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5 篇 济南大学
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3 篇 中国科学院福建物...
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作者

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10 篇 胡亚鹏
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10 篇 马龙飞
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10 篇 昝占华
10 篇 谢良波
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单晶铌酸锂薄膜上周期极化和二次谐波产生的研究

单晶铌酸锂薄膜上周期极化和二次谐波产生的研究

引用

作者：张洪湖山东大学

学位级别：博士

随着科技的发展,集成光学在实现高速信息处理方面展现出了越来越强大的优势。铌酸锂是一种物理性能优异的光学晶体,具有优秀的电光、声光以及非线性光学性能,具有较大的光学透光范围,是一种较为成熟的光电材料,被人们广泛地应用于集成... 详细信息

随着科技的发展,集成光学在实现高速信息处理方面展现出了越来越强大的优势。铌酸锂是一种物理性能优异的光学晶体,具有优秀的电光、声光以及非线性光学性能,具有较大的光学透光范围,是一种较为成熟的光电材料,被人们广泛地应用于集成光学领域。利用离子注入与直接键合技术(又称智能切割技术)制备的薄膜铌酸锂(Thin Film Lithium Niobate,TFLN)提供了较强的光学模式限制能力,为铌酸锂薄膜上高密度、小型化光学器件的实现提供了支持。近年来,人们在铌酸锂薄膜上制备了许多性能优异的光学集成器件,例如:低损耗的脊型波导、高带宽的Mach-Zehnder调制器、高品质因子的谐振腔、高效率的波长转换器件等等。非线性效应是实现波长转换的一种重要手段,在集成光学的全光通讯、制备纠缠量子光源以及光学显示等方面有着重要的作用。高效的非线性频率转换的实现通常需要满足相位匹配条件,其中最常用的方法是准相位匹配。光学超晶格是准相位匹配过程中实现非线性频率转换的重要结构,它通过周期性的反转晶体的非线性系数来重置泵浦光与目标波长之间的相位失配,从而实现光能量从泵浦光到目标波长之间的定向流动。在铌酸锂薄膜上利用准相位匹配,对于实现高效的非线性频率转换具有重要的意义。目前,人们对x切铌酸锂薄膜上反转畴的研究主要集中在以下几个方面:利用不同的极化方法制备短周期(几个微米)的反转畴,如外加电场法,AFM极化法等;利用畴壁的高导电性进行铁电存储的研究;利用周期极化实现非线性频率转换的研究等。但是,人们对于外电场周期极化过程的研究相对较少,例如:部分铌酸锂器件为避免光折变效应的影响需要在高温下工作,因此反转畴在高温下的稳定性非常重要,但是目前对于薄膜上反转畴的温度稳定性缺乏研究;非线性频率转换中,光波需要与铌酸锂在整个薄膜深度上发生相互作用,畴反转的深度对非线性转换效率具有较大的影响,但是目前对于薄膜上反转畴的深度分布还缺乏深入研究;高保真度的周期性畴反转对于实现高效的非线性频率转换具有重要的意义,反转畴的缺失、融合都会导致转换效率的降低,周期极化存在保真度不高以及重复性不好的问题,尤其是制备具有高重复性的、高保真度的短周期极化反转畴(周期小于4微米)依然是难点。此外,关于波导尺寸对薄膜非线性频率转换效率的影响以及定量研究的报道也还较少,这些基础问题都亟待解决。因此,针对这些科学和技术问题,本文利用了外加电场的方法对x切铌酸锂薄膜上反转畴的生长及其光学特性进行了研究。本论文系统地研究了 x切铌酸锂薄膜上周期性反转畴的制备、反转畴的性质以及二次谐波的产生,主要研究结果如下:1.x切铌酸锂薄膜上周期极化的研究系统地研究了极化参数对周期性反转畴生长过程的影响。反转畴的宽度随电压的增加近似呈线性地增大,并观测到薄膜上畴反转的最小极化场强约28.2 kV/mm;研究了脉冲数量对周期性畴反转的影响,相比于极化电压,脉冲数量对反转畴生长的促进作用较小;研究了相邻脉冲时间间隔对畴生长的影响,并用backswitching模型进行了解释。上述实验说明,铌酸锂薄膜中的矫顽场高于体材料中的矫顽场,并且反转畴的宽度随极化电压的增大近似呈线性地增加。利用这些结果,在室温下的x切铌酸锂薄膜上制备了具有20 μm周期的反转畴结构。2.x切铌酸锂薄膜上反转畴的分布和稳定性的研究利用高温退火和压电力显微镜测量了 x切铌酸锂薄膜上反转畴的温度稳定性。结果表明,当退火温度小于等于300℃时,反转畴可以保持稳定。利用氩离子刻蚀和压电力显微镜对x切薄膜上的反转畴的深度分布进行了表征,结果表明,反转畴的横向宽度随着刻蚀深度的增加逐渐地减小,在深度方向上的横截面近似呈现出倒置梯形的形状。上述实验说明,反转畴在300℃以下可以保持稳定;反转畴的宽度随着深度的增加而近似呈线性地减小。3.x切铌酸锂薄膜上高保真周期极化的研究室温下利用外加电场法研究了 x切铌酸锂薄膜上3.8 μm的周期极化,针对周期极化过程中部分区域未反转的问题,采取了多次反转的方法成功地解决了这个问题,并统计了多次反转方法的周期极化保真度。实验发现,当重复极化达到6次时,在实验的样品中没有观测到未反转区域的存在,周期极化的保真度为100%。上述实验说明,多次反转法能够极大地提升周期极化的保真度,6次重复极化可以实现100%周期极化保真度,此外还可以有效地提高周期极化的均匀性和重复性。4.x切铌酸锂薄膜上二次谐波的产生利用全矢量有限差分法模拟了不同参数下的质子交换波导与脊型波导的倍频归一化转换效率。实验中,利用多次反转的方法制备了周期为3.8μm的反转畴,通过端面耦合的方法对波导的倍频特性进行了表征,获得了 684%W-1 cm-2的归一化转换效率。分析了导致转换效率降低的因素,计算了不同缺陷对转换效率降低的贡献,并根据波导的几何尺寸对相位匹配谱

