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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

29 篇 专利
1 篇 期刊文献

馆藏范围

30 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

1 篇 工学
- 1 篇 材料科学与工程（可...
- 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

1 篇 latticexp2
1 篇 可编程半导体器件
1 篇 性能特点
1 篇 fpga
1 篇 ep3c120

机构

19 篇 北京知存科技有限...
7 篇 广东高云半导体科...
1 篇 同济大学
1 篇 中国科学院微电子...
1 篇 杭州知存算力科技...

作者

20 篇 王绍迪
5 篇 朱璟辉
5 篇 郭昕婕
4 篇 张继勇
4 篇 刘建华
3 篇 林晓志
2 篇 周垣
2 篇 王仙芳
2 篇 马鑫
1 篇 王天心
1 篇 喻金星
1 篇 钟汇才
1 篇 王添平
1 篇 陈建光
1 篇 康旺
1 篇 蒂瓦卡·乔珀拉
1 篇 梁擎擎
1 篇 徐晓翔
1 篇 朱慧珑
1 篇 宋宁

语言

29 篇 中文
1 篇 英文

检索条件"主题词=可编程半导体器件"

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详细简洁

排序：

可编程半导体器件组织成多个时钟区域的方法和装置

可编程半导体器件组织成多个时钟区域的方法和装置

引用

作者：朱璟辉宋宁林晓志王添平陈建光蒂瓦卡·乔珀拉王天心顾震宇 510700 广东省广州市黄埔区科学大道243号A5栋10楼1001房

本申请涉及将可编程半导体器件组织成多个时钟区域的方法和装置。一种可配置半导体器件被组织成四个象限，该象限能通过时钟结构执行用户定义的逻辑功能。在一个示例中，第一象限包括第一SerDes区域和用于数据处理的bank0区域。第二象... 详细信息

标准号: CN113270124A

本申请涉及将可编程半导体器件组织成多个时钟区域的方法和装置。一种可配置半导体器件被组织成四个象限，该象限能通过时钟结构执行用户定义的逻辑功能。在一个示例中，第一象限包括第一SerDes区域和用于数据处理的bank0区域。第二象限包括第二SerDes区域和bank5区域，第三象限包含bank3区域和bank4区域。第四象限包括bank1区域和bank2区域。时钟结构被配置为向可配置半导体器件内的各个区域提供一组具有不同时钟速度的可编程时钟信号或可选择的时钟信号。

关键词：象限半导体器件时钟结构可配置可编程半导体器件可编程时钟信号方法和装置逻辑功能区域提供时钟区域时钟信号用户定义数据处理配置申请

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多次可编程半导体器件及其制造方法

多次可编程半导体器件及其制造方法

引用

作者：梁擎擎钟汇才朱慧珑 100029 北京市朝阳区北土城西路3#

本发明公开了多次可编程半导体器件，包括：多个鳍形结构，位于衬底上且沿平行于衬底表面的第一方向延伸分布，包括衬底注入区、埋氧层、顶层；沟道区，位于多个鳍形结构的顶层中；源漏区，位于多个鳍形结构的顶层中沟道区两端；栅极绝... 详细信息

标准号: CN103681800B

本发明公开了多次可编程半导体器件，包括：多个鳍形结构，位于衬底上且沿平行于衬底表面的第一方向延伸分布，包括衬底注入区、埋氧层、顶层；沟道区，位于多个鳍形结构的顶层中；源漏区，位于多个鳍形结构的顶层中沟道区两端；栅极绝缘层，位于沟道区的顶部以及侧部，沿平行于衬底表面的第二方向延伸分布；浮栅，位于多个鳍形结构的第二方向上的两侧；编程/擦除栅，由衬底注入区构成，位于埋氧层下方。依照本发明的多次可编程半导体器件及其制造方法，利用衬底注入区来形成FinFET的编程/擦除栅，简化了器件结构，并缩减了制造工序，提高了器件的集成密度，适用于多次可编程存储器。

