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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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22 篇 专利
1 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

24 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

2 篇 工学
- 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

2 篇 建模
2 篇 器件模型参数
1 篇 优化提取
1 篇 组合模拟
1 篇 相关性分析
1 篇 集成电路
1 篇 设计
1 篇 宏模型

机构

9 篇 中国科学院微电子...
2 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 上海概伦电子股份...
2 篇 西安电子科技大学
2 篇 中国工程物理研究...
2 篇 深圳天狼芯半导体...
1 篇 复旦大学
1 篇 上海集成电路研发...
1 篇 成都微光集电科技...
1 篇 中国科学院上海微...
1 篇 南通大学
1 篇 青岛歌尔声学科技...

作者

4 篇 陈岚
4 篇 吴玉平
3 篇 卜建辉
3 篇 罗家俊
3 篇 刘海南
3 篇 韩郑生
2 篇 周佳辉
2 篇 刘桂明
2 篇 范象泉
2 篇 马玉涛
2 篇 曾健忠
2 篇 常虎东
2 篇 钟乐
2 篇 代刚
2 篇 李垌帅
2 篇 任尚清
2 篇 刘志宏
2 篇 王成成
2 篇 程劼
2 篇 李顺

语言

24 篇 中文

检索条件"主题词=器件模型参数"

共 24 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

用于提取集成电路器件的器件模型参数的方法和装置

用于提取集成电路器件的器件模型参数的方法和装置

引用

作者：刘志宏梁汉成石凯马玉涛 201306 上海市浦东新区临港新片区环湖西二路888号C楼

本申请涉及一种用于提取集成电路器件的器件模型参数的方法，包括：提供针对所述集成电路器件的测试数据集；提供提取条件设置界面，所述提取条件设置界面包括多个提取条件域，其中每个提取条件域对应于一个测试条件；接收用户输入，所... 详细信息

标准号: CN113221489A

本申请涉及一种用于提取集成电路器件的器件模型参数的方法，包括：提供针对所述集成电路器件的测试数据集；提供提取条件设置界面，所述提取条件设置界面包括多个提取条件域，其中每个提取条件域对应于一个测试条件；接收用户输入，所述用户输入用于对所述提取条件设置界面的多个提取条件域中的至少一个提取条件域进行设置或选择提取条件变量；至少基于所述用户输入设置或选择的提取条件变量生成一个提取条件模板，并且利用所述提取条件模板从所述测试数据集中筛选对应的测试数据以生成自定义测试数据集；以及用所述自定义测试数据集对所述集成电路器件的器件模型进行拟合，以生成所述集成电路器件的器件模型参数。

关键词：提取条件集成电路器件器件模型参数自定义测试测试数据设置界面数据集测试数据集变量生成测试条件接收用户器件模型输入设置拟合筛选申请

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一种基于强化学习的器件模型高维参数自动提取方法

一种基于强化学习的器件模型高维参数自动提取方法

引用

作者：陆叶单淑慧 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于器件模型参数提取技术领域，具体为一种基于强化学习的器件模型高维参数自动提取方法。本发明首先利用先进的强化学习算法，在连续参数搜索空间中进行高维器件模型参数提取；然后在强化学习算法框架中结合器件模型知识，进一... 详细信息

标准号: CN118114744A

本发明属于器件模型参数提取技术领域，具体为一种基于强化学习的器件模型高维参数自动提取方法。本发明首先利用先进的强化学习算法，在连续参数搜索空间中进行高维器件模型参数提取；然后在强化学习算法框架中结合器件模型知识，进一步提高器件模型的输出精度。本发明能够实现器件模型高维参数的自动提取，并且无需训练数据集，可灵活设置待提取的参数，可以广泛应用于模拟电路仿真自动化中的创建器件紧凑模型中。

关键词：器件模型高维器件模型参数强化学习算法自动提取训练数据集结合器件紧凑模型连续参数灵活设置模拟电路模型知识强化学习搜索空间自动化输出创建应用

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大信号应用的器件模型参数提取方法

大信号应用的器件模型参数提取方法

引用

作者：范象泉 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提出了一种大信号应用的器件模型参数提取方法，在对器件模型进行大信号应用下的参数提取过程中，同时调节平衡参数，由于平衡参数能够改善大信号应用下器件模型的仿真曲线并且对小信号应用下器件模型的仿真曲线影响较小，因此，... 详细信息