关键词：单晶铌酸锂薄膜周期极化多次反转二次谐波产生

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一种压电晶体及其辅助周期极化方法、制备方法

一种压电晶体及其辅助周期极化方法、制备方法

引用

作者：宋于坤刘齐鲁王东周桑元华刘宏周飞 250101 山东省济南市高新区舜华路747号

本申请适用于压电晶体材料技术领域，尤其涉及一种压电晶体的辅助周期极化方法。该压电晶体的表面设置有叉指电极和周期排列的极化电极，叉指电极用于在极化电极处产生周期化的声表面驻波，使得极化电极中的电极中心位置与声表面驻波中... 详细信息

标准号: CN118100860A

本申请适用于压电晶体材料技术领域，尤其涉及一种压电晶体的辅助周期极化方法。该压电晶体的表面设置有叉指电极和周期排列的极化电极，叉指电极用于在极化电极处产生周期化的声表面驻波，使得极化电极中的电极中心位置与声表面驻波中的波峰或波谷重合，通过叉指电极在极化电极处形成声表面驻波，对极化电极处电场的叠加作用，促进畴的纵向贯穿以及横向扩张速率，降低了加在极化电极上的极化电压，减小了晶体的周期极化难度，有助于提高晶体周期化的完成度。

关键词：极化电极叉指电极声表面驻波压电晶体电极中心位置压电晶体材料表面设置产生周期叠加作用辅助周期横向扩张极化电压周期极化周期排列纵向贯穿电场极化晶体的周期化波峰重合波谷减小申请

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一种周期极化薄膜铌酸锂波导结构及其频率转换方法

一种周期极化薄膜铌酸锂波导结构及其频率转换方法

引用

作者：朱志宏吴易恒陈海涛金世龙符庭钊朱梦剑周思宇江金豹李晗升 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

