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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

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限定检索结果

文献类型

165 篇 专利

馆藏范围

165 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

28 篇 上海天马微电子有...
22 篇 天马微电子股份有...
21 篇 上海中航光电子有...
20 篇 京东方科技集团股...
19 篇 厦门天马微电子有...
14 篇 武汉天马微电子有...
12 篇 福建省晋华集成电...
12 篇 长鑫存储技术有限...
10 篇 联华电子股份有限...
8 篇 上海天马有机发光...
7 篇 友达光电股份有限...
6 篇 华邦电子股份有限...
5 篇 oppo广东移动通信...
5 篇 鄂尔多斯市源盛光...
3 篇 重庆京东方光电科...
3 篇 旺宏电子股份有限...
3 篇 北海惠科光电技术...
3 篇 力晶科技股份有限...
3 篇 南亚科技股份有限...
3 篇 武汉天马微电子有...

作者

18 篇 刘刚
18 篇 邵琬童
18 篇 曹兆铿
7 篇 许育民
6 篇 徐朋辉
6 篇 高娅娜
5 篇 林满育
5 篇 武隽
5 篇 孙莹
5 篇 李玥
5 篇 周星耀
5 篇 陈建荣
5 篇 梁秀
5 篇 薛小利
4 篇 朱仁远
4 篇 陈柏均
4 篇 冷传利
4 篇 冯立伟
4 篇 何建廷
4 篇 向东旭

语言

165 篇 中文

检索条件"主题词=周边电路区"

共 165 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

周边电路区内的氧化层的制作方法

周边电路区内的氧化层的制作方法

引用

作者：陈柏均刘玮鑫张家隆陈意维蔡函原中国台湾新竹市

本发明公开一种周边电路区内的氧化层的制作方法，包含提供一基底划分为一存储器区和一周边电路区，存储器区上设置有多条导电线，周边电路区上设置有一栅极结构，然后进行一离子注入制作工艺以在栅极结构两侧的基底内各自形成一浅掺杂... 详细信息

标准号: CN110544617B

本发明公开一种周边电路区内的氧化层的制作方法，包含提供一基底划分为一存储器区和一周边电路区，存储器区上设置有多条导电线，周边电路区上设置有一栅极结构，然后进行一离子注入制作工艺以在栅极结构两侧的基底内各自形成一浅掺杂区，在离子注入制作工艺后，进行一清洗制作工艺，清洗制作工艺包含以稀释的氢氟酸清洗存储器区和周边电路区，最后在清洗制作工艺之后，形成一氧化层覆盖存储器区、周边电路区、导电线和栅极结构。

关键词：制作工艺周边电路区存储器区栅极结构清洗导电线氧化层基底离子氢氟酸清洗浅掺杂区周边电路稀释覆盖制作

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一种图像传感器、摄像头模组及电子设备

一种图像传感器、摄像头模组及电子设备

引用

作者：武隽 523860 广东省东莞市长安镇乌沙海滨路18号

本申请实施例公开了一种图像传感器、摄像头模组及电子设备。该图像传感器包括设置于基底上的至少两个图像传感区以及围绕所述图像传感区的周边电路区，每个所述图像传感区设置有呈阵列排布的多个像素，所述周边电路区设置有列读取电路... 详细信息

标准号: CN108900789B

本申请实施例公开了一种图像传感器、摄像头模组及电子设备。该图像传感器包括设置于基底上的至少两个图像传感区以及围绕所述图像传感区的周边电路区，每个所述图像传感区设置有呈阵列排布的多个像素，所述周边电路区设置有列读取电路和模数转换器，至少两个所述图像传感区的像素共用所述模数转换器。采用本申请实施例的技术方案，以同一晶圆作为基底，在该基底上设计并形成多摄系统的图像传感器，通过多个图像传感区复用模数转换器，可以提高多摄系统的装配精度，以及可以减少周边电路区在基底上的面积，进而，可以减小图像传感器及摄像头模组的尺寸。

关键词：图像传感区图像传感器基底模数转换器周边电路区摄像头模组列读取电路电子设备像素共用阵列排布复用减小晶圆像素申请装配

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具有埋入式栅极结构的半导体元件

具有埋入式栅极结构的半导体元件

引用

作者：黄则尧中国台湾新北市

一种半导体元件，包括设置于半导体基底中的第一、第二及第三埋入式栅极结构。第一埋入式栅极结构包括第一栅极介电层，及设置于第一栅极介电层上的在横截面上具有T形轮廓的第一下层半导体层。第一埋入式栅极结构还包括设置于第一下层... 详细信息

