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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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106 篇 专利

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3 篇 清华大学
3 篇 四川北方硝化棉股...
3 篇 中南大学
2 篇 江苏润阳新能源科...
2 篇 航天特种材料及工...
2 篇 国家地质实验测试...
2 篇 华南师范大学
2 篇 山西潞安太阳能科...
2 篇 康可电子有限公司
2 篇 中北大学
2 篇 广东电网公司电力...
2 篇 南京大学
2 篇 深圳市沃特玛电池...
2 篇 中国地质大学
2 篇 深圳市国华光电科...
2 篇 东莞市普隆电子有...
2 篇 六盘水中联工贸实...
2 篇 西北工业大学
2 篇 江苏大地益源环境...
2 篇 中国科学院金属研...

作者

4 篇 张波
4 篇 韩超
3 篇 朱华
3 篇 邱清海
3 篇 熊仕明
3 篇 王维智
2 篇 杨瑞臣
2 篇 吕旺燕
2 篇 薛超锐
2 篇 郑晓琼
2 篇 肖飞
2 篇 范鹏元
2 篇 王成
2 篇 武佳娜
2 篇 顾爱良
2 篇 袁芳
2 篇 薛洪
2 篇 宋振超
2 篇 上官泉元
2 篇 朱圣龙

语言

106 篇 中文

检索条件"主题词=双氧水混合溶液"

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一种提高光刻胶灰化率的ICP干式清洗方法

一种提高光刻胶灰化率的ICP干式清洗方法

引用

作者：韩沈丹缪炳有 710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号

本发明提出一种提高光刻胶灰化率的ICP干式清洗方法，包括以下步骤：1)在抛光后的蓝宝石表面旋涂一层1.0～3.0μm的光刻胶，对光刻胶进行曝光，经过显影得到具有规则图形阵列的光刻胶掩膜；2)将蓝宝石衬底用ICP刻蚀，获得图形化蓝宝石... 详细信息

标准号: CN104103498A

本发明提出一种提高光刻胶灰化率的ICP干式清洗方法，包括以下步骤：1)在抛光后的蓝宝石表面旋涂一层1.0～3.0μm的光刻胶，对光刻胶进行曝光，经过显影得到具有规则图形阵列的光刻胶掩膜；2)将蓝宝石衬底用ICP刻蚀，获得图形化蓝宝石衬底；3)进行灰化处理；4)使用硫酸、双氧水混合溶液进行清洗；5)进行外延层生长。本发明一种新的提高光刻胶灰化率并简化ICP后清洗步骤的干式清洗方法：在蓝宝石图形刻蚀完后通入一定流量比的O₂与SF₆的混合气体，其中SF₆流量占总气体流量的5％～15％，能有效提高等离子中氧原子浓度和活化光刻胶的生成量，增大光刻胶灰化率，从而有效地提高离子注入后去除光刻胶的能力。

关键词：光刻胶灰化光刻胶蓝宝石衬底刻蚀双氧水混合溶液光刻胶掩膜蓝宝石表面蓝宝石图形外延层生长规则图形混合气体离子注入气体流量原子浓度等离子抛光流量比图形化灰化活化刻胶显影旋涂硫酸曝光

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一种超级电容器用樟树籽基活性炭的制备方法

一种超级电容器用樟树籽基活性炭的制备方法

引用

作者：吴春郝佳怡杜金超秦伟王碧霞徐辉 410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号

本发明属于超级电容器领域，具体涉及一种超级电容器用樟树籽基活性炭的制备方法。首先对樟树籽进行洗涤、干燥等预处理去除表面杂质，然后采用无水氯化铜一步炭化/活化法获得炭材料，最后在硫酸和双氧水混合溶液中搅拌并用去离子水进... 详细信息

