降温获得，所述第一单向二极管和第二单向二极管结构相同。本发明的管芯与管芯之间焊接温度较高，为后续管芯密封、引线焊接等工艺提供了很宽泛的工艺操作窗口，降低了考核和使用时环境温度等对管芯焊接结构的影响。管芯之间起连接作用的是共晶体，在固相下没有复杂的相变，稳定性强，提高器件可靠性。本发明工艺简单，制造成本低，可以用来制造漏电流低、钳位电压易控制、体积小、热阻小、可靠性高的双向瞬变电压抑制二极管。结构适应于玻璃封装、塑封、金属封装等多种封装形式。

关键词：管芯单向二极管双向瞬态电压抑制二极管瞬变电压抑制二极管金属化处理器件可靠性玻璃封装封装形式工艺操作管芯密封焊接结构加热一段结构适应金属封装钳位电压稳定性强依次叠加引线焊接制造成本共晶体漏电流体积小对管焊片热阻塑封焊接制造考核

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一种双向瞬态电压抑制二极管及制造方法

一种双向瞬态电压抑制二极管及制造方法

引用

作者：殷丽刘学明吴立成王传敏 100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号

标准号: CN108269859A

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一种电磁铁故障检测电路装置及其检测方法

一种电磁铁故障检测电路装置及其检测方法

引用

作者：郑兵强毛黎明高金奎 214000 江苏省无锡市滨湖区青龙山108号

一种电磁铁故障检测电路装置及其检测方法，其结构设计简单合理，可减少额外的功率消耗，降低投入成本，适用范围广，可实现电磁铁开路或短路故障的准确检测，其包括微处理器MCU，微处理器MCU分别通过驱动电路、电流检测电路与电磁铁线... 详细信息

标准号: CN110488140A

一种电磁铁故障检测电路装置及其检测方法，其结构设计简单合理，可减少额外的功率消耗，降低投入成本，适用范围广，可实现电磁铁开路或短路故障的准确检测，其包括微处理器MCU，微处理器MCU分别通过驱动电路、电流检测电路与电磁铁线圈连接，电流检测电路包括电阻R2、运算放大器U2，驱动电路包括MOS管驱动模块U1、金属氧化物半导体场效应管M1、双向瞬态电压抑制二极管TV1，具体检测方法包括：电磁铁线圈L1包括工作状态、空闲状态，S1微处理器MCU启动，S2控制电磁铁线圈L1通电吸合或断开，使电磁铁线圈L1分别处于工作状态或空闲状态，S3判断电磁铁线圈L1是否有短路或开路故障。

关键词：电磁铁线圈微处理器MCU 电磁铁电流检测电路空闲状态驱动电路金属氧化物半导体场效应管双向瞬态电压抑制二极管故障检测电路控制电磁铁运算放大器短路故障功率消耗开路故障准确检测短路检测电阻吸合断开开路通电

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