关键词：鳍形结构衬底沟道区注入区顶层可编程半导体器件衬底表面方向延伸擦除栅埋氧层编程平行多次可编程存储器栅极绝缘层器件结构制造工序源漏区浮栅制造

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存内计算电路及其补偿方法、存储装置和芯片

存内计算电路及其补偿方法、存储装置和芯片

引用

作者：王绍迪 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦17层1707

本发明公开了一种存内计算电路及其补偿方法、存储装置和芯片。存内计算电路包括：存内计算阵列，包括多个输入端、多个输出端和呈阵列排布的多个可编程半导体器件；所述输入端的信号为输入向量，所述输出端的信号为输出向量，所述存内... 详细信息

标准号: CN115731994A

本发明公开了一种存内计算电路及其补偿方法、存储装置和芯片。存内计算电路包括：存内计算阵列，包括多个输入端、多个输出端和呈阵列排布的多个可编程半导体器件；所述输入端的信号为输入向量，所述输出端的信号为输出向量，所述存内计算阵列用于对所述输入向量进行矩阵运算，得到所述输出向量；误差补偿模块，所述误差补偿模块与所述存内计算阵列连接，用于对所述输出向量进行缩放补偿和/或偏移补偿。与现有技术相比，本发明实施例实现了对存内计算电路的计算结果进行补偿，提升了计算精度。

关键词：计算电路输出向量误差补偿模块输入向量可编程半导体器件存储装置矩阵运算偏移补偿阵列连接阵列排布输出端输入端缩放芯片输出

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通用处理系统及通用处理方法

通用处理系统及通用处理方法

引用

作者：马鑫林晓志周垣王仙芳 510700 广东省广州市黄埔区科学大道243号1001房

本发明提供了一种通用处理系统及通用处理方法，所述通用处理系统包括：任务代理器、指令存储单元、通用处理器和通用控制代理器；其中，所述任务代理器用于获取主设备的控制信息；所述指令存储单元用于存储控制指令；所述通用处理器用... 详细信息

标准号: CN113672551B

本发明提供了一种通用处理系统及通用处理方法，所述通用处理系统包括：任务代理器、指令存储单元、通用处理器和通用控制代理器；其中，所述任务代理器用于获取主设备的控制信息；所述指令存储单元用于存储控制指令；所述通用处理器用于根据所述主设备的控制信息以及所述控制指令形成控制信号；所述通用控制代理器用于根据所述控制信号实现对于作为从设备的硬核或者软核的状态控制。通过主设备的控制信息经由通用处理器和通用控制代理器实现对于作为从设备的硬核或者软核的状态控制，即基于任务驱动实现了对于硬核的控制，由此使得对于可编程半导体器件中硬核的应用更加灵活了。

关键词：硬核通用处理器控制信息通用处理通用控制代理器主设备指令存储单元控制信号任务代理状态控制从设备软核可编程半导体器件存储控制指令控制指令任务驱动灵活应用

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一种数字模拟转换电路、控制方法、存储装置

一种数字模拟转换电路、控制方法、存储装置

引用

作者：王绍迪郭昕婕 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦1416

本发明提供了一种数字模拟转换电路、控制方法及存储装置，主要用于信号处理系统，包括：多个数字信号输入端、多个阈值电压可调的可编程半导体器件、偏置电压输入端以及模拟信号输出端；多个可编程半导体器件的栅极与多个数字信号输入... 详细信息

标准号: CN108777581A

本发明提供了一种数字模拟转换电路、控制方法及存储装置，主要用于信号处理系统，包括：多个数字信号输入端、多个阈值电压可调的可编程半导体器件、偏置电压输入端以及模拟信号输出端；多个可编程半导体器件的栅极与多个数字信号输入端一一对应连接，漏极均连接至偏置电压输入端，源极均连接至模拟信号输出端，可编程半导体器件可采用浮栅晶体管实现。其中，通过控制浮栅晶体管中的浮栅电子数量，调节浮栅晶体管的阈值电压，实现数字模拟转换功能。本发明电路结构简单、元器件数量少、电路面积小，并且因为可编程半导体器件的响应速度快、功耗低，所以整个数字模拟转换电路的时延较小、功耗较低。

