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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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85 篇 专利

馆藏范围

85 篇 电子文献
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日期分布

机构

30 篇 asml荷兰有限公司
12 篇 杭州谱析光晶半导...
7 篇 中芯国际集成电路...
4 篇 上海华虹宏力半导...
4 篇 硅电子股份公司
4 篇 上海华力集成电路...
3 篇 电子科技大学
3 篇 浙江大学
2 篇 成都芯源系统有限...
2 篇 华虹半导体有限公...
2 篇 北京大学
2 篇 苏州硅能半导体科...
2 篇 株式会社lg化学
1 篇 上海贝岭股份有限...
1 篇 上海集成电路研发...
1 篇 asm ip私人控股有...
1 篇 飞思卡尔半导体公...
1 篇 江苏如高第三代半...
1 篇 上海华虹nec电子有...
1 篇 中国兵器工业集团...

作者

12 篇 许一力
4 篇 v·维拉恩基
4 篇 斯科特·安德森·米...
4 篇 中居克彦
4 篇 简-威廉·格明科
4 篇 斯蒂芬·亨斯克
4 篇 a·g·m·基尔斯
3 篇 埃米尔·皮特·斯克...
3 篇 赖纳·玛丽亚·琼伯...
3 篇 w·t·特尔
3 篇 b·卡斯川普
3 篇 a·j·登鲍埃夫
3 篇 a·维尔马
3 篇 j·b·卡瓦纳
3 篇 m·基利蒂齐拉基
3 篇 刘贤优
3 篇 罗谦
3 篇 福田真行
3 篇 李海洋
3 篇 j·c·h·缪尔肯斯

语言

85 篇 中文

检索条件"主题词=器件制造过程"

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详细简洁

排序：

无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法

无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法

引用

作者：黄如邹积彬王润声樊捷闻刘长泽王阳元 100871 北京市海淀区颐和园路5号

本发明提供一种无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法，该半导体器件测试结构为三栅结构，两侧栅窄而中间栅宽，三个栅控制半导体器件测试结构的沟道的不同区域，达到精确控制电荷走向的目的。利用本发明半导体器件栅介质... 详细信息

标准号: CN102213693B

本发明提供一种无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法，该半导体器件测试结构为三栅结构，两侧栅窄而中间栅宽，三个栅控制半导体器件测试结构的沟道的不同区域，达到精确控制电荷走向的目的。利用本发明半导体器件栅介质层陷阱的测试方法能够非常简便而且有效的测试出器件栅介质的质量情况，得出栅介质各种不同材料、不同工艺下的陷阱分布情况；且测试快速，在短时间内即可得到器件栅介质陷阱分布，适于大批量自动测试；操作与经典的可靠性测试(电荷泵)兼容，简单易操作，非常适用于新一代围栅器件制造过程中的工艺监控和成品质量检测，同时，也适用于其他无衬底引出器件。

关键词：半导体器件测试方法测试结构陷阱分布介质层衬底发明半导体器件器件制造过程可靠性测试成品质量工艺监控精确控制陷阱密度质量情况自动测试电荷电荷泵易操作栅结构沟道陷阱两侧经典检测

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无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法

无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法

引用

作者：黄如邹积彬王润声樊捷闻刘长泽王阳元 100871 北京市海淀区颐和园路5号

标准号: CN102213693A

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过程窗口的优化方法

过程窗口的优化方法

引用

作者：斯蒂芬·亨斯克 V·维拉恩基荷兰维德霍温

本发明披露一种用于器件制造过程的由计算机实施的缺陷预测方法，该器件制造过程涉及将图案加工至衬底上，该方法包括从该图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP)；确定所述PWLP被加工所依据的工艺参数；和使用所述工艺参数来确定或预测利用... 详细信息