标准号: CN116553539A

本发明属于超级电容器领域，具体涉及一种超级电容器用樟树籽基活性炭的制备方法。首先对樟树籽进行洗涤、干燥等预处理去除表面杂质，然后采用无水氯化铜一步炭化/活化法获得炭材料，最后在硫酸和双氧水混合溶液中搅拌并用去离子水进行洗涤抽滤，获得具有良好超级电容特性的樟树籽衍生的活性炭材料。本发明制备的樟树籽衍生的超级电容器活性炭材料，具有优异的电化学性能。在其制备过程中，原材料廉价易得、成本低、简单易行，并且无模版和表面活性剂。所制备的活性炭材料超级电容器电极具有较高的比容量，最大比容量可达433F/g，将其组装成对称型超级电容器，循环5000次之后，库伦效率保持100％，容量保持80F/g以上。

关键词：超级电容器樟树籽活性炭材料制备洗涤超级电容器电极双氧水混合溶液预处理表面活性剂电化学性能活性炭表面杂质超级电容库伦效率去离子水容量保持一步炭化制备过程比容量对称型活化法氯化铜炭材料最大比抽滤模版无水硫酸去除组装并用

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一种超细SiNWS:Eu³⁺,La³⁺,Y³⁺荧光纳米材料制备方法

一种超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+...

引用

作者：范志东王英新杨瑞臣张硕刘玉施丁玲玲郝辰宇 067000 河北省承德市承德市高新技术产业开发区学院路2号

本发明提供了一种新型超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料的制备方法，包括如下步骤：S1、采用单晶硅片为衬底，用丙酮和甲醇混合液超声清洗，用氨水和双氧水混合溶液超声清洗，再用稀释的HF超声清洗，用去离子水清洗、烘干，备用；S... 详细信息

标准号: CN110104653A

本发明提供了一种新型超细SiNWS:Eu³⁺,La³⁺,Y³⁺荧光纳米材料的制备方法，包括如下步骤：S1、采用单晶硅片为衬底，用丙酮和甲醇混合液超声清洗，用氨水和双氧水混合溶液超声清洗，再用稀释的HF超声清洗，用去离子水清洗、烘干，备用；S2、热蒸发金属Al和Sc，在S1备用的硅片衬底上形成3‑5nm的金属Al和Sc混合金属膜层，作为生长Si纳米线的金属催化剂；S3、在氩气的保护下，在单晶Si衬底表面生长出Si纳米线；S4、以稀土Eu₂O₃、Y₂O₃和La₂O₃粉末为杂质源，按照比例混合均匀并涂覆在所述步骤S3中形成的Si纳米线的表面；S5、对步骤S4中生成的Si纳米线进行Eu³⁺、Y³⁺和La⁺掺杂，制备荧光纳米材料SiNWS:Eu³⁺,La³⁺,Y³⁺。

关键词：纳米线超声清洗荧光纳米材料金属Al 衬底制备备用双氧水混合溶液氨水甲醇混合液金属催化剂氩气衬底表面单晶硅片金属膜层去离子水新型超细生长热蒸发杂质源硅片烘干稀释丙酮单晶涂覆稀土清洗掺杂

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一种磷掺杂钝化泡沫镍的制备方法及其应用

一种磷掺杂钝化泡沫镍的制备方法及其应用

引用

作者：叶宝华张海波薛洪范鹏元姜礼 523843 广东省东莞市长安镇新安横中路32号2栋2单元501室

本发明提供一种磷掺杂钝化泡沫镍的制备方法及其应用，涉及氢能和电化学领域。所述磷掺杂钝化泡沫镍的制备方法主要包括：清洗、钝化、次亚磷酸钠和双氧水混合溶液处理、管式炉内钝化等步骤。本发明克服了现有技术的不足，所制得的磷掺... 详细信息

标准号: CN113235076A

本发明提供一种磷掺杂钝化泡沫镍的制备方法及其应用，涉及氢能和电化学领域。所述磷掺杂钝化泡沫镍的制备方法主要包括：清洗、钝化、次亚磷酸钠和双氧水混合溶液处理、管式炉内钝化等步骤。本发明克服了现有技术的不足，所制得的磷掺杂钝化泡沫镍作为催化材料的电催化析氢性能优异，起始电位(即电流密度为‑1mA·cm^‑2时的电位)比原始泡沫镍正移52mV，且在大电流密度(‑100mA·cm^‑2)时，其析氢过电势为420mV，较原始泡沫镍正移172mV。

