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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

404 篇 专利
43 篇 期刊文献
27 篇 学位论文
3 篇 成果
1 篇 会议

馆藏范围

478 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

50 篇 工学
- 30 篇 电子科学与技术（可...
- 26 篇 光学工程
- 9 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 信息与通信工程
- 2 篇 软件工程
- 1 篇 机械工程
- 1 篇 材料科学与工程（可...
- 1 篇 电气工程
- 1 篇 控制科学与工程
- 1 篇 网络空间安全
30 篇 理学
- 30 篇 物理学
- 1 篇 化学
1 篇 军事学
- 1 篇 军队指挥学

主题

74 篇 可调光衰减器
6 篇 微机电系统
6 篇 光通信
6 篇 光开关
5 篇 掺铒光纤放大器
5 篇 波分复用
5 篇 绝缘体上硅
5 篇 光学器件
4 篇 光纤通信
4 篇 气体浓度
3 篇 在线测量
3 篇 微流控技术
3 篇 热光效应
3 篇 聚合物
3 篇 液晶
3 篇 衰减量
3 篇 阵列波导光栅
3 篇 中性密度滤光片
3 篇 硅基光子学
3 篇 插入损耗

机构

30 篇 中国科学院半导体...
22 篇 科大国盾量子技术...
15 篇 上海交通大学
13 篇 武汉光迅科技股份...
12 篇 北京中科国光量子...
11 篇 太原理工大学
11 篇 浙江大学
10 篇 南京邮电大学
9 篇 华中科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 北方工业大学
8 篇 华南师范大学
8 篇 西安电子科技大学
7 篇 长春理工大学
6 篇 中国电子科技集团...
6 篇 福建华科光电有限...
6 篇 华为技术有限公司
5 篇 武汉光谷信息光电...
5 篇 中兴通讯股份有限...
5 篇 四川梓冠光电科技...

作者

14 篇 王东
12 篇 赵义博
12 篇 安俊明
11 篇 张磊
9 篇 王玥
9 篇 吴远大
9 篇 龚攀
9 篇 董小伟
8 篇 刘建宏
8 篇 唐世彪
8 篇 王云才
8 篇 杨林
7 篇 张明江
7 篇 张家顺
7 篇 祝宁华
7 篇 任梅珍
7 篇 张云昊
7 篇 肖石林
7 篇 王亮亮
6 篇 万静

语言

478 篇 中文

检索条件"主题词=可调光衰减器"

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排序：

硅基二氧化硅可调光衰减器及其在量子密钥分发系统中的应用研究

硅基二氧化硅可调光衰减器及其在量子密钥分发系统中的应用研究

引用

作者：刘清海安庆师范大学

学位级别：硕士

可调光衰减器（Variable Optical Attenuator,VOA）作为光通信系统中重要的无源器件,广泛应用于波分复用系统当中,以实现不同波长光信号的功率均衡。随着量子技术的发展,VOA进一步被用于量子密钥分发（Quantum Key Distribution,QKD）... 详细信息