一种周期极化薄膜铌酸锂波导结构及其频率转换方法，包括第一周期极化薄膜铌酸锂波导、第二周期极化薄膜铌酸锂波导、Y型波导、偏振分束器、第二模式转换器和第一模式转换器；将基模信号光通过模式转换器将基模信号光转化为高阶模泵浦... 详细信息

标准号: CN118068629A

一种周期极化薄膜铌酸锂波导结构及其频率转换方法，包括第一周期极化薄膜铌酸锂波导、第二周期极化薄膜铌酸锂波导、Y型波导、偏振分束器、第二模式转换器和第一模式转换器；将基模信号光通过模式转换器将基模信号光转化为高阶模泵浦光，通过Y型波导输入到双通道周期极化薄膜铌酸锂波导中；将基模信号光通过Y型波导输入到双通道周期极化薄膜铌酸锂波导中；双通道周期极化薄膜铌酸锂波导进行准相位匹配，生成高阶模和频光；将高阶模和频光和基模信号光之间的群速度失配量调节到设定值，实现偏振无关频率转换。本发明采用高阶模辅助的方法，极大增强波导的模式调控能力，使偏振无关和大带宽的频率上转换转换更易实现。

关键词：铌酸锂波导周期极化薄膜基模信号高阶模双通道模式转换器偏振无关频率转换和频光转换器偏振分束器频率上转换准相位匹配模式调控通过模式泵浦光大带宽辅助的量调节波导失配转换转化

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KTP晶体的并联点触式周期电极图案、周期极化装置及方法

KTP晶体的并联点触式周期电极图案、周期极化装置及方法

引用

作者：宋旭东何小玲赵炜迪张昌龙宋红岩吴文渊王金亮周海涛左艳彬安雪碧 541004 广西壮族自治区桂林市七星区高新区铁山工业园铁山路20号

本发明公开了KTP晶体的并联点触式周期电极图案、周期极化装置及方法，该KTP晶体的并联点触式周期电极图案包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别设于KTP晶体相对面上；第一电极包括若干个间隔并排设置的框型电极；第二电极... 详细信息

标准号: CN117970723A

本发明公开了KTP晶体的并联点触式周期电极图案、周期极化装置及方法，该KTP晶体的并联点触式周期电极图案包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别设于KTP晶体相对面上；第一电极包括若干个间隔并排设置的框型电极；第二电极为金属电极；框型电极包括第一带半圆电极部、第二带半圆电极部和条状电极部，第一带半圆电极部通过包括多个等宽空隙间隔的条状电极的条状电极部与第二带半圆电极部电连接；基于KTP晶体的并联点触式周期电极图案的周期极化装置，通过外加脉冲电压对KTP晶体进行高压脉冲极化，并设置极化参数，判断KTP晶体畴反转程度，再通过外加低压直流电的方式继续对KTP晶体进行极化，实现对KTP晶体反转畴的有效调控，提高晶片转换效率。

关键词：半圆电极部第一电极条状电极周期电极点触式并联第二电极周期极化电极极化图案框型低压直流电高压脉冲极化参数间隔并排金属电极空隙间隔脉冲电压有效调控转换效率畴反转电连接等宽反转晶片

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一种周期极化KTP晶体制备方法

一种周期极化KTP晶体制备方法

引用

作者：王东周宋于坤桑元华 250101 山东省济南市高新区舜华路747号

本发明提出了一种周期极化KTP晶体制备方法，涉及非线性光学晶体制备技术领域，取KTP晶体测试片，在KTP晶体测试片双面制备电极，在KTP晶体测试片的双面电极上施加脉冲高压，测量实时电流和实时电阻率，在需要极化的KTP晶体正面制备周... 详细信息