关键词：钝化磷掺杂泡沫镍原始泡沫制备双氧水混合溶液电位次亚磷酸钠电催化析氢电化学领域催化材料起始电位管式炉过电势氢能析氢清洗应用

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一种氧化铝纤维隔热材料及其制备方法

一种氧化铝纤维隔热材料及其制备方法

引用

作者：孔德隆纪旭阳高宇智刘佰帅何沐张凡李文静 100074 北京市丰台区云岗北里40号院

本发明涉及一种氧化铝纤维隔热材料及其制备方法。所述方法包括：将钛前驱体溶于水中，用盐酸调节溶液的pH至1～2并搅拌均匀，得到钛溶胶；将氧化铝纤维浸渍于钛溶胶中，进行过滤与烘干，重复该步骤多次，再经煅烧，得到第一改性氧化铝... 详细信息

标准号: CN115491921A

本发明涉及一种氧化铝纤维隔热材料及其制备方法。所述方法包括：将钛前驱体溶于水中，用盐酸调节溶液的pH至1～2并搅拌均匀，得到钛溶胶；将氧化铝纤维浸渍于钛溶胶中，进行过滤与烘干，重复该步骤多次，再经煅烧，得到第一改性氧化铝纤维；往三聚氰胺的硝酸‑双氧水混合溶液中加入金属钛片并搅拌，得到改性溶液，加入第一改性氧化铝纤维进行反应，经过滤与烘干，得到第二改性氧化铝纤维；用水将第二改性氧化铝纤维分散均匀后通过抄片机抄造出纤维湿片；将多个反射屏与多个纤维湿片交替设置，经过模压与固化，制得氧化铝纤维隔热材料；本发明制得了具有优异抗辐射性能、高温导热系数低、力热性能优异的氧化铝纤维隔热材料。

关键词：改性氧化铝氧化铝纤维纤维隔热材料钛溶胶烘干湿片双氧水混合溶液浸渍高温导热系数盐酸调节溶液改性溶液交替设置金属钛片力热性能三聚氰胺纤维分散钛前驱体抄片机反射屏抗辐射硝酸抄造水中煅烧制备固化过滤重复

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一种TSV晶圆表面抛光方法

一种TSV晶圆表面抛光方法

引用

作者：吴道伟李克中张波郑晓琼 710068 陕西省西安市太白南路198号

本发明一种TSV晶圆表面抛光方法，先用H2SO4溶液和双氧水混合溶液对TSV盲孔电镀晶圆表面的铜层进行腐蚀处理；然后采用热剥离双面胶带将晶圆粘接到陶瓷盘上，进行晶圆制样过程；再将晶圆整体放置于贴附抛光垫的转动盘上进行抛光去除铜... 详细信息

标准号: CN104716090B

本发明一种TSV晶圆表面抛光方法，先用H₂SO₄溶液和双氧水混合溶液对TSV盲孔电镀晶圆表面的铜层进行腐蚀处理；然后采用热剥离双面胶带将晶圆粘接到陶瓷盘上，进行晶圆制样过程；再将晶圆整体放置于贴附抛光垫的转动盘上进行抛光去除铜层；最后加热取下陶瓷盘后采用Ta或Ti腐蚀液，去除TSV盲孔电镀晶圆表面对应的Ta或Ti阻挡层，完成对TSV晶圆表面的抛光。通过增加对TSV盲孔电镀晶圆表面的微处理，改善盲孔电镀晶圆表面状态，利于对铜层的抛光，降低抛光的成本；工艺操作简单，成本低，能够适用于不同尺寸晶圆及残片；通过采用热剥离双面胶带能提高晶圆制样过程中厚度均匀性，提高TSV盲孔电镀晶圆抛光后晶圆表面质量。

