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基于能量传递可调光色荧光粉Ca_(2)LaTaO_(6)∶Dy^(3+),Sm^(3+)的发光性质及其发光二极管器件应用

高等学校化学学报 2021年第9期42卷 2717-2724页

作者：袁博祁超超张相挺栾国颜邹海峰吉林化工学院石油化工学院吉林132022 吉林大学化学学院长春130012

通过固相反应法设计了Dy^(3+),Sm^(3+)共掺杂双钙钛矿结构Ca_(2)LaTaO_(6)(CLTO)光色可调的白光发光二极管(LED)荧光粉.通过Rietveld精修计算,确定了Ca_(2)LaTaO_(6)的晶体结构参数和Dy^(3+),Sm^(3+)离子的晶格占位,并用密度泛函理论(DFT)计算了禁带宽度.激发/发射光谱和荧光衰减行为证实了共掺杂体系中Dy^(3+)到Sm^(3+)的能量传递.Dy^(3+)→Sm^(3+)的能量传递机制为电偶极-电偶极相互作用,离子间的临界距离为1.176 nm.基于Dy^(3+)→Sm^(3+)的能量传递,可通过调节Dy^(3+)/Sm^(3+)离子的掺杂浓度比,使发光颜色从黄色转变为黄红色,并实现白光发射.利用该荧光粉与紫外芯片结合制作成白光发光二极管器件,并确定了这些LED器件的发光效率、CIE色度坐标、相关色温(CCT)和显色指数(CRI)等.结果表明,这些荧光粉在紫外激发的白光LED中具有潜在的应用价值.

关键词： Ca_(2)LaTaO_(6) 能量传递色点调谐发光二极管器件

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发光二极管器件

发光二极管器件

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作者：裴水斌丁有光崔新逸李俊杰金湘甲韩国京畿道龙仁市

公开了一种发光二极管器件，所述发光二极管器件包括：薄膜晶体管基底，具有多个发光区域；第一电极和第二电极，位于薄膜晶体管基底上；第一钝化图案，位于第一电极与第二电极之间；多个微型发光二极管，位于第一钝化图案上；第一桥接... 详细信息

标准号: CN110034149B

公开了一种发光二极管器件，所述发光二极管器件包括：薄膜晶体管基底，具有多个发光区域；第一电极和第二电极，位于薄膜晶体管基底上；第一钝化图案，位于第一电极与第二电极之间；多个微型发光二极管，位于第一钝化图案上；第一桥接图案，位于微型发光二极管上并且将第一电极电连接到微型发光二极管；以及第二桥接图案，位于第一桥接图案上并且将第二电极电连接到微型发光二极管，其中，每个微型发光二极管的每个侧壁与第一钝化图案的每个侧壁形成同一平面。

关键词：微型发光二极管第二电极第一电极钝化图案桥接图案发光二极管器件薄膜晶体管电连接侧壁基底发光区域

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发光二极管器件及其制备方法

发光二极管器件及其制备方法

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作者：张威吴志浩王江波 322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

本公开提供了一种发光二极管器件及其制备方法，该方法包括：制作第一基板，第一基板包括衬底以及位于第一衬底上的色转换薄膜和发光薄膜；对色转换薄膜和发光薄膜进行图形化处理，得到色转换层和发光层，色转换层包括多个色转换单元，... 详细信息

标准号: CN117080329A

本公开提供了一种发光二极管器件及其制备方法，该方法包括：制作第一基板，第一基板包括衬底以及位于第一衬底上的色转换薄膜和发光薄膜；对色转换薄膜和发光薄膜进行图形化处理，得到色转换层和发光层，色转换层包括多个色转换单元，发光层包括多个发光单元，发光单元层叠于色转换单元；制作反光层，反光层包括多个反光单元，反光单元包裹色转换单元和发光单元；制作支撑层，支撑层覆盖第一衬底和反光层；制作第二导电层，第二导电层包括多个导电单元，导电单元穿过支撑层与发光单元电连接；除去第一衬底；制作第一导电层，第一导电层为透明导电层，第一导电层穿过色转换层分别与多个发光单元电连接。

关键词：发光单元衬底第一导电层色转换单元色转换层反光层支撑层制作第二导电层导电单元第一基板发光薄膜反光单元电连接发光层色转换薄膜发光二极管器件穿过透明导电层图形化处理制备覆盖