关键词：可编程半导体器件数字模拟转换浮栅晶体管模拟信号输出端偏置电压输入端数字信号输入端电路阈值电压功耗信号处理系统存储装置电路结构可调的元器件浮栅漏极时延源极响应

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通过无线通信块对FPGA编程及验证的方法

通过无线通信块对FPGA编程及验证的方法

引用

作者：朱璟辉张继勇刘建华 510700 广东省广州市黄埔区科学大道243号1001房

可编程半导体器件包含无线通信块(“WCB”)，其能够促进现场可编程门阵列(“FPGA”)无线编程下载以及功能逻辑实现与验证。在完成FPGA验证过程后，通过所述WCB的控制电路检测错误；通过无线通信网络将所述WCB的错误发送到请求修复的远... 详细信息

标准号: CN112860332B

可编程半导体器件包含无线通信块(“WCB”)，其能够促进现场可编程门阵列(“FPGA”)无线编程下载以及功能逻辑实现与验证。在完成FPGA验证过程后，通过所述WCB的控制电路检测错误；通过无线通信网络将所述WCB的错误发送到请求修复的远程系统；通过无线通信网络由所述WCB从所述远程系统接收配置比特流以重新编程FPGA，从而修复所述错误；将所述配置比特流转发到配置下载块(“CDB”)，以启动配置流程；以及由所述CDB响应于所述配置比特流，对FPGA中的至少一部分可配置逻辑块(“LBs”)进行编程。

关键词：配置无线通信网络远程系统比特流下载可编程半导体器件现场可编程门阵列可配置逻辑块控制电路检测修复功能逻辑无线编程无线通信验证过程重新编程流转发编程验证响应

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抗工艺偏差的模拟向量-矩阵乘法运算电路

抗工艺偏差的模拟向量-矩阵乘法运算电路

引用

作者：王绍迪 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦1416

本发明实施例提供的抗工艺偏差的栅极耦合或源极耦合的模拟向量‑矩阵乘法运算电路，包括：用于执行模拟向量‑矩阵乘法运算的可编程半导体器件阵列以及具有多个转换支路的转换装置；对于栅极耦合的模拟向量‑矩阵乘法运算电路，每个该转... 详细信息

标准号: CN111611535A

本发明实施例提供的抗工艺偏差的栅极耦合或源极耦合的模拟向量‑矩阵乘法运算电路，包括：用于执行模拟向量‑矩阵乘法运算的可编程半导体器件阵列以及具有多个转换支路的转换装置；对于栅极耦合的模拟向量‑矩阵乘法运算电路，每个该转换支路均包括：多个并联的可编程半导体器件，对于源极耦合的模拟向量‑矩阵乘法运算电路，每个所述转换支路包括：运算放大器以及多个并联的可编程半导体器件，其中，通过在转换支路设置多个可编程半导体器件，能够抑制器件参数偏差的影响，解决矩阵中不同行或者不同列的工作基准不一致的问题，有效提高了模拟向量‑矩阵乘法运算精度。

关键词：矩阵乘法运算模拟向量可编程半导体器件支路转换电路源极耦合栅极耦合并联矩阵运算放大器参数偏差工艺偏差工作基准抑制器件转换装置不一致同行

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模拟向量-矩阵乘法运算电路

模拟向量-矩阵乘法运算电路

引用

作者：王绍迪康旺 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦1416

本发明提供一种模拟向量‑矩阵乘法运算电路，采用可编程存储器件阵列实现，可编程半导体器件阵列中，每一行的所有可编程半导体器件的栅极均连接至同一模拟电压输入端，M行可编程半导体器件对应连接M个模拟电压输入端，每一列的所有可... 详细信息