标准号: CN105468803B

本发明提出了一种大信号应用的器件模型参数提取方法，在对器件模型进行大信号应用下的参数提取过程中，同时调节平衡参数，由于平衡参数能够改善大信号应用下器件模型的仿真曲线并且对小信号应用下器件模型的仿真曲线影响较小，因此，在进行大信号应用下的参数进行优化，获得较为准确的参数。

关键词：信号应用器件模型仿真曲线平衡参数参数提取过程器件模型参数优化

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一种提高具体器件模型参数提取精度的方法及系统

一种提高具体器件模型参数提取精度的方法及系统

引用

作者：吴玉平陈岚 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子研究所

本发明公开了一种提高具体器件模型参数提取精度的方法及系统，该方法包括：获取器件的特性测量数据；根据特性测量数据确定器件的工作电学范围；将工作电学范围划分为至少两个工作电学子范围；在每个工作电学子范围内分别提取器件模型... 详细信息

标准号: CN105373634B

本发明公开了一种提高具体器件模型参数提取精度的方法及系统，该方法包括：获取器件的特性测量数据；根据特性测量数据确定器件的工作电学范围；将工作电学范围划分为至少两个工作电学子范围；在每个工作电学子范围内分别提取器件模型参数，并写入不同的模型卡；建立每一类器件模型卡的对应关系表，器件模型卡包括工作电学子范围的下限和上限以及对应的器件模型卡名；输入器件的工作电学范围搜索合适器件模型卡名的程序函数；根据程序函数输出器件的每一个所述工作电学子范围对应的所述器件模型卡名。该方法通过缩小针对具体器件的模型参数提取范围，在较小的电学范围内提取参数，提高针对具体器件的模型参数提取精度，进而也提高了电路仿真精度。

关键词：器件模型电学模型参数提取程序函数特性测量器件模型参数电路仿真范围搜索获取器件模型参数输出器件输入器件数据确定提取参数提取器件关系表模型卡写入

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功率元件仿真方法及装置

功率元件仿真方法及装置

引用

作者：曾健忠 518000 广东省深圳市福田区梅林街道孖岭社区凯丰路10号翠林大厦8层806J

本申请适用于集成电路设计及版图领域，提供了功率元件仿真方法及装置，包括：首先获取矩形器件模型和矩形器件模型参数；然后迭加矩形器件模型以构建功率器件；再将矩形器件模型参数和功率器件相关联；最后根据矩形器件模型参数对功率... 详细信息

标准号: CN112487747B

本申请适用于集成电路设计及版图领域，提供了功率元件仿真方法及装置，包括：首先获取矩形器件模型和矩形器件模型参数；然后迭加矩形器件模型以构建功率器件；再将矩形器件模型参数和功率器件相关联；最后根据矩形器件模型参数对功率器件进行仿真，从而避免了内插法或外插法的数值运算去推算功率器件电参数所产生的误差，提高功率元件的电参数仿真的准确性。

关键词：功率器件器件模型参数功率元件器件模型电参数集成电路设计数值运算内插法外插法迭加构建推算关联申请

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参数化的电路单元延时估算模型、其建模方法和系统

参数化的电路单元延时估算模型、其建模方法和系统

引用

作者：吴玉平陈岚 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

一种参数化的电路单元延时估算模型、其建模方法和系统，该电路单元延时估算模型包括输入参数，输入参数包括下列参数中的至少一种：器件尺寸参数；工艺波动相关的器件模型参数；工作电压参数；电路温度参数；以及电路老化状态参数。本... 详细信息

标准号: CN111651948B

一种参数化的电路单元延时估算模型、其建模方法和系统，该电路单元延时估算模型包括输入参数，输入参数包括下列参数中的至少一种：器件尺寸参数；工艺波动相关的器件模型参数；工作电压参数；电路温度参数；以及电路老化状态参数。本发明通过延时模型的参数化提高电路单元的延时表征精度，并根据参数的敏感性降低延时估算模型的输入参数的维数以简化参数化延时估算模型；本发明采用机器学习建立参数化延时估算模型，可以自适应地为任意电路单元建立高精度的延时模型；本发明采用多种分析技术以缩小蒙特卡洛采用空间从而减少电路仿真以加速建模。