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发光二极管器件及其制作方法

发光二极管器件及其制作方法

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作者：胡勋涛赵宇冰 519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇华冠路45号1栋6层601-604室

本公开提供了一种发光二极管器件及其制作方法，属于发光器件领域。所述发光二极管器件包括：发光二极管芯片、荧光片、挡墙和基板；所述发光二极管芯片与所述基板邦定，所述荧光片贴合在所述发光二极管芯片的表面，所述挡墙位于所述基... 详细信息

标准号: CN117153992A

本公开提供了一种发光二极管器件及其制作方法，属于发光器件领域。所述发光二极管器件包括：发光二极管芯片、荧光片、挡墙和基板；所述发光二极管芯片与所述基板邦定，所述荧光片贴合在所述发光二极管芯片的表面，所述挡墙位于所述基板上，且所述挡墙包裹所述发光二极管芯片的侧面及所述荧光片的侧面；所述发光二极管芯片和所述荧光片通过磁性吸附在一起。

关键词：发光二极管芯片荧光片挡墙基板发光二极管器件发光器件领域磁性吸附侧面贴合制作

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发光二极管器件及其制备方法、显示装置

发光二极管器件及其制备方法、显示装置

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作者：秦凯 200540 上海市金山区亭林镇兴工路225号1幢6856室

本申请涉及一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置，包括：衬底；第一发光外延层，包括设于衬底表面的第一蓝光外延层以及设于第一蓝光外延层上表面的转换层，转换层用于将从第一蓝光外延层接收到的蓝光转换为红光；第二发光外延层... 详细信息

标准号: CN116885076A

本申请涉及一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置，包括：衬底；第一发光外延层，包括设于衬底表面的第一蓝光外延层以及设于第一蓝光外延层上表面的转换层，转换层用于将从第一蓝光外延层接收到的蓝光转换为红光；第二发光外延层，设于第一发光外延层的上表面，第二发光外延层用于发射除红光以外的其他至少一种颜色的光，所述上表面为远离衬底的一侧表面。通过第一蓝光外延层发出的蓝光来激发转换层发射红光，能够大大提升所得到的红光的亮度，进而提高器件的发光亮度和效率，并将用于发射其他至少一种颜色光的第二发光外延层与第一发光外延层进行垂直堆叠以实现多色显示，有利于像素的小型化，从而改善图像分辨率。

关键词：发光外延层蓝光外延层红光上表面转换层衬底发射发光二极管器件图像分辨率衬底表面垂直堆叠多色显示蓝光转换显示装置颜色光像素制备发光激发申请

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发光二极管器件的测试方法及装置

发光二极管器件的测试方法及装置

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作者：柳春美 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

本申请适用于半导体光电技术领域，提供了一种发光二极管器件的测试方法及装置，该方法包括：向发光二极管器件输入测试电压，获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二... 详细信息

标准号: CN113884849B

本申请适用于半导体光电技术领域，提供了一种发光二极管器件的测试方法及装置，该方法包括：向发光二极管器件输入测试电压，获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。本申请能够提高对发光二极管器件进行测试的准确性。

关键词：发光二极管器件发光测试电压测试方法及装置光电技术领域输入测试性能参数申请半导体测试

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全无机铅卤化物钙钛矿高效发光纳米晶与发光二极管器件

全无机铅卤化物钙钛矿高效发光纳米晶与发光二极管器件

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作者：姚纪松中国科学技术大学

学位级别：博士

铅卤化物钙钛矿是近几年发展起来的一类新型直接带隙半导体发光材料,具有高荧光量子产率(PLQY)、高色纯度、高载流子迁移率、光谱易于调控等诸多优异的光电性能,以及易于溶液加工制备的特性。因此,铅卤化物钙钛矿是一类可作为制备高效... 详细信息