可调光衰减器（Variable Optical Attenuator,VOA）作为光通信系统中重要的无源器件,广泛应用于波分复用系统当中,以实现不同波长光信号的功率均衡。随着量子技术的发展,VOA进一步被用于量子密钥分发（Quantum Key Distribution,QKD）系统衰减产生单光子源。激光衰减单光子源要求VOA具有70-80 dB的衰减,而传统片上VOA衰减范围小,不能满足。随着量子系统逐渐向小型化、集成化方向发展,易于集成的大范围可调谐VOA芯片具有重要研究意义。二氧化硅（SiO2）波导具有制备工艺成熟、与光纤耦合损耗低、易于集成等特点,适合大规模生产,可以满足未来光通信组件小型化封装的需求。本文基于硅基SiO2材料开展了VOA相关研究,具体包括:1.基于薄膜模式匹配法分析了0.75%折射率差的SiO2波导的模场特性,采用光束传播法（Beam Propagation Method,BPM）对马赫曾德干涉仪（Mach-Zehnder Interferometer,MZI）型VOA的输入/输出波导、电极长度、耦合区等结构参数进行仿真设计。2.通过等离子增强化学气相沉积、低压力化学气相沉积、光刻、刻蚀和磁控溅射等工艺制备芯片,再对VOA芯片进行简单的耦合封装和相关性能测试。在1530-1570 nm工作波段内,插入损耗均小于2.4 dB,且波长不均匀性小于0.4 dB;在调制臂上施加电压,整个C波段最大衰减量>30 dB;VOA芯片在20-60℃范围内,最大衰减量随着环境温度增大而增大,增大的幅度小于0.5 dB,达到最大衰减量所需要的电流值随着环境温度升高而减小,减小幅度小于15 mA,具有良好的环境温度稳定性;测试了VOA的响应时间,当输入方波信号频率为100 Hz时,VOA响应时间分别为570μs;同时验证了VOA温度稳定性测试的准确性,VOA的衰减准确性小于1 dB。进一步分析了VOA的分辨率,在0-5 dB衰减范围内分辨率为0.02 dB/mA,在5-15 dB衰减范围内分辨率为0.28 dB/mA,在>15 dB的衰减范围内分辨率为1.09 dB/mA。3.通过有限元分析法分析了VOA的功耗问题并改进了部分参数,研制了MZI型四级级联VOA。分别采用经典光学测试系统和单光子测试系统来测试四级级联VOA的单级衰减特性和级联衰减总效果,测试结果表明,级联结构中每个VOA的衰减在C+L波段大于24 dB,具有良好的均匀性,四级级联VOA的最大衰减可达88.38 dB,满足QKD系统对VOA的衰减要求。4.利用实验室现有设备,搭建简易的QKD系统,验证级联VOA制备量子态的能力。首先测试脉冲光源在加入VOA之前和之后的功率变化,结果证明VOA的衰减量满足单光子源制备需求。再基于BB84 time-bin协议的QKD系统制备信号态和诱骗态,产生的单个脉冲平均光子数分别为0.066和0.033,满足QKD系统要求。

关键词：量子密钥分发波导可调光衰减器定向耦合器马赫-曾德尔干涉仪

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基于MEMS的可调光衰减器的设计与制造研究

基于MEMS的可调光衰减器的设计与制造研究

引用

作者：李超中南大学

学位级别：硕士

随着5G通信技术和有线电视网络的一体化飞速发展,光纤到户(Fiber To The Home,FTTH)被广泛运用于世界各地,全光网络(All-Optical Network,AON)的出现解除了光电转换速率慢的限制,成为了新一代光通信技术的趋势。在整个AON中,密集光波分... 详细信息

随着5G通信技术和有线电视网络的一体化飞速发展,光纤到户(Fiber To The Home,FTTH)被广泛运用于世界各地,全光网络(All-Optical Network,AON)的出现解除了光电转换速率慢的限制,成为了新一代光通信技术的趋势。在整个AON中,密集光波分复用系统(Dense Wavelength Division Multiplexing,DWDM)起着重要的作用,而可调光衰减器(Variable Optical Attenuator,VOA)是该系统中重要的无源器件之一,具有光功率大小控制、动态增益平坦和信道功率均衡的作用。相比于传统的机械式VOA,基于微机电系统(MicroElectro-Mechanical System,MEMS)的VOA的应用最为广泛,具有体积小、成本低、结构简单、响应速度快、插入损耗低、可批量生产等优点,是国内外光通信行业的研究热点。本文对基于MEMS的反射式可调光衰减器的理论分析、建模仿真设计与优化、工艺制造以及测试进行了研究,论文的研究内容主要有:(1)介绍了可调光衰减器的基本结构原理和分类;介绍了MEMS可调光衰减器的国内外研究现状;介绍了MEMS可调光衰减器衰减光路的基本理论,静电驱动MEMS微镜原理,镜面反射原理,高斯光束传播和模场耦合原理;介绍了MEMS可调光衰减器的驱动原理;介绍了MEMS可调光衰减器芯片的结构参数计算公式,研究了微镜扭转角度与结构参数的关系,并利用三维模型设计软件设计了基本结构。(2)利用有限元软件构建了MEMS可调光衰减器芯片的有限元仿真模型,并在5V的驱动电压下做结构的机电耦合分析,研究了MEMS微镜的偏转位移与结构参数的关系,对芯片的结构(梳齿间距、梳齿对数、梳齿长度、扭转梁长度和宽度等)进行了仿真优化,得出施加5V电压时,微镜偏转位移29.07μm。然后对芯片进行模态分析和谐响应分析,得出前六阶的模态振型与相应的谐振频率,并研究各结构参数对芯片固有频率的影响,得到优化后的结构第一阶固有频率为174.95Hz,且谐响应分析下芯片在175Hz下振幅最大,与模态分析结果一致。(3)基于两片SOI晶圆规划了MEMS可调光衰减器芯片的工艺制作流程,搭建光学器件性能测试平台对制作的MEMS可调光衰减器芯片进行测试。测试结果表明,可调光衰减器衰减量超过了20d B,响应时间小于1s,证明了基于MEMS的可调光衰减器的设计和制作工艺的可行性。图57幅,表9个,参考文献94篇。