标准号: CN116005268A

本发明提出了一种周期极化KTP晶体制备方法，涉及非线性光学晶体制备技术领域，取KTP晶体测试片，在KTP晶体测试片双面制备电极，在KTP晶体测试片的双面电极上施加脉冲高压，测量实时电流和实时电阻率，在需要极化的KTP晶体正面制备周期性电极，计算出需要极化的面积，在KTP晶体正式片的双面电极上施加极化电压；在每个极化脉冲结束后，判断极化是否完成，通过判断实时的电荷量转移量，对离子电流和极化电流进行分离，获得实时的极化反转进度，从而判断极化是否完成。采用本发明的周期极化KTP晶体制备方法，可以准确地控制极化过程，获得高品质的PPKTP晶体。

关键词：极化制备测试片双面电极周期极化非线性光学晶体施加制备技术领域周期性电极极化电流极化电压极化反转极化过程极化脉冲离子电流脉冲高压实时电流电极电荷量电阻率高品质转移量测量进度

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一种基于周期极化薄膜铌酸锂的偏振旋转器及其制备方法

一种基于周期极化薄膜铌酸锂的偏振旋转器及其制备方法

引用

作者：郝婷庄荣津陆龙钊李杨周赤吉贵军 519080 广东省珠海市高新区唐家湾镇创新三路399号

本公开提供的一种基于周期极化薄膜铌酸锂的偏振旋转器及其制备方法，所述偏振旋转器包括：亚微米级的脊型波导，所述脊型波导形成于周期极化薄膜铌酸锂中；采用负热光系数材料制成的薄膜夹层，所述薄膜夹层形成于所述脊型波导之上；调... 详细信息

标准号: CN116009293A

本公开提供的一种基于周期极化薄膜铌酸锂的偏振旋转器及其制备方法，所述偏振旋转器包括：亚微米级的脊型波导，所述脊型波导形成于周期极化薄膜铌酸锂中；采用负热光系数材料制成的薄膜夹层，所述薄膜夹层形成于所述脊型波导之上；调制电极，包括形成于所述薄膜夹层之上且分列于所述脊型波导两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极用于承载外加电信号，以在所述第一电极和所述第二电极之间的所述薄膜夹层和所述脊型波导中产生随外加电信号同步变化的电场。本公开提供的偏振旋转器对温度不敏感、电光效率高、功耗低且易于加工。

关键词：脊型波导薄膜夹层偏振旋转器第二电极第一电极周期极化铌酸锂薄膜温度不敏感电场电光效率调制电极热光系数同步变化亚微米级分列功耗制备承载加工

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一种小尺寸铁电晶体周期极化设备及极化方法

一种小尺寸铁电晶体周期极化设备及极化方法

引用

作者：梁桂荣梁万国陈怀熹冯新凯陈家颖 350108 福建省福州市闽侯县上街镇海西高新区科技园中科院海西研究院

本发明涉及一种小尺寸铁电晶体周期极化设备及极化方法，设备包括盘件、上电极夹具和下电极夹具；盘件用于放置待极化晶体，上电极夹具和下电极夹具为待极化晶体提供极化电源；盘件包括底板，底板中部开有镂空槽；底板上平面设置若干围... 详细信息

标准号: CN117071079A

本发明涉及一种小尺寸铁电晶体周期极化设备及极化方法，设备包括盘件、上电极夹具和下电极夹具；盘件用于放置待极化晶体，上电极夹具和下电极夹具为待极化晶体提供极化电源；盘件包括底板，底板中部开有镂空槽；底板上平面设置若干围挡片，围挡片围合形成有围挡区，围挡区位于镂空槽上方；围挡片上设置有竖直贯穿的通孔阵列；上电极夹具包括夹具盘，夹具盘上设置有第一环形围挡；第一环形围挡围合的区域为液腔；夹具盘开设有导电液注入口，导电液注入口连接液腔和上电极夹具外部；上电极夹具底部设置有上电极夹具导线栓；下电极夹具包括下电极夹具导线栓。该极化设备使得小尺寸晶体极化的难度得到降低，提高了小尺寸晶体的极化效率。