铅卤化物钙钛矿是近几年发展起来的一类新型直接带隙半导体发光材料,具有高荧光量子产率(PLQY)、高色纯度、高载流子迁移率、光谱易于调控等诸多优异的光电性能,以及易于溶液加工制备的特性。因此,铅卤化物钙钛矿是一类可作为制备高效电致发光二极管(LED)的固态发光材料,在下一代高清柔性显示和节能照明领域具有广泛而重要的应用前景。自2014年首次报道室温下工作的铅卤化物钙钛矿LED器件以来,目前基于铅卤化物发光层的设计主要包括三种类型:三维(3D)多晶薄膜、准二维(2D)多晶薄膜和胶体纳米晶。一般情况下,3D多晶薄膜的激子结合能较低,且容易在晶界处形成缺陷,因而其发光性能较差。通常的优化策略是利用有机分子来限制钙钛矿晶体生长,减小3D多晶薄膜的晶粒尺寸和钝化晶界处的缺陷,提高其发光效率。准2D多晶薄膜是由有机分子和无机单元形成的量子肼结构,其激子结合能较高,使其发光效率相对于3D多晶薄膜有大幅度提高。然而,准2D多晶薄膜的无机单元层数(n值)难以均匀控制,而且层间的有机分子会阻碍载流子的传输,这些不利因素最终会影响准2D多晶薄膜器件的性能。钙钛矿胶体纳米晶具有较高的激子结合能以及PLQY,容易控制尺寸的均匀性,而且具有良好溶液成膜性,适用于溶液法制备高效的LED器件。但是,铅卤化物钙钛矿纳米晶仍存在的一些挑战,这其中主要包括:钙钛矿晶格形成能低导致的晶体结构相变,长链有机配体不稳定且阻碍载流子传输,以及尺寸限域效应带来的俄歇复合等问题。针对上述问题,我们以实现高效稳定的全无机铅卤化物钙钛矿纳米晶LED器件为研究目标,从钙钛矿纳米晶的晶体结构和表面配体调控两点出发,通过金属离子掺杂/取代和短链配体处理工程的策略,实现高效发光且稳定的铅卤化物钙钛矿纳米晶的制备,并在器件应用层面开展一系列的研究。研究的主要内容如下:1.通过简单的热注入法在CsPbBr3晶格中掺入铈离子(Ce3+)来提高钙钛矿纳米晶的光/电致发光效率。利用瞬态吸收光谱和荧光寿命分析,进一步证明了Ce3+掺杂可以有效调控CsPbBr3纳米晶的荧光动力学:Ce3+掺杂导致在CsPbBr3导带底引入一个带边态,提供了更多辐射复合通道,因而提高了 CsPbBr3纳米晶的PLQY。同时,采用掺杂Ce3+的CsPbBr3纳米晶作为发光层制备的LED器件,与未掺杂的纳米晶相比,器件的外量子效率(EQE)从1.6%提高到了 4.4%。该研究也进一步表明稀土元素掺杂到钙钛矿晶格中可以实现对这类新型半导体材料发光性能的多样化调控。2.利用碱土金属锶离子(Sr2+)部分取代铅卤化物钙钛矿中的铅离子(Pb2+)提升其晶格形成能,成功制备了一系列尺寸均匀、高PLQY且稳定的立方相CsPbI3(α-CsPbI3)量子点。通过控制合成条件,可以实现在4.7～15nm之间对α-CsPbI3量子点尺寸的调控。计算表明,将Sr2+引入到CsPbI3晶格中,增加了立方相CsPbI3的晶格形成能,减少晶体结构的变形,进而显著地提高了量子点的稳定性。通过瞬态光谱分析证明:Sr2+取代和r钝化的协同作用使得合成的α-CsPbI3量子点具有高的PLQY。基于此,采用小尺寸α-CsPbI3量子点作为发光层制备新型的红光LED,由于具有更好的成膜性、稳定性以及更高的PLQY,使得LED器件的EQE达到了 5.92%,同时保持良好的光谱稳定性(在6.0 V电压下,器件持续点亮15小时保持光谱没有变化)和更高的器件使用寿命。该研究表明金属离子取代策略可以在不影响钙钛矿发光性能的情况下提高钙钛矿晶格稳定性,进而制备高效稳定的钙钛矿LED器件。3.利用一种新型的三丁基氧膦-钙(Ca-TBPO)离子复合物配体表面处理策略来减少蓝光钙钛矿纳米晶表面固有的卤素空位缺陷,同时取代原有的长链有机配体。因此,制备的CsPbCl3-xBrx纳米晶具有高的PLQY(>90%)和增强的薄膜载流子传输能力。基于Ca-TBPO离子复合物对蓝光钙钛矿纳米晶表面钝化的优化工程,制备得到的纯蓝光LED(光谱峰位在463 nm)的EQE达到了 3.3%,亮度达到569cd/m2,同时也展现出较为优异的器件稳定性。相对于由长链配体钝化的蓝光纳米晶制备的LED,器件性能上有了明显的提高(对比器件的EQE仅为0.72%,亮度为68 cd/m2)。该研究证明Ca-TBPO可以提高蓝光钙钛矿纳米晶的发光效率和载流子传输性能,以制备高性能的蓝光LED器件。4.基于之前研究的新型短链配体三丁基氧膦钝化钙钛矿纳米晶,我们进一步通过三丁基氧膦-铈(Ce-TBPO)离子复合物配体表面处理策略来减少绿光钙钛矿纳米晶表面固有的卤素空位缺陷,同时取代原有的长链有机配体(油酸、油胺等)。因此,制备的CsPbBr3纳米晶具有高的PLQY(>90%)和增强的薄膜载流子传输能力。此外,不同激发