标准号: CN109283800B

本发明披露一种用于器件制造过程的由计算机实施的缺陷预测方法，该器件制造过程涉及将图案加工至衬底上，该方法包括从该图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP)；确定所述PWLP被加工所依据的工艺参数；和使用所述工艺参数来确定或预测利用所述器件制造过程由所述PWLP产生的缺陷的存在、存在机率、特性、或其组合。

关键词：器件制造过程计算机实施工艺窗口缺陷预测图案加工图案识别衬底图案预测加工

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多位非易失性存储器器件及其方法

多位非易失性存储器器件及其方法

引用

作者：迈克尔·萨德布鲁斯·E.·怀特克雷格·T.·斯威夫特美国得克萨斯

一种多位非易失性存储器器件，包括电荷存储层(14)，电荷存储层(14)夹在半导体基片(10)上所形成的两个绝缘层(12和16)之间。在电荷存储层上形成厚氧化层(18)，并在厚氧化物层(18)中蚀刻最小特征尺寸的孔。在厚氧化物层(18)中形成开口。... 详细信息

标准号: CN100435296C

一种多位非易失性存储器器件，包括电荷存储层(14)，电荷存储层(14)夹在半导体基片(10)上所形成的两个绝缘层(12和16)之间。在电荷存储层上形成厚氧化层(18)，并在厚氧化物层(18)中蚀刻最小特征尺寸的孔。在厚氧化物层(18)中形成开口。在电荷存储层上孔的内壁上形成的侧壁间隔物(60)在它们之间具有小于最小特征尺寸的空隙(62)。当蚀刻掉电荷存储层时，侧壁间隔物(60)用于屏蔽部分电荷存储层(14)，从而形成在侧壁间隔物(60)下面的两个分开的电荷存储区(55和57)。器件制造过程仅使用一个屏蔽步骤。分开的电荷存储区阻止了氮化物中电荷的横向传导。

关键词：电荷存储间隔物侧壁蚀刻最小特征氧化物绝缘层非易失性存储器器件制造过程半导体基片屏蔽步骤电荷分开氮化物氧化层多位内壁屏蔽传导开口小于

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用于制造相变随机存储器的方法

用于制造相变随机存储器的方法

引用

作者：任万春 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明公开了一种用于制造相变随机存储器的方法，包括下列步骤：提供相变随机存储器前端器件，前端器件包括底部电极、与底部电极连接的金属层、以及位于底部电极和金属层上的绝缘结构；在前端器件中形成与金属层连接的金属塞结构；在... 详细信息

标准号: CN102694119B

本发明公开了一种用于制造相变随机存储器的方法，包括下列步骤：提供相变随机存储器前端器件，前端器件包括底部电极、与底部电极连接的金属层、以及位于底部电极和金属层上的绝缘结构；在前端器件中形成与金属层连接的金属塞结构；在金属塞结构的顶部形成金属氧化层；在前端器件的绝缘结构中形成凹槽；在前端器件上沉积相变材料；进行化学机械抛光工艺以去除凹槽外的相变材料；分别形成与相变材料连接的顶部电极和与金属塞结构连接的电极。根据本发明的制造相变随机存储器的方法，能够有效地克服相变随机存储器器件制造过程中的相变材料腐蚀，从而提高制造相变随机存储器器件的良品率，并且同时具有简单的制造流程和较低的成本。

关键词：随机存储器相变底部电极相变材料金属层连接绝缘结构电极金属顶部沉积相变材料化学机械抛光器件制造过程金属氧化良品率腐蚀

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一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法

一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法

引用

作者：艾瑞克·布劳恩乔伊·迈克格雷格郑志星吉杨永 611731 四川省成都市成都高新综合保税区科新路8号成都芯源系统有限公司

本发明提出了一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在发生雪崩击穿时的最大场强位于器件表面下方的体区‑漂移区PN结处。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件包括... 详细信息

