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语言

  • 72 篇 中文
检索条件"主题词=发光器件领域"
72 条 记 录,以下是1-10 订阅
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一种发光器件及其制备方法和显示装置
一种发光器件及其制备方法和显示装置
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作者: 谢仕昭 陈亚文 510700 广东省广州市黄埔区光谱中路11号云升科学园1号楼1F
本申请属于发光器件领域,涉及一种发光器件,包括依次层叠设置的阳极、发光层、界面层、电子传输层以及阴极;界面层的材料包括金属氧化物,发光层包括发光材料,电子传输层包括电子传输材料;金属氧化物的LUMO能级大于发光材料的LUMO... 详细信息
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超构透镜OLED发光器件
超构透镜OLED发光器件
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作者: 杨震元 许俊康 曹燕 322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇高塘路126号
本公开提供了一种超构透镜OLED发光器件,属于发光器件领域。所述超构透镜OLED发光器件包括:第一基板,依次层叠在第一基板表面的阳极层、OLED结构层、密封层、公共电极层、第一配向膜、超构透镜结构层、第二配向膜、像素电极层以及第... 详细信息
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一种新型的LED发光器件
一种新型的LED发光器件
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作者: 邹立 511400 广东省广州市南沙区珠江街珠江工业园南江二路2011NGY地块601(临时经营场地)
本发明公开了一种新型的LED发光器件,包括PCB电路板,所述PCB电路板的表面开设有若干发光孔,所述发光孔的内部分别设有一个LED发光晶片,所述LED发光晶片的外部覆盖有高分子封装壳,所述高分子封装壳与LED发光晶片组成一个发光源,并... 详细信息
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一种混合镧系金属MOFs发光材料及其发光器件的制备方法
一种混合镧系金属MOFs发光材料及其发光器件的制备方法
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作者: 王龙成 喻志奎 康硕 邰明辉 王姣瑛 金达莱 310018 浙江省杭州市江干经济开发区2号大街928号
本发明公开了一种混合镧系金属‑有机骨架发光材料及其发光器件的制备方法。将La3+金属盐,Tb3+金属盐和Eu3+金属盐溶于适量的去离子水配成溶液,并与有机配体小分子搅拌混合,将混合溶液移至封闭的水热反应釜中,放入恒温鼓风干燥箱中... 详细信息
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一种发光器件激子特性参数反演方法及装置
一种发光器件激子特性参数反演方法及装置
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作者: 谷洪刚 陈林雅 刘世元 柯贤华 江浩 430074 湖北省武汉市珞喻路1037号
本发明提供了一种发光器件激子特性参数反演方法及装置,属于发光器件领域,方法包括:构建基于发光器件TM/TE偏振态远场视角光谱、激子特性参数以及ETL膜层厚度的正向模型;调整正向模型中ETL膜层厚度,筛选出对激子分布函数敏感的第一... 详细信息
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一种青蓝光可调锑基有机无机杂化钙钛矿材料合成与应用
一种青蓝光可调锑基有机无机杂化钙钛矿材料合成与应用
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作者: 邹军 王媛媛 杨波波 石明明 吴巧云 200233 上海市闵行区漕宝路120-121号
本发明公开了一种青蓝光可调锑基有机无机杂化钙钛矿材料合成及应用,属于光电材料领域,发明制备工艺简单,绿色环保且成本较低。该材料发光颜色为青蓝光,且不同激发下发射峰不同,实现了青蓝光可调,解决了现有技术中钙钛矿材料富含... 详细信息
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发光二极管及其制作方法
发光二极管及其制作方法
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作者: 史可 严帆 王宁 汤淼 李俊生 322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
本公开提供了一种发光二极管及其制作方法,属于发光器件领域。该方法包括:在衬底表面形成外延层,所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层;在所述第二半导体层表面形成银镜结构,所述银镜结构包括依次层叠的第... 详细信息
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一种钙钛矿发光二极管及其制备方法
一种钙钛矿发光二极管及其制备方法
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作者: 李严波 刘欣 刘栋梁 313001 浙江省湖州市西塞山路819号南太湖科技创新综合体B1幢8层
本发明属于发光器件技术领域,公开了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法。所述钙钛矿发光二极管器件及其制备方法包括依次层叠的衬底、阳极(ITO)、电子束蒸镀无机空穴传输层(NiOx)、钙钛矿发光层、电子束蒸镀无机电子传输层(Nb2O5)和电... 详细信息
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发光二极管及其制作方法
发光二极管及其制作方法
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作者: 杨兰 胡任浩 张奕 陆香花 梅劲 322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
本公开提供了一种发光二极管及其制作方法,属于发光器件领域。该方法包括:在衬底表面形成成核层,所述成核层包括依次层叠的AlN成核子层和AlGaN成核子层,所述AlGaN成核子层的生长温度高于所述AlN成核子层的生长温度;在所述成核层表... 详细信息
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发光二极管及其制作方法
发光二极管及其制作方法
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作者: 肖和平 汪洋 黄彪彪 215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
本公开提供了一种发光二极管及其制作方法,属于发光器件领域。该方法包括:在衬底表面制作外延层,所述外延层包括依次层叠在所述衬底的第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述第二半导体层远离所述衬底的一面为掺杂Mg的AlxGa(1‑x)... 详细信息
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