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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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22 篇 专利
1 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

24 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

2 篇 工学
- 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

2 篇 建模
2 篇 器件模型参数
1 篇 优化提取
1 篇 组合模拟
1 篇 相关性分析
1 篇 集成电路
1 篇 设计
1 篇 宏模型

机构

9 篇 中国科学院微电子...
2 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 上海概伦电子股份...
2 篇 西安电子科技大学
2 篇 中国工程物理研究...
2 篇 深圳天狼芯半导体...
1 篇 复旦大学
1 篇 上海集成电路研发...
1 篇 成都微光集电科技...
1 篇 中国科学院上海微...
1 篇 南通大学
1 篇 青岛歌尔声学科技...

作者

4 篇 陈岚
4 篇 吴玉平
3 篇 卜建辉
3 篇 罗家俊
3 篇 刘海南
3 篇 韩郑生
2 篇 周佳辉
2 篇 刘桂明
2 篇 范象泉
2 篇 马玉涛
2 篇 曾健忠
2 篇 常虎东
2 篇 钟乐
2 篇 代刚
2 篇 李垌帅
2 篇 任尚清
2 篇 刘志宏
2 篇 王成成
2 篇 程劼
2 篇 李顺

语言

24 篇 中文

检索条件"主题词=器件模型参数"

共 24 条记录，以下是11-20 订阅

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详细简洁

排序：

一种提高具体器件模型参数提取精度的方法及系统

一种提高具体器件模型参数提取精度的方法及系统

引用

作者：吴玉平陈岚 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子研究所

本发明公开了一种提高具体器件模型参数提取精度的方法及系统，该方法包括：获取器件的特性测量数据；根据特性测量数据确定器件的工作电学范围；将工作电学范围划分为至少两个工作电学子范围；在每个工作电学子范围内分别提取器件模型... 详细信息

标准号: CN105373634A

本发明公开了一种提高具体器件模型参数提取精度的方法及系统，该方法包括：获取器件的特性测量数据；根据特性测量数据确定器件的工作电学范围；将工作电学范围划分为至少两个工作电学子范围；在每个工作电学子范围内分别提取器件模型参数，并写入不同的模型卡；建立每一类器件模型卡的对应关系表，器件模型卡包括工作电学子范围的下限和上限以及对应的器件模型卡名；输入器件的工作电学范围搜索合适器件模型卡名的程序函数；根据程序函数输出器件的每一个所述工作电学子范围对应的所述器件模型卡名。该方法通过缩小针对具体器件的模型参数提取范围，在较小的电学范围内提取参数，提高针对具体器件的模型参数提取精度，进而也提高了电路仿真精度。

关键词：器件模型电学卡名模型参数提取器件模型参数程序函数特性测量工作范围内对应对应关系表电路仿真范围划分范围搜索分别提取获取器件输出器件输入器件数据确定提取参数提取精度模型卡两个一种写入合适缩小公开建立

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大信号应用的器件模型参数提取方法

大信号应用的器件模型参数提取方法

引用

作者：范象泉 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提出了一种大信号应用的器件模型参数提取方法，在对器件模型进行大信号应用下的参数提取过程中，同时调节平衡参数，由于平衡参数能够改善大信号应用下器件模型的仿真曲线并且对小信号应用下器件模型的仿真曲线影响较小，因此，... 详细信息

标准号: CN105468803A

本发明提出了一种大信号应用的器件模型参数提取方法，在对器件模型进行大信号应用下的参数提取过程中，同时调节平衡参数，由于平衡参数能够改善大信号应用下器件模型的仿真曲线并且对小信号应用下器件模型的仿真曲线影响较小，因此，在进行大信号应用下的参数进行优化，获得较为准确的参数。

关键词：大信号器件模型应用仿真曲线平衡参数器件模型参数参数提取提取方法同时调节小信号一种进行准确优化改善影响

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一种半导体器件模型的建模方法及装置

一种半导体器件模型的建模方法及装置

引用

作者：卜建辉王成成李垌帅刘海南曾传滨韩郑生罗家俊 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明提供一种半导体器件模型的建模方法及装置，方法包括：根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间；针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据所述模型参数建立对应的子器件模型；合并所述子器件模型，获得... 详细信息

标准号: CN111680465A

本发明提供一种半导体器件模型的建模方法及装置，方法包括：根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间；针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据所述模型参数建立对应的子器件模型；合并所述子器件模型，获得当前半导体器件模型；当需要再次对所述集成电路器件进行仿真时，接收温度区间的当前标识值，根据所述当前标识值在所述当前半导体器件模型中确定出对应的子器件模型；利用所述对应的子器件模型对所述集成电路器件进行仿真；如此，因不同的温度区间对应的有不同的子器件模型，这样在对集成电路器件进行仿真时，无论温度是在什么范围内，都有合适的子器件模型对集成电路器件进行仿真，确保仿真精度，满足仿真要求。