关键词：铅卤化物钙钛矿纳米晶发光二极管器件荧光量子效率晶格稳定性载流子传输性能

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发光二极管器件及其制备方法、发光基板、发光装置

发光二极管器件及其制备方法、发光基板、发光装置

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作者：孙海雁张晓晋 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

本公开提供了一种发光二极管器件及其制备方法、发光基板、发光装置，其中，发光二极管器件，包括：层叠设置的阳极层、发光层、载流子平衡层、电子传输层和阴极层；其中，载流子平衡层的空穴迁移率大于电子迁移率，载流子平衡层的LUMO... 详细信息

标准号: CN115701229A

本公开提供了一种发光二极管器件及其制备方法、发光基板、发光装置，其中，发光二极管器件，包括：层叠设置的阳极层、发光层、载流子平衡层、电子传输层和阴极层；其中，载流子平衡层的空穴迁移率大于电子迁移率，载流子平衡层的LUMO能级比电子传输层的LUMO能级浅，载流子平衡层的HOMO能级比发光层的HOMO能级浅。本公开技术方案可以提高器件的可靠性和寿命，同时还可以增大空穴与电子的复合区域，拓宽发光区域，提高器件发光效率。

关键词：载流子平衡发光二极管器件电子传输层发光层空穴电子迁移率空穴迁移率层叠设置发光基板发光区域发光效率发光装置复合区域阳极层阴极层制备

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发光二极管器件

发光二极管器件

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作者：裴水斌丁有光崔新逸李俊杰金湘甲韩国京畿道龙仁市

标准号: CN110034149A

关键词：微型发光二极管第二电极第一电极钝化图案桥接图案发光二极管器件薄膜晶体管电连接侧壁基底发光区域

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发光二极管器件结构及其制作方法

发光二极管器件结构及其制作方法

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作者：付小朝黄宝亿季辉丁晓民朱广敏 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路351号1号楼521室

本发明公开了一种发光二极管器件结构，由下到上依次包括如下各层：蓝宝石衬底、缓冲成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、掺Al和Mg的GaN层和掺Mg的GaN层，所述N型GaN层分为位于下面的第一掺Si的GaN层和位于上面的第二掺Si的... 详细信息

标准号: CN100530722C

本发明公开了一种发光二极管器件结构，由下到上依次包括如下各层：蓝宝石衬底、缓冲成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、掺Al和Mg的GaN层和掺Mg的GaN层，所述N型GaN层分为位于下面的第一掺Si的GaN层和位于上面的第二掺Si的GaN层，所述第一掺Si的GaN层与所述第二掺Si的GaN层之间还包括有掺Si的AlGaN层。本发明还公开了上述发光二极管器件的制作方法，在制作N型GaN层的时候，包括先生长第一掺Si的GaN层，然后生长掺Si的AlGaN层，再生长第二掺Si的GaN层的步骤。本发明通过上述方法制作发光二极管器件，其步骤简单，易于实现，制作出的发光二极管器件具有很好的防静电能力和晶体结构，大大的提高了发光二极管的性能。

关键词：发光二极管器件发光二极管多量子阱晶体结构蓝宝石成核层防静电衬底缓冲掺杂生长再生先生

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