关键词：晶圆表面盲孔电镀抛光晶圆铜层双面胶带热剥离陶瓷盘制样去除双氧水混合溶液厚度均匀性腐蚀处理工艺操作晶圆抛光整体放置腐蚀液抛光垫微处理转动盘阻挡层加热取下贴附

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大面阵纳米针结构制备方法及装置

大面阵纳米针结构制备方法及装置

引用

作者：汪家道马原李轩 100084 北京市海淀区清华园

本发明公开了一种大面阵纳米针结构制备方法及装置，包括：利用张力梯度驱动微、纳米颗粒在液气界面形成大面积自组装结构，并将其转移至硅基板表面。利用氧气反应离子刻蚀技术对大面积自组装结构中的颗粒直径进行调整，以形成非紧密排... 详细信息

标准号: CN113213421B

本发明公开了一种大面阵纳米针结构制备方法及装置，包括：利用张力梯度驱动微、纳米颗粒在液气界面形成大面积自组装结构，并将其转移至硅基板表面。利用氧气反应离子刻蚀技术对大面积自组装结构中的颗粒直径进行调整，以形成非紧密排列的周期性微、纳米颗粒结构。利用电子束蒸镀在非紧密排列的周期性颗粒结构表面制备镀金层。随后利用超声清洗的方式去除颗粒以形成镀金层、硅基底交替排布的周期性表面。将基板放置于氢氟酸/双氧水混合溶液中进行金催化刻蚀以形成纳米柱结构。最后利用六氟化硫反应离子刻蚀技术对纳米柱结构进行非均匀刻蚀以形成大面阵纳米针结构。该方法制备面积大，制备精度高，形状可控性强、制备稳定性高。

关键词：制备纳米柱结构自组装结构紧密排列大面阵镀金层纳米针刻蚀反应离子刻蚀技术氧气反应离子刻蚀双氧水混合溶液制备方法及装置纳米颗粒结构电子束蒸镀硅基板表面周期性表面表面制备超声清洗基板放置交替排布颗粒结构六氟化硫纳米颗粒形状可控液气界面张力梯度非均匀金催化氢氟酸硅基去除驱动

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一种微波辅助降解硅纳米线制备硅纳米颗粒的方法

一种微波辅助降解硅纳米线制备硅纳米颗粒的方法

引用

作者：何耀钟旖菱李述汤 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号

一种微波辅助降解硅纳米线制备硅纳米颗粒的方法，将硅晶片置于丙酮中超声，超纯水清洗后，放入浓硫酸或浓硝酸和5vol%～30vol%双氧水混合溶液中除杂，再用超纯水清洗，得干净的硅晶片，置入5vol%～40vol%氟化氢溶液中，得表面覆盖大量... 详细信息

标准号: CN102849739A

一种微波辅助降解硅纳米线制备硅纳米颗粒的方法，将硅晶片置于丙酮中超声，超纯水清洗后，放入浓硫酸或浓硝酸和5vol%～30vol%双氧水混合溶液中除杂，再用超纯水清洗，得干净的硅晶片，置入5vol%～40vol%氟化氢溶液中，得表面覆盖大量硅-氢键的硅晶片，放入0.1M～1M的硝酸银或氯金酸和10vol%～40vol%氟化氢的混合溶液中，缓慢振荡，取出后放入10vol%氟化氢和1vol%双氧水混合溶液中，得硅纳米线阵列，超声，离心收集硅纳米线，分散于超纯水中，得前体溶液，溶于去离子水，微波辐射断裂成硅纳米颗粒。所得的硅纳米颗粒有较好的单分散性，尺寸均匀，可以作为载体用于生物检测和分析。

关键词：纳米颗粒硅晶片双氧水混合溶液超纯水氟化氢超声氟化氢溶液纳米线阵列纳米线制备混合溶液前体溶液去离子水生物检测微波辐射微波辅助分散性氯金酸纳米线浓硫酸硝酸银硝酸振荡丙酮超纯成硅除杂降解氢键干净分析