标准号: CN107768428A

本发明提出了一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在发生雪崩击穿时的最大场强位于器件表面下方的体区‑漂移区PN结处。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件包括P型体区和N型漂移区，其中P型体区由一系列的P型离子注入形成，N型漂移区由一系列的N型离子注入形成，在器件制造过程中，合理地调整P型体区和N型漂移区的离子注入浓度和深度可以实现器件的体区‑漂移区PN结处的最高浓度梯度位于器件表面下方，从而抑制热空穴在器件漏极‑门极之间的氧化层区域附近的注入和俘获，避免器件在发生击穿后的其它特性的改变。

关键词：横向双扩散金属氧化物半导体器件表面漂移区体区器件制造过程氧化层区域雪崩击穿最大场强热空穴俘获击穿漏极门极离子制造

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过程窗口的优化方法

过程窗口的优化方法

引用

作者：斯蒂芬·亨斯克 V·维拉恩基荷兰维德霍温

标准号: CN109283800A

关键词：器件制造过程计算机实施工艺窗口缺陷预测图案加工图案识别衬底图案预测加工

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一种硅基焦平面器件的读取方法

一种硅基焦平面器件的读取方法

引用

作者：张康 322008 浙江省金华市义乌市后宅街道深塘下村99号

本发明涉及一种硅基焦平面器件的读取方法，采用了如下读出电路，该读出电路包含焦平面阵列电路、垂直移位寄存器、组选移位寄存器和多路选择开关等主要部分。本发明所设计的读出电路结构由于采用了新颖的读出方式，使得电路后端需要的... 详细信息

标准号: CN102589718A

本发明涉及一种硅基焦平面器件的读取方法，采用了如下读出电路，该读出电路包含焦平面阵列电路、垂直移位寄存器、组选移位寄存器和多路选择开关等主要部分。本发明所设计的读出电路结构由于采用了新颖的读出方式，使得电路后端需要的放大器和积分器的数目大大减少，从而减少了读出电路的复杂性，也使得读出电路芯片的引脚数得以大大减少。该读出电路结构还避免了由于器件制造过程中产生的不一致性给读出的电压信号带来的误差。本发明的电路结构可以应用到以硅为衬底材料的焦平面下面做电路的读出电路结构中去，其可移植性很强，适合于任何规模阵列的读出电路的设计。

关键词：读出电路电路垂直移位寄存器多路选择开关器件制造过程放大器移位寄存器衬底材料电路结构电压信号平面器件平面阵列积分器移植性硅基后端引脚芯片

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一种硅基焦平面器件的读出电路

一种硅基焦平面器件的读出电路

引用

作者：张康 322008 浙江省金华市义乌市后宅街道深塘下村99号

本发明涉及一种硅基焦平面器件的读出电路，该读出电路包含焦平面阵列电路、垂直移位寄存器、组选移位寄存器和多路选择开关等主要部分。本发明所设计的读出电路结构由于采用了新颖的读出方式，使得电路后端需要的放大器和积分器的数目... 详细信息

标准号: CN102589719A

本发明涉及一种硅基焦平面器件的读出电路，该读出电路包含焦平面阵列电路、垂直移位寄存器、组选移位寄存器和多路选择开关等主要部分。本发明所设计的读出电路结构由于采用了新颖的读出方式，使得电路后端需要的放大器和积分器的数目大大减少，从而减少了读出电路的复杂性，也使得读出电路芯片的引脚数得以大大减少。该读出电路结构还避免了由于器件制造过程中产生的不一致性给读出的电压信号带来的误差。本发明的电路结构可以应用到以硅为衬底材料的焦平面下面做电路的读出电路结构中去，其可移植性很强，适合于任何规模阵列的读出电路的设计。

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过程窗口的优化方法

过程窗口的优化方法

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作者：斯蒂芬·亨斯克 V·维拉恩基荷兰维德霍温

标准号: CN105980934A

关键词：器件制造过程计算机实施工艺窗口缺陷预测图案加工图案识别衬底图案预测加工

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