关键词：器件模型集成电路器件温度区间半导体器件器件模型参数仿真结果模型参数建模合并

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一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置

一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置

引用

作者：卜建辉王成成李垌帅刘海南赵发展韩郑生罗家俊 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本申请提供一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置，方法包括：根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间；针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据模型参数建立对应的子器件模型；合并子器件模型，获得... 详细信息

标准号: CN111680466A

本申请提供一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置，方法包括：根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间；针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据模型参数建立对应的子器件模型；合并子器件模型，获得当前半导体器件模型；当需要再次对集成电路器件进行仿真时，接收仿真所需的目标温度，确定所目标温度所属的目标温度区间以及当前半导体器件模型中目标温度区间对应的子器件模型；利用对应的子器件模型对集成电路器件进行仿真；如此，因不同的温度区间对应的有不同的子器件模型，这样在对集成电路器件进行仿真时，无论温度是在什么范围内，都可以找到合适的子器件模型对集成电路器件进行仿真，确保仿真精度。

关键词：集成电路器件器件模型温度区间半导体器件器件模型参数仿真结果模型参数合并申请

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参数化的电路单元延时估算模型、其建模方法和系统

参数化的电路单元延时估算模型、其建模方法和系统

引用

作者：吴玉平陈岚 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

一种参数化的电路单元延时估算模型、其建模方法和系统，该电路单元延时估算模型包括输入参数，输入参数包括下列参数中的至少一种：器件尺寸参数；工艺波动相关的器件模型参数；工作电压参数；电路温度参数；以及电路老化状态参数。本... 详细信息

标准号: CN111651948A

一种参数化的电路单元延时估算模型、其建模方法和系统，该电路单元延时估算模型包括输入参数，输入参数包括下列参数中的至少一种：器件尺寸参数；工艺波动相关的器件模型参数；工作电压参数；电路温度参数；以及电路老化状态参数。本发明通过延时模型的参数化提高电路单元的延时表征精度，并根据参数的敏感性降低延时估算模型的输入参数的维数以简化参数化延时估算模型；本发明采用机器学习建立参数化延时估算模型，可以自适应地为任意电路单元建立高精度的延时模型；本发明采用多种分析技术以缩小蒙特卡洛采用空间从而减少电路仿真以加速建模。

关键词：延时估算模型电路单元参数化输入参数延时模型建模电路器件尺寸参数器件模型参数敏感性降低电路仿真工艺波动工作电压机器学习老化状态温度参数自适应维数分析

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基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置

基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置

引用

作者：卜建辉王可为李多力李博李彬鸿刘海南罗家俊韩郑生 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明公开了一种基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：BSIMIMG背沟道器件模型和BSIMIMG正沟道器件模型，BSIMIMG背沟道器件模型以受控源形式合并至BSIMIMG正沟道器件模型；其中，BSIMIMG正沟... 详细信息

标准号: CN112052637A

本发明公开了一种基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：BSIMIMG背沟道器件模型和BSIMIMG正沟道器件模型，BSIMIMG背沟道器件模型以受控源形式合并至BSIMIMG正沟道器件模型；其中，BSIMIMG正沟道器件模型是基于新的BSIMIMG标准模型和从FDSOI MOSFET器件提取的正沟道器件模型参数生成，BSIMIMG背沟道器件模型是基于新的BSIMIMG标准模型和从FDSOI MOSFET器件提取的背沟道器件模型参数生成，新的BSIMIMG标准模型是修改BSIMIMG标准模型的Verilog‑a代码所得到。通过本发明提高了背沟道开启情况下的器件模型精度。

关键词：标准模型沟道器件器件模型正沟道集成电路设计器件模型参数模型参数受控源沟道合并应用

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一种图像传感器像素单元晶体管的建模方法

一种图像传感器像素单元晶体管的建模方法

引用

作者：郭奥范春晖刘林林周伟 201210 上海市浦东新区上海浦东张江高斯路497号

一种图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其包括设计传输晶体管的测试结构、标准二极管的测试结构以及标准MOS晶体管的测试结构；对传输晶体管、标准二极管以及标准MOS晶体管的测试结构进行版图出版、工艺流片以及数据测试；提取标准... 详细信息

标准号: CN106682311B

一种图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其包括设计传输晶体管的测试结构、标准二极管的测试结构以及标准MOS晶体管的测试结构；对传输晶体管、标准二极管以及标准MOS晶体管的测试结构进行版图出版、工艺流片以及数据测试；提取标准二极管和标准MOS晶体管的器件模型参数，基于标准二极管和标准MOS晶体管的器件模型构建传输晶体管子电路模型；拟合并优化子电路模型的参数，形成传输晶体管的器件模型。因此，本发明将传输晶体管等效为标准MOS晶体管和标准二极管的串联结构，以此为基础构建传输晶体管子电路模型，并设计相应的测试结构，通过测试数据拟合和优化子电路模型参数，最终形成像素单元的传输晶体管模型。