关键词：围挡电极夹具夹具下电极夹具盘盘件底板小尺寸晶体极化晶体导电液注入口镂空槽极化围合底板中部极化电源极化设备极化效率铁电晶体通孔阵列周期极化连接液上平面竖直液腔贯穿外部

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一种周期极化KTP晶体制备方法

一种周期极化KTP晶体制备方法

引用

作者：王东周宋于坤桑元华 250101 山东省济南市高新区舜华路747号

标准号: CN116005268B

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一种基于周期极化薄膜铌酸锂的偏振旋转器

一种基于周期极化薄膜铌酸锂的偏振旋转器

引用

作者：郝婷庄荣津陆龙钊李杨周赤吉贵军 519080 广东省珠海市高新区唐家湾镇创新三路399号

本公开提供的一种基于周期极化薄膜铌酸锂的偏振旋转器，包括：亚微米级的脊型波导，形成于周期极化薄膜铌酸锂中；采用CaF2、ZnO或聚苯乙烯制成的薄膜夹层，形成于所述脊型波导之上；调制电极，包括形成于薄膜夹层之上且分列于脊型波... 详细信息

标准号: CN218917848U

本公开提供的一种基于周期极化薄膜铌酸锂的偏振旋转器，包括：亚微米级的脊型波导，形成于周期极化薄膜铌酸锂中；采用CaF₂、ZnO或聚苯乙烯制成的薄膜夹层，形成于所述脊型波导之上；调制电极，包括形成于薄膜夹层之上且分列于脊型波导两侧的第一、第二电极；输入、输出光纤，分别设置在脊型波导的输入、输出端；第一、第二模斑转换器，第一模斑转换器连接于输入光纤与脊型波导的输入端之间，第二模斑转换器连接于脊型波导的输出端与输出光纤之间；输入光纤与第一模斑转换器相接的部分被第一光纤块包裹其中，输出光纤与第二模斑转换器相接的部分被第二光纤块包裹其中。本公开提供的偏振旋转器对温度不敏感、电光效率高、功耗低且易于加工。

关键词：脊型波导转换器输出光纤第二模偏振旋转器转换器连接薄膜夹层输入光纤周期极化第一模光纤块输出端铌酸锂薄膜聚苯乙烯温度不敏感第二电极电光效率调制电极亚微米级输入端分列功耗加工

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一种双路周期极化波导的量子纠缠源

一种双路周期极化波导的量子纠缠源

引用

作者：姚权杨志远高洋陶艺郑名扬刘洋谢秀平张强 250101 山东省济南市高新区舜华路747号

本申请适用于量子技术领域，涉及一种双路周期极化波导的量子纠缠源。该量子纠缠源包括第一路PPLN波导和第二路PPLN波导构成的波导装置，以及第一准直器、第二准直器、半波片、全透片和光束偏移器构成的纠缠装置，PPLN波导均连接光源，... 详细信息

标准号: CN115469497A

本申请适用于量子技术领域，涉及一种双路周期极化波导的量子纠缠源。该量子纠缠源包括第一路PPLN波导和第二路PPLN波导构成的波导装置，以及第一准直器、第二准直器、半波片、全透片和光束偏移器构成的纠缠装置，PPLN波导均连接光源，两路PPLN波导的参数相同，使两路PPLN波导输出具有相同参数的光子对，两个准直器的光路平行设置且参数相同，并分别连接一路PPLN波导的输出端，两个准直器的另一端分别覆盖半波片和全透片，透过半波片和全透片的光子同时进入光束偏移器，光束偏移器用于将两路光子对聚合后形成干涉并输出，使得两路光子能够形成纠缠，使用PPLN波导提高了光子的转换效率，提高了纠缠源的亮度和对比度。

关键词：波导光子两路光束偏移半波片准直器全透量子纠缠波导输出波导装置量子技术平行设置周期极化转换效率输出端光路双路光源聚合输出干涉覆盖申请

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