标准号: CN108763163A

本发明提供一种模拟向量‑矩阵乘法运算电路，采用可编程存储器件阵列实现，可编程半导体器件阵列中，每一行的所有可编程半导体器件的栅极均连接至同一模拟电压输入端，M行可编程半导体器件对应连接M个模拟电压输入端，每一列的所有可编程半导体器件的漏极(或源极)均连接至同一偏置电压输入端，N列可编程半导体器件对应连接N个偏置电压输入端，每一列的所有可编程半导体器件的源极(或漏极)均连接至同一个模拟电流输出端，N列可编程半导体器件对应连接N个模拟电流输出端，通过控制可编程半导体器件的阈值电压，将每个可编程半导体器件看作一个可变的等效模拟权重，实现矩阵乘法运算功能。

关键词：可编程半导体器件模拟电压输入端偏置电压输入端矩阵乘法运算模拟电流输出端漏极源极可编程存储器等效模拟模拟向量阵列实现阈值电压可变的权重电路

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模拟向量-矩阵乘法运算电路

模拟向量-矩阵乘法运算电路

引用

作者：王绍迪 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦1416

本发明提供一种模拟向量‑矩阵乘法运算电路，采用可编程存储器件阵列实现，可编程半导体器件阵列中，每一列的所有可编程半导体器件的源极均连接至同一模拟电压输入端，N列可编程半导体器件对应连接N个模拟电压输入端，每一行的所有可... 详细信息

标准号: CN109086249B

本发明提供一种模拟向量‑矩阵乘法运算电路，采用可编程存储器件阵列实现，可编程半导体器件阵列中，每一列的所有可编程半导体器件的源极均连接至同一模拟电压输入端，N列可编程半导体器件对应连接N个模拟电压输入端，每一行的所有可编程半导体器件的栅极均连接至同一偏置电压输入端，M行可编程半导体器件对应连接M个偏置电压输入端，每一列的所有可编程半导体器件的漏极均连接至同一个模拟电流输出端，N列可编程半导体器件对应连接N个模拟电流输出端，通过控制可编程半导体器件的阈值电压，将每个可编程半导体器件看作一个可变的等效模拟权重，实现矩阵乘法运算功能。

关键词：可编程半导体器件模拟电压输入端偏置电压输入端矩阵乘法运算模拟电流输出端可编程存储器等效模拟模拟向量阵列实现阈值电压可变的漏极权重源极电路

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闪存芯片

闪存芯片

引用

作者：王绍迪郭昕婕 311100 浙江省杭州市临平区乔司街道科城街180号1幢2层213-175室

本发明提供一种闪存芯片，涉及闪存技术领域，可以在闪存芯片中直接进行计算和数据存储，从而分担了处理器的工作，进而提高了整体计算体系结构的性能。闪存芯片包括：闪存阵列模块，由多个阈值电压可调的可编程半导体器件组成，用于在... 详细信息

标准号: CN108777155B

本发明提供一种闪存芯片，涉及闪存技术领域，可以在闪存芯片中直接进行计算和数据存储，从而分担了处理器的工作，进而提高了整体计算体系结构的性能。闪存芯片包括：闪存阵列模块，由多个阈值电压可调的可编程半导体器件组成，用于在计算模式下对接收的模拟数据进行计算，在编程模式下进行数据编程；模式控制器，用于根据待处理数据控制闪存阵列模块的工作模式；编程电路模块，用于在模式控制器的控制下调控可编程半导体器件的阈值电压；计算控制模块，用于在模式控制器的控制下控制闪存阵列模块进行计算。

关键词：闪存阵列模块模式控制器闪存芯片可编程半导体器件阈值电压计算控制模块待处理数据编程电路编程模式工作模式计算模式模拟数据闪存技术数据编程数据存储体系结构整体计算可调的处理器分担调控

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