关键词：传输晶体管标准二极管测试结构子电路模型器件模型图像传感器像素器件模型参数单元晶体管测试数据串联结构基础构建数据测试像素单元工艺流构建建模拟合优化合并出版

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一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法及系统

一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法及系统

引用

作者：方雯李顺钟乐程劼任尚清代刚 621000 四川省绵阳市绵山路64号

一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法及系统。该方法包括：提取BJT器件的辐照前器件模型参数；获取不同辐照条件下对应的多余基极电流；根据多余基极电流确定辐照条件‑多余基极电流关系；利用半导体器件建模软件提取多余基极电流... 详细信息

标准号: CN108509729A

一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法及系统。该方法包括：提取BJT器件的辐照前器件模型参数；获取不同辐照条件下对应的多余基极电流；根据多余基极电流确定辐照条件‑多余基极电流关系；利用半导体器件建模软件提取多余基极电流对应的寄生二极管模型参数；根据寄生二极管模型参数确定多余基极电流‑寄生二极管模型参数关系；确定寄生二极管参数与辐射条件之间的对应关系；根据上述关系建立辐照环境下的BJT器件辐照模型；根据BJT器件辐照模型对辐照后的含有BJT器件的电路进行仿真。采用本发明所提供的仿真方法及系统能够准确地对辐照条件下的BJT器件电学特性建立紧凑模型，从而进行准确的BJT电路辐照效应仿真。

关键词：基极电流寄生二极管辐照辐照条件模型参数电路器件辐照器件模型参数半导体器件电学特性辐射条件辐照环境辐照效应关系建立建模软件紧凑模型

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一种半导体器件参数提取装置及方法

一种半导体器件参数提取装置及方法

引用

作者：刘洪刚刘桂明常虎东周佳辉 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明公开了一种半导体器件参数提取装置及方法，涉及微电子集成电路技术领域，该半导体器件参数提取方法包括：用于编写电路网表的电路描述步骤；用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试步骤；用于从测试计划中提取寄生单元参... 详细信息

标准号: CN104573283B

本发明公开了一种半导体器件参数提取装置及方法，涉及微电子集成电路技术领域，该半导体器件参数提取方法包括：用于编写电路网表的电路描述步骤；用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试步骤；用于从测试计划中提取寄生单元参数和本征器件模型参数的参数提取步骤；以及用于将提取出的半导体器件参数导出的参数导出步骤。本发明提高了参数提取的灵活度和模型参数的准确性，并与商用模型结合实现便捷性，具有实际的应用价值。

关键词：半导体器件参数提取测试计划导出微电子集成电路参数提取步骤参数提取装置器件模型参数电路描述电路网表寄生单元模型参数器件测试商用模型数据结果便捷性灵活度本征应用

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电路设计中组合模拟以及器件模型参数优化提取技术的研究

电路设计中组合模拟以及器件模型参数优化提取技术的研究

引用

作者：孙纪伟西安电子科技大学

学位级别：硕士

电路仿真对电路设计而言是不可缺少的。仿真中器件采用模型(即等效电路)表示,因此模型和模型参数精度对电路仿真起到了关键作用。随着集成度的不断提高,单片集成电路规模几何增长,加之电路形式日益复杂,造成电路仿真的时间开销大到令人... 详细信息

电路仿真对电路设计而言是不可缺少的。仿真中器件采用模型(即等效电路)表示,因此模型和模型参数精度对电路仿真起到了关键作用。随着集成度的不断提高,单片集成电路规模几何增长,加之电路形式日益复杂,造成电路仿真的时间开销大到令人无法接受。另外,在PSpice这类电路仿真软件中,模型库所提供的器件模型也满足不了电路设计的需要。因此根据电路仿真发展的需要,提出了以下三个方面问题:如何提高模型参数提取精度、如何构建新器件的模型、如何解决电路规模过大使电路级仿真难以继续的问题。本文分别针对这三个问题进行了分析和研究,并得到了一些研究成果。由于器件模型参数的提取精度决定了电路仿真精度,所以本文提出了基于物理机理分析和全局优化的组合提取方法来提高提取的精度和效率。由于在电路中所采用的元器件的种类的增多,所以现在常用的电路仿真工具中的元件库都会缺少一些器件或电路模块。为了解决这个问题,本文研究了如何使用ABM模型在PSpice中搭建模型库中没有的器件和电路单元。并介绍了创建子电路模型的方法。同时,还总结了使用Simulink模型构建电路的方法。由于更加复杂的器件模型和更大的电路规模显著增加了电路仿真成本和时间,所以本文提出了基于SLPS工具的组合模拟仿真方法。该方法结合了PSpice仿真结果精度高和Simulink仿真效率高的优点,从而在保证仿真精度的前提下大大地提高了仿真效率。

关键词：优化提取器件模型参数组合模拟建模宏模型

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