关键词：可调光衰减器微机电系统垂直梳齿结构扭转梁有限元仿真绝缘体上硅深硅反应离子刻蚀技术

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多模可调光衰减器及光开关研究

多模可调光衰减器及光开关研究

引用

作者：陕振添华中科技大学

学位级别：硕士

随着信息技术的快速发展和数据规模的爆发增长,日益增长的网络信息通过数据中心进行高速传输和储存,数据中心的发展建设正处于高速时期。数据中心内部的光纤连接距离较短,从几米到几百米不等。针对短距离高速数据传输场景,多模光纤传输... 详细信息

随着信息技术的快速发展和数据规模的爆发增长,日益增长的网络信息通过数据中心进行高速传输和储存,数据中心的发展建设正处于高速时期。数据中心内部的光纤连接距离较短,从几米到几百米不等。针对短距离高速数据传输场景,多模光纤传输相较于单模光纤传输具有低成本、低功耗的优点,因此在数据中心中得到广泛应用。在多模光纤收发模块的生产过程中,需要多模光纤衰减器和多模光开关,前者用于测试光模块的动态响应特性,后者可提高测试效率。本文研究了新型结构的多模光衰减器和1×N端口多模光开关,论文的主要内容如下:调研了现有的多模可调光衰减器和多模光开关技术方案,分析了现有解决方案存在的问题,衰减器器件响应速度慢,光开关损耗大、响应速度慢、重复性差。针对这些问题,本文提出利用角锥棱镜和旋转式步进电机构建衰减器和光开关的方法,设计了两套新型结构,减少器件损耗,提升响应速度和稳定性。设计了利用旋转式步进电机驱动角锥棱镜旋转,使光束在固定的中性密度滤光片上移动从而产生衰减的可调光衰减器;并设计了利用旋转式步进电机驱动角锥棱镜旋转,使光束沿圆周移动从而实现端口切换功能的1×48端口光开关器件。利用Zemax软件对光学系统进行仿真分析,完成光学元件设计和选型,利用Solidworks软件完成机械结构设计,完成器件装配。测试了两种器件的各项关键性能指标。多模可调光衰减器,器件尺寸为115 mm×50mm×40 mm,插入损耗为2.78 dB,衰减范围为2.78～27.30 dB,重复性≤±0.01 dB,响应速度≤48 ms;1×48端口多模光开关,器件尺寸为80 mm×42 mm×74 mm,插入损耗为1.68 dB(含两个连接头),各端口损耗在1.08 dB到1.42 dB之间,重复性≤±0.01 dB,响应速度≤8 ms。

关键词：多模光纤可调光衰减器机械式光开关响应速度

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一种磁光可调光衰减器

一种磁光可调光衰减器

引用

作者：陈建林林玲罗晓芸 350000 福建省福州市福兴经济开发区福兴大道20号

本发明提供一种磁光可调光衰减器，采用第一楔形双折射晶体、第二楔形双折射晶体及一个法拉第旋转晶体的组合件，使得本发明所述的磁光可调光衰减器可以更进一步小型化，且调试装配更简单，提高工作效率。同时采用饱和磁场施加机构在侧... 详细信息

标准号: CN109613724B

本发明提供一种磁光可调光衰减器，采用第一楔形双折射晶体、第二楔形双折射晶体及一个法拉第旋转晶体的组合件，使得本发明所述的磁光可调光衰减器可以更进一步小型化，且调试装配更简单，提高工作效率。同时采用饱和磁场施加机构在侧面施加一饱和的垂直于光路的永久磁场，以及在第一楔形双折射晶体、第二楔形双折射晶体及法拉第旋转晶体外围套上可变磁场的可变磁场施加机构，既实现了小型化的目的，也克服了现有技术中磁畴边界不稳定所带来的重复性差的缺陷。也克服了现有技术中将双折射晶体光束位移器放置于双光纤头与准直透镜之间所带的工艺困难，使得本发明制造更简单方便，大大降低制造成本。

