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  • 68 篇 电子文献
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作者

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  • 68 篇 中文
检索条件"主题词=反相器结构"
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一种SiC MOSFET反相器结构及其制备方法
一种SiC MOSFET反相器结构及其制备方法
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作者： 杨雄 罗东向 张梦龙 510000 广东省广州市中山大道西55号
本发明涉及电子器件技术领域，具体公开了一种SiC MOSFET反相器结构，该反相器结构包括背面金属电极、N+型SiC衬底、N－型SiC外延层、沟槽、Pbase注入区、Nplus离子注入、Pplus离子注入区、栅氧层、多晶硅层、隔离层、第二正面电极、第... 详细信息
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纳米管晶体管结构和纳米管反相器结构
纳米管晶体管结构和纳米管反相器结构
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作者： 杨柏宇 中国台湾新竹市
本发明公开一种纳米管晶体管结构和纳米管反相器结构，该纳米管晶体管结构，包含一基底，一第一纳米管悬挂于基底上，一第一栅极线横跨并环绕第一纳米管，第一栅极线具有一第一末端和一第二末端，一第二栅极线横跨并环绕第一纳米管，第... 详细信息
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反相器结构
反相器结构
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作者： 翁文寅 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种反相器结构。本发明所提供的反相器结构，包括：POMS DDB和NOMS SDB。本发明采用POMS DDB和NOMS SDB结构代替现有技术NMOS和PMOS均为DDB或NMOS和POMS均为SDB，并采用SiN作为NOMS SDB采用拉... 详细信息
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反相器结构及其显示面板
反相器结构及其显示面板
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作者： 田勇 赵莽 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
本发明提供一种反相器结构及其显示面板，该反相器结构包括第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管由第一源电极、第一源极区域、第一沟道区域、第一漏极区域、第一漏电极和第一栅电极构成；第二晶体管由第二源电极、第二源极区域、... 详细信息
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基于忆阻器的反相器结构、振荡器、真随机数装置及芯片
基于忆阻器的反相器结构、振荡器、真随机数装置及芯片
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作者： 鹿益铭 200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号13幢304室
本申请提供一种基于忆阻器的反相器结构、振荡器、真随机数装置及芯片，所述反相器结构包括：PMOS单元和NMOS单元；忆阻器，所述忆阻器串联于所述PMOS单元和所述NMOS单元之间；所述PMOS单元、所述NMOS单元和所述忆阻器构成反相器结构，... 详细信息
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反相器结构及其显示面板
反相器结构及其显示面板
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作者： 田勇 赵莽 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
本发明提供一种反相器结构及其显示面板，该反相器结构包括第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管由第一源电极、第一源极区域、第一沟道区域、第一漏极区域、第一漏电极和第一栅电极构成；第二晶体管由第二源电极、第二源极区域、... 详细信息
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一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路
一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路
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作者： 胡善文 于澍 宋海瑞 胡云清 王子轩 226000 江苏省南通市港闸区幸福新城11号楼8319室
一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路，包括第一级放大器、第二级放大器、输入匹配模块、输出匹配模块和偏置模块，第一级放大器和第二级放大器均为反相器结构，第一级放大器的输出节点通过耦合电容C2与第二级放大器的输入节点相连... 详细信息
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应用于输出级为反相器结构的衬底调制共模反馈电路
应用于输出级为反相器结构的衬底调制共模反馈电路
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作者： 邴兆航 王勇 王宗民 张铁良 王瑛 冯文晓 纪亚飞 杨龙 郭瑞 李雪 宁静怡 李媛红 100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号
应用于输出级为反相器结构的衬底调制共模反馈电路，包括连接第一、二级运放的共模反馈电路、产生衬底调制电压的反馈环路，反馈环路包括第一电荷泵电路、第二电荷泵电路、第一运算放大器、第二运算放大器、电路，电路包括第一场效应管... 详细信息
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一种反相器结构及其显示面板
一种反相器结构及其显示面板
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作者： 赵莽 田勇 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
本发明公开一种反相器结构及其显示面板。该反相器结构包括：第一晶体管管和第二晶体管，第一晶体管包括第一多晶硅层、第一栅极、第一源极以及第一漏极，第二晶体管包括第二多晶硅层、第二栅极、第二源极以及第二漏极。本发明提供的反... 详细信息
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纳米管晶体管结构和纳米管反相器结构
纳米管晶体管结构和纳米管反相器结构
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作者： 杨柏宇 中国台湾新竹市
本发明公开一种纳米管晶体管结构和纳米管反相器结构，该纳米管晶体管结构，包含一基底，一第一纳米管悬挂于基底上，一第一栅极线横跨并环绕第一纳米管，第一栅极线具有一第一末端和一第二末端，一第二栅极线横跨并环绕第一纳米管，第... 详细信息
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