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一种硫酸钠双氧水氯化钠复合盐的连续化制备方法

一种硫酸钠双氧水氯化钠复合盐的连续化制备方法

引用

作者：崔旭连少君罗觉纯陶卓奇 312300 浙江省绍兴市杭州湾上虞经济技术开发区纬一东路1号

本发明公开了一种硫酸钠双氧水氯化钠复合盐的连续化制备方法，属于化工领域，包括以下步骤：在双氧水溶液中加入螯合剂与无机稳定剂，得到双氧水混合溶液，在反应器中预先加入硫酸钠双氧水氯化钠复合盐，再向反应器中加入物料与包裹材... 详细信息

标准号: CN116924436A

本发明公开了一种硫酸钠双氧水氯化钠复合盐的连续化制备方法，属于化工领域，包括以下步骤：在双氧水溶液中加入螯合剂与无机稳定剂，得到双氧水混合溶液，在反应器中预先加入硫酸钠双氧水氯化钠复合盐，再向反应器中加入物料与包裹材料，充分反应后生成包裹材料包裹的硫酸钠双氧水氯化钠复合盐湿品，烘干后得到硫酸钠双氧水氯化钠复合盐产品。在本发明所采用的技术方案中包裹材料包裹反应湿品，无需将反应合成与包衣分开，从而实现硫酸钠双氧水氯化钠复合盐的反应包衣一体化连续化生产，生产效率高，且提高了硫酸钠双氧水氯化钠复合盐产品的热稳定性，产品双氧水含量合格，质量稳定。反应方程式如下：4Na₂SO₄+2H₂O₂+NaCl→4Na₂SO₄·2H₂O₂·NaCl。

关键词：双氧水硫酸钠氯化钠复合盐包裹材料反应器湿品双氧水混合溶液反应方程式连续化生产双氧水溶液无机稳定剂包裹反应反应合成化工领域热稳定性生产效率质量稳定连续化螯合剂烘干制备一体化

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一种物理与化学相结合恢复GaN-LED用蓝宝石图形衬底的方法

一种物理与化学相结合恢复GaN-LED用蓝宝石图形衬底的方法

引用

作者：马旺王成新肖成峰 261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

一种物理与化学相结合恢复GaN‑LED用蓝宝石图形衬底的方法，包括如下步骤：a)将废外延片高温烘烤；b)在丙酮溶液中超声处理；c)在乙醇溶液中超声处理10min；d)在硫酸与双氧水混合溶液中清洗；e)ICP刻蚀；f)在丙酮溶液中超声处理；g在乙... 详细信息

标准号: CN108807148A

一种物理与化学相结合恢复GaN‑LED用蓝宝石图形衬底的方法，包括如下步骤：a)将废外延片高温烘烤；b)在丙酮溶液中超声处理；c)在乙醇溶液中超声处理10min；d)在硫酸与双氧水混合溶液中清洗；e)ICP刻蚀；f)在丙酮溶液中超声处理；g在乙醇溶液中超声处理。采用高温炉物理烘烤的办法去除GaN层，对蓝宝石衬底没有任何损伤，然后湿法清洗衬底表面，再用感应耦合等离子体刻蚀（ICP），与混合气体刻蚀去除残留的GaN杂质，工艺方法简单，不损伤衬底，节省成本。由于采用物理烘烤的办法去除GaN层，不损伤衬底，且工艺简单，不易污染衬底。采用湿法及ICP清洗衬底并去除残留的GaN杂质，达到新的衬底要求，节省成本。

关键词：衬底超声处理去除损伤丙酮溶液乙醇溶液烘烤清洗感应耦合等离子体刻蚀残留双氧水混合溶液蓝宝石图形衬底表面高温烘烤混合气体湿法清洗蓝宝石高温炉外延片刻蚀湿法硫酸污染恢复

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