关键词：楔形双折射晶体法拉第旋转晶体可调光衰减器可变磁场施加机构磁光光束位移器双折射晶体饱和磁场工作效率双光纤头永久磁场制造成本准直透镜组合件磁畴光路装配饱和调试垂直施加外围侧面制造

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一种可调光衰减器调节方法、装置及介质

一种可调光衰减器调节方法、装置及介质

引用

作者：姚瑜彬吴宇钧甘子浩李秀峰廖冬晴罗艳珍冯亦龙曹景涛 100033 北京市西城区金融大街21号

本发明提供一种可调光衰减器调节方法、装置及介质，所述方法包括：S1，接收可调光衰减器当前时刻的输出光功率和目标光功率；S2，根据所述当前时刻的输出控制量的增量，通过光纤弯曲和/或电压输出方式对所述可调光衰减器进行调节；S3... 详细信息

标准号: CN118295124A

本发明提供一种可调光衰减器调节方法、装置及介质，所述方法包括：S1，接收可调光衰减器当前时刻的输出光功率和目标光功率；S2，根据所述当前时刻的输出控制量的增量，通过光纤弯曲和/或电压输出方式对所述可调光衰减器进行调节；S3，将调节后得到的输出光功率作为所述当前时刻的输出光功率，判断所述当前时刻的输出光功率是否与所述当前时刻的目标光功率相等，若是，则结束本流程，若否，则返回执行步骤S2。该方法、装置及介质能够解决现有的可调光衰减器调节方法较为单一，容易出现精度不准的问题。

关键词：可调光衰减器输出光功率目标光功率输出控制量电压输出光纤弯曲相等返回

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一种低电压高速信号驱动的可调光衰减器

一种低电压高速信号驱动的可调光衰减器

引用

作者：祝连庆李鸿鹏鹿利单董明利张旭夏嘉斌 100085 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院

本发明提供了一种低电压高速信号驱动的可调光衰减器，包括：绝缘体上硅基层，所述绝缘体上硅基层包括顶部硅层和氧化物掩埋层，其中，在所述顶部硅层形成光波导，以及在所述顶部硅层位于所述光波导两侧，并沿所述光波导延伸的方向，串... 详细信息

标准号: CN116699877A

本发明提供了一种低电压高速信号驱动的可调光衰减器，包括：绝缘体上硅基层，所述绝缘体上硅基层包括顶部硅层和氧化物掩埋层，其中，在所述顶部硅层形成光波导，以及在所述顶部硅层位于所述光波导两侧，并沿所述光波导延伸的方向，串联阵列20个PN二极管。本发明用于光子芯片中高速信号的加载，调节光子计算芯片中光强大小，减少驱动所需功耗，实现光芯片中低电压高速信号的加载。

关键词：光波导硅层绝缘体上硅高速信号低电压加载可调光衰减器驱动光子计算光子芯片光芯片掩埋层中高速氧化物功耗串联基层芯片延伸

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基于异面双石墨烯纳米带的可调光衰减器及装置

基于异面双石墨烯纳米带的可调光衰减器及装置

引用

作者：黄旭光倪枫超马棋昌谢泽韬陶金 510631 广东省广州市天河区中山大道西55号

本发明涉及一种基于异面双石墨烯纳米带的可调光衰减器，包括掺杂硅层、分别设置在掺杂硅层上表面和下表面的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层、分别设置在第一二氧化硅层上表面的第一石墨烯纳米带和设置在第二二氧化硅层下表面的第二石... 详细信息

标准号: CN108267869B

本发明涉及一种基于异面双石墨烯纳米带的可调光衰减器，包括掺杂硅层、分别设置在掺杂硅层上表面和下表面的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层、分别设置在第一二氧化硅层上表面的第一石墨烯纳米带和设置在第二二氧化硅层下表面的第二石墨烯纳米带，以及分别设置在第一石墨烯纳米带和第二石墨烯纳米带上的第一金属电极和第二金属电极。