关键词：延时估算模型电路单元参数化输入参数延时模型建模电路器件尺寸参数器件模型参数敏感性降低电路仿真工艺波动工作电压机器学习老化状态温度参数自适应维数分析

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一种先进工艺节点HEMT器件噪声参数预测方法

一种先进工艺节点HEMT器件噪声参数预测方法

引用

作者：张傲高建军 226019 江苏省南通市啬园路9号

本发明公开了一种先进工艺节点HEMT器件噪声参数预测方法，通过建立90nm工艺节点与70nm工艺节点HEMT器件噪声模型参数之间的关系；并通过测得的90nm工艺节点HEMT器件噪声参数，可预测得到70nm工艺节点HEMT器件噪声参数。本发明创造性地... 详细信息

标准号: CN116432594A

本发明公开了一种先进工艺节点HEMT器件噪声参数预测方法，通过建立90nm工艺节点与70nm工艺节点HEMT器件噪声模型参数之间的关系；并通过测得的90nm工艺节点HEMT器件噪声参数，可预测得到70nm工艺节点HEMT器件噪声参数。本发明创造性地构建大尺寸与小尺寸HEMT器件模型参数按比例缩放关系，方便本领域技术人员快速得到相同工艺条件下不同物理尺寸的器件模型参数，预测器件的噪声特性，缩短了建模时间。

关键词：工艺节点噪声参数器件模型参数噪声模型参数按比例缩放工艺条件领域技术模型参数先进工艺预测器件噪声特性方便本可预测构建建模预测

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用于并行设计和工艺优化的方法及系统

用于并行设计和工艺优化的方法及系统

引用

作者：刘志宏马玉涛 201311 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼

本申请公开了用于并行设计和工艺优化的方法和系统。所公开的方法使得能够实现高效的并行设计和工艺优化(PDTO)，并且允许设计者签署技术开发或利用设计分析工具找到最佳设计点。该方法包括：基于技术规范和制造过程数据，从制造技术过... 详细信息

标准号: CN116629179A

本申请公开了用于并行设计和工艺优化的方法和系统。所公开的方法使得能够实现高效的并行设计和工艺优化(PDTO)，并且允许设计者签署技术开发或利用设计分析工具找到最佳设计点。该方法包括：基于技术规范和制造过程数据，从制造技术过程生成基线SPICE模型；将基线SPICE模型扩展到电路设计过程中的技术规范窗口的相应描述，其中，技术规范窗口描述器件模型参数的扩展范围；使用技术规范窗口提取目标SPICE模型；通过与制造技术过程并行地操作的电路设计过程使用目标SPICE模型来验证集成电路满足设计规范。

关键词：技术规范电路设计过程并行设计和工艺技术过程基线器件模型参数分析工具技术开发设计规范制造过程集成电路优化制造验证申请签署

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一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法及系统

一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法及系统

引用

作者：方雯李顺钟乐程劼任尚清代刚 621000 四川省绵阳市绵山路64号

一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法及系统。该方法包括：提取BJT器件的辐照前器件模型参数；获取不同辐照条件下对应的多余基极电流；根据多余基极电流确定辐照条件‑多余基极电流关系；利用半导体器件建模软件提取多余基极电流... 详细信息

标准号: CN108509729B

一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法及系统。该方法包括：提取BJT器件的辐照前器件模型参数；获取不同辐照条件下对应的多余基极电流；根据多余基极电流确定辐照条件‑多余基极电流关系；利用半导体器件建模软件提取多余基极电流对应的寄生二极管模型参数；根据寄生二极管模型参数确定多余基极电流‑寄生二极管模型参数关系；确定寄生二极管参数与辐射条件之间的对应关系；根据上述关系建立辐照环境下的BJT器件辐照模型；根据BJT器件辐照模型对辐照后的含有BJT器件的电路进行仿真。采用本发明所提供的仿真方法及系统能够准确地对辐照条件下的BJT器件电学特性建立紧凑模型，从而进行准确的BJT电路辐照效应仿真。

关键词：基极电流寄生二极管辐照辐照条件模型参数电路器件辐照器件模型参数半导体器件电学特性辐射条件辐照环境辐照效应关系建立建模软件紧凑模型

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功率元件仿真方法及装置

功率元件仿真方法及装置

引用

作者：曾健忠 518000 广东省深圳市福田区梅林街道孖岭社区凯丰路10号翠林大厦8层806J

标准号: CN112487747A

关键词：功率器件器件模型参数功率元件器件模型电参数集成电路设计数值运算内插法外插法迭加构建推算关联申请

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