检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：刘晓颖薛林 266061 山东省青岛市崂山区秦岭路18号国展财富中心3号楼4层401-436户

本发明公开了一种BOM导出方法，所述方法包括下述步骤：（1）对器件进行分类；（2）在同类器件中，确定器件模型；（3）比较器件与器件模型的参数，获得与器件模型参数相同的器件，并按层分类；（4）判断是否还有与原先器件模型参数不... 详细信息

标准号: CN104392029B

本发明公开了一种BOM导出方法，所述方法包括下述步骤：（1）对器件进行分类；（2）在同类器件中，确定器件模型；（3）比较器件与器件模型的参数，获得与器件模型参数相同的器件，并按层分类；（4）判断是否还有与原先器件模型参数不同的器件，如果有，将与原先器件模型参数不同的一个器件作为器件模型，返回步骤（3），如果没有，输出BOM。本发明的BOM导出方法先将器件按照类别和封装进行分类，确定器件模型，然后获得与器件模型参数相同的器件，将具有相同参数的器件进行分层，最后输出BOM，输出的BOM中器件已经按照类别、封装、层分类，无需工程师手动进行分层，提高了工作效率，同时也避免引入人为失误。

关键词：器件模型参数器件模型分类导出分层输出封装比较器件工作效率人为失误工程师返回引入

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外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型

外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型

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作者：刘燕宋志棠汪恒刘波 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型，提取单一器件尺寸、规模及基准工艺条件下的二极管阵列器件的工艺模型参数和器件模型参数并建立工艺模型和器件模型；依据实验流片的参数测试结果校验得到的工艺模型参... 详细信息

标准号: CN104392058B

本发明提供一种外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型，提取单一器件尺寸、规模及基准工艺条件下的二极管阵列器件的工艺模型参数和器件模型参数并建立工艺模型和器件模型；依据实验流片的参数测试结果校验得到的工艺模型参数和器件模型参数；根据校验后的工艺模型参数和器件模型参数建立二极管电学特性与器件尺寸、工艺模型参数和器件模型参数的依存性关系；利用寄生三极管网络模型仿真二极管阵列内部正向驱动电流、串扰电流与衬底漏电流之间的关系，然后校验二极管阵列器件的工艺优化条件。根据下一代二极管驱动阵列器件的性能要求，可以方便、快捷地确定器件工艺条件和器件参数，预测器件性能。

关键词：工艺模型器件模型参数校验二极管阵列参数测试结果正向驱动电流二极管驱动仿真二极管隔离二极管寄生三极管二极管电学特性仿真模型工艺条件工艺优化器件参数器件工艺器件模型驱动阵列网络模型性能要求预测器件阵列器件漏电流双沟道衬底串扰建模流片

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一种半导体器件参数提取装置及方法

一种半导体器件参数提取装置及方法

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作者：刘洪刚刘桂明常虎东周佳辉 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明公开了一种半导体器件参数提取装置及方法，涉及微电子集成电路技术领域，该半导体器件参数提取方法包括：用于编写电路网表的电路描述步骤；用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试步骤；用于从测试计划中提取寄生单元参... 详细信息

标准号: CN104573283A

本发明公开了一种半导体器件参数提取装置及方法，涉及微电子集成电路技术领域，该半导体器件参数提取方法包括：用于编写电路网表的电路描述步骤；用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试步骤；用于从测试计划中提取寄生单元参数和征器件模型参数的参数提取步骤；以及用于将提取出的半导体器件参数导出的参数导出步骤。发明提高了参数提取的灵活度和模型参数的准确性，并与商用模型结合实现便捷性，具有实际的应用价值。

关键词：半导体器件参数提取参数导出测试计划微电子集成电路参数提取装置器件模型参数提取电路描述电路网表寄生单元模型参数器件测试商用模型数据结果便捷性参数和灵活度一种完备编写应用公开涉及结合

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器件模型参数的相关性分析与建模

引用

电子学报 1999年第8期27卷 19-22页

作者：郝跃赵天绪马佩军周涤非西安电子科技大学微电子所

本文基于主成份分析和因子分析，提出了集成电路（ＩＣ）器件模型参数的主成份因子统计模型，并给出了主成份因子分析的方法及其模型的建立过程．最后，以电路实例分析验证了该方法的可行性和有效性．该统计模型可用于ＩＣ性能分析和统... 详细信息

本文基于主成份分析和因子分析，提出了集成电路（ＩＣ）器件模型参数的主成份因子统计模型，并给出了主成份因子分析的方法及其模型的建立过程．最后，以电路实例分析验证了该方法的可行性和有效性．该统计模型可用于ＩＣ性能分析和统计优化设计．

关键词：相关性分析集成电路器件模型参数设计建模

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