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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

353 篇 专利
2 件 标准

馆藏范围

355 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

主题

2 篇 发光二极管组件
1 篇 规范
1 篇 测试方法
1 篇 半导体
1 篇 长波
1 篇 光电器件
1 篇 超辐射

机构

17 篇 晶元光电股份有限...
15 篇 开发晶照明有限公...
9 篇 广镓光电股份有限...
8 篇 新世纪光电股份有...
8 篇 普照光电科技股份...
8 篇 英特明光能股份有...
8 篇 乐金显示有限公司
6 篇 友达光电股份有限...
5 篇 四川九鼎智远知识...
5 篇 一品光学工业股份...
4 篇 展晶科技有限公司
4 篇 皇家飞利浦电子股...
4 篇 宏碁股份有限公司
4 篇 南京汉德森科技股...
4 篇 宏齐科技股份有限...
4 篇 艾笛森光电股份有...
3 篇 沛鑫能源科技股份...
3 篇 四川蓝讯宝迩电子...
3 篇 富士迈半导体精密...
3 篇 上海埃尔顿医疗器...

作者

25 篇 郑子淇
16 篇 刘弘智
8 篇 许并社
8 篇 陈元杰
8 篇 郭怡婷
8 篇 刘旭光
7 篇 吴志凌
7 篇 陈泽澎
7 篇 黄逸儒
7 篇 罗玉云
5 篇 李学敏
5 篇 罗艳
4 篇 汪秉龙
4 篇 李胜峰
4 篇 苏柏仁
4 篇 周存慧
4 篇 李允立
4 篇 林子旸
3 篇 赵汝杰
3 篇 陈平健

语言

355 篇 中文

检索条件"主题词=发光二极管组件"

共 355 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

发光二极管组件及制造其发光二极管单元的方法

发光二极管组件及制造其发光二极管单元的方法

引用

作者：潘锡明王明宗汪秉龙中国台湾新竹市中华路5段222巷18号

一种发光二极管组件，包括多个发光二极管单元及驱动电路。每个所述发光二极管单元包括发光二极管及晶体管。所述发光二极管包括具有III‑V族化合物半导体的第一发光二极管层、在所述第一发光二极管层上方的第二发光二极管层、及在所述... 详细信息

标准号: CN113451289B

一种发光二极管组件，包括多个发光二极管单元及驱动电路。每个所述发光二极管单元包括发光二极管及晶体管。所述发光二极管包括具有III‑V族化合物半导体的第一发光二极管层、在所述第一发光二极管层上方的第二发光二极管层、及在所述第二发光二极管层上方的发光二极管电极。所述第一发光二极管层不具有发光二极管电极。所述晶体管包括汲区，所述汲区连接所述第一发光二极管层。所述驱动电路配置来驱动所述发光二极管单元。

关键词：发光二极管层发光二极管单元发光二极管电极发光二极管晶体管发光二极管组件驱动电路配置驱动电路半导体驱动

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发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件

发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件

引用

作者：黄逸儒吴志凌罗玉云苏柏仁中国台湾台南市台南科学园区大利三路5号

本发明是有关于一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，该发光二极管组件是包含一组件基板、一第一型掺杂层、一发光层、一第二型掺杂层、复数个第一沟部、一第二沟部、一绝缘层、一第一接点及一第二接点。该发光二极管组件的... 详细信息

标准号: CN103296166A

本发明是有关于一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，该发光二极管组件是包含一组件基板、一第一型掺杂层、一发光层、一第二型掺杂层、复数个第一沟部、一第二沟部、一绝缘层、一第一接点及一第二接点。该发光二极管组件的特征在于，该第二沟部串接该等第一沟部的一端并贯穿该第二型掺杂层及该发光层，且裸露部分该第一型掺杂层，增加该第一接点与该第一型掺杂层接触的面积，使该发光二极管组件可于高电流密度下使用而不会产生热聚集的问题，并且不会使该发光二极管组件的发光面积变小，而产生该发光二极管组件的发光效率降低的问题。而本发明的发光二极管组件可倒覆于一封装基板进行覆晶封装，以形成一覆晶式发光二极管封装组件。

关键词：发光二极管组件掺杂沟部发光二极管封装组件发光层晶式绝缘层电流密度发光面积发光效率封装基板组件基板串接复数封装聚集接触

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发光二极管组件及制造方法

发光二极管组件及制造方法

引用

作者：郑子淇中国台湾新竹市

本发明公开一种发光二极管组件及制造方法，其制造方法包含有：提供一第一载具，其上置放有多个LED芯片；提供一第二载具；使第二载具与多个LED芯片相连；以及，使多个LED芯片与第一载具相分离但仍与第二载具相接。

标准号: CN109268709A

关键词：载具发光二极管组件相分离置放制造

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发光二极管组件及制作方法

发光二极管组件及制作方法

引用

作者：刘弘智郭怡婷郑子淇中国台湾新竹市

本发明公开一种发光二极管组件及制作方法。发光二极管组件包含有一透明基板、数个发光二极管芯片、一线路、一透明封装体、以及二电极板。该透明基板具有面对相反方向的一第一表面以及一第二表面。该多个发光二极管芯片，固定于该第一... 详细信息

标准号: CN110350064A

本发明公开一种发光二极管组件及制作方法。发光二极管组件包含有一透明基板、数个发光二极管芯片、一线路、一透明封装体、以及二电极板。该透明基板具有面对相反方向的一第一表面以及一第二表面。该多个发光二极管芯片，固定于该第一表面上。该线路电连接该多个发光二极管芯片。该透明封装体设于该第一表面上，大致包裹该多个发光二极管芯片与该线路。该多个电极板设置于该第一表面或该第二表面，通过该线路电连接至该多个发光二极管芯片，作为该发光二极管组件的二电源输入端。

关键词：发光二极管芯片第一表面发光二极管组件透明封装体第二表面透明基板电极板电连接电源输入端制作

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发光二极管组件以及用于使发光二极管组件的发光二极管减光的以及方法

发光二极管组件以及用于使发光二极管组件的发光二极管减光的以及...