标准号: CN117677188A

一种半导体元件，包括设置于半导体基底中的第一、第二及第三埋入式栅极结构。第一埋入式栅极结构包括第一栅极介电层，及设置于第一栅极介电层上的在横截面上具有T形轮廓的第一下层半导体层。第一埋入式栅极结构还包括设置于第一下层半导体层上的第一上层半导体层。第二埋入式栅极结构包括第二栅极介电层，及设置于第二栅极介电层上的在横截面上具有U形轮廓的第二下层半导体层。第二埋入式栅极结构还包括设置于第二下层半导体层上的第二上层半导体层。第三埋入式栅极结构与第一及第二埋入式栅极结构相隔。第一埋入式栅极结构设置于阵列区中，第二埋入式栅极结构设置于周边电路区中。第二上层半导体层延伸至低于第二栅极介电层的顶面。

关键词：埋入式栅极半导体层栅极介电层下层结构设置上层半导体基底半导体元件周边电路区阵列区顶面相隔延伸

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半导体结构及其制备方法

半导体结构及其制备方法

引用

作者：王雪平 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构，包括：基底，具有存储区以及周边电路区，周边电路区包括第一区域与第二区域；栅极结构，位于第一区域的基底上以及第二区域的基底上；第一侧墙结构，位于栅极结构的侧壁；第二侧墙... 详细信息

标准号: CN118055612A

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构，包括：基底，具有存储区以及周边电路区，周边电路区包括第一区域与第二区域；栅极结构，位于第一区域的基底上以及第二区域的基底上；第一侧墙结构，位于栅极结构的侧壁；第二侧墙结构，位于第一侧墙结构的侧壁，且在第二区域的第二侧墙结构厚度大于在第一区域的第二侧墙结构厚度。本申请实施例可以有效提高器件性能。

关键词：侧墙结构第二区域第一区域基底半导体结构周边电路区栅极结构侧壁器件性能申请制备

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半导体结构及其制作方法

半导体结构及其制作方法

引用

作者：舒月姣 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本发明涉及一种半导体结构及其制作方法。其中方法包括：提供衬底，所述衬底具有存储单元阵列区和周边电路区；在存储单元阵列区和周边电路区形成第一绝缘介质层和第二绝缘介质层，第一绝缘介质层中形成有间隔排布的位线结构，第二绝缘... 详细信息

标准号: CN114078780B

本发明涉及一种半导体结构及其制作方法。其中方法包括：提供衬底，所述衬底具有存储单元阵列区和周边电路区；在存储单元阵列区和周边电路区形成第一绝缘介质层和第二绝缘介质层，第一绝缘介质层中形成有间隔排布的位线结构，第二绝缘介质层中形成有间隔排布的导电结构，其中，位线结构包括位线导电结构和覆盖位线导电结构顶部和侧壁的隔离结构；蚀刻隔离结构以及周边电路区的导电结构之间的第二绝缘介质层，以分别在存储单元阵列区和周边电路区形成第一空隙和第二空隙，第一空隙至少部分暴露出位线导电结构，第二空隙暴露出周边电路区的导电结构之间的衬底；在第一空隙的侧壁和第二空隙的侧壁形成第三绝缘介质层。

关键词：绝缘介质层导电结构周边电路区存储单元阵列区侧壁衬底位线隔离结构间隔排布位线结构蚀刻半导体结构暴露覆盖制作

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一种显示面板和显示装置

一种显示面板和显示装置

引用

作者：刘佳熊志勇 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路8号

本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括显示区、周边电路区和封装区，周边电路区至少部分围绕显示区，封装区至少部分围绕周边电路区，显示面板还包括至少位于显示区的公共发光层，位于显示区和周边电路区的封装层和... 详细信息

标准号: CN115835711A

本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括显示区、周边电路区和封装区，周边电路区至少部分围绕显示区，封装区至少部分围绕周边电路区，显示面板还包括至少位于显示区的公共发光层，位于显示区和周边电路区的封装层和第一平坦层以及位于封装区的封装结构，封装层和第一平坦层均位于公共发光层远离衬底的一侧，沿显示面板的厚度方向，第一平坦层的高度为h1，封装结构的高度为h2，其中|h1‑h2|/h2≤20％。上述技术方案通过在公共发光层远离衬底的一侧设置平坦层，沿显示面板的厚度方向，使得第一平坦层的高度与封装结构的高度近似相等，避免由于第一平坦层与封装结构之间存在高度差，而产生牛顿环现象，提升了显示面板的显示效果。

