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  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 几何结构
  • 1 篇 数值模拟
  • 1 篇 喷淋式反应室
  • 1 篇 gan薄膜
  • 1 篇 薄膜沉积速率
  • 1 篇 流场
  • 1 篇 化学气相沉积法

机构

  • 1 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 中科学院半导体研...
  • 1 篇 中国科学院半导体...

作者

  • 1 篇 王晓亮
  • 1 篇 杨翠柏
  • 1 篇 李晋闽
  • 1 篇 侯洵
  • 1 篇 冉军学
  • 1 篇 胡国新
  • 1 篇 肖红领
  • 1 篇 王翠梅
  • 1 篇 殷海波

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=喷淋式反应室"
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MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 殷海波 王晓亮 冉军学 胡国新 肖红领 王翠梅 杨翠柏 李晋闽 侯洵 中国科学院半导体研究所材料科学中心 北京 100083 中国科学院半导体照明研发中心北京 100083 中科学院半导体研究所材料科学中心 北京 100083 中国科学院半导体照明研发中心北京 100083 中国科学院半导体研究所 西安交通大学信息功能材料与器什联合实验室北京 100083
对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上... 详细信息
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