引用

作者： D·耐特菲尔德德国利普施塔特

本发明涉及发光二极管组件，至少具有发光二极管(1)，控制设备(4)，所述控制设备设计用于借助脉冲宽度调制使至少一个发光二极管(1)减光，其中，所述脉冲宽度调制的特征在于节拍(T)和一个节拍期间的脉冲持续时间(τ)，其中，控制设备(4... 详细信息

标准号: CN108476567A

本发明涉及发光二极管组件，至少具有发光二极管(1)，控制设备(4)，所述控制设备设计用于借助脉冲宽度调制使至少一个发光二极管(1)减光，其中，所述脉冲宽度调制的特征在于节拍(T)和一个节拍期间的脉冲持续时间(τ)，其中，控制设备(4)设计用于，以包括至少两个节拍的程序包(P)操控所述至少一个发光二极管(1)，其中控制设备(4)选择性地设计用于，以第一运行方式(B_1，p)和至少一个第二运行方式(B21p)操控所述至少一个发光二极管(1)，其中，所述至少一个发光二极管(1)在第一运行方式中被以所述程序包(P)内的相同的脉冲持续时间(T)操控并且在第二运行方式中被以所述程序包(P)内的至少一个不同的脉冲持续时间操控，以及用于使发光二极管组件的发光二极管减光的方法，具有包括控制设备(4)的至少一个发光二极管，所述控制设备设计用于借助脉冲宽度调制使所说至少一个发光二极管(1)减光，其中，脉冲宽度调制的特征在于节拍(T)和一个节拍期间的脉冲持续时间(T，其特征在于，所述方法具有下列的方法步骤：由至少两个节拍形成程序包并且以第一运行方式或第二运行方式操控所述至少一个发光二极管，所述第一运行方式的特征在于，所述至少一个发光二极管被以在程序包(P)内的相同的脉冲持续时间(τ)操控，所述第二运行方式的特征在于，所述至少一个发光二极管被以在程序包(P)内的至少一个不同的脉冲持续时间操控。

关键词：发光二极管运行方式操控控制设备程序包脉冲节拍脉冲宽度调制减光发光二极管组件

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发光二极管组件

发光二极管组件

引用

作者： T.洛佩斯荷兰艾恩德霍芬

本发明涉及发光二极管组件（101），其包括具有上表面的发光半导体结构（104），和被布置成引导光从所述发光半导体结构（104）中离开的微光学多层结构（102），所述微光学多层结构（102）包括多个层，其中从所述半导体结构（104）的角... 详细信息

标准号: CN105308763A

本发明涉及发光二极管组件（101），其包括具有上表面的发光半导体结构（104），和被布置成引导光从所述发光半导体结构（104）中离开的微光学多层结构（102），所述微光学多层结构（102）包括多个层，其中从所述半导体结构（104）的角度观察，第i+1层被顺序地布置在第i层上，其中第i层的折射率n_i大于第i+1层的折射率n_i+1，并且其中第i+1层的厚度大于第i层的厚度。本发明还涉及包括这样的发光二极管组件的发光二极管。

关键词：发光半导体结构发光二极管组件多层结构微光学折射率半导体结构发光二极管布置大于上表面顺序地引导光涉及观察离开

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发光二极管组件及制作方法

发光二极管组件及制作方法

引用

作者：陈泽澎郑子淇中国台湾新竹市

本发明公开一种发光二极管组件及制作方法。该发光二极管组件包含有一第一透光基板、一第一荧光粉层、一第二透光基板、多个发光二极管芯片、以及一第二荧光粉层。该第一荧光粉层夹于该第一与第二透光基板之间。该第二透光基板至少具有... 详细信息

标准号: CN110047823A

本发明公开一种发光二极管组件及制作方法。该发光二极管组件包含有一第一透光基板、一第一荧光粉层、一第二透光基板、多个发光二极管芯片、以及一第二荧光粉层。该第一荧光粉层夹于该第一与第二透光基板之间。该第二透光基板至少具有二沟槽，大致平行地形成于该第二透光基板上。该多个发光二极管芯片固定于该第二透光基板上，且大致位于该二沟槽之间。该第二荧光粉层覆盖于该多个发光二极管芯片上，且至少有一部分位于该多个沟槽之中。

关键词：透光基板荧光粉层发光二极管芯片发光二极管组件平行覆盖制作

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发光二极管组件及其制作方法

发光二极管组件及其制作方法

引用

作者：蔡明达张杨陈靖中 402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)

本发明涉及一种发光二极管组件及其制作方法，发光二极管组件包括在基板正面上相邻设置的具有高度差的第一发光二极管和第二发光二极管，该高度差使得第二发光二极管的第二有源层在基板正面上的高度，高于第一发光二极管的第二半导体层... 详细信息

标准号: CN115621295A

本发明涉及一种发光二极管组件及其制作方法，发光二极管组件包括在基板正面上相邻设置的具有高度差的第一发光二极管和第二发光二极管，该高度差使得第二发光二极管的第二有源层在基板正面上的高度，高于第一发光二极管的第二半导体层在基板正面上的高度，从而避免或尽可能减少第二发光二极管的第二有源层产生的光被与之相邻的第一发光二极管的半导体层吸收，提升发光二极管组件整体的出光效率，且不用刻意增大相邻的第一发光二极管和第二发光二极管之间的间距来提升出光效率。