关键词：显示面板平坦层周边电路区封装结构显示区发光层封装区封装层衬底牛顿环现象近似相等显示效果显示装置高度差

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一种阵列基板、显示面板及显示装置

一种阵列基板、显示面板及显示装置

引用

作者：陈建荣林满育梁秀薛小利 361101 福建省厦门市翔安区翔安西路6999号

本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括衬底，衬底包括显示区和围绕显示区的周边电路区；周边电路区设置有栅极驱动电路；栅极驱动电路包括至少一组级联的移位寄存器；位于衬底一侧的第一金属层；位于第一... 详细信息

标准号: CN116417471A

本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括衬底，衬底包括显示区和围绕显示区的周边电路区；周边电路区设置有栅极驱动电路；栅极驱动电路包括至少一组级联的移位寄存器；位于衬底一侧的第一金属层；位于第一金属层背离衬底一侧的第二金属层；还包括；多条扫描线和与扫描线一一对应的多个连接结构；第一金属层包括扫描线；第二金属层包括连接结构；移位寄存器包括多个扫描信号输出端；每个扫描信号输出端通过连接结构与扫描线一一对应电连接；其中，至少一条扫描线的至少一个末端设置有静电分散结构；静电分散结构包括至少一条静电分散线或至少一个第一静电分散环。有利于提升显示面板在生产过程中的抗静电损伤能力。

关键词：静电分散扫描线衬底第一金属层连接结构扫描信号输出端栅极驱动电路第二金属层移位寄存器周边电路区显示面板阵列基板显示区多条扫描生产过程显示装置电连接抗静电级联损伤背离

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一种阵列基板、显示面板及显示装置

一种阵列基板、显示面板及显示装置

引用

作者：陈建荣林满育梁秀薛小利 361101 福建省厦门市翔安区翔安西路6999号

标准号: CN111403424B

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可变电阻式存储器及其制造方法

可变电阻式存储器及其制造方法

引用

作者：刘奇青黄智超蔡世宁中国台湾台中市

本发明实施例提供一种可变电阻式存储器及其制造方法，其中该可变电阻式存储器包括：导线结构，分别设置于可变电阻式存储器的阵列区及周边电路区；以及存储器单元，设置于位于阵列区的导线结构上，且存储器单元包括：下电极，设置于导... 详细信息

标准号: CN116456725A

本发明实施例提供一种可变电阻式存储器及其制造方法，其中该可变电阻式存储器包括：导线结构，分别设置于可变电阻式存储器的阵列区及周边电路区；以及存储器单元，设置于位于阵列区的导线结构上，且存储器单元包括：下电极，设置于导线结构上；电阻转态层，设置于下电极上；以及上电极，设置于电阻转态层上，其中导线结构的上表面与存储器单元的下电极直接接触。导线结构不通过导孔而直接与存储器单元接触，借此可以降低可变电阻式存储器内的串联电阻。如此一来，由于可以对所形成的可变电阻式存储器进行良好的成形操作，可以确保所形成的可变电阻式存储器具有改善的良率及效能。

关键词：可变电阻式存储器导线结构存储器单元下电极阵列区电阻转态周边电路区成形操作串联电阻电极上表面导孔良率制造

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一种显示面板、显示装置及显示面板的测试方法

一种显示面板、显示装置及显示面板的测试方法

引用

作者：金慧俊王听海孙丽娜 201108 上海市闵行区华宁路3388号

本发明公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的测试方法，包括第一测试电路位于第一周边电路区；信号线至少部分位于显示区，信号线的第一端与第一测试电路电连接；连接线位于第二周边电路区，连接线的第一端与信号线的第二端电连接... 详细信息

标准号: CN116403497A

本发明公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的测试方法，包括第一测试电路位于第一周边电路区；信号线至少部分位于显示区，信号线的第一端与第一测试电路电连接；连接线位于第二周边电路区，连接线的第一端与信号线的第二端电连接；第二测试电路位于第二周边电路区，包括开关单元组和第一开关控制线，开关单元组包括多个开关单元，多个开关单元的控制端与第一开关控制线电连接，被配置为在开关单元导通时，电性连通至少两条连接线。本发明提供的技术方案，以提高检测效率，提升显示面板的可靠性和产品良率。

关键词：连接线周边电路区测试电路开关单元显示面板电连接信号线开关单元组第一开关第一端控制线产品良率电性连通显示装置控制端显示区导通测试检测配置

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