关键词：纳米带石墨烯二氧化硅层掺杂硅层金属电极上表面下表面可调光衰减器异面

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一种含热隔离槽的多级级联可调光衰减器

一种含热隔离槽的多级级联可调光衰减器

引用

作者：安韦操潘盼刘清海贾中华董凌宇余文俊汤郑平许健 246133 安徽省安庆市宜秀区集贤北路1318号

本实用新型公开了一种含热隔离槽的多级级联可调光衰减器，包括n级级联VOA结构，第二级、第三级...第n级为第一级VOA结构的重复。本实用新型采用多级级联马赫曾德干涉仪结构增加光衰减范围，基于热光调制原理，利用非对称臂设计相位差为... 详细信息

标准号: CN220323683U

本实用新型公开了一种含热隔离槽的多级级联可调光衰减器，包括n级级联VOA结构，第二级、第三级...第n级为第一级VOA结构的重复。本实用新型采用多级级联马赫曾德干涉仪结构增加光衰减范围，基于热光调制原理，利用非对称臂设计相位差为π/2的常关型VOA结构，并设计U型热隔离槽，隔离马赫曾德干涉仪两臂之间的热串扰以及相邻马赫曾德干涉仪结构之间的热串扰，提高热光调制效率。

关键词：马赫曾德干涉仪本实用新型多级级联热隔离槽热光调制串扰可调光衰减器非对称臂结构增加第三级第一级光衰减相位差级联两臂隔离重复

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一种用于可调光衰减器封装工艺的夹具

一种用于可调光衰减器封装工艺的夹具

引用

作者：龙林飞常夏森 458030 河南省鹤壁市淇滨区国家经济技术开发区延河路201号

本实用新型提出了一种用于可调光衰减器封装工艺的夹具，用以解决可调光衰减器在器件组装过程中光芯片和加电PCB板难定位，胶水固化时间长的问题。本实用新型包括固定夹具、相机支架、CCD视觉相机和显示器，CCD视觉相机固定在相机支架... 详细信息

标准号: CN220611170U

本实用新型提出了一种用于可调光衰减器封装工艺的夹具，用以解决可调光衰减器在器件组装过程中光芯片和加电PCB板难定位，胶水固化时间长的问题。本实用新型包括固定夹具、相机支架、CCD视觉相机和显示器，CCD视觉相机固定在相机支架的上部，固定夹具设置在相机支架的下部，固定夹具上放置有可调光衰减器器件，CCD视觉相机通过电缆与显示器连接。本实用新型通过调整CCD视觉相机的相机焦距和相机支架，在显示器上能够清晰观察可调光衰减器装配是否到位，且固定夹具能够有效固定可调光衰减器的FA尾纤、光芯片和壳体，从而能够有效解决可调光衰减器器件组装过程中光芯片和加电PCB板之间定位、固定的问题，同时减轻人工操作难度。

关键词：可调光衰减器固定夹具视觉相机相机支架本实用新型光芯片显示器器件组装加电夹具封装工艺胶水固化人工操作相机焦距有效解决固定的壳体尾纤装配电缆清晰观察

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易拆装的可调光衰减器

易拆装的可调光衰减器

引用

作者：刘伟龚莉钗 215000 江苏省苏州市昆山开发区南河路168号

本实用新型公开了一种易拆装的可调光衰减器，包括：光衰减模块、电缆和连接头，所述光衰减模块包括外封管、设置于所述外封管内的MEMS芯片、设置于所述外封管内的双纤准直器、能转动地连接于所述MEMS芯片上且位于所述MEMS芯片和所述双... 详细信息

标准号: CN218767405U

本实用新型公开了一种易拆装的可调光衰减器，包括：光衰减模块、电缆和连接头，所述光衰减模块包括外封管、设置于所述外封管内的MEMS芯片、设置于所述外封管内的双纤准直器、能转动地连接于所述MEMS芯片上且位于所述MEMS芯片和所述双纤准直器之间的反射镜，所述MEMS芯片上设有加电引脚，所述电缆的一端与所述MEMS芯片上的加电引脚焊接，另一端与所述连接头连接。本方案可提高光衰减器与电路板拆装的便利性。

关键词：外封管光衰减模块双纤准直器连接头加电引脚电缆可调光衰减器本实用新型电路板拆装光衰减器便利性地连接反射镜易拆装焊接转动

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